ejercicio semiconductores

3
TEMA: Semiconductores EJERCICIO Una muestra de Ge tipo N posee una concentración de impurezas donadoras dada por N D = 10 15 cm -3 . Determinar la concentración de electrones y huecos a 500 K sabiendo que la concentración intrínseca viene dada por la expresión: n i =CT 3 2 e Eg 2kT Siendo C = 1.91·10 21 m -3 K -3/2 , E g = 0.67 eV. Datos: N D = 10 15 cm -3 C = 1.91·10 21 m -3 K -3/2 E g = 0.67 eV Incógnitas: n,p Gráfico: Fórmulas: Concentración intrínseca n i =CT 3 2 e Eg 2kT n i 2 =n.p Concentración de electrones n=N D +p Solución:

Upload: fernanda-rueda

Post on 20-Nov-2015

219 views

Category:

Documents


3 download

DESCRIPTION

Ejercicio donde muestra como encontrar la concentracion de huecos y electrones, con datos de temperatura y del germanio (como semiconductor)

TRANSCRIPT

TEMA: SemiconductoresEJERCICIOUna muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada porND= 1015cm-3. Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin:

Siendo C= 1.911021m-3K-3/2,Eg= 0.67 eV.

Datos:ND= 1015cm-3C= 1.911021m-3K-3/2Eg= 0.67 eV

Incgnitas: n,p

Grfico:

Frmulas:Concentracin intrnseca

Concentracin de electrones

Solucin:Ge de tipo n Ley de neutralidad elctrica:1) 2) Sistema de ecuaciones con dos incgnitas