INGENIERIA DE SISTEMAS

FISICA ELECTRONICA

CARLOS ALBERTO JARAMILLO LLAMOJA

El transistor es un dispositivo

electrónico semiconductor que cumple

funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o

rectificador. El término «transistor» es

la contracción en inglés de transfer

resistor («resistencia de transferencia»).

Actualmente se encuentran

prácticamente en todos los aparatos

electrónicos de uso diario:

radios, televisores, reproductores de

audio y video, relojes de

cuarzo, computadoras, lámparas

fluorescentes, tomógrafos, teléfonos

celulares, etc.

Fabricante:VISHAY SILICONIXCódigo Farnell:2295730Referencia de fabricante:2N4117A-E3

Información del productoJFET, N CHANNEL, -70V, TO-206AFTransistor Type: JFETBreakdown Voltage Vbr: -70VZero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 30µAZero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 90µAGate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -1.8VPower Dissipation Pd: 300mWOperating Temperature Min: -55°COperating Temperature Max: 175°CTransistor Case Style: TO-206AFNo. of Pins: 3Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 30µA to 90µA

CARACTERISTICAS:MOSFET, N CH, 60V, 300MA, SOT-23-3Transistor Polarity: N ChannelContinuous Drain Current Id: 300mADrain Source Voltage Vds: 60VOn Resistance Rds(on): 2.8ohmRds(on) Test Voltage Vgs: 10VThreshold Voltage Vgs Typ: 2VPower Dissipation Pd: 830mWOperating Temperature Min: -65°COperating Temperature Max: 150°CTransistor Case Style: SOT-23No. of Pins: 3MSL: MSL 1 - UnlimitedSVHC: No SVHC (20-Jun-2013)

NXP - 2N7002,215 - MOSFET, N CH, 60V, 300MA, SOT-23-3

Fabricante:

NXP

Código Farnell:

2315576

Referencia de fabricante:

2N7002,215

DESCRIPTIONThe 2N3055 is a silicon Epitaxial-Base PlanarNPN transistor mounted in Jedec TO-3 metalcase.It is intended for power switchingcircuits, seriesand shunt regulators, output stages and highfidelity amplifiers.The complementary PNP type is MJ2955

Características* TRANSISTOR, NPN, TO-3* Polaridad del transistor:NPN* Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V* Power Dissipation Pd:115W* DC Collector Current:15A* DC Current Gain hFE:70* Transistor Case Style:TO-3* N.º of Pins:2* Tipo de caja:TO-3* Tensión IC hFE:10A* Full Power Rating Temperature:25?C* Max Current Ic:15A* Max Current Ic Continuous a:15A* Max Power Dissipation Ptot:115W* Max Voltage Vce Sat:1V* Min Gain Bandwidth ft:3MHZ* Min Hfe:5* Potencia de disipación:115W* Tipo de terminación:Agujero pasante* Tipo de transistor:Bipolar* Tensión Vcbo:100V

Transistor IGBT IRG4PC50U 600V 55A 200W

TRANSISTORES IRG4PC50U DE INTERNATIONAL RECTIFIERTO247AC 600V 55A 200W

El transistor bipolar de puerta aislada(IGBT) es un dispositivo electrónico quegeneralmente se aplica a circuitos depotencia.Este es un dispositivo para la conmutaciónen sistemas de alta tensión. La tensión decontrol de puerta es de unos 15V. Estoofrece la ventaja de controlar sistemas depotencia aplicando una señal eléctrica deentrada muy débil en la puerta.

Transistor MMBFJ309 .

- Tipo: FET

- Canal: N

- Amperaje: 0.03 A

- Voltaje: 25v

- Potencia Disipada: 0.3w

J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310N-Channel RF Amplifier

LINKS

• https://www.fairchildsemi.com/ds/MM/MMBFJ309.pdf

• http://www.classiccmp.org/rtellason/transdata/2n5638.pdf

• http://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=7660

• http://www.farnell.com/es/transistores/

• http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_de_efecto_campo