TEMA: SemiconductoresEJERCICIOUna muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada porND= 1015cm-3. Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin:

Siendo C= 1.911021m-3K-3/2,Eg= 0.67 eV.

Datos:ND= 1015cm-3C= 1.911021m-3K-3/2Eg= 0.67 eV

Incgnitas: n,p

Grfico:

Frmulas:Concentracin intrnseca

Concentracin de electrones

Solucin:Ge de tipo n Ley de neutralidad elctrica:1) 2) Sistema de ecuaciones con dos incgnitas