estudio y simulación de un láser pulsado basado en la...

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Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires [1] Grondona Ezequiel Estudio y simulación de un láser pulsado basado en la técnica Q-Switch pasivo Grondona Ezequiel I. I NTRODUCCIÓN l diseño de láseres pulsados basados en técnica Q- Switch pasivo ha ganado gran terreno en el campo de la optoelectrónica debido a la sencillez requerida en su armado y la robustez del mismo. Varios estudios recientes han presentado modelos teóricos que representan fielmente el proceso de operación del láser. J. Degnan [1] introdujo los parámetros claves para la optimización de la energía del pulso, posteriormente G. Xia y M. Bass [2] realizaron, en base a los trabajos de Degnan, modificaciones incluyendo los efectos de absorción del estado excitado (ESA) propio de los materiales absorbentes como el Cr 4+ :YAG. A ellos se suma el trabajo de Y. F. Chen et al. [8] mediante el desarrollo de un modelo teórico para la optimización de la energía de salida del láser, basado principalmente en la reflectividad del espejo de salida y la transmisión inicial del material pasivo. Basado en estas investigaciones, el objetivo de este trabajo es encontrar los parámetros óptimos para el futuro desarrollo de un láser de estado sólido pulsado a través de la técnica Q-Switch pasivo. II. MODELO Inicialmente puede ser tentadora la idea de trabajar con el modelo presentado por Koechner [7] para el análisis de la dinámica del láser, donde es introducido un factor de pérdidas de la cavidad dependiente del material absorbente. Sin embargo, puede observarse que el método de resolución es iterativo dado que la trasmisión del material pasivo depende directamente de la intensidad del láser, y esta a su vez se despeja de un sistema de ecuaciones que involucra la transmisión del material pasivo. Debido a esto es que se escoge otra forma de encarar el problema que no requiera de estimación inicial y que resolviera el sistema de manera directa. Considérese un sistema láser de 4 niveles como el mostrado en la Figura 1: Figura 1, Sistema típico de 4 niveles. Para modelar la operación del láser Q-Switch pasivo se asume bombeo uniforme en el medio, tiempos de vida de los niveles 1 y 3 despreciables respecto del encontrado en el nivel 2, y una frecuencia de bombeo tal que permita la recuperación completa del material pasivo. El sistema de ecuaciones diferenciales acoplado para el modelado de un sistema de cuatro niveles es [4]: ( ) Donde: : Número de fotones en la cavidad (magnitud sin unidades), : Inversión efectiva de población (magnitud sin unidades), E

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Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[1] Grondona Ezequiel

Estudio y simulación de un láser pulsado basado en la técnica Q-Switch pasivo

Grondona Ezequiel

I. INTRODUCCIÓN

l diseño de láseres pulsados basados en técnica Q-

Switch pasivo ha ganado gran terreno en el campo

de la optoelectrónica debido a la sencillez requerida en

su armado y la robustez del mismo. Varios estudios

recientes han presentado modelos teóricos que

representan fielmente el proceso de operación del

láser. J. Degnan [1] introdujo los parámetros claves

para la optimización de la energía del pulso,

posteriormente G. Xia y M. Bass [2] realizaron, en base

a los trabajos de Degnan, modificaciones incluyendo

los efectos de absorción del estado excitado (ESA)

propio de los materiales absorbentes como el

Cr4+:YAG. A ellos se suma el trabajo de Y. F. Chen et al.

[8] mediante el desarrollo de un modelo teórico para

la optimización de la energía de salida del láser,

basado principalmente en la reflectividad del espejo

de salida y la transmisión inicial del material pasivo.

Basado en estas investigaciones, el objetivo de este

trabajo es encontrar los parámetros óptimos para el

futuro desarrollo de un láser de estado sólido pulsado

a través de la técnica Q-Switch pasivo.

