TRANSISTORES

UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO

FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS Y MATEMTICAS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTRONICA

EXPOSICIN: TRANSISTORES

CURSO: Circuitos Electrnicos I

TEMA: TRANSISTORES: CARACTERSTICAS Y CURVAS

INTEGRANTES: DE LA CRUZ DE LA CRUZ HEBER DEY GONZALEZ ALTAMIRANO MIGUEL CHOZO VALDERA YHON CASTAEDA MENDOZA IVAN PEREZ MAZABEL CRISTHIAN

DOCENTE: ING.CIP LUIS ENRIQUE MOSTACERO ARRAGUI

CICLO: 2014-E

LAMBAYEQUE, 14 de febrero de 2014

TRANSISTORES

Definicin.

Transistor: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms frecuentemente utilizados para elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin. A continuacin vamos a observar algunos tipos de transistores:Introduccin al BJT y principios de construccin.Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti en una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.

Figura 3.1 El primer transistor.CONSTRUCCION DEL TRANSISTOREl transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd adecuada. En el captulo 3 encontraremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la relacin entre el ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres".

Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTORLa operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura 3.3 Unin polarizada directamente de un transistor pnp.Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se indica en la figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En resumen, por tanto:Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta polarizacin directa.

Figura 3.4 Unin polarizada inversamente de un transistor pnp.

Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un solo nodo, obtenemosIE = IC + IBy descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 3.5. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuacin (3.2).IC = ICmayoritaria + ICOminoritariaEn el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

Configuracin de base comn.La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura 3.6 para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC.Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura 3.6, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura 3.7, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 3.7 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base comn.El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin actva la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

Figura 3.9 Saturacin de corriente inversa.En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn polarizadas directamente.Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrn las caractersticas de la figura 3.10b. Adelantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la figura 3. lOc. Para los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 3.l0c se emplear para todos los anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor ser el siguiente:VBE = 0.7 VPolarizacinLa polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA. El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Las alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendr la direccin de la comente resultante. En el transistor npn las polaridades estarn invertidas.

Figura 3.11A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia afuera".ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTORAhora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de amplificacin del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.12. La polarizacin de cd no aparece en la figura puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de base comn, la resistencia de entrada de ca determinada por las caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor comn de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que ca = 1,IL = Ii = 10 mAVL = ILR= (10 mA)(5 kohms)= 50 V

Figura 3.12La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1.La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir,transferencia + resistor > transistorConfiguracin de emisor comn.La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.

Figura 3.13

Figura 3.14Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuracin de base comn.

Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor tpico de a tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) = 0.25mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.Configuracin de colector comn.La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura 3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 3.20 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que = 1). En el circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 3.21 Configuracin de colector comn empleada para propsitos de acoplamiento de impedanciaLmites de operacin del transistor.Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor descrita en la seccin 2.6.

Figura 3.22El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin: PCmx = VCEICPara el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se especific como de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva de disipacin de potencia de colector especificada por el hecho de quePCmx = VCEIC = 300 mWEn cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemosVCEIC = 300 mWVCE(50 mA) = 300 mWVCE = 6 VComo un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:(20 V)IC = 300 mWIC = 15 mAdefiniendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemosVCE(25 mA) = 300 mWVCE = 12 Vcomo tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la curva real puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por supuesto, entre ms puntos tenga, ms precisa ser la curva, pero una aproximacin es generalmente todo lo que se requiere. La regin de corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin tiene que evitarse tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de caractersticas no est disponible. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22 asegurar una mnima distorsin de la seal de salida y niveles de voltaje y corriente que no daarn al dispositivo. Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin:ICEO IC IcmxVCEsat VCE VCEmxVCEIC PCmxPara las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente producto de cantidades de salida;PCmax = VCBICPUNTO DE OPERACINEl trmino polarizacin que aparece en el titulo de este captulo es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicacin de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la comente de cd resultantes establecen un punto de operacin sobre las caractersticas, el cual define la regin que se emplear para la amplificacin de la seal aplicada. Ya que el punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas, se le conoce tambin como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por definicin, quiesciente significa quieto, inmvil, inactivo. La figura 4.1 muestra una caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El circuito de polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la regin activa. Los valores nominales mximos se indican sobre las caractersticas de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de colector mxima ICmx y por una lnea vertical para el voltaje de colector-emisor mximo VCEmax. La mxima potencia de operacin mxima se define por la curva Pcmx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la regin de corte, definida por IB 0 uA, y la regin de saturacin, definida por VCE VCEsat.

