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MODULACIÓN DE DOBLE DESPLAZAMIENTO DE FASE PARA REDUCIR LA POTENCIA REACTIVA EN UN CONVERTIDOR DC-DC DE DOBLE PUENTE ACTIVO STEPHANY CATHERIN SANDOVAL CASTRO DAVID EDUARDO CARMONA TORRES UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS FACULTAD DE INGENIERÍA INGENIERÍA ELECTRÓNICA Bogotá, D.C. Noviembre de 2016

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MODULACIÓN DE DOBLE DESPLAZAMIENTO DE FASE PARA REDUCIR LA

POTENCIA REACTIVA EN UN CONVERTIDOR DC-DC DE DOBLE PUENTE

ACTIVO

STEPHANY CATHERIN SANDOVAL CASTRO

DAVID EDUARDO CARMONA TORRES

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Bogotá, D.C.

Noviembre de 2016

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MODULACIÓN DE DOBLE DESPLAZAMIENTO DE FASE PARA REDUCIR LA

POTENCIA REACTIVA EN UN CONVERTIDOR DC-DC DE DOBLE PUENTE

ACTIVO

STEPHANY CATHERIN SANDOVAL CASTRO 20111005054

DAVID EDUARDO CARMONA TORRES 20111005065

Proyecto de grado

Director: Javier Antonio Guacaneme Moreno

Modalidad: Investigación - Innovación

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Bogotá, D.C.

Noviembre de 2016

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"Esta investigación es financiada por el Fondo Nacional para la financiación de la ciencia,

la tecnología y la innovación "Fondo Francisco José de Caldas" del Departamento

Administrativo de Ciencia, Tecnología e innovación - COLCIENCIAS.

(Contrato: FP44842 - 031 2016)."

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Agradecimientos

Quiero agradecer a Dios, por mi vida y por llenarla de de grandes bendiciones, por permitirme conocer personas maravillosas, que han dejado huella en mi corazón, y por llenarme siempre de fortaleza y de amor para afrontar cada momento y llegar a donde estoy. A mis padres Esperanza y Luis me enseñaron que solo con disciplina y trabajos se logran grandes cosas, gracias a su formación y confianza en mí pude levantarme en momentos difíciles. A mi hermana Karen por ser mi confidente y cómplice de mil locuras, logrando ser siempre un escape en los momentos estresantes. A mis profesores que con cada una de sus enseñanzas han marcado mi vida y me han hecho crecer como persona a nivel intelectual y personal, en especial al profesor Javier Guacaneme por su apoyo incondicional y su paciencia, el siempre fue el polo a tierra para poder llevar a cabo este proyecto, llenándonos siempre de su buena energía. Agradezco a David Carmona mi compañero de tesis, pero más que eso, un amigo incondicional, con el cual pude compartir gran parte de este camino, fue un placer vivir esta aventura contigo y espero que vengan muchas más, gracias por siempre estar dispuesto a escucharme, y aguantarme. A mis padrinos Gustavo y Carolina por llenar mi vida de grandes enseñanzas y ser mi polo a tierra cuando muchas veces no he sabido qué hacer. A la Universidad Distrital Francisco José de Caldas por convertirse en mi segundo hogar y permitir formarme. Agradezco a José Manuel Vargas por ser un gran amigo, seguirme en todas mis locuras, y aconsejarme siempre. Agradezco a todos mis amigos por ser una apoyo incondicional siempre , y llenar mi vida de grandes momentos y sacarme siempre una sonrisa: David Carmona, Manuel Vargas, Maria Fernanda Vargas, Maria Fernanda Cruz, Andres Fuentes, Dilan Serrano, Alex Morales, Ferney Castañeda, Juliana Garzon, Santiago Galindo, Alejandro Cortés y Laura Scarpetta .

STEPHANY SANDOVAL

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Agradecimientos

Doy gracias a Dios, por darme la oportunidad de vivir y por estar conmigo en cada paso

que doy, por fortalecer mi corazón e iluminar mi mente y por haber puesto en mi camino

a aquellas personas que han sido mi soporte y compañía durante todo el periodo de

estudio.

Agradezco a mi tío Elkin, pues su incondicional apoyo me llevo a donde estoy, él ha sido

una parte muy importante para llevar a cabo esta etapa de mi vida, sus enseñanzas y su

experiencia me han inspirado para formarme como ingeniero.

A mi abuela Merceditas, Porque gracias a su apoyo consejos y oraciones, he llegado a

realizar la más grande de mis metas. La cual constituye la herencia más valiosa que

pudiera recibir, te amo.

A mis padres Stella y Juan Carlos, por darme la vida, quererme mucho, creer en mí y

porque siempre me han apoyado. Gracias papás por darme una carrera para mi futuro,

todo esto se los debo a ustedes.

A mi hermana Ana María, por ser un apoyo en todo momento, divertirme en los peores

momentos, y ser la mejor compañía.

Mis abuelos Josefa y Orlando, por quererme y apoyarme siempre, esto también se lo

debo a ustedes.

A mi tío José, por estar pendiente y confiar en mí, estar siempre cuando lo necesito y

creer en que soy capaz.

A nuestro docente director Javier Guacaneme por su gran apoyo y motivación para la

culminación de nuestros estudios profesionales y para la elaboración de esta tesis.

A mi compañera de tesis Stephany Sandoval, por su dedicación, tolerancia y

principalmente por su amistad, Amigos por siempre.

Al grupo de investigación LIFAE por aceptarnos en su grupo, facilitarnos los

implementos, y por hacer esto un poco más fácil.

A la Universidad Distrital Francisco José de Caldas, por formarme, y Permitirme

ser miembro de su comunidad.

A esos amigos, con los que nos apoyamos en nuestra formación profesional y que hasta

ahora, seguimos siendo amigos, gracias por su amistad y gracias por su apoyo:

Stephany Sandoval, Jhonathan Ramírez, María Fernanda Vargas, José

Manuel Vargas, Laura Scarpetta, María Fernanda Cruz y Alex Morales.

GRACIAS A TODOS…

DAVID CARMONA.

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DEDICATORIA

Para mis padres Stella y Juan Carlos, por ser el pilar fundamental en todo lo que soy, en toda mi educación, tanto académica, como de la vida, por su incondicional apoyo perfectamente mantenido a través del tiempo. Todo este trabajo ha sido posible gracias a ellos. Y quiero decirles que vamos por más, los amo.

DAVID CARMONA.

Le dedico este trabajo a mis padres Esperanza y Luis los cuales se han desvivido para permitir que este sueño hoy sea realidad, que gracias a su gran amor, su educación hoy soy lo que soy, y estoy segura que es un peldaño más de cosas grandes que han de venir, se lo dedico con todo mi amor a mi hermana Karen como muestras de que aunque a veces el camino sea un poco difícil, siempre hay que disfrutar cada pasa, la recompensa será satisfactoria si se hacen las cosas con el corazón. Todos es posible si así lo sueñas. Y nunca hay que dejar de sonreír. Los amo.

STEPHANY SANDOVAL.