II. MODELO

Inicialmente puede ser tentadora la idea de trabajar

con el modelo presentado por Koechner [7] para el

análisis de la dinámica del láser, donde es introducido

un factor de pérdidas de la cavidad dependiente del

material absorbente. Sin embargo, puede observarse

que el método de resolución es iterativo dado que la

trasmisión del material pasivo depende directamente

de la intensidad del láser, y esta a su vez se despeja de

un sistema de ecuaciones que involucra la transmisión

del material pasivo. Debido a esto es que se escoge

otra forma de encarar el problema que no requiera de

estimación inicial y que resolviera el sistema de

manera directa.

Considérese un sistema láser de 4 niveles como el

mostrado en la Figura 1:

Figura 1, Sistema típico de 4 niveles.

Para modelar la operación del láser Q-Switch pasivo se

asume bombeo uniforme en el medio, tiempos de vida

de los niveles 1 y 3 despreciables respecto del

encontrado en el nivel 2, y una frecuencia de bombeo

tal que permita la recuperación completa del material

pasivo. El sistema de ecuaciones diferenciales

acoplado para el modelado de un sistema de cuatro

niveles es [4]:

(

)

Donde:

: Número de fotones en la cavidad (magnitud sin

unidades),

: Inversión efectiva de población

(magnitud sin unidades),

E

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[2] Grondona Ezequiel

: Secciones del campo óptico,

: Sección transversal de absorción,

: Tiempo de round-trip,

: Tiempo de vida del fotón,

: Suma de las pérdidas parásitas en la cavidad y

las pérdidas causadas por las reflectividades de

los espejos.

Los subíndices g y s indican si corresponde al material

activo o pasivo respectivamente. Notar que se

modelizó al material absorbente como un sistema de

cuatro niveles, tal como se describe en [2].

Figura 2, Niveles de energía de un material pasivo con ESA

En los materiales absorbentes prácticos la transmisión

nunca alcanza el 100% por causa de la absorción de

fotones por el estado excitado. La transición 2-4 no

muestra saturación cuando se expone al flujo láser

dentro de la cavidad debido a la rápida relajación del

nivel 4. Luego resulta en pérdidas residuales cuando el

estado más bajo (ground state) se encuentra saturado.

La primera ecuación del sistema de ecuaciones

introducido representa la variabilidad del número de

fotones en la cavidad, dependiente básicamente de los

procesos de emisión estimulada por parte del medio

con ganancia y absorción por parte del material

pasivo. Existe un término adicional correspondiente a

las pérdidas no saturables de la cavidad.

La emisión estimulada va a resultar entonces

proporcional al número de fotones en la cavidad ( ), la

inversión de población efectiva ( ) y a la

probabilidad por unidad de tiempo de que un fotón

dado interactúe con un dado sitio invertido (

)

[4]. La absorción sigue una ley matemáticamente

idéntica pero contribuye a una disminución del

número de fotones siendo entonces de signo opuesto a

la emisión estimulada. Desarrollando los términos de

absorción puede observarse que el ESA introduce un

efecto indeseado que es la disminución de la

componente de pérdidas del material absorbente y

aumento de las pérdidas parásitas.

Un análisis previo de la cavidad permitió observar que

la amplitud del campo óptico (haciendo referencia al

campo eléctrico de una onda electromagnética) en la

misma varía muy poco en la coordenada axial,

pudiendo tomarse: . Para ello se consideró

como representativo un modo gaussiano TEM0,0,

donde el tamaño del spot del láser coincide con el área

del campo óptico.

El bombeo, presente en las ecuaciones anteriores, es

producido por una lámpara flash y se puede

representar a través de la siguiente expresión:

( ) (

)

Donde es la constante de tiempo del pulso y es la

energía, generalmente almacenada en un capacitor,

que entrega el circuito de alimentación a la lámpara

para efectuar el bombeo. La constante de

proporcionalidad depende de la eficiencia del sistema

de bombeo ( ), el volumen bombeado ( ) y la

frecuencia ideal de bombeo ( ) tal como se define

en [6]. La expresión del bombeo se obtiene al hallar la

potencia entregada a una resistencia en un circuito

RLC serie amortiguado críticamente.

