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Laboratorio de Microelectrónica
EE425-M Página 1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
EXPERIENCIA Nº 1
TEMA: “CARACTERIZACIÓN DE INVERSORES CMOS Y
NMOS”
CURSO : MICROELECTRÓNICA (EE425-M)
PROFESOR : Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
ALUMNO : DÍAZ AROCUTIPA LUIS ALBERTO
CÓDIGO : 20051044J
HORARIO : Jueves 19:00-21:00 horas
FECHA DE PRESENTACIÓN : 05/ 05/2011
PERIODO ACADÉMICO: 2011-I
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EXPERIENCIA Nº 1
CARACTERIZACIÓN DE INVERSORES CMOS Y NMOS
I. Resumen de Microwind 2 y DSCH 2:
Microwind 2:
Es una aplicación que nos permite diseñar y simular circuitos integrados al más bajo nivel,es
decir a nivel microelectrónico. Consta de diversas librerías de componentes ya diseñados que
nos pueden ayudar a introducirnos en el mundo del diseño digital CMOS. Como ejemplo se
adjunta una figura con un esquema de un inversor:
Descripción del Entorno:
El entorno de Microwind 2 es muy amigable. Consta de una barra de menú, una barra de
herramientas y la superficie de edición. Cuando arranca la aplicación aparece una ventana
flotante con la paleta de edición. Dicha paleta de edición nos permite implantar en silicio
transistores CMOS, resistencias, inductancias, cables, etc.
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Cualquier diseño puede salvarse en un fichero con extensión .MSK. La aplicación consta, como
ya se ha indicado, con librerías de circuitos integrados ya realizados. Se han diseñado
manualmente con lo que se asegura que ocupan la menor superficie de silicio posible, es decir,
son diseños óptimos. Otra manera de generar circuitos integrados es mediante la compilación
de modelos descritos con Verilog. Esta compilación genera automáticamente un layout
(circuito integrado en silicio) conforme a una serie de reglas contenidas en el fichero default.rul.
Este diseño no tiene porque ser el de área mínima ya que no ha sido optimizado. Seguidamente
vemos un ejemplo de layout generado por compilación.
Simulación: Los circuitos diseñados (o compilados) pueden ser simulados mediante el
comando Simulate Run simulation…. La simulación genera las curvas de evolución
en tensiones y corrientes. También puede realizarse la simulación sobre el propio layout.
Proceso de implantación microelectrónica:
También es posible reproducir el proceso de implantación en silicio con la secuencia pasos de
fotolitografía. Accedemos a esto en Simulate Process steps in 3D.
Por último indicar que se pueden diseñar transistores de forma automática a
través de la paleta:
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Menus de MICROWIND2 :
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Lista de ICONOS:
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DSCH 2:
Esta aplicación consta de un editor lógico, basado en captura de esquemas, y un simulador. Está
orientado a la validación del circuito lógico antes de pasar a la fase de síntesis microelectrónica.
Proporciona un entorno sencillo para el diseño lógico jerárquico y simulación con análisis de
retardos, todo lo cual permite el diseño y validación de estructuras lógicas complejas. Unacaracterística muy interesante es la posibilidad de estimar el consumo de potencia del circuito.
Además, es capaz de generar un fichero Verilog del circuito lógico que puede tomar como
entrada la aplicación Microwind 2 para crear el layout.
Descripción del entorno
El entorno gráfico de Dsch 2 es muy sencillo. Consta de una barra de menú, una barra de
herramientas con las tareas más comunes y la superficie de edición. Al arrancar la aplicación
aparece una ventana flotante con la librería de símbolos.
Captura de esquemas :
La captura de esquemas se realiza arrastrando los símbolos que aparecen en la ventana flotante
a la superficie de edición. La definición de los símbolos se encuentra en ficheros de extensión
.sym (en la carpeta IEEE). Además de los símbolos establecidos por la normalización, es
posible insertar símbolos creados por el usuario (Insert User Symbol (.SYM)) o
esquemas salvados previamente (Insert Another Schema (.SCH)). De esta manera se
facilita el diseño jerárquico, utilizando modelos de circutios previos en los nuevos.
Para crear un símbolo de usuario utilizamos File Schema to new symbol que salva en un
fichero .sym el esquema completo del circuito actual. El esquema se puede salvar en un fichero
con extensión .sch.
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Simulación
La simulación se realiza sobre el propio esquema mediante Simulate Start simulation.
Los dispositivos virtuales de entrada y salida (teclado hexadecimal, diodo led y display de 7
segmentos) facilitan la entrada de datos y la visualización de resultados. La figura siguiente
ilustra un instante de la simulación con 2 teclados hexadecimales con los valores 4 y 5respectivamente y el display de 7 segmentos indicando el resultado de la suma (9 en este caso).
Los dispositivos virtuales de E/S no forman parte del esquema. Junto al esquema aparece una
ventana flotante para el control de la simulación en curso.
Salida para Microwind 2
El proceso es el siguiente:
1. Crear el fichero Verilog: File Make Verilog File. Podemos cambiar el nombre del
fichero asignado por defecto. El fichero Verilog tiene extensión .txt.
2. Abrir Microwind 2 y compilar el fichero Verilog creado anteriormente: Compile
Compile Verilog File. En la ventana de diálogo pulsar Compile.