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ÍNDICE

ÍNDICE……………………………………………………………………………………...I

ÍNDICE DE FIGURAS……………………………………………………………..........IX

ÍNDICE DE TABLAS………………………………………………………………..…..XI

LISTADO DEACRÓNIMOS…………………………………………………………...XII

1. CAPÍTULO 1……………………………………………………………………..14

1.1 Introducción...……………….…….……………………………………………….15

1.2 Planteamiento del problema………………………………………………………..16

1.3 Objetivos…………………………………………………………………………...17

1.3.1 Objetivo general…………………………………………...……………………..17

1.3.2 Objetivos específicos……...……………………………………………………..17

1.4 Justificación…………………………………....…………………………………..18

2. CAPÍTULO 2……………………………………………………………………..19

2.1 Marco teórico……………………………………..………………………………..20

2.1.1 Convertidores DC- DC unidireccionales………………………………………...20

2.1.1.1 Reductor o “Buck”..............................................................................................20

2.1.1.2 Elevador o “Boost”.............................................................................................20

2.1.1.3 Elevador-Reductor o “Flyback”..........................................................................21

2.1.2 Convertidores DC-DC Bidireccionales…………………………………………..22

2.1.2.1 Convertidor de doble puente completo bidireccional sin bobina………………22

2.1.2.2 Convertidor de doble medio puente bidireccional……………………………..22

2.1.2.3 Puente completo bidireccional con esquema unificado para conmutaciones ..

hhhhhhhh suaves y capacidad de arranque desde tensión cero en modo….

…………....elevador…………………………………………………………………….....23

2.1.2.4 Convertidor medio puente y “push-pull” bidireccional………………………..24

2.1.2.5 Conmutación a cero corriente (ZCS)..................................................................24

2.1.2.6 Conmutación a cero voltaje (ZVS).....................................................................24

2.2 Estado del arte……………………………………………………………………...27

2.2.1 DAB……………………………………………………………………………...27

2.2.1.1 Flujo de potencia……………………………………………………………….30

2.2.1.2 Configuraciones del DAB……………………………………………………...32

2.2.1.3 Análisis de estados de funcionamiento…. ...………………….……………….33

2.2.1.4 Conmutación suave a cero tensión…………………………………………....36

2.2.2 Estrategias de modulación………………………………………………………..37

2.2.2.1 Modulación SPS………………………………………………………………..37

2.2.2.2 Modulación EPS....……………………………………………………………..37

2.2.2.3 Modulación DPS...……………………………………………………………..38

2.2.2.4 Modulación TPS....…………………………………………………………….38

3. CAPÍTULO 3……………………………………………………………………....40

3.1 Diseño del DAB etapa de potencia………………….……………………………..41

3.1.2 Cálculos de diseño SPS……....…………………………………………………..41

3.1.3 Elección de dispositivos………………………………………………………….43

3.1.3.1 Transformador y bobina………………………………………………………..43

3.1.3.2 Semiconductor………………………………………………………………….44

3.2 Diseño e implementación de la modulación DPS en Psoc® 5lp…………………...44

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4. CAPÍTULO 4……………………………………………………………………….51

4.1 Simulación………………………………………………………………………….52

4.1.1 Parámetros de simulación………………………………………………………..52

4.1.2 Simulación ideal del DAB con SPS……………………………………………...53

4.1.3 Simulación ideal del DAB con DPS……………………………………………..56

4.2 Comparación SPS vs DPS………………………………………………………….59

4.3 Simulación real del DAB con SPS…………………………………………………60

4.4 Simulación real del DAB con DPS………………………………………………...62

5. CAPÍTULO 5…………………..…………………………………………………...63

5.1 Implementación……………..……………………………………………………...64

5.1.1 Implementación de las estrategias de modulación……………………………….64

5.2 DAB………………………………………………………………………………..65

5.2.1 Puentes activos…………………………………………………………………...65

5.2.2 Transformador e inductancia……………………………………………………..66

5.2.3 Etapa de acondicionamiento……………………………………………………..67

5.2.4 Dispositivos de medición………………………………………………………...68

5.3 Análisis de resultados……………………………………………………………....69

5.3.1 Análisis comportamiento tensión………………………………………………...70

5.3.2 Análisis comportamiento de corriente…………………………………………...72

5.3.3 Análisis flujo de potencia………………………………………………………...74

5.4 Análisis de potencia activa………………………………………………………... 75

5.4.1 Análisis de potencia reactiva…………………………………………….……….76

5.4.2 Análisis de la conmutación suave ZVS…………………………………………..77

6. CAPÍTULO 6……………………………………………………………………….79

6.1 Conclusiones……………………………………………………………………….88

6.2 Trabajos Futuros……………………………………………………………………81

REFERENCIAS……..……………………………………………………………………82

ANEXOS…………………………………………………………………………………..86

a. Código modulación DPS…………………………………………………………….86

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ÍNDICE DE FIGURAS

Figura 1. Convertidor reductor. (a) Convertidor DC-DC reductor. (b) Circuito equivalente cuando el

interruptor está cerrado. (c) Circuito equivalente cuando el interruptor está abierto…………………………..20

Figura 2. Convertidor elevador. (a) Esquema del circuito. (b) Circuito equivalente cuando el interruptor está

cerrado. (c) Circuito equivalente cuando el interruptor está abierto………………………………………………21

Figura 3. Convertidor reductor-elevador. (a) Esquema del circuito. (b) Equivalente del circuito cuando el

interruptor está cerrado. (c) Equivalente del circuito cuando el interruptor está abierto……………...……….21

Figura 4. Convertidor bidireccional doble puente sin bobina………………………………………………………22

Figura 5. Convertidor doble medio puente bidireccional…………………………………………………..……....23

Figura 6. Convertidor de puente completo bidireccional, con conmutaciones suaves y capacidad de arranque

a tensión cero en modo elevador…………………………………………………………………………….…………..23

Figura 7. Convertidor Medio Puente y Push-Pull Bidireccional……………………………………….….……....24

Figura 8. (a) Conmutación a cero corriente (ZCS). (b) Conmutación a cero voltaje…….……………………..25

Figura 9. Modos de voltaje en el interruptor resonante. (a) Notación general. (b) Implementación para modo

de media onda (c) Implementación para onda completa…………………………..………………………..............25

Figura 10. Convertidor elevador. (a) Estructura básica del circuito. (b) Equivalencia en estado estacionario

del circuito (c) Implementación ZVS………………………………………………..………………………………….26

Figura 11. DAB (convertidor de puente completo dual)...................................................................................28

Figura 12. Modelo simplificado del DAB monofásico…………………….……..…………………………………..28

Figura 13. Señales de tensión y corriente en el DAB cuando Vac1 > Vac2……………………………….……...29

Figura 14. Señales de tensión y corriente en el DAB cuando Vac1 < Vac2……………………………….……...29

Figura 15. Señales de tensión y corriente en el DAB cuando Vac1=Vac2………………………………….…….30

Figura 16. Potencia de salida vs desfase…………………………………………………………………….….……..31

Figura 17. Flujo de potencia (a) flujo directo (b) flujo inverso………………………………………….….……...31

Figura 18. Topologías DAB a) con ZVS , b)active-clamp snubber, c) passive-clamp snubber,(d)

amortiguación de retroceso, (e) medio puente alimentado por voltaje con doblador de tensión, (f) convertidor

hibrido, (g)convertidor ZVS-ZCS converter, (h)convertidor serie resonante, (i) topología con diferentes

capacitores resonantes, (j) con LLC tanque resonante………………………………………….………..….………32

Figura 19. Esquema completo del convertidor DAB…………………………………………….………….….…….33

Figura 20. Análisis de dispositivos en conducción con modulación SPS…………………………………...…….34

Figura 21. Voltaje primario, voltaje secundario del transformador, tensión y corriente en la inductancia (a)

cuando 0 <De<Di <1, (b) cuando 0<Di <De<1……………………………………………….………………….....35

Figura 22. (a) Rama resonante primer puente, (b) Corriente mínima en la inductancia cuando T1 está

desactivado…………………………………………………………………………………………………………………37

Figura 23. (a) control SPS. (b) control EPS. (c) control DPS. (d) control TPS……………………...…………..39