Figura 3, Típica fuente de alimentación utilizada para flashlamps.

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[3] Grondona Ezequiel

III. NORMALIZACIÓN

Para facilitarle el trabajo a la computadora y hacer lo

más general posible el resultado de las simulaciones,

se recomienda una normalización de las ecuaciones.

De lo contrario resultaría muy difícil simular debido a

la gran diferencia que existe en órdenes de magnitud

entre las variables utilizadas. Para ello, tomando como

base la normalización usada en [7] para el tratamiento

de la dinámica del láser, se propone:

1.

, tiempo normalizado al tiempo de tránsito

en la cavidad;

2.

( )

,

inversiones normalizadas a la ganancia del medio en la cavidad;

3.

, número de fotones

normalizado al número de fotones en saturación (para el caso sin material absorbente, Is0);

4.

, tiempos de vida relacionados al

tiempo de round-trip;

5.

, bombeo normalizado;

6.

, secciones transversales

normalizadas a la relación existente entre los distintos materiales y los estados del material pasivo.

El sistema normalizado resulta:

[ ( ) ]

[ ( )]

A continuación el análisis se enfocará en los siguientes

parámetros: Potencia máxima de salida del láser,

ancho del pulso láser, energía involucrada en el mismo

y la eficiencia de extracción. Todas ellas se obtendrán

del análisis temporal de las simulaciones, y se

relacionan con las cantidades normalizadas de la

siguiente manera:

a) Eficiencia de extracción [7]:

( ) (

)

b) Energía de salida [8]:

(

) (

)

c) Potencia de salida máxima [4]:

( )

(

) ( )

(

) ( )

d) Ancho de pulso:

[

]

[

]

Donde es la ganancia inicial, determinada por la

condición para la cual en un round-trip la ganancia es

igual a las pérdidas por round-trip, y es la ganancia

final, valor remanente después del pulso.

IV. SIMULACIONES

El sistema de ecuaciones diferenciales acopladas fue

resuelto a través del método Runge-Kutta de orden 4-

5, desarrollado por el programa comercial Matlab.

Para ello fueron definidos todos los parámetros

conocidos y algunos otros fueron obtenidos de la

bibliografía [3].

Las condiciones iniciales se establecen de acuerdo a

cada problema a resolver, debiendo destacarse que,

para inicializar la cavidad con flujo inicial de fotones

nulo se debe agregar una semilla en la ecuación.

[ ( ) ]

El término es el que permite inicializar el sistema

con , y se relaciona con la probabilidad de que

un fotón emitido espontáneamente vaya en la

dirección correcta para producirse realimentación y

que ocurra el laser. Dicha probabilidad espacial se

determina con el parámetro .

Antes de usar la herramienta para la obtención de

nuevos resultados se procede a verificar la misma

contrastando con resultados conocidos de fuentes

fiables. Se simula un láser pulsado basado en la técnica

Q-Switch pasivo conformado por un Nd:YAG como

material activo y Cr4+:YAG como material pasivo, y se

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[4] Grondona Ezequiel

busca obtener concordancias con las curvas

planteadas en la referencia [8]. Se plantea allí una

expresión cerrada (hallada en forma numérica) para la

energía del pulso en función de la reflectividad del

espejo de salida y de la transmisión inicial del material

pasivo.

Figura 4, Resultados obtenidos de la simulación para la energía de

salida en función de T0 (curva roja), contrastados con los resultados obtenidos en [8] (curva azul).

La similitud entre las curvas obtenidas permite aplicar

la herramienta con cierta confianza para análisis

posteriores.

V. RESULTADOS

Los parámetros para el Nd:YAG, y

, fueron obtenidos de la referencia [3]. La

barra utilizada posee además una longitud .

Para el Cr4+:YAG los parámetros brindados por [2], [3]

y [9] en cuanto a las secciones eficaces de los

diferentes estados (ground state y excited state)

difieren bastante entre sí, optándose por dejarlas

como variables del problema y analizar cómo afectan

al diseño del láser. El material utilizado es un cubo de

lado .