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II. Análisis Teórico del Circuito Planteado:
EQUIVALENTE:
Los parámetros del circuito son:
M1:1
W
L; M2:
2
W
L; M3:
3
W
L; M4:
4
W
L
250PROCESO
uAK
V ;
1
10W
L;
2
1W
L
;3
15W
L
;4
2W
L
1T
V V …… en todos los casos.
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Análisis del Inversor NMOS con carga saturada:
El circuito anterior funciona como una compuerta NOT que utiliza un MOSFET operando en la
región de saturación como carga. Si Vdd=5 V,2
50PROCESO
uAK
V
;3
15W
L
;4
2W
L
Con los valores de la razón de ancho a largo de los transistores, se determinara el valor de la
salida que corresponde a un “0” lógico cuando en la entrada es aplicado un “1” lógico .
2
3 3 3 3
3
2( )2
P
D GS T DS DS
K W i V V V V
L
2
4 4
42
P D GS T
K W i V V
L
; 3 4 D Di i
; 1T
V V
Dividiendo ambos términos se obtiene:
2
4
4 4
23 3 3 3
3
21
2( )2
PGS T
D
P D GS T DS DS
K W V V
i L
K W iV V V V L
2
43
2
3 3 3
4
15
22( )
GS T
GS T DS DS
W
V V L
W V V V V
L
; 4 4 5GS DSV V Vo
; 3 5GSV
; 3 DSV Vo
Reemplazando valores se obtiene: 2
5 1 15
22(5 1)
Vo
Vo Vo0.66Vo V
M4
MOS4
M3
MOS3
0
0
VDD
5Vdc
Vin1
Vout
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Luego, estos valores también producen una corriente igual a:
2
4 4
42
P D GS T
K W i V V
L
; 4 3 2
502 5 0.6 1 170
2 D D D
uAi i i uA
V
La potencia disipada cuando la salida corresponde a un “0” lógico es:
5 170 0.085P V uA mW ..para el inversor NMOS
Inversor CMOS:
1 2 1I) Si M OFF 0 0i tn D DV V I I
2
2 2 2
2
2
Si M Saturación 0 M Lineal2
1
2
para que se cumpla 0
p
D DD i tp
D p DD i tp DD o DD o
D
k I V V V
I k V V V V V V V
I
1 2
2 2
II) Si aumenta M Saturación, M Lineal
1
2 2
si sigue aumentando disminuye
i
ni tn p DD i tp DD o DD o
o i i o
V
k V V k V V V V V V V
V f V V V
1 2III) Si aumenta M Saturación, M SaturacióniV *
1 2IV) Si M Lineal, M Saturacióni iV V
1 2
2 1
V) Si M Lineal, M OFF
0 0
i DD tp
D D
V V V
I I 0
oV
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III. Realización del LAYOUT del Circuito:
Para realizar el diseño me apoyo en el editor lógico DSCH2.
Esquema realizado con la herramienta DSCH 2
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Se observa que los valores se ajustaron a los dados en el diseño, es decir:
1
10W
L;
2
1W
L
;3
15W
L
;4
2W
L
Luego con este diseño se genera un archivo Verilog el cual es llevado a Microwind para realizarsu compilación, luego generar el Layout y posteriormente realizar la simulación del circuito.
Archivo generado en VERILOG
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Este es el archivo verilog generado en el entorno de DSCH2. Con esto se procede a obtener el
layout del esquema y posteriormente las simulaciones.Luego ejecuto el MICROWIND para
poder compilar el archivo Verilog:
Y finalmente se obtiene el LAYOUT del circuito:
Del grafico anterior se observan los 3 transistores NMOS, 1 transistor PMOS, la ENTRADA de
reloj y las 2 SALIDAS.
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III. SIMULACION
Voltaje vs Tiempo:
Voltajes y Corrientes:
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Vin(CLK) vs Vout 1(color ROJO)
Vin(CLK) vs Vout2(color VERDE)
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Vista en 3D de LAYOUT
IV. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
Las características de un circuito lógico depende íntimamente del diseño a nivel de
transistores por ello si se quiere realizar mejorar e innovaciones en un diseño es
necesario conocer los parámetros que rigen el comportamiento de los transistores. Es imprescindible saber entre que rangos se manejan los parámetros que se desean
modificar, ya que depende mucho del tipo de tecnología a emplear, como ejemplo de
ello es el hecho de que las longitudes de W y L están actualmente en el orden de los
nanómetros. Se pudo apreciar la similitud de las graficas obtenidas en la simulación con Microwind
y las gráficas teóricas.
Se pudo observar que el consumo de potencia en la simulación(0.144mW) es casi elmismo encontrado en el análisis teórico.
Se pudo apreciar lo valiosa que es la herramienta DSCH2 al trabajar en conjunto con
MICROWIND ya que desde ese punto de vista se puede diseñar circuitos mucho mas
sofisticados a nivel de ocmpuertas para posteriormente tener el archivo verilog y este
pueda ser procesado en MICROWIND para obtener el Layout.
Se pudo apreciar las salidas tanto del inversor CMOS como del inversor NMOS cuando
se aplica una señal de reloj de 1MHZ.