semiconductores

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 Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE Control Electrónico de Potencia Séptimo Electrónica EXTENSIÓN LATACUNGA INGENIERÍA ELECTRÓNIC A CONTROL ELECTRÓNICO DE POTENCIA ALUMNOS: NICOLAS MORA JENNY TIGSE MARÍA BELEN ZAPATA DOCENTE: ING. FRANKLIN SILVA

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tipos de seiconductores

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  • Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    EXTENSIN - LATACUNGA

    INGENIERA ELECTRNICA

    CONTROL ELECTRNICO DE POTENCIA

    ALUMNOS:

    NICOLAS MORA

    JENNY TIGSE

    MARA BELEN ZAPATA

    DOCENTE:

    ING. FRANKLIN SILVA

  • Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    Contenido

    1. TEMA ........................................................................................................................................... 3

    2. OBJETIVOS ................................................................................................................................... 3

    2.1 GENERAL: ........................................................................................................................... 3

    2.2 ESPECFICOS: ..................................................................................................................... 3

    3. RESUMEN .................................................................................................................................... 3

    4. ABSTRACT .................................................................................................................................... 3

    5. MARCO TERICO ......................................................................................................................... 3

    6. CONCLUSIONES ........................................................................................................................... 7

    7. RECOMENDACIONES ................................................................................................................... 8

    8. BIBLIOGRAFA .............................................................................................................................. 8

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    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    Control Electrnico de Potencia

    1. TEMA Semiconductores de Potencia.

    2. OBJETIVOS

    2.1 GENERAL:

    Investigar sobre los semiconductores de potencia.

    2.2 ESPECFICOS:

    Investigar los tipos de semiconductores de potencia. Determinar las caractersticas de los semiconductores de potencia

    3. RESUMEN Los semiconductores de potencia se han extendido durante las ltimas dcadas a una amplia gama

    de aplicaciones, esto se debe al continuo y rpido desarrollo de la tecnologa de semiconductores

    de potencia, que ha conseguido dispositivos muy potentes, efectivos y fciles de usar. Entre los

    semiconductores ms utilizados en la electrnica de potencia est el diodo cuyas caractersticas

    importantes son: La intensidad mxima en directo y la tensin inversa mxima de bloqueo. Si las

    necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la capacidad mxima del dispositivo es

    necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo segn el caso.

    4. ABSTRACT Power semiconductors have spread in recent decades to a wide range of applications, this is due

    to the continuous and rapid development of power semiconductor technology that has gotten

    very powerful, effective and easy to use devices. Among the most commonly used in power

    electronics is the diode semiconductor whose major features are: The maximum intensity live and

    maximum reverse voltage blocking. If the circuit needs can exceed the maximum capacity of the

    device it is necessary to use several diodes associated in series or in parallel as appropriate.

    5. MARCO TERICO

    Semiconductor

    Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un

    conductor metlico pero superior a la de un buen aislante .El semiconductor ms utilizado es el

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    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros

    semiconductores son el germanio y el selenio.

    Los semiconductores utilizados en la Electrnica de Potencia operan como interruptores. El

    comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:

    Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo

    de la pila.

    Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.

    Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo

    constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio.

    Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior

    slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

    Clasificacin de Semiconductores de potencia

    Los semiconductores de potencia de acuerdo a su grado de control se clasifican en:

    Dispositivos no controlados.

    Dispositivos semicontrolados.

    Dispositivos totalmente controlados.

    Dispositivos no controlados

    En este grupo se encuentran los diodos. Los estados de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o

    abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de

    ningn terminal de control externo.

    El diodo de potencia es un dispositivo unidireccional, no pudiendo circular la corriente en sentido

    contrario al de la conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y

    ctodo.

    Las caractersticas ms importantes del diodo de potencia son:

    Caractersticas estticas.

    Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).

    Parmetros en conduccin.

    Caractersticas dinmicas.

    Parmetros de encendido.

    Parmetro de apagado.

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    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    Influencia del trr en la conmutacin.

    Potencias.

    Potencia mxima disipable.

    Potencia media disipada.

    Potencia inversa de pico repetitivo.

    Potencia inversa de pico no repetitivo.

    Dispositivos semicontrolados

    En este grupo se encuentra la familia de los tiristores, los SCR y los TRIAC. En este caso su puesta

    en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de

    los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso

    de ON a OFF ) lo determina el propio circuito de potencia.

    Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos estados estables

    cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN.

    Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el ms empleado con mucha diferencia es

    el rectificador controlado de silicio (scr), por lo que suele aplicarse el nombre genrico de tiristor.

    Caractersticas.

    Es una estructura de cuatro capas (P-N-P-N)

    El paso de On a Off, realiza normal mente por control externo

    El paso de Off a On, se da cuando la corriente del tiristor es ms pequea que la corriente

    de mantenimiento.