La cavidad consiste en un par de espejos enfrentados a

de distancia. El primero de ellos es un espejo

cóncavo de de distancia focal y reflectividad

, mientras que el segundo es un espejo

plano de reflectividad .

Los resultados obtenidos para las diferentes

combinaciones de parámetros ( ) se presentan

en la Figura 5.

Figura 5, Energía de salida del láser, para las diferentes combinaciones de parámetros (σsg, σsu). Ambos ejes se halla n en escala logarítmica.

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,80

0.5

1

1.5

2

2.5

T0

Ou

tpu

t En

ergy

(h

A/2

)

= 3.1071, = 0.2529

R = 80%

R = 50%

R = 20%

su

[cm2]

sg

[cm

2]

Energía de salida (normalizada a Escale

= hA/2)

10-19

10-18

10-18

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

810-18

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[5] Grondona Ezequiel

Aquellos conjuntos de parámetros tales que

⁄ no fueron simulados y corresponden a la

franja azul en el extremo derecho de la figura,

delimitados por la curva negra punteada. Esto se debe

a que en la práctica se busca que la absorción del

estado excitado sea lo menor posible para obtener la

menor cantidad de pérdidas no saturables. En el

sistema de ecuaciones que modela la dinámica del

láser, el término ⁄ de la primera ecuación

representa las pérdidas no saturables (residuales)

causadas por la absorción del estado excitado. Dichas

pérdidas producen una disminución del umbral del

láser, y por ende de la ganancia del láser , cuya

consecuencia inmediata es el desarrollo de un pulso de

menor energía. Con lo cual resulta poco práctico (al

menos para el fin pensado en un láser basado en la

técnica Q-Switch Pasivo) trabajar con materiales que

cumplieran dicha condición. Koechner [3] establece

que debe cumplirse la desigualdad: para

poder utilizar el material en la técnica de Q-Switch

Pasivo. En cuanto al ancho de pulso se presenta la

Figura 6, en la cual se observa que los pulsos más

angostos se desarrollan para aquellos cocientes

mayores. Por debajo de la línea negra

punteada corresponde a valores no simulados por

cumplirse la condición mencionada anteriormente.

Figura 6, Ancho de pulso para las diferentes combinaciones de parámetros (σsg, σsu). Ambos ejes se halla n en escala logarítmica.

Tomando un juego de parámetros, en este caso se opta

por aquellos dados en [8], es posible hallar la

evolución temporal de la ganancia y la potencia de

salida del láser como se observa en la Figura 7.

La energía de salida, 2.15mJ suponiendo un spot de

2mm de diámetro, se halla muy cerca de la energía de

salida óptima dada por [8, Ec. 26]. Esto se condice con

la curva mostrada en la Figura 4, donde muestra que la

energía óptima normalizada para el conjunto

( ) es aproximadamente 0.2.

La potencia de salida se normaliza a la intensidad de

saturación, definida por ⁄ , cuyo valor es

para el láser de Nd:YAG propuesto.

Ancho de pulso [ns]

su

[cm2]

sg

[cm

2]

10-19

10-18

10-18

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

810-18

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[6] Grondona Ezequiel

Figura 7, Evolución temporal del láser.

La intensidad de bombeo condiciona la forma de onda

de salida. Si esta es lo suficientemente grande, cuando

el material pasivo se restituye existe energía suficiente

como para llevar nuevamente a la ganancia por encima

del umbral. A causa de esto varios pulsos de Q-Switch

se desarrollan durante el mismo pulso de bombeo. En

la Figura 8 se detalla la cantidad de pulsos que ocurren

en cada zona. Como se predijo, la cantidad de pulsos

incrementa al incrementar la energía. Por el contrario,

el ancho de los pulsos es cada vez más angosto.

Figura 8, Ancho de pulso y potencia máxima de salida vs intensidad de bombeo normalizada. Se muestra también la cantidad de pulsos

desarrollados vs intensidad de bombeo normalizada.