Figura 24. Señal de corriente el Lf, (a) ángulo nominal 50°, (b) ángulo nominal 90°….……………………….42

Figura 25. Núcleo de ferrita para el transformador de alta frecuencia………………………………………......43

Figura 26. Núcleo para la bobina externa…………………………………………………………….……………....44

Figura 27. Diagrama de flujo diseño modulación DPS en Psoc® 5lp…………………………….……..………..45

Figura 28. Diagrama del hardware para la implementación de DPS en Psoc® 5lp…………….…….………..46

Figura 29. Configuración PWM1 (referencia), 50% de ciclo útil, T=100 us…………………….…….…………47

Figura 30. Señal S1, señal de disparo 80 ns para el desfase y señal S3………………………….…….…………47

Figura 31. Señales principales S1,S3,S5 y S7, (a) desfase interno y externo en 0°, (b) desfase interno en

45° y externo en 0°……………………………………………………………………………………………….…….….48

Figura 32. Señales S1,S3,S5 y S7, (a) Desfase interno y desfase externo 0°; (b) Desfase interno 45° y desfase

externo 45°; (c) Desfase interno 45° y desfase externo 90°; (d) Desfase interno 90° y desfase externo 45°; (e)

Desfase interno 0° y desfase externo 45°; (f) Desfase interno -90° y Desfase externo -45°…………….……..49

Figura 33. S1,S3,S5 y S7 y sus complementarias S2, S4, S6 y S7, (a) desfase interno y externo en 0°; (b)

desfase interno -90° y desfase externo en 90°……………………………………………………………..…...50

Figura 34. Esquema del convertidor, (a) circuito general; (b) módulo puente 1; (c) módulo puente….…….53

Figura 35. Pulsos de activación para los ocho MOSFETs, Voltaje en el primario Vp, corriente en la

inductancia iL para SPS………………………..………………………………………………………………………...54

Figura 36. Tensión VL y corriente iL, (a) De=90°, (b) De=20°…………………………………………………...55

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Figura 37. Corriente de salida io con un desfase de 90°…………………………………………….….….....55

Figura 38. Flujo de potencia usando SPS……………………………………………………………….…....56

Figura 39. Pulsos de activación para los ocho MOSFETs, Voltaje en el primario Vp, corriente en la

inductancia iL para modulación DPS…………………………………………………………………………….….....57

Figura 40. Vs, Vp, VL y iL; (a) 0<De<Di<1, (b) 0<Di<De<1 (c)-1<De<Di<0, (d) -1<De<Di<0, (e)(g) Di

(+), De(-), (f)(h) Di (-) De(+)................................................................................................................... .........58

Figura 41. Comportamiento de la potencia de salida con respecto a el De y Di………………………….…......59

Figura 42. Potencia instantánea cuando se entregan 10 kW, (a) SPS ángulo De =50°, (b) DPS ángulo De

=90° ángulo Di=50°………………………………………………………………………………………………………60

Figura 43. Corriente y tensión en la inductancia De=90°…………………………………………………………..61

Figura 44. Flujo de potencia con SPS con parámetros ideales vs parámetros reales………………...……...61

Figura 45. Corriente y tensión en la inductancia, (iL) y (VL), (a) Di=50°, De=90°, (b) Di=90°, De=50°.....62

Figura 46. Montaje de la etapa de modulación con el Psoc® 5lp…………………………………………….……64

Figura 47. Visualización del desfase interno y externo actual……………………………………………………...65

Figura 48. Módulo de IGBT de Semikron® AN-8005..………………………………………………………….…..65

Figura 49. Núcleo para el transformador de alta frecuencia……………………………………………........66

Figura 50. Transformador y bobina resultante………………………………………………………………….…....67

Figura 51. Conversor de TTL a CMOS………………………………………………………………………………...68

Figura 52. Sensor de corriente de efecto hall acs712-20A……………………………………………………….....69

Figura 53. Señales de salida de parte AC de cada puente.(a) sin desfase (b) modulación DPS con un desfase

interno de 45° y un desfase externo de 25°………………………………………………………………………….....69

Figura 54. Forma de onda experimental de la corriente en la bobina, (a) con un desfase externo 25° a una

frecuencia de 20 kHz; (b) un desfase externo de 45° a una frecuencia de 10 kHz…………………………….....70

Figura 55. Comparación real vs ideal casos de modulación según ángulo de desfase (Di) y (De), (a) Di=0°,

De=0°; (b) Di=0°, De=-90° ; (c) Di=90°,De=45°; (d) Di=45°, De=90°; (e) Di=-75°,De=-90°; (f) Di=-

90°,De=90°…....……………………………………………………………………………………………………......…72

Figura 56. Comparación entre las señales obtenidas en la práctica y las simuladas, (a) Di=0°, De=45°; (b)

Di=45°; De=45°; (c) Di=90°. De=45°; (d) Di=45°, De=90°……………………………………………………...74

Figura 57. Flujo de potencia V1 y V2……………………………………………………………………………….....75

Figura 58. Curva del Flujo de potencia con respecto al desfase interno y externo…………………….……......76

Figura 59. Flujo de potencia reactiva según la variación del desfase interno………………………….…….....77

Figura 60. Evidencia de conmutación suave ZVS, (a) modulación SPS; (b) modulación DPS……….……....78

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ÍNDICE DE TABLAS

Tabla 1. Dispositivos de conducción según el intervalo……………………………………….35

Tabla 2. Parámetros generales para el DAB monofásico……………………………………..41

Tabla 3. Parámetros para la elección de Dispositivos…………………………………...……43

Tabla 4. Parámetros de los Semiconductores…………………………………………….……..44

Tabla 5. Parámetros de simulación Psim® 6.0…………………………..……………….…....52

Tabla 6. Parámetros transformador………………………………………..………………....…66

Tabla 7. Valores del conversor TTL a CMOS. …………………………………………..….….67

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LISTADO DE ACRÓNIMOS

DAB Doble puente activo. Dual active Bridge

SPS Cambio simple de fase, Simple Phase Shift

EPS Cambio de fase extendido, Extended Phase Shift

DPS Cambio de doble desplazamiento de fase. Dual Phase Shift

TPS Cambio de triple desplazamiento de fase, Triple Phase Shift

DC Corriente directa

AC Corriente alterna

RMS Medida cuadrática, Root mean square.

TTL Lógica transistor a transistor, transistor-transistor logic

CMOS Semiconductor complementario de óxido metálico, complementary metal

oxide semiconductor

V Voltaje

H Henrios

I Corriente

A Amperios

F Faradios

R Resistencia

Fs Frecuencia de conmutación

S Potencia aparente

Q Potencia reactiva

P Potencia activa

L Inductancia

Lf Inductancia equivalente referida al primario.

VL Voltaje en la bobina

iL Corriente en la bobina

C Condensador

Vp Voltaje primario

Vs Voltaje secundario

ZVS Conmutación con tensión cero. Zero, Voltage Switch

ZCS Conmutación con corriente cero. Zero , Current Switch

HS Conmutación dura, Hard Switch

De Desfase externo

Di Desfase interno

V1 Fuente 1

V2 Fuente 2

S1 - S8 Pulsos de conmutación

° Grados

MOSFET Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, Metal oxide

semiconductor Field effect transistor.

