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VEGA MELGAREJO JESUS WILLIAMS FÍSICA ELECTRÓNICA semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopados

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VEGA MELGAREJO JESUS WILLIAMS

FÍSICA ELECTRÓNICA

semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopados

¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?

Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores.Ejemplo: El campo eléctrico o magnético, la presión, la radicación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El elemento mas usado es el silicio, el segundo el germanio. posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. la características común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica .

Fuente: http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

SEMICONDUCTORES DOPADOS

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

Semiconductor Intrínsecos

Semiconductor Dopado

Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres.

Semiconductor intrínseco

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27ºc):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 1.72 1013cm-3

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos.

La característica fundamental de los cuerpos semiconductores es la de poseer 4 electrones en su órbita de valencia.

Cada átomo de silicio (si), ocupa siempre el centro de un cubo que posee otros 4 átomos de silicio en cuatro de sus vértices. Esta estructura cristalina obliga al átomo a estar rodeado por otros cuatro iguales, formándose los llamados enlaces covalentes, en los que participa cada electrón en dos átomos contiguos.

Características

Comportamiento de un semiconductor

intrínseco ante la tensiónSi aplicamos una diferencia de tensión a un semiconductor como el

germanio o el silicio puros, el borne positivo atraerá los electrones libres creados por la agitación térmica, mientras que el borne negativo lo hará con los huecos, que tienen carga positiva.

Por cada electrón que absorba el polo positivo aparecerá un hueco en la estructura del semiconductor, mientras que el polo negativo absorbe un hueco y deja en la estructura una carga negativa. Se mantendrán por tanto las concentraciones de las cargas de los portadores

Semiconductores dopadosEn la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso

intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.

Son los que están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (as, P, sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la última capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningún enlace covalente, quedándose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, además de la formación de los pares e-h, se liberan los electrones que no se han unido.

Semiconductores dopados: Tipo N

En este caso son los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energético ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrón que lo rellenaría.

Semiconductores dopados: Tipo P

• http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor• http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke

http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf• http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.• http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29• http://www.sabelotodo.org/materia/enlaces.html

• http://www.ifent.org/Lecciones/semiconductor/tipo-P.asp

• http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.html#c4

• http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf

• http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp

FUENTE DE INFORMACION: