Ministerio de Educación

Instituto profesional y técnico de David.

Electrónica Aplicada

Nombre De Trabajo: El transistor

Nombre Del Estudiante: Milciades Patiño

Grupo: XII°E

Electricidad

Profesor Cesar Augusto Serracín Cano

Fecha: Domingo 7 de julio Del 2013

Los transistores:1. ¿Qué es un transistor?

R/= El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»).

2. ¿De qué está compuesto un transistor?

R/=El transistor está Compuesto por la unión de tres capas de material semiconductor, de tipo P y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sándwich). Según la disposición de estas capas, podemos tener dos tipos de transistores:

Transistor PNP.

Transistor NPN.

Los más utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio de este tipo de dispositivos.

3. ¿Cuáles son las terminales de un transistor?

R/= Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálico que permitirá conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un encapsulado protector, que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico, metal...). Por tanto, el transistor es un dispositivo de tres terminales, que reciben los nombres de emisor, base y colector.

En el dibujo "Esquema de dos transistores..." la flecha indica la dirección de la corriente que circula a través del emisor: en un transistor NPN es saliente, mientras que en un transistor PNP va en sentido contrario, es decir, hacia dentro del dispositivo y, por consiguiente, la flecha se dibuja al revés.

4. ¿menciona 4 tipos de transistor?

R/= Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual Transistor de unión bipolar Transistor de efecto de campo Fototransistor

5. ¿Cómo funciona un transistor?

R/= un transistor funciona así: esta compuesto como te dije de silicio la idea es que actué como una compuerta natural (abrir-cerrar, cerrar-abrir) esta encapsulado en una plaquita muy diminuta que está compuesta de tres cristales dependiendo el tipo uno P, uno N, y otro P. o en el otro caso uno N, otro P, y el otro N resumiendo serian dos tipos transistor PNP y transistor NPN. estos acrónimos que traducen material positivo o negativo según su letra se deben puramente a su construcción ósea según la necesidad de quien este diseñando el circuito electrónico así será el tipo de transistor a utilizar PNP o NPN haciendo la analogía entre la compuerta y el transistor tendremos que en un transistor PNP por ejemplo tiene tres estados cuando se inyecta un voltaje por la base del transistor este rompe la barrera que hay en el colector para que circule la corriente hacia el emisor ósea recreando el caso anterior cuando aplicamos una fuerza (voltaje) a la base (puerta), esta rompe la barrera (cerradura) para que circule la corriente (personas) a través de colector a emisor algo así como (salir de una puerta de adentro hacia afuera) en el caso del otro tipo de transistor el ejemplo sería igual solo que la corriente o las personas en este caso circularían de (afuera hacia adentro).

6. ¿Menciona las zonas de trabajo de un transistor?

R/= Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o del signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor, éste se puede encontrar en alguna de las cuatro zonas de trabajo que se pueden observar en el gráfico de la derecha. Estas regiones son; Región activa directa, Región de saturación, Región de corte y Región activa inversa.

7. ¿Aplicaciones más comunes de un transistor?

R/= las aplicaciones más comunes donde se usan son en los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc. en cuanto a sus características, su principio de funcionamiento, sus modos de conexión más comunes y las aplicaciones de los

más usados en electrónica como el caso de los transistores bipolares, Transistor de efecto campo (FET), el fototransistor etc.

8. ¿Qué es un transistor BJT?

R/= El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

9. ¿menciona 2 tipos de transistores BJT?

R/= 2 Tipos de Transistor de Unión Bipolar

NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

10. ¿Qué es un JFET?

R/= El JFET (transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

11. ¿Qué diferencias existen entre un BJT y un JFET?

R/= Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT

Controlado por corriente de base.

Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.

IC es una función de IB.

ß (beta factor de amplificación)

Altas ganancias de corriente y voltaje.

Relación lineal entre Ib e Ic.

JFET

Controlado por tensión entre puerta y fuente.

Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal n).

ID es una función de Vgs.

gm (factor de transconductancia).

Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.

Relación cuadrática entre Vgs e Id.

12. ¿Cuáles son los diferentes tipos de FET?

Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor. por eso tenemos la referencia

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales

13. ¿Cuáles son las aplicaciones de un FET?

R/= Los transistores FET tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)

Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)

Detección de radiación luminosa (fototransistores)

14. ¿cuáles la polarización que se consigue en el transistor como amplificador?

R/= en el circuito amplificador, la polarización del transistor se consigue mediante el dividir la tensión formada por la resistencia R1 y R2 (R1=10K W , R2=3k3). Con el circuito en reposo (sin V e), podemos saber si el circuito funciona midiendo las tensiones de polarización y las intensidades de base, de emisor y de colector (Hay que recordar que I e=I b+I c).

15. ¿Qué es un transistor bipolar como amplificador?

R/= El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300.