IGBT Transistor bipolar de puerta aislada, Insulated Gate Bipolar Transistor

PQA Analizador de calidad de potencia, power quality analyzer

PCB Circuito impreso. Print circuit board

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LCD Pantalla de cristal líquido, Liquid Crystal Display

Psoc® Sistema de programación en chip. Programmable System on Chip

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CAPÍTULO 1

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1.1 INTRODUCCIÓN

La evolución de los dispositivos semiconductores en los últimos años ha permitido un

avance en todas las ramas de la electrónica, gran parte de estos avances se han logrado en el

área de la electrónica de potencia. La aparición de los conmutadores de estado sólido

permite reducir el tamaño y mejorar la eficiencia de los sistemas de conversión de energía,

los cuales tienen como objetivo la transformación de energía eléctrica , ya sea de corriente

alterna (AC) a directa (DC), de directa (DC) a alterna (AC), AC-AC o DC-DC.

Existen diversas topologías de dichos convertidores unidireccionales, las cuales al ser

configuradas de una manera particular permiten tener convertidores bidireccionales, una de

estas configuraciones es el convertidores DC-DC de doble puente activo (DAB), el cual

permite transferir energía tanto de la fuente de entrada a la fuente de salida, como de forma

inversa, por medio del cambio de la dirección de la corriente; por ello es utilizado en un

gran número de aplicaciones en donde se necesita la gestión y el transporte de energía

eléctrica.

Por otra parte, el desarrollo de los semiconductores no es lo único que ha llevado a los

convertidores a ser más versátiles, el desarrollo de nuevos algoritmos de modulación y

nuevas técnicas de conmutación; como la conmutación suave, han permitido reducir el

tamaño y aumentar su densidad de energía en los convertidores. Entre estas nuevas técnicas

de modulación se encuentra el desplazamiento de fase simple (SPS) que es una de las

modulaciones más utilizadas en la actualidad pues su implementación es sencilla, la

modulación (EPS) la cual agrega un desfase interno en uno de los puentes del convertidor,

la modulación de doble desplazamiento de fase (DPS) que como su nombre lo indica

agrega un nuevo desfase a la modulación de desplazamiento de fase simple pero esta vez en

los dos puentes del convertidor, este desfase es igual para los dos puentes, lo cual mejora

considerablemente la eficiencia del convertidor, por último se encuentra el desplazamiento

triple de fase (TPS) el cual consiste en que los desfases que se hacen internamente en cada

puente del convertidor sean independientes, sin embargo, su implementación es más

compleja, lo que genera que esta modulación no sea tan usada.

Con este trabajo se busca diseñar e implementar un convertidor DC-DC bidireccional de

doble puente activo DAB, en el cual se emplea una modulación DPS, para evaluar los

beneficios que presenta frente a la modulación SPS.

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1.2 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

La energía eléctrica se ha convertido en pilar fundamental para el avance tecnológico, cada

vez es más frecuente encontrar un sin número de nuevos dispositivos que requieran de ella

para su funcionamiento, en la actualidad se consume 50 veces más energía que hace un

siglo, y según el consejo mundial de la energía se cree que en los próximos veinte años el

consumo energético mundial aumentará en un 50%. [1]

lo que obliga a que se desarrollen e implementen dispositivos que logren manejar altas

densidades de energía con la mayor eficiencia posible, por ello se ha retomado los estudios

de convertidores DC-DC bidireccionales, utilizando nuevos dispositivos semiconductores,

nuevos algoritmos de conmutación; y otros métodos de conmutación como son SPS, EPS,

DPS y TSP, lo cual ha permitido reducir su tamaño y mejorar su eficiencia.

Es por ello que se busca implementar la modulación SPS y DPS en un convertidor

bidireccional DC-DC (DAB), para lograr contrastar el funcionamiento del convertidor

frente a los dos algoritmos, logrando identificar las ventajas que ofrece uno sobre el otro y

para mostrar los convertidores DAB como dispositivos eficientes para el almacenamiento

y/o la transferencia de energía en el país.

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1.3 OBJETIVOS

1.3.1 Objetivo general.

● Diseñar e implementar una modulación de doble desplazamiento de fase (dual

phase shift DPS) para evaluar sus características al utilizarlo en un convertidor DC-

DC bidireccional, doble puente activo DAB y compararlo con la modulación de

desplazamiento de fase simple (simple phase shift SPS).

1.3.2 Objetivos específicos.

● Definir las características de los semiconductores y elementos reactivos necesarios

para los requerimientos de diseño con el objetivo de maximizar su vida útil.

● Diseñar una modulación DPS y evaluar su rendimiento frente a una modulación

SPS.

● Implementar la modulación DPS en el microcontrolador programable Psoc® 5LP

basado en una CPU ARM cortex M3 la cual gracias a su versatilidad y potencia, es

una muy buena solución en cuanto a desarrollo de técnicas de modulación de cierta

complejidad para convertidores DC-DC.

● Controlar un doble puente activo DAB por medio de la modulación DPS y SPS.

● Evaluar el contenido de potencia reactiva del convertidor al usar los dos sistemas de

modulación SPS y DPS logrando así determinar las variaciones del estrés eléctrico

en los semiconductores.

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1.4 JUSTIFICACIÓN

Los convertidores DC-DC bidireccionales han tenido una gran evolución en los últimos

años, esto ha incrementado su área de aplicación, convirtiéndose en una solución versátil a

problemas de almacenamiento y distribución con alta densidad de energía, las primeras

evoluciones se dieron en cuestión de componentes, una de las más representativas fue

cambiar los transformadores lineales por transformadores de alta frecuencia, lo cual redujo

considerablemente su tamaño. Sin embargo, uno de los problemas por resolver son las

pérdidas en el sistema, para ello se empezaron a enfocar todos los estudios en los sistemas

de conmutación, surgiendo diferentes alternativas entre ellas la modulación DPS.

Es por eso que diseñar e implementar esta modulación permite evaluar su funcionamiento

con el objetivo de mejorar considerablemente la eficiencia del convertidor, específicamente

en un convertidor de doble puente activo (DAB), reduce el estrés eléctrico en los

semiconductores por medio del uso de la conmutación suave extendiendo la vida útil de los

dispositivos, además con esta modulación no es necesario sobredimensionar los

componentes del convertidor, en especial el transformador de alta frecuencia

Esto permite potencializar el desarrollo de diferentes aplicaciones en el país, como por

ejemplo el uso de vehículos eléctricos, ya que una de las limitantes para su

comercialización masiva, es la falta de infraestructura de electrolineras, al igual que

dispositivos que permitan recargar los autos en casa, lo cual se pueden implementar

mediante el uso de convertidores DC-DC como el DAB, sin olvidar que también se usan

directamente en los vehículos eléctricos como sistemas de gestión energética [2], ahora

bien, continuando en la misma rama del transporte, pero en la línea aeronáutica, este

dispositivo facilita la carga de baterías de aviación[3] y el manejo de transitorios fuertes

cuando se realiza el cambio de AC-DC [4]; otro campo de acción de este dispositivo es en

el área de las energías renovables, ya que permiten el transporte y almacenamiento de

energía[5], al igual funciona como interfaz de conexiones Back to Back [6]-[7], las cuales

permiten el manejo de altas densidades de energía, también se pueden usar en sistemas de

alimentación ininterrumpida UPS [8], los cuales son sistemas para alimentar cargas críticas.

El aporte académico que este proyecto ofrece, es mostrar de forma práctica el uso de

topologías de conmutación suave y de técnicas de modulación para reducir el estrés en

tensión y corriente que se presenta en los semiconductores que se usan para la

implementación del prototipo en la Universidad Distrital Francisco José de Caldas, además

permite aplicar conceptos aprendidos durante la carrera y la interrelación entre la

electrónica de potencia y otras áreas como sistemas embebidos , logrando ser a su vez la

base para otros proyectos de investigación.