Figura 4.1 Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un transistor.El dispositivo BJT podra polarizarse para operar fuera de estos puntos limite mximos, pero el resultado de tal operacin causara ya sea el acortamiento de la vida de servicio del dispositivo, o bien su destruccin. Concentrndonos en la regin activa es posible elegir muchas reas o puntos de operacin diferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se dar al circuito. No obstante, es posible considerar algunas diferencias entre la operacin en puntos diferentes de la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas en tomo al punto de operacin y, por ello, al circuito de polarizacin.Para el BJT que se polarizar en su regin de operacin lineal o activa debe cumplirse:1. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la regin p ms positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.2. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente (regin n ms positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo.La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas del BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente:1. Operacin en la regin lineal: Unin base-colector con polarizacin directa, Unin base-colector con polarizacin inversa 2. Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin inversa 3. Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con polarizacin directa, Unin base-colector con polarizacin directaSaturacin del transistorEl termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus valores mximos. Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota ms de liquido. Para un transistor que opera en la regin de saturacin, la corriente es un valor mximo para el diseo particular. Modifquese el diseo y el correspondiente nivel de saturacin podr elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturacin se define por la mxima corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.

Figura 4.8 Regin de saturacin (a) real (b) aproximadaSi juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, se llegar a un mtodo rpido y directo para determinar el nivel de saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue: RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohmsAplicando los resultados al esquema de la red resultara la configuracin de la figura 4.9.

Figura 4.9 Determinacin de ICsat.Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la corriente mxima de colector aproximada (nivel de saturacin) para un diseo en particular, simplemente inserte un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente de colector resultante. En resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.10, se utiliz el corto circuito, ocasionando que el voltaje a travs de RC sea el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturacin resultante para la configuracin de polarizacin fija es:ICsat = VCC / RC

Figura 4.10 Determinacin de ICsat, para la configuracin de polarizacin fija.Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de colector posible para el diseo elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una amplificacin lineal. Anlisis por recta de carga Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de correspondiente con el punto Qresultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el posible rango de puntosQ y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una ecuacin. para la salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:VCE = VCC - ICRCLas caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos variables IC y VCE,como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una ecuacin de red y un conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin comn de las dos ocurre donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultneamente. En otras palabras, esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una establecida por la red y otra por las caractersticas del dispositivo.

Figura 4.11 Anlisis de recta de carga (a) la red (b) las caractersticas del dispositivo.Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fgura 4.11b. Ahora debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las caractersticas. El mtodo ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es empleando el hecho de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor de 0 mA, estaremos especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un punto. Al sustituir IC = 0 mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que VCE = VCC para IC = 0 mAdefiniendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.

Figura 4.12 Recta de carga de polarizacin fija.

Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de IE

Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el punto Q.

Figura 4.15 Efecto de la disminucin en los valores de VCC sobre la recta de carga y el punto Q.Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la malla de colector a emisor.

Figura 4.17 Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.Malla de base-emisor La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar, como se ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin: VCC - IBRB - VBE - IERE = 0Recordando del capitulo 2 que IE = ( + 1)IBSustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0Agrupando trminos, nos da lo siguiente: -IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0Multiplicando todo por (-1), obtenemosIB(RB + ( + 1)RE) - VCC + VBE = 0y resolviendo IB llegamos a IB = (VCC - VBE)/(RB + (RC+RE))Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la con figuracin de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado interesante que puede derivarse de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza para trazar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB resultar la misma ecuacin obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor ( + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de colector-emisor, "parece como" ( + 1 )RE en la malla de base-emisor. Puesto que es por lo general 50 o ms, el resistor de emisor parece ser mucho ms grande en el circuito de base; tanto, para la configuracin de la figura 4.20.

