los transistores
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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
CARRERA: INGENIERIA DE
SISTEMAS
CURSO: FISICA ELECTRONICA
CICLO:IVTEMA: TRANSISTORES
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas.
Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados
comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos,
televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas
tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en
empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran
consumo que tenían.
Los Transistores
Los transistores tienen multitud de
aplicaciones, entre las que se encuentran:
•Amplificación de todo tipo (radio, televisión,
instrumentación)
•Generación de señal
(osciladores,
generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)•Conmutación, actuando de interruptores
(control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control
de lámparas,
modulación por anchura de impulsos PWM)
•Detección de
radiación luminosa
(fototransistores)Los transistores de unión (uno de los tipos
más básicos) tienen 3 terminales
llamados Base, Colector y Emisor, que
dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de
varias formas.
Tipos de transistores. Simbología
Existen varios tipos que dependen de su proceso
de construcción y de las aplicaciones a las que
se destinan. Aquí abajo mostramos una tabla con
los tipos de uso más frecuente y su simbología
Transistor Bipolar de Unión (BJT)
Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET)
Transistor de Efecto de Campo, de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)
Fototransistor
TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR PNPUn transistor es un dispositivo
electrónico simple que conmuta y
amplifica las corrientes eléctricas.
Aunque los científicos han
inventado muchos tipos de
transistores, el transistor de unión
fue desarrollado primero, y el PNP
es uno de ellos. Un transistor PNP
es uno que controla el flujo de
corriente principal, alterando el
número de agujeros en lugar del
número de electrones en la base.
El bajo costo, fiabilidad y el
tamaño pequeño de los
transistores los ha convertido en
uno de los grandes inventos del
siglo 20
TRANSISTOR JF
ET
El JFET es un transistor de efecto de campo,
es decir, su funcionamiento se basa en las
zonas de deplexión que rodean a cada zona P
al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo
compuerta-fuente, las zonas de deplexión se
hacen más grandes, lo cual hace que la
corriente que va de fuente a drenaje tenga
más dificultades para atravesar el canal que
se crea entre las zonas de deplexión, cuanto
mayor es la tensión inversa en el diodo
compuerta-fuente, menor es la corriente entre
fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado
por tensión y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a través del canal
creado entre las zonas de deplexión van al
drenaje, por lo que la corriente de drenaje es
igual a la corriente de fuente .
TRANSISTOR MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
TRANSISTOR HEMT
Es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de
nitruro de galio (GaN) diseñado específicamente para
capacidades de ganancia alta, amplio ancho de banda y alta
eficiencia, por lo que es ideal para amplificadores saturados
CW o con pulsos de banda C. El transistor está disponible en
paquetes de píldora de soldadura descendente y brida de
tornillo de sujeción. Según el ajuste de compensación
externa apropiado, el CGH55030F2 es ideal para aplicaciones
de hasta 6 GHz. Hoja de datos de CGH55030F2