    Los dispositivos dentro de estos semiconductores son:

    TRIAC ( Triodo de corriente alterna)

    SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

    Triac

    Es un tiristor bidireccional de tres terminales

    Permite el paso de la corriente en los dos sentidos entre terminales A1 y A2

    Puede dispararse con tensiones de puerta de ambos signos, pero solo tiene un gate en el

    exterior, es decir un solo circuito de control

    Funciona como dos SCR en anti paralelo Mximo 1000v, 15 A, 15kw, 50/60Hz.

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    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    Dispositivos totalmente controlados.

    En este grupo se encuentran los tiristores bipolares BJT, los transistores de efecto de campo

    MOSFET, los transistores bipolares de puerta aislada IGBT y los tiristores GTO, entre otros.

    Transistores.

    Los transistores de potencia tambin trabajan en zona de conmutacin, es decir en ON- OFF, sus

    ventajas es que son totalmente controlados Se clasifican en:

    BJT

    IGBT

    MOSFET

    BJT

    Son interruptores de potencia controlados por corriente

    Los de tipo npn son los ms utilizados

    Consumen Mayor energa que los SCR

    Se controla a este dispositivo por la BASE Trabajan en 3 zonas principalmente:

    Corte: no inyecta corriente a la base (interruptor abierto).

    Activa: Inyecta corriente a la base del transistor. Se da cuando funciona como amplificador

    mas no como semiconductor de potencia.

    Saturacin: inyecta suficiente corriente a la base. Interruptor ideal.

    MOSFET

    Son transistores controlados por tensin. Debido al aislamiento de xido de silicio de la

    base.

    Existen dos tipos dentro de estos transistores de potencia: De canal n y de canal p .

    Se controla a este dispositivo por la BASE Trabajan en 3 zonas principalmente:

    Corte: VG Y Vcc es menor al voltaje de umbral. Interruptor Abierto.

    hmica: Si Vg y Vcc es mayor a Vp y Vcc, se cierra al transistor modelado por una

    resistencia.

    Saturacin: Si se cierra el transistor pero con un voltaje en el Drain-Source elevado.

    Figura 1.Estructura del triac.

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    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    Desventaja: Maneja reducida potencia porque se calientan mucho

    Ventaja: son los transistores ms rpidos que existen Trabajan en tres zonas fundamentales

    IGBT

    Este transistor combina las ventajas de los BJT y de los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada

    elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutacin, como lo BJT, pero sin el problema de

    segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.

    GTO

    Mximo 5000v, 4000v

    El GTO tiene control extremo en el paso de conduccin a bloqueo, de On a Off. Y tambin

    permite controlar expresamente el paso de OFF a ON

    EL mecanismo de disparo es parecido al de SCR

    Un GTO al contrario de un SCR puede no tener la capacidad de Bloqueo de tensiones

    inversas

    Si Gate + pasa de estafo On a Off

    Si Gate pasa de estado de Off a On[1]

    6. CONCLUSIONES Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un fenmeno

    complejo conocido como efecto de segunda ruptura, es la ruptura de la unin debido a

    efectos trmicos localizados (creacin de puntos calientes).

    La clasificacin de los dispositivos semiconductores depende de la intensidad de corriente

    y tensiones, porque nos permite administrar debidamente los parmetros de voltaje o

    corriente con los que se puede trabajar, evitando que sufran algn dao los componentes

    electrnicos.

    Ilustracin 1

    Ilustracin 2.Comparacion de dispositivos de potencia.

    Figura 2.Estructura de un GTO.

    Figura 3. Comparacin de dispositivos de potencia.

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    Control Electrnico de Potencia Sptimo Electrnica

    Existen interconexiones de semiconductores de potencia en serie y paralelo. La

    interconexin en serie es para soportar tensiones ms altas de las que soportara un solo

    elemento. La interconexin en paralelo es para soportar corrientes ms altas de las que

    soportara un solo elemento.

    Los diodos de potencia puede soportar voltajes inversos elevado

    7. RECOMENDACIONES

    Identificar cada uno de los semiconductores de acuerdo a la aplicacin en la cual se desea

    utilizar para no tener fallas.

    Estudiar las caractersticas propias de todos los semiconductores de potencia para facilitar

    el entendimiento del tema.

    8. BIBLIOGRAFA [1] Power Electronics: Converters, Applications and Desi gn, Mohan, Undeland y

    Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.

    Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universida de Estadual de Campinas, SP - Brasil.

    Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University, Valparaso Indiana. Prentice

    Hall

    https://www.academia.edu/6683084/CARACTER%C3%8DSTICAS_DE_LOS_SEMICONDU

    CTORES_DE_POTENCIA

    http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.Dispositi

    vos-Potencia(slides).pdf

    http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Dispositivos%20de%20Potencia.pdf