Figura 4.18 Malla de base-emisor

Figura 4.19

Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RELa ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho, proporciona una manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando la ley de Ohm, sabemos que la corriente a travs de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de base-emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms RE reflejado por ( + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).Malla de colector-emisorLa malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, resultar queIERE + VCE +ICRC - VCC = 0Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtieneVCE - VCC + IC(RC + RE) = 0VCE = VCC + IC(RC + RE)El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina porVE = IEREmientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir deVCE = VC - VEVC = VCC - ICRCE1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir deVB = VCC - IBRBVB = VBE + VEEstabilidad de polarizacin mejoradaLa adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT proporciona una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarizacin de cd se mantienen ms cerca de los puntos donde fueron fijados por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como el voltaje de alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el anlisis matemtico se brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse cierta comparacin del mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.Nivel de saturacinEl nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un diseo polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colector-emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la figura 4.23:ICsat = VCC / (RC +RE)La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo del nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del mismo resistor del colector.

Figura 4.23 Determinacin de ICsat para el circuito de polarizacin de emisor.Saturacin del transistorEl circuito colector-emisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje tiene el mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la seccin 4.4. La ecuacin resultante para la corriente de saturacin (cuando VCE se establece a cero voltios en el diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene para la configuracin polarizada de emisor. Es decir,ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE)Anlisis por recta de cargaLas similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de emisor resultan en las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracin con divisor de voltaje. La recta de carga tendr por consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con

El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la polarizacin con divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.Ejemplo: Para la red de la figura 4.39:a. Determine Icq y vceq. b. Encuentre VB, VC, VE y VBC.

Figura 4.39 Retroalimentacin en colector con RE = 0ohms.SolucinLa ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el nivel de RC, y la ecuacin para IB se reduce a

En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del emisor, y RC directamente a tierra. Al principio, la tcnica parece un tanto heterodoxa y bastante diferente a las empleadas hasta ahora; sin embargo, una aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de base dar por resultado la corriente de base deseada.Ejemplo: Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.

Figura 4.40 EjemploSolucinAl aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj a la malla de base a emisor, el resultado es

El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuracin de emisor-seguidor. Cuando la misma red se analiza sobre una base de ca, encontraremos que las seales de entrada y salida estn en fase (una siguiendo a la otra) y el voltaje de salida es ligeramente menor que la seal aplicada. Para el anlisis de cd, el colector se conecta a tierra y el voltaje aplicado est en la terminal del emisor.Ejemplo:Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41

SolucinAplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos

Sustituyendo valores tenemos

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos

Hasta aqu, todos los ejemplos han empleado una configuracin de colector comn o de emisor comn. En el siguiente ejemplo, investigaremos la configuracin de base comn. En esta situacin se utilizar el circuito de entrada para determinar IE ms que IB. La corriente de colector est disponible entonces para realizar un anlisis del circuito de salida.EjemploDetermine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn de la figura 4.42.

SolucinAplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos-VEE + IERE + VBE = 0IE = (VEE - VBE) / RESustituyendo valores obtenemosIE = (4 V - 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mAAplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos-VCE + ICRC - VCC = 0VCB = VCC - ICRC con IC = IE= 3.34 VIB = IC / = 2.75 mA / 60 = 45.8 uAEl ejemplo anterior emplea una fuente de alimentacin doble y requerir la aplicacin del teorema de Thvenin para determinar las incgnitas deseadas. Ejemplo:Determine VC y VB para la red de la figura 4.43

Figura 4.43SolucinLa resistencia de Thvenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de la terminal de base, como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45

Figura 4.44

Figura 4.45

La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle la ley de voltaje de Kirchhoff, da por resultado-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0

Figura 4.46Al sustituir IE = ( + 1)IB obtenemos

Conmutacin con transistores.La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplificacin de las seales. Por medio de un diseo adecuado pueden utilizarse como interruptor para aplicaciones de control y computadoras. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en circuitos lgicos de computadoras. Ntese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se aplica a la base o terminal de entrada. Adems, advirtase la ausencia de una fuente de cd conectada al circuito de base. La nica fuente de cd est conectada al extremo de colector o salida, y para las aplicaciones de computadoras es tpicamente igual a la magnitud del flanco de subida de la seal de salida, en este caso. de 5 V.