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CAPÍTULO 2

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2.1 MARCO TEÓRICO

2.1.1 Convertidores DC- DC unidireccionales.

2.1.1.1 Reductor o “Buck”. Para muchas aplicaciones es indispensable producir una señal continua, para esto se puede

utilizar la topología de reductor que consiste en insertar un filtro pasa-bajo el cual consta

de una condensador y una bobina (C-L) después del interruptor en el convertidor básico,

como se muestra en la figura 1 (a). El diodo proporciona un camino a la corriente de la

bobina cuando el interruptor está abierto y se polariza en inversa cuando el interruptor está

cerrado. [9]

Figura 1. Convertidor reductor. (a) Convertidor DC-DC reductor. (b) Circuito

equivalente cuando el interruptor está cerrado. (c) Circuito equivalente cuando el

interruptor está abierto, tomada de [9].

Cuando el interruptor está cerrado en el convertidor reductor de la Figura 1 (a), el diodo se

polariza en inversa y el circuito equivalente es el mostrado en la Figura 1 (b); Cuando el

interruptor está abierto, el diodo se polariza en directa para dejar pasar la corriente de la

bobina como se representa en el circuito equivalente de la Figura 1 (c).

2.1.1.2 Elevador o “Boost”. La figura 2, muestra el esquema de un convertidor elevador. Este funciona abriendo y

cerrando periódicamente un interruptor electrónico. Se denomina convertidor elevador

porque la tensión de salida es mayor que la de entrada.

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Figura 2. Convertidor elevador. (a) Esquema del circuito. (b) Circuito equivalente cuando

el interruptor está cerrado. (c) Circuito equivalente cuando el interruptor está abierto,

tomado de [9].

Cuando el circuito está cerrado figura 2 (b), el diodo está polarizado en inversa. La

variación de la corriente es constante, por lo que la corriente aumenta linealmente cuando el

interruptor está cerrado; Cuando el interruptor está abierto figura 2 (c), la corriente en la

bobina no puede variar de forma instantánea, por lo que el diodo se polariza en directa para

proporcionar un camino a la corriente de la bobina [9].

2.1.1.3 Elevador-Reductor o “Flyback”. La figura 3 muestra el esquema de un convertidor elevador-reductor o flyback. En este tipo

de convertidores la salida del convertidor reductor-elevador puede ser mayor o menor que

la tensión de entrada.

Figura 3. Convertidor reductor-elevador. (a) Esquema del circuito. (b) Equivalente del

circuito cuando el interruptor está cerrado. (c) Equivalente del circuito cuando el

interruptor está abierto tomado de [9].

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Cuando el interruptor está cerrado como en la figura 3 (b). La variación de la corriente en la

bobina es constante, por lo que la corriente en la misma aumenta linealmente. Cuando el

interruptor está abierto figura 3(c), la corriente en la bobina no puede variar

instantáneamente, por lo que el diodo está polarizado en directa y pasará corriente por la

resistencia y el condensador [9].

2.1.2 Convertidores DC-DC Bidireccionales.

2.1.2.1 Convertidor de doble puente completo bidireccional sin bobina

Es un convertidor bidireccional que utiliza dos puentes completos y un transformador. La

característica principal de este convertidor es que no tiene bobina, en este caso, las únicas

inductancias que aparecen en el convertidor son las propias del transformador [10].

El flujo de energía se controla con la inductancia de dispersión del transformador y, la

manera de hacerlo es implementando un control por desplazamiento de fase entre el puente

del primario y el puente del secundario y también variando la frecuencia [10].

Figura 4. Convertidor bidireccional doble puente sin bobina tomada de [11].

2.1.2.2 Convertidor de doble medio puente bidireccional.

Esta topología de convertidor bidireccional está basada en el uso de dos convertidores de

medio puente. En esta topología, se pretende minimizar los elementos que se usan en un

convertidor con dos puentes completos. Se puede llegar a tener conmutaciones a tensión y

corriente cero (ZVZCS) bajo las condiciones adecuadas de técnica de conmutación [11].

Esto con el fin de alcanzar altos rendimientos. Esta topología permite manejar altas

densidades de energía, y por sus características especialmente en cuestión de tamaño, es

una alternativa para reemplazar a los convertidores de puente completo en aplicaciones de

potencia media. [12].

El principio de funcionamiento de éste convertidor, al igual que el convertidor puente

completo, consiste en controlar simétricamente los interruptores del primario y del

secundario con ciclos de trabajo del 50%. Al hacer esto, la entrada del convertidor funciona

como un convertidor elevador con ciclo de trabajo del 50% imponiendo la tensión de

entrada en cada uno de los condensadores del primario. Después se utiliza control por

desplazamiento de fase y variación de la frecuencia entre ambos medios puentes del

convertidor. Para conseguir variar la tensión de salida, se utiliza la inductancia de

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dispersión del transformador, como único elemento para almacenar y transferir el flujo de

potencia del convertidor del primario al secundario [13].

Figura 5. Convertidor doble medio puente bidireccional [13].

2.1.2.3 Puente completo bidireccional con esquema unificado para conmutaciones

suaves y capacidad de arranque desde tensión cero en modo elevador.

Este convertidor bidireccional, incorpora un esquema unificado para conseguir

conmutaciones suaves. Una rama adicional formada por un interruptor y un condensador en

serie se utiliza para alcanzar conmutaciones suaves en ambas direcciones del flujo de

potencia. Cuando el convertidor opera en modo reductor, con la técnica de conmutación

adecuada y para determinados rangos de funcionamiento, la topología puede llegar a

alcanzar conmutaciones a tensión y corriente cero (ZVZCS) [13].

Cuando el convertidor funciona en modo elevador, la misma rama para las conmutaciones

suaves se utiliza para limitar el voltaje transitorio de pico en los interruptores. Al mismo

tiempo, el interruptor adicional consigue conmutación suave para sí mismo, teniendo

conmutación a tensión cero (ZVS). Esta topología tiene la capacidad de arrancar desde

tensión cero en modo elevador a través de un devanado auxiliar colocado en la bobina del

convertidor [11].

Figura 6. Convertidor de puente completo bidireccional, con conmutaciones suaves y

capacidad de arranque a tensión cero en modo elevador, tomada de [11].

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2.1.2.4 Convertidor medio puente y “push-pull” bidireccional.

Esta topología está constituida principalmente por un transformador de alta frecuencia, un

medio puente en un lado del transformador y por una salida del tipo Push-Pull alimentada

en corriente. Para evitar desequilibrio de tensión en los condensadores del medio puente, se

adiciona un devanado en el transformador con un arreglo de diodos. Este devanado se

utiliza también cuando el convertidor transfiere energía del Push-Pull al medio puente, ya

que por medio de este se cargan simultáneamente los condensadores del medio puente. En

la figura 7 se muestra el esquema del convertidor medio puente y Push-Pull bidireccional

[14]-[15].

Figura 7. Convertidor Medio Puente y Push-Pull Bidireccional, tomada de [11].

En busca de obtener una mayor eficiencia y el manejo de mayor tensión a menor densidad

volumétrica, Schwarz [16] plantea el uso de conmutación suave, la cual es aplicable para

cualquiera de las topologías anteriores; genera menores pérdidas y una gran ventaja en la

implementación de convertidores de decenas de kilovatios; existen dos clases de

conmutación suave: la técnica de conmutación a cero corriente (zero current switching

ZCS) y la técnica de conmutación a cero tensión (zero voltage switching ZVS).

2.1.2.5 Conmutación a cero corriente (ZCS). Consiste en un arreglo de semiconductores y elementos resonantes auxiliares, bobinas y/o

condensadores para un interruptor de resonancia en modo de corriente como se muestra en

la figura 8(a), el inductor L, está en serie con el interruptor para lograr la conmutación de

corriente cero.

