Polarizacin de cd de los BJT

Universidad Politcnica SalesianaIntegrantes:David CaleroSilvia ChuquinMarco TapiaPatricio UvillusPatricio NaranjoTRANSISTOR DE UNION BIPOLAR Construccion: Es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. el primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.

OPERACIN DEL TBJLa unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa

CONFIGURACIN EN BASE COMN npn y pnpLa terminologa en base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto para la entrada como para la salida de la configuracin. Adems, la base por lo general es la terminal ms cercana a, o en, un potencial de tierra.

CONFIGURACIN EN EMISOR COMNSe llama configuracin en emisor comn porque el emisor es comn o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es comn para las terminales base y colector).

CONFIGURACIN EN COLECTOR COMNLa configuracin en colector comn se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las configuraciones en base comn y en emisor comn.

LMITES DE OPERACINPara cada transistor hay una regin de operacin en las caractersticas que garantizar que no se excedan las capacidades nominales mximas y que la seal de salida exhiba distorsin mnima. El nivel mximo de disipacin lo define la siguiente ecuacin:

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSITOR

Como la hoja de especificaciones es el vnculo de comunicacin entre el fabricante y el usuario,es de particular importancia que la informacin provista se reconozca e interprete correctamente.La informacin proporcionada se tom directamente de la publicacinSmall-Signal Transistors,ENCAPSULADO E IDENTIFICACIN DE LAS TERMINALES DE UN TRANSISTORLos conectores de, por lo general, oro, aluminio o nquel, se conectan y toda la estructura se encapsula en un contenedor. Los de construccin para trabajo pesado son dispositivos de alta potencia, en tanto que los de contenedor pequeo (casquete superior) o de cuerpo de plstico son para dispositivos de baja a mediana potencia.

Polarizacin de CD de los TBJEl trmino polarizacin es un trmino totalmente inclusivo de la aplicacin de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje.Como el punto de operacin es un punto fijo en las caractersticas, tambin se llama punto quiescente (abreviado punto Q). Por definicin, quiescente significa quieto, inmvil, inactivo.

Puntos de operacin dentro de los limites del transistorA: Dispositivo total apagado o inactivo (I=0)B: El dispositivo variara la corriente y el voltaje a partir del punto de operacin, lo que permite que el dispositivo reaccione.C: permitira alguna variacin positiva y negativa de la seal de entrada (VCE=0 V e IC=0 mA.)D: El voltaje de salida viaja en la direccin positiva, y por lo tanto se limita si no se excede el voltaje mximo.

ConclusinPor consiguiente, parece que el punto B es el mejor punto de operacin en funcin de ganancia lineal y mxima excursin posible de voltaje y de corriente.Para que el BJT se polarice en su regin de operacin lineal o activa lo siguiente debe ser cierto:

1. La unin base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje ms positivo en la regin p), con el voltaje de polarizacin en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.2. La unin base-colector debe polarizarse en inversa (ms positivo en la regin n), con el voltaje de polarizacin en inversa de cualquier valor dentro de los lmites del dispositivo.CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJAEl circuito de polarizacin fija de la figura 4.2 es la configuracin de polarizacin de cd ms simple. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y clculos aplican igualmente bien para una configuracin del transistor pnp tan slo con cambiar todas las direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje.

Polarizacin en directa de la unin base-emisorConsidere primero la malla del circuito base-emisor. Al escribir la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj para la malla, obtenemosObserve la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB como la estableci la direccin indicada de IB. Resolviendo la ecuacin para la corriente IB obtenemos:

Malla colector-emisorLa seccin colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin indicada de la corriente IC y la polaridad resultante a travs de RC. La magnitud de la corriente de colector est relacionada directamente con IB mediante

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN POR MEDIODEL DIVISOR DE VOLTAJEEn la configuracin de polarizacin anterior, la corriente de polarizacin y el voltaje eran funciones de la ganancia de corriente b del transistor. Sin embargo, como b es sensible a la temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en general no est muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarizacin que dependa menos de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor.

REDES DE CONMUTACION CON TRANSISTORESEl diseo apropiado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin cambie de corte a saturacin a lo largo de la recta de carga.La red se saturar en exceso por un nivel de IB mayor que el asociado con la curva IB que aparece cerca del nivel de saturacin.

El nivel de IB en la regin activa justo antes de que se d la saturacin puede aproximarse mediante la ecuacin siguiente:

Siempre se debe tomar en cuenta la siguiente condicin

En condiciones de saturacin, la corriente IC es bastante alta y el voltaje VCE muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos terminales, determinado por

Existen transistores conocidos como transistores de conmutacin por la velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro.El tiempo total requerido para que el transistor cambie del estado apagado al de encendido se designa como tencendido y se define

con td el tiempo de retardo entre el estado cambiante de la entrada y el inicio de una respuesta a la salida. El elemento de tiempo tr es el tiempo de levantamiento de 10% a 90% del valor inicial. El tiempo total requerido que el transistor cambie del estado encendido al estado apagado se conoce como tapagado y se define como