Figura 5.52 Inversor de transistorEl diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin cambie desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo de la recta de carga trazada en la figura 4.52b. Para nuestros propsitos supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA (una excelente aproximacin a la luz de las tcnicas mejoradas de construccin), como se muestra en la figura 4.52b. Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB que aparece cerca del nivel de saturacin. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El nivel de saturacin para la comente de colector del circuito de la figura 4.52a se define comoICsat = VCC / RCEl nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin puede aproximarse mediante la siguiente ecuacin:IBmx = ICsat / cdPor tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la condicin siguiente:IB > ICsat / cdSaturacin SuaveBJT saturado ligeramenteRB = (Vi - 0.7V)/IBIB ICsat / mnRB = (Vi - 0.7V) mn /ICsatSaturacin DuraBJT debe saturarse para cualquier valor de beta. = 10RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsatPara ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la cargaICsat = (VCC - Vcarga)/RCEl transistor PNP.Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores npn para asegurar que el anlisis inicial de las configuraciones bsicas fuera lo ms claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el anlisis de los transistores pnp sigue el mismo patrn establecido para los transistores npn. El nivel de IB se determina en primer lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de transistor apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la nica diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un transistor npn por otro de tipo pnp es el signo asociado a cantidades particulares.Como se advierte en la figura 4.63, la notacin de subndice doble contina como fue definida normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se han invertido para reflejar las direcciones de conduccin reales. Empleando las polaridades definidas de la figura 4.63, tanto VBE como VCE sern cantidades negativas.Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos la siguiente ecuacin para la red de la figura 4.63:-IERE + VBE -IBRB +VCC = 0Sustituyendo IE = ( + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a

La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del signo para VBE Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitucin de los valores resultar en el mismo signo para cada trmino de la ecuacin (4.49), como la ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo que da por resultado la siguiente ecuacin:-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0Sustituyendo IE = IC, obtenemosVCE = -VCC + IC(RC +RE) La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el signo enfrente de cada trmino a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC ser mayor que la magnitud del trmino siguiente, el voltaje tendr un signo negativo, como se advirti en un prrafo anterior.Ejemplo:Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.6

Figura 4.64 Transistor PNP en una conguracin de polarizacin con divisor de voltaje.Solucin Probando la condicin RE 10 R2132 k 100 k (satisfactorio)Resolviendo para VB, tenemos que

Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo resultante para VB.Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva aVB - VBE -VE = 0VE = VB - VBEVE = -3.16 V - (-0.7 V)= -2.46 VAdvierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de subndice sencillo y doble Para un transistor npn la ecuacin VE. = VB - VBE sera exactamente la misma. La nica diferencia surge cuando se sustituyen los valores. La corrienteIE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mAPara la malla de colector a emisor:-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos queVCE = -VCC + IC(RC +RE) Sustituyendo valores, obtenemosVCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4 k + 1.1 k ) = -10.16 V Modelado del transistor BJT.La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los circuitos equivalentes (modelos) que sern introducidos en este captulo. Un modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas de operacin,

Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este anlisis introductorio.

Figura 7.4 Red de la figura 7.3 despus de eliminar la alimentacin de cd.La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar como resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecer del colector al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.

Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el anlisis de pequea seal ca.Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador, esperaramos alguna indicacin de cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia en el anlisis que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos parmetros en las secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por medio de:1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto circuito equivalente2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 24. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente.TRANSISTORES DE BARRERA SUPERFICIAL.

-Transistor bidireccional: realiza la funcin de conmutacin en ambos sentidos del flujo de seales, a travs de un circuito. Ampliamente utilizado en los circuitos conmutacin telefnica.

-Transistor bipolar: transistor de punta en el que el emisor y el colector son electrodos de contacto de punta que hacen presin en los centros de las caras de un disco delgado de material semiconductor que sirve de base.

-Transistor de aleacin-difusin: es el combinado de las tcnicas de aleacin y difusin de un modo diferente a la de un transistor de difusin-aleacin.

-Transistor de almacenamiento de carga: es el que la unin base-colector se carga cuando se aplica polarizacin directa estando la base a nivel alto y el colector a nivel bajo.

-Transistor de barrera de unin: construido por aleacin de la base con el material terminal de un conductor.

-Transistor de barrera intrnseca: transistor triodo en el que las barreras superficiales estn constituidas sobre los lados opuestos de una lmina de germanio tipo n por depresiones grabadas, y ulterior electromoldeo de los puntos de colector y emisor que funcionan como contactos rectificadores.