0 50 100 150 200 2500

0.5

1

1.5

t [s]Fo

rma

de

on

da

de

bo

mb

eo

0 50 100 150 200 2500

1

2

3x 10

6

t [s]

Po

ten

cia

de

salid

a(h

0A

/2

g)

0 50 100 150 200 2500

0.1

0.2

0.3

0.4

t [s]

Gan

anci

a

123.8 1240

1

2

3x 10

6

t [s]

eff

= 0.917

Energía de salida (h0

A/2g) = 0.205

Escale

= 10.5mJ

Width = 45.1ns

Intensidad de bombeo normalizada a la intensidad de saturación

Po

ten

cia

máx

ima

de

salid

a n

orm

aliz

ada

(Isa

t)

10 20 30 40 50 60 7012

14

16

18

20

22

24

26

An

cho

de

pu

lso

no

rmal

izad

o (

rt)

10 20 30 40 50 60 7030

32

34

36

38

40

42

44

4641 3 5 a 10 11 a 15 Más de 152

Po

ten

cia

de

salid

a

no

rmal

izad

a ( )

3.6

7.2

10.8

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[7] Grondona Ezequiel

Cada vez que la ganancia supera al umbral el número

de fotones en la cavidad crece rápidamente formando

un nuevo pulso de salida. La amplitud de cada pulso va

a depender de la ganancia final, remanente del pulso

anterior, así como también de la intensidad de bombeo

a partir de dicho instante.

Figura 9, Evolución temporal del láser para distintas intensidades de bombeo normalizadas (Roja→10, Azul→20, Verde→25).

VI. CONCLUSIONES

Se presentó una herramienta para el análisis de

láseres pulsados basados en la técnica Q-Switch pasivo

mediante la implementación del sistema de ecuaciones

diferenciales acoplado que aparece en la bibliografía

mencionada en este trabajo. En la verificación del

modelo se contrastaron los resultados obtenidos por

la simulación con aquellos presentados por Chen [8],

notándose curvas en las cuales para un R fijo la

energía de salida puede incrementarse tomando un

material absorbente con la menor transmisión inicial

posible.

Posteriormente se mostró que el conjunto de

parámetros ( ) va a afectar en gran medida a la

energía de salida obtenida, siendo mayor cuanto

mayor sea el cociente entre ambos (en el orden

presentado). El ancho de pulso también depende de

dicho par, mostrándose en la Figura 6 aquella relación.

Finalmente la herramienta de simulación permite la

visualización temporal de ciertas cantidades

importantes como la ganancia y potencia del láser.

Aquí puede visualizarse cómo comienza a

desarrollarse el pulso cuando la ganancia supera las

pérdidas (punto en el cual se determina ), allí el

0 50 100 1500

10

20

t [s]0 50 100 150

0

0.2

0.4

t [s]

0 50 100 1500

10

20

t [s]0 50 100 150

0

0.2

0.4

t [s]

0 50 100 1500

10

20

t [s]0 50 100 150

0

0.2

0.4

t [s]

Potencia de salida normalizada (Isat) Ganancia

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[8] Grondona Ezequiel

número relativo de fotones crece rápidamente

produciendo en blanqueamiento del material

absorbente, y finaliza en el punto en donde se

restituye el material absorbente y, por ende, las

pérdidas vuelven a su valor inicial.

Si la energía remanente es capaz de incrementar la

ganancia y superar nuevamente el umbral se

desarrollarán nuevos pulsos láser como muestra la

Figura 9.

La energía de bombeo juega un papel importante en el

ancho de pulso. A medida que se incrementa se forman

pulsos más angostos, así como también aparecen una

cantidad de pulsos secundarios dependiendo de la

energía utilizada.

VII. REFERENCIAS

[1] Degnan, J. «Optimization of Passively Q-Switched

Lasers.» IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 31,

No. 11 (1995).

[2] G. Xiao, M. Bass. «A Generalized Model for Passively Q-

Switched Lasers Including Excited State Absorption in

the Saturable Absorber.» IEEE Journal of Quantum

Electronics, Vol. 33, No, 1 (1997).

