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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA UNIDAD I CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES ALUMNOS: WENDY GUÍA CI: V- 13749529 ALFREDO VELIZ CI: V- 14016501 RINO MARTINEZ CI: V- 10077619 JESÚS RIOBUENO CI: V- 15082818

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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA. UNIDAD I CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS. INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES. ALUMNOS: WENDY GUÍACI: V- 13749529 ALFREDO VELIZCI: V- 14016501 - PowerPoint PPT Presentation

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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTALPOLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA

UNIDAD ICARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS

DISPOSITIVOS ACTIVOS

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES

ALUMNOS: WENDY GUÍA CI: V- 13749529ALFREDO VELIZ CI: V- 14016501RINO MARTINEZ CI: V- 10077619JESÚS RIOBUENO CI: V- 15082818

El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

TRANSISTORES

Pueden ser de dos tipos:

NPN

PNP

TRANSISTORES BIPOLARES

Límites de operación del transistor

En los amplificadores con transistores hay dos casos extremos, cuando el transistor esta en saturación ( IC = Max ) que significa que vce es prácticamente 0 Voltio y cuando el transistor esta en corte ( IC = 0 ) que significa que vce es prácticamente igual a Vcc.

Límites de operación del transistor

Estos forman parte de los límites de operación del transistor, que deben tenerse en cuenta en el diseño de cualquier circuito, he aquí un conjunto típico para el transistor de silicio 2N2222

Voltaje colector – base VCB = 60 V Voltaje colector – emisor VCE = 30 VVoltaje base – emisor VBE = 5 VDisipación de potencia IC VCE = 500m/W

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

FET  Transistor Efecto de Campo (inglés; Field Effect Transistor)

Es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

Entre los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET.

Características de transistores FET

Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.Una señal muy débil puede controlar el

componenteLa tensión de control se emplea para crear un

campo eléctrico

Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.

Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal p

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye.

FET

POLARIZACIÓN DEL FET POR EMPLAZAMIENTO DE PICO O FIJA

JFETCon polarización fija

VGSQ = - VGG

VDS = VDD - IDRS

 

TRIODO

TETRODO

Triodo

K

A

Tetrodo

+-

Polarización del Tetrodo.

válvula termoiónica

VÁLVULA TERMOIÓNICA CONSTRUIDA POR CUATRO ELECTRODOS: CÁTODO,DOS REJILLAS Y ÁNODO

1

2

3

4

AMPLIFICADOR LINEALES DE POTENCIA

Amplificador lineal Heathkit para radio de comunicacion HF,el amplificador es para las bandas de 10, 15, 20, 40, y 80 metros.

Amplificador lineal vhf rm vla-100

EFECTO RESISTENCIA DEL EMISOR.

USO Y APLICACIONES DE TETRODO

Los tetrodos de alto voltaje del interruptor se utilizan para la conmutación de alto voltaje

Amplificador de Alta Frecuencia.

Multiplicador Modulador de Frecuencia.

FIN