transistores electronica

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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA Desarrollado en los Laboratorios Telefónicos Bell, año1947. Todos los dispositivos y sistemas electrónicos en la actualidad son resultado del desarrollo del TBJ. Existen dos tipos de transistores: Existen dos tipos de transistores: 1. Transistor Bipolar de Juntura (TBJ). 2. Transistor de Efecto de Campo (FET).

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Transistores y polarizacion

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  • TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    Desarrollado en los Laboratorios Telefnicos Bell, ao1947.Todos los dispositivos y sistemas electrnicos en laactualidad son resultado del desarrollo del TBJ.Existen dos tipos de transistores:Existen dos tipos de transistores:

    1. Transistor Bipolar de Juntura (TBJ).2. Transistor de Efecto de Campo (FET).

  • TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    La estructura de un transistor bipolar de juntura determina suscaractersticas de operacin.

    El TBJ se construye con 3-regiones de semiconductordopado, separadas por 2 junturas PN. Las 3-regiones sedopado, separadas por 2 junturas PN. Las 3-regiones sedenominan Emisor, Base, y Colector.

  • TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    La juntura PN que une la regin de la Base con la de Emisorse denomina juntura Base-Emisor [B-E].La juntura que une la regin de la Base con la de Colector,se denomina juntura Base-Colector [B-C].Los terminales se etiquetan como E, B y C por Emisor, BaseLos terminales se etiquetan como E, B y C por Emisor, Basey Colector, respectivamente

  • TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    A fin de incrementar la Resistividad se emplea diferentesniveles de dopaje.

  • OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    Polarizacin Base-EmisorLa juntura Base-Emisor est polarizada directamente,provocando que la barrera de potencial disminuye,esto hace que la corriente Emisor-Base sea alta.

  • OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    Polarizacin Base-Colector

    En este caso, la juntura Base-Colector queda polarizadainversamente; entonces la barrera de potencial se hace msgrande, la pequea corriente que fluye es la corriente dela pequea corriente que fluye es la corriente desaturacin inversa del diodo y se debe exclusivamente a losportadores minoritarios.

  • OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    Polarizacin Emisor, Colector respecto a la Base

    IE=IB + IC

  • OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

  • OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

  • CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

    Existen 3-configuraciones bsicas aceptables por su aplicabilidad:Base-comn (B-C ),Emisor-comn (E-C )yColector-comn (C-C )El terminal comn sirve como referencia tanto para el terminal de entrada como para el de salida

    Dibuje las configuraciones restantes

  • CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

  • CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    La base es comn para el terminal de entrada Emisor y para el de salidaColector.Las direcciones de las corrientes son las convencionales. (Portadoresmayoritarios)

    En todos los casos:En todos los casos:Ie= Ic + Ib

    Para describir totalmente elfuncionamiento del TBJ esnecesario analizar losparmetros de entrada y salida.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS DE ENTRADA EN BASE-COMNRelaciona la corriente de entrada Ie con el voltaje de entrada Vbe para varios niveles de voltaje de salida Vcb.

    0.6 V: Cuando el transistor se encuentracorrectamente polarizado, transistor enestado de conduccin, la juntura Base Emisoradquiere el valor de 0,6V.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN BASE-COMNRelaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para diferentes valores de corriente de entrada (IE).

    Regin Activa NormalConforme IE aumenta, tambin

    Aqu se distinguen las diferentesregiones de operacin.Regin activa.Regin de saturacin.Regin de corte.

    Conforme IE aumenta, tambin aumenta IC en una magnitud casi igual a IE.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN BASE-COMNA. Regin ActivaLos amplificadores lineales [sin distorsin], generalmente trabajan en laregin activa normal.En la regin activa normal, la juntura B-C est polarizada inversamente,mientras que la juntura B-E est polarizada directamente.mientras que la juntura B-E est polarizada directamente.Conforme IE aumenta, tambin aumenta IC en una magnitud casi igual aIE.B. Regin de CorteCuando Ie=0 la corriente del Colector es la corriente de fuga (en orden de mili ampers).En la regin de corte, las junturas B-C y B-E del transistor estnpolarizadas inversamente.El diodo no conduce.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN BASE-COMNA. Regin de SaturacinEn la regin de saturacin, las junturas B-C y B-E del transistor estnpolarizadas directamente.Puede observarse el incremento exponencial de IC parapequeos incrementos de VB.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    del transistor

    La alfa en corriente directa se define como

    E

    Cdc I

    I=

    Los valores tpicos son de 0.9 a 0.998.

    Si el punto de operacin se desplaza sobre la curva caracterstica, se define la alfa de corriente alterna

    constante=

    =

    CBVE

    Cac I

    I

    Los valores tpicos de ac son prcticamente iguales dc.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    A. EJEMPLOHallar la amplificacin de voltaje del transistor en base comn .

    La polarizacin de CD no aparece en la figura puesto que nuestro intersse limitar a la respuesta de CA.

  • CONFIGURACIN BASE-COMN

    A. EJEMPLOHallar la amplificacin de voltaje del transistor en base comn si:Rin=20Ro= 100 K Vin=20 mV sen (wt)Rc=2,7k Alfa=0,99Alfa=0,99

    CONCLUSIN:La accin bsica de amplificacin se produce al transferir una corrienteI desde un circuito de baja resistencia a uno de alta, de ah el nombreTRANSISTOR .

  • CONFIGURACIN EMISOR-COMN

    Configuracin de emisor comn para transistores NPN y PNP.

    Es necesario estudiar las curvas caractersticas de entrada y salida para estaconfiguracin.

  • CONFIGURACIN EMISOR-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS DE ENTRADA EN EMISOR-COMNLas caractersticas de entrada en emisor comn relacionan la corriente deemisor IE, con el voltaje en la unin de emisor-base VBE para diferentesvalores del voltaje de salida VCE.

  • CONFIGURACIN EMISOR-COMN

    CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA EN EMISOR-COMN

    Las caractersticas de salida en emisor comn relacionan la corriente decolector IC, con el voltaje en la unin de colector-base VCE para diferentesvalores de la corriente de entrada Ib.

    Aqu se distinguen las diferentesregiones de operacin.

    Regin de Saturacin

    regiones de operacin.Regin activa.Regin de saturacin.Regin de corte.

  • CONFIGURACIN EMISOR-COMN

    EJERCICIO UNOUn transistor opera en la regin activa normal y tiene una corriente IB= 0,12 mA que genera una corriente IC=19,5 mA Qu corriente IC resulta para una IB=0.15 mA? Considere un constante.

  • CONFIGURACIN EMISOR-COMN

    EJERCICIO DOSPara el circuito de la figura determinar:a) Corriente de cada uno de los terminales.Considere =100; Rb=220 K; VBB=10V