[3] Koechner, W. Solid-State Laser Engineering. Springer,

2006.

[4] Sennaroglu, Alphan. Solid-State Lasers and Applications.

CRC Press, 2007.

[5] Siegman, A. Lasers. Universitu Science Books, 1986.

[6] Svelto, O. Principles of Lasers. Springer, s.f.

[7] Verdeyen, J. Laser Electronics. Prentice Hall, 1995.

[8] Y. F. Chen, Y. P. Lan, H. L. Chang. «Analytical Model for

Design Criteria of Passively Q-Switched Lasers.» IEEE

Journal of Quantum Electronics, Vol. 37, No. 3 (2001).

[9] Z. Burshtein, P. Blau, Y. Kalisky, Y. Shimony, M. R. Kokta.

«Excited-State Absorption Studies of Cr4+ Ions in

Several Garnet Host Crystals.» IEEE Journal of Quantum

Electronics, Vol. 34, No. 2 (1998).

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[9] Grondona Ezequiel

VIII. APÉNDICE

Se presenta a continuación el código fuente de las simulaciones realizadas.

Qswitch.m %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Generales

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

c=3e10; %cm/s

h=6.6256e-34; %JxSec

hnu0=1.8679e-19; %J

hnump=2.2873e-19; %J

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Cavidad

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

A=pi*(0.1)^2; %cm^2

Lo=15; %cm

R1=0.8; %-

R2=0.998; %-

S=R1*R2; %-

delta=0.005; %-

gamma_t=-log(S)+delta; %-

gammaout=-log(R1); %-

tau_rt=2*Lo/c; %s

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Nd:YAG

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

RefIndex_g=1.8; %-

l_g=8; %cm

radio_g=0.2; %cm

V_g=l_g*(pi*radio_g^2); %cm^3

lo_g=l_g/RefIndex_g; %cm

Vo_g=A*lo_g; %cm^3

sigma_g=2.8e-19; %cm^2

tau_g=230e-6; %s

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Cr:YAG

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

RefIndex_s=1.8; %-

l_s=0.5; %cm

A_s=0.5*0.5; %cm^2

V_s=l_s*A_s; %cm^3

lo_s=l_s/RefIndex_s; %cm

Vo_s=A*lo_s; %cm^3

sigma_sg=8.7*1e-19; %cm^2

sigma_su=2.2*1e-19; %cm^2

tau_s=4.1e-6; %s

tau_su=0.5e-9; %s

T0=0.8; %-

ns=-log(T0)/(sigma_sg*lo_s); %atomos Cr/cm^3

Ns=ns*V_s; %atomos Cr

Tmax=exp(-ns*sigma_su*lo_s); %-

SatFluence=hnu0/sigma_sg; %J/cm^2

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Bombeo

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

K0=1.27*62/4; %-

C=100e-6; %F

V0=1500; %V

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[10] Grondona Ezequiel

E0=1/2*C*V0^2; %J

pumpwidth=100e-6; %s

tau_p=pumpwidth/1.7; %s

etap=0.008; %-

holdoff=20; %En cantidad de tau's

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Normalización

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

a=tau_rt/tau_g; %-

b=tau_rt/tau_s; %-

thetas=sigma_sg/sigma_su; %-

thetag=sigma_sg/sigma_g; %-

tau_rt_p=tau_rt/tau_p; %-

Rk=(etap/(hnump*V_g))*(tau_g*sigma_g*lo_g)*(4*E0/tau_p);

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Condiciones iniciales

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

Pi=0;

ggi=0;

alphasg0=-log(T0);

alphasu0=0;

Nsg0=Ns;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Instantes de tiempo

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

tf=1*ceil(5*tau_rt_p^-1);

tiempos=0:tf/1000000:tf;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Análisis previo. Condición de Segundo Umbral

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

alpha=sigma_sg/sigma_g;

beta=sigma_su/sigma_sg;

if (log(1/T0^2)*sigma_sg*A/((log(1/T0^2)+log(1/R1)+delta)*sigma_g*A))>(1/(1-beta))