TRANSISTORES DE BASE DIFUSA.

-Transistor de base difusa: transistor en el que es obtenida una regin no uniforma de base por difusin gaseosa. La unin base-colector est tambin formada por difusin gaseosa, por tanto la unin base-emisor es una unin convencional de aleacin.

-Transistor de base metlica: consistente en una base constituida por una pelcula metlica delgada interpuesta entre dos semiconductores tipo n, estando el semiconductor de emisor ms dopado que la base a fin de conseguir una mayor relacin entre la corriente de electrones y la corriente de huecos. La respuesta de frecuencia es mucho ms elevada que la de los transistores convencionales.

-Transistor de campo: transistor unipolar.

-Transistor de campo interno: tiene dos uniones planas paralelas, con un apropiado gradiente de resistividad en la regin base entre las uniones para mejorar las respuestas a elevadas frecuencias.

-Transistor de capa agotada: funciona por el movimiento de los cortadores a travs de las capas desiertas o capas agotadas tal como un espacistor.

-Transistor de capa de difusin: transistor de unin en las que las uniones finales estn constituidas por difusin de impurezas cerca de una unin de crecimiento.

-Transistor de cuatro capas: tiene cuatro regiones conductores pero solo tres terminales. Un ejemplo de este tipo es el tiristor.

-Transistor de difusin: transistor en el que el flujo de corrientes es resultado de la difusin de portadores donadores o aceptadores, como en un transistor de unin.

-Transistor de difusin microaleado: transistor en el que el cuerpo semiconductor es previamente sometido a difusin gaseosa a fin de producir una regin de base no uniforme.

-Transistor de doble difusin: est formado de dos uniones en la pastilla de semiconductor, por difusin gaseosa de ambos de impurezas p y n. Puede tambin formarse una regin intrnseca.

-Transistor de doble emisor: transistor epitaxial planal pasivado p-n-p de silicio que tiene dos emisores para su utilizacin en interruptores de bajo nivel.

-Transistor de doble superficie: transistor de puntas en los que buscadores de emisor y colector estn en contacto con los lados opuestos de la base.

-Transistor de efecto de campo: transistor en el que la resistencia al paso de la corriente desde el electrodo fuente al electrodo drenador se modula por aplicacin de un campo elctrico transversal entre los electrodos de graduador o puerta. El campo elctrico modifica la densidad de la capa empobrecida entre las puertas, reduciendo por tanto la conductancia.

TRANSISTORES DE MODULACIN DE CONDUCTIVIDAD.

-Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de xido de sicilio. Cuando en el modo de empobrecimiento, una tensin negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarizacin nula de puerta. Cuando funciona en el sentido de enriquecimiento, la puerta se polariza en sentido directo para incrementar la carga del canal y aumentar la conductancia de este. Se pueden obtener ambos tipos de funcionamientos de un sustrato de tipo n o de tipo p, respectivamente.

-Transistor de efecto de campo multicanal: es en el que se aplica tensiones adecuadas a la puerta de entrada para controlar el espacio entre los canales de flujo de corriente. La utilizacin de ms de un canal permite el empleo de corrientes ms intensas sin reducir la respuesta de frecuencia lo que normalmente ocurre cuando se aumenta el tamao de un dispositivo de canal nico para acomodarlo a mayor intensidad.

-Transistor de emisor y conductor difusos: es el que tanto el emisor como el colector han sido constituidos por difusin.

-Transistor de difusin: transistor de unin, obtenido por enfriamiento brusco despus de la funcin de una determinada regin.

-Transistor de gancho: tiene cuatro capas alternadas tipo p y n, con una capa flotante entre la base y el colector. Esta disposicin da lugar a altas ganancias de la corriente de entrada de emisor.

TRANSISTORES DE MULTIEMISOR.

-Transistor de multiemisor: tiene uno o ms emisores adicionales. Utilizado principalmente en los circuitos lgicos.

-Transistor de pelcula delgada: transistor de efecto de campo construido enteramente mediante tcnicas de pelculas delgadas para su utilizacin en circuitos de esta naturaleza. Un electrodo de puerta, de metal delgado, est separado por una pelcula delgada semiconductor que por lo general est constituida por sulfuro de cadmio la corriente circula a lo largo de un canal por la capa del semiconductor. Entre dos electrodos denominados fuente y drenador. La intensidad de corriente se consigue mediante la tensin aplicada a la puerta aislada.