2.1.2.6 Conmutación a cero voltaje (ZVS) Al igual que en el caso anterior se basa en un arreglo de semiconductores y elementos

resonantes auxiliares como se muestra en la figura 8(b), el condensador C, está en paralelo

con el interruptor para lograr la conmutación de tensión cero.

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Figura 8. (a) Conmutación a cero corriente (ZCS). (b) Conmutación a cero voltaje,

tomada de [17].

Como en el caso de ZCS, la estructura del interruptor determina el modo de funcionamiento

del modo de tensión del interruptor resonante. Si en el conmutador ideal se implementa el

interruptor por medio de un transistor, y un diodo anti-paralelo D1, como se muestra en la

Figura 9 (b), el voltaje a través del condensador Cr, se sujeta por D1 a un valor mínimo, y

el interruptor resonante funciona en un modo de media onda, pero si el diodo D1 se coloca

en serie con el transistor como se muestra en la Figura 9 (c), el voltaje en el condensador

Cr, oscila libremente generando que el interruptor resonante funciones en modo de onda

completa [17].

Figura 9. Modos de voltaje en el interruptor resonante. (a) Notación general. (b)

Implementación para modo de media onda (c) Implementación para onda completa,

tomada de [17].

Se puede ver que en el (ZCS), la interacción de resonancia entre L y C, se inicia por el

encendido de S1, mientras que en el (ZVS) es iniciada por el apagado de S1 [17]. Es decir

que se puede implementar esta topología en un circuito convertidor básico.

El funcionamiento en estado estacionario de un convertidor elevador convencional, como

se muestra en la Figura 10 (a), se pueden tratar como una fuente de corriente constante, en

la que el suministro de potencia a una carga es de tensión constante 𝑉, por medio del

control del ciclo de trabajo del interruptor como se muestra en la Figura 10 (b). Cuando el

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interruptor convencional se sustituye por el interruptor de (ZVS) el cual consiste en agregar

una bobina 𝐿𝑟 y un condensador 𝐶𝑟, la estructura del convertidor elevador queda como se

muestra en la figura 10 (c). Dado que el comportamiento del circuito es en gran parte

determinado por los valores de 𝐿𝑟 y 𝐶𝑟, los siguientes parámetros se definen como.

1) Impedancia característica: 𝑍𝑛 ≡ √𝐿𝑟

𝐶𝑟

2) Frecuencia angular resonante 𝜔 ≡ 1

√𝐿𝑟𝐶𝑟

3) Frecuencia resonante 𝑓𝑛 ≡ (𝜔

2) 𝜋

4) Resistencia de carga normalizada 𝑟 ≡ 𝑅𝑜

𝑍𝑛

Figura 10. Convertidor elevador. (a) Estructura básica del circuito. (b) Equivalencia en

estado estacionario del circuito (c) Implementación ZVS, tomada de [17].

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2.2. ESTADO DEL ARTE

2.2.1 DAB.

La potencia que puede manejar un convertidor se define por su topología y por el número

de dispositivos de conmutación ya sean MOSFETs o IGBT que utilice; el DAB es un

convertidor que se compone de ocho interruptores, los cuales están distribuidos en dos

puentes en H, lo que hace que sea un dispositivo robusto, simétrico, con gran modularidad,

con una alta eficiencia y capaz de manejar altas densidades de potencia, al usar un

transformador para unir los dos puentes, genera que el convertidor tenga un aislamiento

galvánico lo que le da seguridad. Otra de las ventajas que ofrece este convertidor

bidireccional es que permite tener un control simple y transparente para la transmisión de

potencia bidireccional, ya que cuenta con abundantes algoritmos de control que expanden

el rango de la conmutación suave logrando mejorar su eficiencia hasta un 97% [18] , ya que

las pérdidas son menores y se reduce las interferencia electromagnéticas; además la

frecuencia de la corriente de entrada y de salida es el doble que la frecuencia de

conmutación, esto le da una superioridad frente a otros convertidores bidireccionales.

El DAB fue propuesto en 1988 [19] por Mohan y Peterson, se caracteriza por tener

componentes activos tanto a la entrada como en la salida, con la mínima topología, y menor

tensión en los dispositivos, no tienen componentes reactivos extras y usa la inductancia de

fuga del transformador como elemento principal de transferencia de energía, sin embargo

esta primera propuesta utiliza transformadores de frecuencia lineal lo cual limitaba el

sistema, luego se evolucionó al uso de transformadores de alta frecuencia lo cual aumentó

las posibles aplicaciones ya que redujo su tamaño, y su costo.

El DAB clásico [20] como se muestra en la figura 11, está compuesto por dos puentes

activos conectados por un transformador de alta frecuencia el cual se alimenta con ondas

cuadradas y un DC-link de condensadores a cada extremo DC de los puentes el cual se usa

para filtrar el rizado que se presenta en la corriente que consume el lado DC [21] en

muchos montajes se utiliza una inductancia en serie con el transformador para así lograr

ajustar la inductancia de fuga lo que hace que el convertidor pueda manejar mayor

transferencia de energía. Al utilizar transformadores de alta frecuencia se puede aumentar

considerablemente la frecuencia de conmutación de los interruptores, lo cual como se había

mencionado anteriormente permite reducir el tamaño del sistema, y además da la

posibilidad de utilizar técnicas de conmutación suave como ZVS, que reducen el estrés

eléctrico en los dispositivos. La máxima frecuencia de conmutación se tiene cuando las

pérdidas en la inductancia de fuga y la corriente de recuperación del diodo no se pueden

manejar [19].

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Figura 11. DAB (convertidor de puente completo dual), tomada de [11].

Al realizar un modelo simplificado del DAB monofásico como se muestra en la figura 12,

se puede analizar la tensiones que debe soportar el inductor y los modos en que se puede

configurar el convertidor, logrando así determinar el comportamiento de la corriente IL, el

cual depende de la magnitud de la tensión y de la inductancia.

Figura 12. Modelo simplificado del DAB monofásico, tomada de [21]

Estos modos de configuración dependen directamente de la relación de espiras del

transformador; se tienen tres casos diferentes:

● modo reductor: cuando Vac1 es mayor que Vac2, en la figura 13 se ven las señales

de tensión, y la forma de onda de la corriente.

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Figura 13. Señales de tensión y corriente en el DAB cuando Vac1 > Vac2.

● Modo elevador: cuando Vac1 es menor que Vac2, en la figura 14 se ven las señales

de tensión y corriente de este modo, se logra ver que en la señal de corriente la

única diferencia es un cambio de pendiente, resultado de la nueva relación entre

Vac1 y Vac2.

Figura 14. Señales de tensión y corriente en el DAB cuando Vac1 < Vac2.

● Modo seguidor: cuando Vac1 es igual Vac2, la tensión en los bornes es igual lo que

genera una corriente de forma trapezoidal como se ve en la figura 15, y lo cual

permite que se tenga conmutación suave en los dos puentes .

Figura 15. Señales de tensión y corriente en el DAB cuando Vac1=Vac2.

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2.2.1.1 Flujo de potencia.