SegundoUmbral=1;

disp('Se cumple la condición de segundo umbral, dada por el paper de Chen, pág 2')

PlotStyle='r';

else

SegundoUmbral=0;

disp('NO Se cumple la condición de segundo umbral, dada por el paper de Chen, pág 2')

PlotStyle='g--';

end

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Resolución de la ecuación diferencial

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

options=odeset('AbsTol',1e-16);

[T,Y]=ode23s(@(t,y)

edoqswitch(t,y,gamma_t,a,b,thetag,thetas,Rk,tau_rt_p,holdoff,'bombeounico'),tiempos,[Pi,ggi,alphasg0,alph

asu0],options);

P=Y(:,1);

Gg=Y(:,2);

Alphasg=Y(:,3);

Alphasu=Y(:,4);

R=zeros(1,length(T));

for j=1:length(T)

R(j)=bombeocritico(Rk,T(j),tau_rt_p);

end

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[11] Grondona Ezequiel

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Desnormalización

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

Escale=hnu0*A/(2*sigma_g);

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Ganancia inicial, umbral, final (Koechner)

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

Tg0=find((Gg-Alphasg-Alphasu-gamma_t/2>0),1,'first');

G0=gamma_t/2+alphasg0+alphasu0;

Tgth=find((Gg-Alphasg-Alphasu-gamma_t/2>0),1,'last');

Gth=Gg(Tgth);

[Gmax,Tgmax]=max(Gg);

[Gmin,Tgmin]=min(Gg(Tgmax:end));

Tgmin=Tgmin+Tgmax;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Eficiencia de Extracción

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

ExtractionEfficiency=log(G0/Gmin);

InversionRatio=Gmax/Gth;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Potencia de salida

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

[Pmax,TPmax]=max(P);

[Pmaximos,Tmaximos]=findpeaks(P,'MINPEAKHEIGHT',100);

[Pmedioi,TPmedioi]=min(abs(P(1:Tmaximos(1))-Pmaximos(1)/2));

[Pinicio,TPinicio]=min(abs(P(1:Tmaximos(1))-Pmaximos(1)/1000));

if size(Tmaximos,2)==1

[Pmediod,TPmediod]=min(abs(P(Tmaximos(1):end)-Pmaximos(1)/2));

[Pfin,TPfin]=min(abs(P(Tmaximos(1):end)-Pmaximos(1)/1000));

else

[Pmediod,TPmediod]=min(abs(P(Tmaximos(1):Tmaximos(1)+ceil((Tmaximos(2)-Tmaximos(1))/2))-

Pmaximos(1)/2));

[Pfin,TPfin]=min(abs(P(Tmaximos(1):Tmaximos(1)+ceil((Tmaximos(2)-Tmaximos(1))/2))-Pmaximos(1)/1000));

end

TPfin=TPfin+Tmaximos(1);

MaxOutputPower=Pmax*gammaout/tau_g;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Energía de salida (Chen et al.)

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

OutputEnergy=log(1/R1)*ExtractionEfficiency;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Ancho del pulso

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

PulseWidth=(T(TPmediod+Tmaximos(1)-1)-T(TPmedioi+1))*tau_rt;

disp(PulseWidth*1e9)

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Tiempo de vida del fotón en la cavidad (Koechner)

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

PhotonLifetime=tau_rt/(gamma_t+alphasg0+alphasu0);

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Valores óptimos (Paper Chen et al.)