-Transistor de potencia: transistor de unin que puede trabajar con corrientes y potencias elevadas. Se usa principalmente en circuitos de audio y conmutacin.

-Transistor de precisin de aleacin de silicio: Es en el cual las tcnicas de aleacin y grabado se combinan para producir una elevada frecuencia de respuesta y un estrecho control de los parmetros de transistor, tal como se requiere para aplicaciones de conmutacin de bajo nivel y elevada resolucin.

-Transistor de puerta de control: Es en el que un electrodo de puerta cubre las uniones del emisor y el colector, permitiendo la aplicacin de un campo electrnico a la superficie de la regin de la base.

-Transistor de puntas: tiene un electrodo base y dos o ms puntos de contacto poco separadas entre si, sobre la superficie del germanio tipo n. La presin de los contactos crea una pequea zona de material tipo p bajo cada contacto produciendo las uniones necesarias para un transistor.

-Transistor de punta y de unin: tiene un electrodo base y una punta de contacto adems de electrodos de unin.

-Transistor de fusin: transistor de unin en que esta se obtiene por fusin de un semiconductor dopado en forma apropiada, permitiendo su solidificacin ulterior repetidamente.

-Transistor de superficie pasivada: transistor cuya superficie semiconductoras han sido protegidas contra el agua, los iones y otras condiciones ambientales por pasivacin, en la cual un compuesto protector est qumicamente unido a la superficie del cristal semiconductor.

TRANSISTORES DE UNIN ELECTROQUMICA.

-Transistor de unin: construido de un transistor de unin de aleacin que se fabrica colocando grnulos de una impureza tipo p, tal como el indio, encima y debajo de una lmina de germanio tipo n, y luego calentando la lmina hasta que la impureza se alee con el germanio dando lugar a un transistor de tipo p-n-p.

-Transistor de unin difusa: es en el que los electrodos del emisor y del colector han sido obtenidos por difusin de una impureza metlica en el cuerpo del semiconductor sin calentamiento.

-Transistor de tres uniones: tiene tres uniones y cuatro regiones de conductividad alternadas. La conexin del emisor puede tener lugar en la regin p a la izquierda la conexin de la base en la regin adyacente n.

-Transistor de unin eletroqumica: construido por ataques de las dos caras opuesto a una placa de germanio tipo n por chorros de una solucin salina tal como cloruro de indio, la placa , primeramente positiva con respecto a los de proyeccin, pasa entonces a ser negativa con relacin al deposito de indio sobre los caracteres formados.

TRANSISTORES DE UNIN GRADUAL.

-Transistor de unin gradual: transistor por crecimiento variable.

-Transistor de unin intrnseca: de cuatro capas una de las cuales est formada por semiconductores de tipo i y situada entre la base y el colector, como los transistores p-n-i-p, n-p-i-n, p-n-i-n y n-p-i-p.

-Transistor de zona desierta: transistor de capa agotada.

-Transistor del tipo de empobrecimiento: transistor metal-xido de efecto de campo en el que los portadores de carga existentes presentan una polarizacin de entrada nula, si bien estas cargas son neutralizadas por la aplicacin de una polaridad inversa.

-Transistor del tipo de enriquecimiento: transistor MOS de efecto de campo en el que la puerta est polarizada en sentido directo y cubre todo el canal a fin de enriquecer su carga e incrementa su conductancia.

-Transistor doblemente dopado: transistor de unin por crecimiento, formado por adicin sucesiva de impurezas tipo p y tipo n o la fusin durante el crecimiento del cristal.

-Transistor epitaxial de unin difusa: transistor de unin obtenido por crecimiento por una capa delgada de elevada pureza de un material semiconductor fuertemente dopada del mismo tipo.

-Transistor epitaxial mesa difuso: en el que la capa epitaxial delgada de elevada resistividad est depositada sobre el sustrato, sirviendo como colector.

-Transistor filiforme: transistor de modulacin de conductividad cuya longitud es mucho mayor que sus dimensiones transversales.

-Transistor mesa: obtenido sometiendo una lmina o pastilla de germanio o sicilio a ataque qumico de modo que las regiones correspondientes a la base y al emisor aparezcan escalonadamente como mesetas por encima de la regin de colector.