El flujo de potencia en el convertidor se realiza por medio de una diferencia de fase entre la

tensión del primario y el secundario del transformador, en donde la diferencia de tensión es

soportada por la inductancia de dispersión, y es por ello que es usada como elemento de

transferencia de energía, el flujo se presenta desde la fuente que se adelanta en fase con

respecto a la otra, si decimos que 𝑉𝐴 es la entrada ,𝑉𝐵 es la salida, 𝜑 es el desfase entre las

dos señales, 𝑛 es la número de vueltas del transformador y que 𝐿𝑘es la fuga del primario (se

refiere a la inductancia y un inductor externo) entonces podríamos decir que la potencia es

igual a:

𝑃 = 𝑉𝐴𝑉𝐵

𝑛𝜔𝜔𝑘 𝜑 (1 −

𝜑

𝜋) (1)

Al analizar el comportamiento del desfase con respecto a la potencia de salida del puente se

logra determinar el punto en donde se hace conmutación suave, la cual depende de D que es

igual a:

𝐷 =𝑉𝐵

𝑛𝑉𝐴 (2)

Entonces si D>1 se conoce como motoring, el desfase es positivo lo que significa que el

puente de entrada adelanta al puente de carga, si D<1 es regenerative el desfase es

negativo, el puente de carga adelanta el puente de fuente, esto nos permite determinar la

región para realizar conmutación suave que es cuando D=1 siendo D el parámetro de

medición esto se puede ver en las curvas de la figura 16.

Figura 16. Potencia de salida vs desfase, tomada de [22].

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Según lo anterior se puede identificar dos flujos, los cuales se ven más claramente en la

figura 17, en la figura 17(a) se ve un flujo directo en el cual la potencia, va de la fuente a la

carga, el cual se logra con un desfase positivo, y en la figura 17(b) se observa un flujo

inverso el cual se produce cuando el puente dos tiene un desfase negativo.

Figura 17. Flujo de potencia (a) flujo directo (b) flujo inverso.

El flujo máximo de potencia se da cuando se tiene un desfase de 90°, en cualquiera de los

sentidos.

2.2.1.2 Configuraciones del DAB.

Existen diferentes topologías del DAB como se ve en la figura 18, las cuales buscan

encontrar forma de realizar conmutación suave.

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Figura 18. Topologías DAB a) con ZVS , b)active-clamp snubber, c) passive-clamp

snubber,(d) amortiguación de retroceso, (e) medio puente alimentado por voltaje con

doblador de tensión, (f) convertidor hibrido, (g)convertidor ZVS-ZCS converter,

(h)convertidor serie resonante, (i) topología con diferentes capacitores resonantes, (j) con

LLC tanque resonante, tomado de [3]

La figura 18 (a) muestra un convertidor DAB con ZVS convencional, en el cual se usa un

capacitor externo en paralelo con el interruptor, que junto a la capacitancia parásita

mantiene la tensión en el interruptor durante la transición según [23] las pérdidas son

proporcionales a la capacitancia en paralelo al interruptor; este método solo funciona en

condiciones específicas lo cual limita su uso ya que solo puede manejar bajas corrientes.

El segundo método de convertidores es el de múltiples puertos, entre ellos se encuentran

active-clamp, passive clamp y flyback los cuales se muestran en la figura 18 (b, c, d)

respectivamente [24]-[25], estos consisten en colocar un nivel DC en la parte de baja

tensión para reducir el rizado de la corriente y de esta manera sea más eficiente la salida en

la carga, sin embargo, la diferencia entre el nivel DC y el transformador hace que sea

necesario una gran amortiguación de condensadores; por eso es necesario utilizar métodos

como los mostrados en [26] de conmutación suave, aunque estos no garantizan la

conmutación de todos los interruptores, en el flyback figura 18 (d) esto se soluciona usando

un amortiguador de retroceso el cual consiste en que el DC y AC absorben la diferencia

entre el inductor y la inductancia de fuga del transformador, y la corriente pico que circula

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se omite gracias a los nuevos dispositivos auxiliares pero esto a su vez aumentan el costo y

el tamaño del convertidor.

Un tercer método es el de voltaje alimentado el cual se muestra en la figura 18 (e) [3], por

medio de ZVS, el desfase y el cambio del ciclo útil, se logra tener la siguiente salida de

potencia:

𝑃 = 𝑉𝐴𝑉𝐵

2𝑛𝜔𝜔𝑘𝜑 (1 −

𝜑

𝜋) (3)

𝑃 = 𝑉𝐴𝑉𝐵

4𝑛𝜔𝜔𝑘[𝜑 (1 −

𝜑

𝜋) + (𝐷 − 𝜑) (1 +

𝜑−𝐷

𝜋)] (4)

2.2.1.3 Análisis de estados de funcionamiento.

La conmutación de un convertidor DAB se puede hacer mediantes diversas estrategias las

cuales se explicará más adelante, se realizar análisis tanto para SPS como para DPS. En la

figura 19 se muestra el convertidor DAB, haciendo referencia tanto al interruptor, como al

diodo que se encuentra en anti-paralelo a él, ya que se busca identificar en cada instante

cual es el dispositivo que conduce.

Figura 19. Esquema completo del convertidor DAB.

El comportamiento del DAB para la modulación SPS, la cual solo tiene un desfase, que se

realiza entre el voltaje primario y secundario del transformador se muestra en la Figura 20,

en ella se muestran las señales de Vp y Vs como la de la corriente en la inductancia, y las

corrientes de entrada y salida. Se divide en 4 intervalos que corresponden a los cambios de

tensión que ve la inductancia, en la parte inferior se indica qué dispositivo se activa en cada

instante tanto en el puente uno como en el puente dos, Tn hace referencia a los

interruptores, y Dn al diodo que va en antiparalelo a él, siendo n el número del interruptor

al que se quiere hacer referencia.

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Figura 20. Análisis de dispositivos en conducción con modulación SPS, tomada de [19].

Para el análisis utilizando modulación DPS, se divide el funcionamiento en dos casos, el

primer es cuando 0<De<Di<1 y el segundo caso se presenta cuando 0<Di< De <1. En la

figura 20, se muestran las señales del voltaje primario y secundario del transformador, al

igual que la forma de onda de la tensión y la corriente en la inductancia, para los dos casos.

Se divide en seis intervalos de tiempo los cuales corresponden a los cambios de nivel

resultantes en la inductancia a causa de los desfases, se puede notar como la única

diferencia entra las formas de onda tanto de tensión como de corriente en la inductancia se

presenta, entre el intervalo t2 y t3; en este intervalo el nivel de la tensión para el primer

caso decae a cero, lo que genera en la corriente una recta con pendiente cero, esto no pasa

en el caso dos en donde en este intervalo se hace solo un cambio de nivel, lo que produce

que la corriente cambie de pendiente.

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Figura 21. Voltaje primario, voltaje secundario del transformador, tensión y corriente en

la inductancia (a) cuando 0 <De<Di <1, (b) cuando 0<Di <De<1, tomada de [27].

Para cada intervalo, los dispositivos conductores se relacionan en la tabla 1 [27].

Tabla 1. Dispositivos de conducción según el intervalo.

El desfase De y Di van de 0 a 1, y la suma de los dos no puede ser mayor a 1, el desfase Di

se realiza tomando como referencia la rama uno del primer puente, y el desfase De se hace

con respecto al flanco de subida del voltaje primario.

Según eso, la ecuación de básica de potencia es:

𝑃 =𝑛𝑉𝐻𝑉𝑉𝐿𝑉

2𝑓𝑠𝐿[(𝑑2(1 − 𝑑2) −

1

2𝑑1

2)] (5)

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𝑃 =𝑛𝑉𝐻𝑉𝑉𝐿𝑉

2𝑓𝑠𝐿[(𝑑2 (1 − 𝑑1 −

1

2𝑑2))] (6)

En donde P es la potencia de transferencia, fs es la frecuencia de conmutación, L la

inductancia y d1 el desfase interno Di y d2 el desfase externo De, la ecuación (5) representa

la potencia cuando 0<Di<De<1, y (6) cuando 0<De<Di<0.

