practica 5 transistor bipolar

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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AGUASCALIENTES Carrera Electrónica Materia Diodos y Transistores No Práctica Práctica # 5 Transistor Bipolar Nombre del profesor Ing. Héctor Arellano Rangel Nombre de los alumnos PRÁCTICA DE LABORATORIO JONNY GARCÍA

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Page 1: Practica 5 Transistor Bipolar

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AGUASCALIENTES

Carrera

Electrónica

Materia

Diodos y Transistores

No Práctica

Práctica # 5

Transistor Bipolar

Nombre del profesor

Ing. Héctor Arellano Rangel

Nombre de los alumnos

Jonny García (13150048)

Aguascalientes, Aguascalientes a 05/10/2015

jonny garcía

Page 2: Practica 5 Transistor Bipolar

Objetivo

Realización de la prueba funcional, cálculo de valores y medición de parámetros del transistor bipolar 2N2222.

Material utilizado

Tablilla de experimentación (protoboard). Multímetro. Cables. 1 Transistor bipolar 2N2222. 1 Resistencia de 470 kΩ ½ watt. 1 Resistencia de 1.2kΩ a ½ watt.

Equipo utilizado

Fuente de alimentación a 12v.

Procedimiento

1) Con la ayuda del multímetro realice la prueba funcional del transistor.

BE BC CE

Medición 1 698 688 infinito Directa

Medición 2 infinito infinito infinito Inversa

jonny garcía

Page 3: Practica 5 Transistor Bipolar

2) De acuerdo a los resultados obtenidos indique si el transistor está en buenas condiciones.

El transistor está en buenas condiciones.

3) Para el siguiente circuito, calcule los valores de ic, ie, ib, y Vce.

12v

Ib = 24.04μA

Ic = 3.6mA 470kΩ 1.2kΩ

ie = 3.624mA

Vce = 7.68mA 2N2222

β= 150

4) En la tablilla de experimentos construya el circuito anterior y mida los siguientes parámetros: ie, ic, ib, Vce, Vbe.

(ie) (ic)

jonny garcía

Page 4: Practica 5 Transistor Bipolar

(ib) (Vce)

(Vbe)

5) Con los valores prácticos obtenidos calcule el valor de β.

Vce=Vcc−icRc ic=βib

Vce=12−(3.52mA)(1200) β= icib

Vce=12−4.22 β=3.52mA24 μA

Vce=7.78v β=146.67

jonny garcía

Page 5: Practica 5 Transistor Bipolar

Observaciones

No se tuvo ningún contratiempo en la presente práctica.

Conclusión

Los transistores son una extensión del diodo semiconductor. Para efectos de polarización, el transistor se puede considerar como dos diodos. El emisor-base es un diodo y el colector-base es el otro diodo.

También se observa que los cambios que se producen en la polarización emisor-base ocasionan cambios en la corriente del emisor. Es decir, un aumento de la polarización en directa produce un aumento en la corriente del emisor y por lo tanto en la corriente del colector.

La corriente de base aumenta o disminuye muy poco con un aumento o disminución en la corriente del emisor. Por lo tanto, es evidente que es fácil controlar la corriente del colector si se cambia la polarización de la parte emisor-base.

jonny garcía