-Transistor MOS de efecto de campo: Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor.

TRANSISTORES N-P-N.

-Transistor n-p-n: Transistor de unin que tiene una base tipo p entre un emisor tipo n y un colector tipo n. El emisor debe entonces ser negativo con respecto a la base , y el colector positivo.

-Transistor n-p-i-n: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est interpuesta entre la base tipo p y las capas tipo n del colector.

-Transistor n-p-i-p: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est entre regiones p.

TRANSISTORES N-P-N-P.

-Transistor n-p-n-p: Transistor de unin n-p-n que tiene adems una capa de transicin o flotante entre los regiones p y n, en la que no se establece conexin hmica. Denominado tambin transistor p-n-p-n.

-Transistor pasivado: Protegido contra fallos prematuros por pasivacin.

-Transistor pentodo de efecto de campo: tiene cinco terminales que tiene tres puertas. Puede trabajar como pentodo, si se polarizan independientemente cada una de las puertas.

-Transistor planar de silicio: Fabricado por la tcnica planar, que implica una serie de ataques qumicos y difusiones, y que producen un transistor de silicio con una capa de xido.

-Transistor planar de unin: parecido al de unin difusa, pero en el cual se consigue una penetracin localizada de las impurezas recubriendo algunas partes de la superficie del cristal con un compuesto de xido tal como dixido de silicio. Este proceso se llama pasivacin de superficie.

-Transistor p-n-i-n: transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est situada entre regiones n.

-Transistor p-n-i-p: Transistor de unin intrnseca en la cual la regin intrnseca est entre la base tipo n y el colector tipo p.

-Transistor por crecimiento variable: de unin en la cual las impurezas (tales el galio y el antimonio) se disuelven a la vez, y la temperatura asciende y desciende repentinamente para producir capas alternas de tipo p y n. Se llama tambin transistor de unin gradual.

-Transistor simtrico: de unin en lo que los electrodos emisor y colector son idnticos y sus terminales intercambiables.

-Transistor tetrodo: transistor de cuatro electrodos, tal como un transistor tetrodo de puntas o un transistor de unin de doble base.

-Transistor tetrodo de efecto de campo: con cuatro conductores con dos puertas que permiten el funcionamiento del tetrodo si se utiliza polarizacin separada para cada puerta.

-Transistor tetrodo de puntas: transistor de puntas con un colector y dos emisores.

-Transistor tetrodo de unin: transistor de unin de doble base.

-Transistor unipolar: transistor que utiliza portadores de carga de una sola polaridad, tal como ocurre en un transistor de efecto de campo.

-Transistor uniunin: barra de semiconductor tipo n con una regin de aleacin tipo p en un lado. Las conexiones se establecen en los contactos de las bases situados en ambos extremos de la barra y en la regin p. El transistor tiene una caracterstica anloga a la de un tiratrn entre el terminal de la regin p y el terminal de la base negativa.

TRANSISTOR COMPLEMENTARIOS.

-Transistor complementario: dos transistores d opuesta conductividad (p-n-p y n-p-n) incorporados en la misma unidad funcional.

TRANSISTORES EN CASCADA.

-Transistor de cascada: dos transistores montados en una misma cpsula y conectados en serie.

-Transistor en conexin compuesta: disposicin de dos transistores en la que la base de uno se conecta al emisor del otro y los dos colectores se conectan entre s. La combinacin debe ser considerada como un transistor simple que posee un elevado factor de amplificacin de corriente.

Lincografia:

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://books.google.co.ve/books?id=UaxhQQfLMY8C&lpg=PA26&dq=LED&hl=es&pg=PP1#v=onepage&q&f=true

https://www.google.com.pe/search?q=ejercicios+con+transistores+resueltos&source=lnms&sa=X&ei=gX39UqDxDJC_kQeE_4HADw&ved=0CAgQ_AUoAA&biw=1360&bih=643&dpr=1

http://www.educa.madrid.org/cms_tools/files/1b6e1d60-1863-4a1f-9092-ea87c419df8a/transistores.html

http://www.slideshare.net/Naren05/transistor-y-tipos-de-transistores-13676180

http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-4.-transistores-de-efecto-campo.pdf