reporte dr. francisco

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1 PROYECTO FINAL Termómetro con transistor mosfet y diodo rectificador EXPERIENCIA EDUCATIVA Física de semiconductores y materiales. DOCENTE PH. D. Francisco Javier González Martínez INTEGRANTES S13011118 GRIJALBA SALGADO VÍCTOR MANUEL S13011135 MÉNDEZ VÁZQUEZ JOSÉ EDUARDO S13011197 PÉREZ ÁLVAREZ EDIBERTO S13011143 RAMÍREZ GUATSOZÓN ESTEBAN DE JESÚS

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PROYECTO FINALTermómetro con transistor mosfet y diodo rectificador

EXPERIENCIA EDUCATIVA

Física de semiconductores y materiales.

DOCENTE

PH. D. Francisco Javier González Martínez

INTEGRANTES

S13011118 GRIJALBA SALGADO VÍCTOR MANUEL S13011135 MÉNDEZ VÁZQUEZ JOSÉ EDUARDOS13011197 PÉREZ ÁLVAREZ EDIBERTOS13011143 RAMÍREZ GUATSOZÓN ESTEBAN DE JESÚS

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RESUMEN

Este proyecto pretende afirmar los conocimientos de la experiencia educativa y enlazarlos con las demás áreas de formación estudiadas en esta carrera, en particular con el análisis de los diodos que fue uno de los principales temas de estudio.

Un diodo rectificador es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña.

Si a un diodo Zener se le aplica una corriente eléctrica del ánodo al cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico la mayoría de casos), pero si se le suministra corriente eléctrica de cátodo a ánodo (polarización inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión constante.

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ÍNDICE

Desarrollo ……………………………………………………………………………………………….. 4

Marco Teórico …………………………………………………………………………………. 4

Cálculos ………………………………………………………………………………………... 4

Diagramas esquemáticos o figuras ………………………….................................................... 4

Tablas …………………………………………………………………………………………... 4

Datos ……………………………………………………………………………………………. 4

Dispositivos …………………………………………………………………………………….. 5

Discusión y/o comentarios ……………………………………………………………………………... 5

Conclusiones ……………………………………………………………………………………………. 5

Bibliografía ……………………………………………………………………………………………... 5

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DESARROLLO

Se realizó la investigación acerca de los componentes utilizados en este proyecto. Y con lo aprendido durante las clases se sabe que al aumentar la temperatura de un diodo rectificador su punto de ruptura que normalmente es de .7 volts aumenta, por lo tanto hay una relación inversamente proporcional en la que al aumentar la temperatura del diodo el voltaje de salida es mayor y viceversa.

CÁLCULOS

Encontrando el voltaje de salida.

TABLA COMPARATIVA ENTRE LOS VOLTAJES DE SALIDA PROPUESTOS Y LOS OBTENIDOS.

Diagramas esquemáticos

Diagrama sugerido en el libro

“Microelectronics circuit analysis and design”

PCB del diagrama diseñado en proteus 8.1

T (°F) VD(V)

0 0.558

40 0.50180 0.500

100 0.583

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DISPOSITIVOS USADOS

El transistor mosfet IRF630, canal N.

Resistencia de 10 y 15kΩ.

Diodo Zener.

Diodo rectificador.

DISCUSIÓN Y/O COMENTARIOS

El libro al no especificar el tipo de transistor plantea una problemática que se solucionó buscando un transistor semejante y empleando un diodo zener para regular el voltaje, logrando con esto, llegar al fin propuesto por el libro mencionado en la referencia bibliográfica.

CONCLUSIÓN

El conocimiento de materiales semiconductores y como emplearlos genera un mundo de posibilidades dentro de la electrónica, desde resistencias hasta microcontroladores, su importancia es de gran valía ya que estos componen la estructura interna de muchos componentes electrónicos.

BIBLIOGRAFÍA

4th Edition, Donald A. Neamen, “Microelectronics, Circuit Analysis and Design”

Circuito impreso con los elementos utilizados.