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

T0upper=exp(-(log(1/R1)+delta)/(2*(alpha*(1-beta)-1)));

Routlower=exp(-(alpha*(1-beta)-1)*log(1/(T0^2))+delta);

beta=sigma_su/sigma_sg;

eta=((1+3*exp(-50*alpha^-3))/(beta+0.08)*(1-exp(1-alpha+alpha*beta)))/(log(1/R1))+delta;

f=1.15-0.2*exp(-5*beta)-0.9*beta^2-exp(1-alpha)/sqrt(alpha-1)+(0.15+0.9*beta)/exp(150*alpha^-3);

if T0<T0upper

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[12] Grondona Ezequiel

OptimumOutputEnergy=log(1/R1)*((1-beta)*log(1/T0^2))/(beta*log(1/T0^2)+log(1/R1)+delta)*(1-

(T0/T0upper)^eta)*f;

else

OptimumOutputEnergy=0;

end

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Gráficos

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

figure(1)

subplot(3,1,1), plot(tau_rt*T*1e6,R,PlotStyle), xlabel('t [\mus]'), ylabel('R'), title(['E_p_u_m_p = '

num2str(E0) 'J, (Suponiendo \eta_p = ' num2str(etap) ')'])

subplot(3,1,2), plot(tau_rt*T(1:20:end)*1e6,log(1/R1)/tau_g*P(1:20:end),PlotStyle), xlabel('t [\mus]'),

ylabel('Potencia de salida (h\nu_0A/2\sigma_g)'), title(['Energía de salida (h\nu_0A/2\sigma_g) = '

num2str(OutputEnergy,3) ', E_s_c_a_l_e = ' num2str(Escale*1e3,3) 'mJ, Width = '

num2str(PulseWidth*1e9,3) 'ns']),

subplot(3,1,3),

plot(tau_rt*T(1:20:end)*1e6,Gg(1:20:end),PlotStyle,tau_rt*T(1:20:end)*1e6,Alphasg(1:20:end)+Alphasu(1:20:

end)+gamma_t/2,'k--'), xlabel('t [\mus]'), ylabel('Ganancia'), title(['\eta_e_f_f = '

num2str(ExtractionEfficiency,3)])

figure

subplot(2,1,1), plot(tau_rt*T*1e6,Alphasg,'m'), xlabel('t [\mus]'), ylabel('\alpha_s_g')

subplot(2,1,2), plot(tau_rt*T*1e6,Alphasu,'b'), xlabel('t [\mus]'), ylabel('\alpha_s_u')

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

% Presentación en pantalla

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

disp('T0 upper')

disp(T0upper)

disp('Rout lower')

disp(Routlower)

disp('Factor de escala de la energía: Escale [J] ')

disp(Escale)

disp('Energía de salida [normalizada a Escale]')

disp(OutputEnergy)

if OptimumOutputEnergy

disp('Energía de salida óptima (máxima para un conjunto dado [T0;R] [normalizada a Escale]')

disp(OptimumOutputEnergy)

disp('Relación:')

disp(OutputEnergy/OptimumOutputEnergy)

else

disp('T0>T0upper con lo cual no se desarrolla el pulso de Q-Switch')

end

edoqswitch.m function dy=edoqswitch(t,y,gamma_t,a,b,thetag,thetas,Rk,tau_rt_p,holdoff,bombeo)

if strcmp(bombeo,'bombeounico')

R=bombeocritico(Rk,t,tau_rt_p);

elseif strcmp(bombeo,'bombeorepetitivo')

R=bombeorepetitivo(Rk,t,tau_rt_p,holdoff);

elseif strcmp(bombeo,'bombeocuadrado')

R=bombeocuadrado(t<holdoff,Rk);

end

%RATE EQUATIONS WITH SATURABLE ABSORBER

beta=1e-8;

dy=zeros(4,1);

dy(1)=y(1)*(2*(y(2)-y(3)-y(4))-gamma_t)+beta*y(2);

dy(2)=a*(R-y(2)*(1+y(1)));

dy(3)=-a*thetag*y(1)*y(3)+b*thetas*y(4);

dy(4)=-dy(3)/thetas;

end

Optoelectrónica (66.57) Facultad de Ingeniería – Universidad de Buenos Aires

[13] Grondona Ezequiel

bombeocritico.m function R=bombeocritico(Rk,t,tau_rt_p)

% Función de bombeo, sale de resolver un circuito RLC amortiguado

% críticamente y plantear la potencia como P=v*i;

R=Rk*(tau_rt_p*t)^2*exp(-2*tau_rt_p*t);

end