Según la fórmula anterior se puede concluir que la potencia del DAB es inversamente

proporcional al valor de la inductancia media, lo que genera que cuando se quiera trabajar

altas densidades de potencia se utiliza solo la inductancia de fuga del transformador.

2.2.1.4 Conmutación suave a cero tensión.

Para lograr conmutación suave a cero tensión (ZVS), se tiene en cuenta la capacitancia

parásita de salida de los MOSFETs, ya que esta permite alcanzar la mínima corriente que

necesita la inductancia de fuga durante la desconexión de cualquiera de los dispositivos,

cuando la capacitancia de resonancia es mayor, la corriente que se requiere para ZVS

aumenta, lo cual limitaría el rango de conmutación suave.

En la figura 22(a) se tiene una rama del puente uno, en donde L es la inductancia del

transformador, C1 y C2 son las capacitancias en paralelo con los interruptores T1 y T2;

cuando se tiene un t=0 en donde T1 está desactivado, el valor del condensador es lo

suficientemente grande para asegurar muy poco cambio en la tensión a través de t1 durante

su intervalo de desconexión. Una vez que el dispositivo se apaga, la corriente del inductor

resuena a través de las capacitancias del amortiguador, la corriente ip fluye a través de L, el

puente de salida es reemplazado por un primario con la polaridad adecuado, cuando t=tm es

cuando ip resuena a cero, como se ve en la figura 22 (b), de ahí se puede concluir que:

Cuando t= 0.

𝑖𝑝 = 𝐼𝑚𝑖𝑛, 𝑣𝐶1 = 0, 𝑣𝐶2 = 𝑉𝑖 (7)

Cuando t = tm

𝑖𝑝 = 0, 𝑣𝐶1 = 𝑉𝑖 , 𝑣𝐶2 = 0 (8)

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Figura 22. (a) Rama resonante primer puente, (b) Corriente mínima en la inductancia

cuando T1 está desactivado, tomada de [28].

Se tiene una conmutación ZVS para cualquier potencia cuando el DAB está configurado en

modo seguidor, en todo el barrido de desfase, cuando está configurado como elevador o

reductor existe un ángulo mínimo de desfase para garantizar ZVS el cual está asociado al

valor mínimo de corriente.

2.2.2 Estrategias de modulación.

La estrategia de control es una de las líneas de investigación importantes para DAB,

depende de la topología y de la variante que se quiere implementar; a continuación se

mencionan los principales métodos de control:

2.2.2.1 Modulación SPS.

El control de SPS que se muestra en la figura 23 (a), consiste en realizar la conmutación por

medio de señales cuadradas de ciclo útil del 50%; y generar un desfase entre los puentes, en

otras palabras hacer un cambio de ángulo entre la señal del primario con respecto a la señal

del secundario del transformador.

Esto hace que el voltaje a través del inductor de fuga del transformador cambie, haciendo

que la dirección del flujo de potencia y magnitud pueda ser controlada [22].

Las ventajas de esta estrategia son su simplicidad, y la facilidad para lograr conmutación

suave, sin embargo, presenta problemas cuando se trabaja fuera del rango de ZVS ya que

reduce su eficiencia notablemente, y tiene picos altos de corriente que se deben filtrar.

2.2.2.2 Modulación EPS.

En el control de EPS figura 23 (b), se tiene una relación de cambio interno de fase en uno

de los puentes, esto genera que la señal de salida de dicho puente tenga un nuevo nivel de

onda cuadrada; durante los intervalos de tiempo de la tensión cero de la onda de tres

niveles, la parte posterior del flujo de energía es cero, por lo que la potencia de circulación

disminuye para una potencia de transmisión dada.

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También se realiza a su vez el desfase entre los puentes, esto permite controlar la dirección

de flujo de potencia y la magnitud, mientras que la relación de cambio de fase interna se

utiliza para disminuir la potencia de circulación y ampliar la gama (ZVS). El EPS, es más

complejo de implementar, y tiene una gran desventaja que es su asimetría, ya que cuando se

invierte el flujo de potencia, se debe reconfigurar para lograr ver los efectos de esta

modulación. [22].

2.2.2.3 Modulación DPS.

A diferencia del control de EPS, en el control DPS Figura 23 (c), el desfase interno se

realiza por igual en los dos puentes lo que genera que las señales del primario y el

secundario del transformador sea una señal de tres niveles, y a su vez se realiza un desfase

externo entre cada puente, con el fin de manejar el flujo de potencia como en los casos

anteriores

En comparación con el control de EPS, los estados de funcionamiento de los dos puentes

serán los mismos cuando se cambian los estados de conversión de voltaje o el flujo de

potencia de direcciones. Por lo tanto, el control DPS tiene un mejor rendimiento dinámico

[22], reduce el estrés de corriente, mejora la eficiencia, y expande el rango de ZVS.

2.2.2.4 Modulación TPS.

Al igual que el control de DPS, los pares de conmutadores cruzados conectados en ambos

puentes completos se conectan con una relación de cambio de fase interna. Sin embargo, las

relaciones de cambio de fase interiores pueden ser desiguales, lo que hace que pueda

controlar tres grados de libertad.

De hecho, el control de TPS se propuso después de SPS, EPS y DPS; como una forma

unificada de control de cambio de fase. SPS, EPS, y DPS, también se puede considerar

como casos especiales de control de TPS. Desde el punto de vista de la implementación, el

control SPS requiere un grado único de control; las EPS y el control DPS requieren dos

grados de control, y se necesitan tres grados de control para el control de TPS. Por lo tanto,

el control de TPS es el control más complejo de implementar, por esta razón no es muy

usado en la actualidad [22].

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Figura 23. (a) control SPS. (b) control EPS. (c) control DPS. (d) control TPS, tomada de

[29].

Para este trabajo de grado se desarrollará el control DPS, pues, es la forma más eficiente de

realizar el control del DAB, ya que evita tener picos altos de corriente y un mejor manejo de

tiempos muertos, a diferencia del TPS es más sencillo de implementar y puede obtenerse el

mismo resultado en cuanto a eficiencia.

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CAPÍTULO 3

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3.1 Diseño del DAB etapa de potencia.

Con el fin de analizar los efectos de la modulación SPS y DPS sobre un convertidor

bidireccional DAB, se propone el diseño de un prototipo monofásico con una potencia

nominal de 10 kW; en la tabla 2 se enumeran los parámetros generales con los que se va a

trabajar. Se realiza el análisis de diseño utilizando modulación SPS, ya que en este punto

en donde se obtiene la mayor potencia y se presenta la mayor cantidad de potencia reactiva,

por lo cual se hace necesario sobredimensionar algunos de los dispositivos a manejar. Se

configura el DAB en modo seguidor, para garantizar que la relación de transformación

efectiva sea igual a uno, lo cual permite tener conmutación suave en todo el rango de

trabajo.

Tabla 2. Parámetros generales para el DAB monofásico.

3.1.2 Cálculos de diseño.

La transferencia de potencia del convertidor se define en la fórmula (9), en donde 𝑓𝑠 es la

frecuencia de conmutación, él (𝜑) es el ángulo de desfase externo con el cual se logra la

potencia deseada y 𝐿𝑓 es la inductancia resultante de sumar la inductancia de fuga del

transformador y la inductancia de la bobina externa.

𝑃𝑜 =𝑉𝑖

2∗𝑑𝑒𝑓

2∗𝜋∗𝑓𝑠∗𝐿𝑓∗ 𝜑 ∗ [1 −

|𝜑|

𝜋] (9)

De esta fórmula se despeja 𝐿𝑓 como se muestra en (10)

𝐿𝑓 =𝑉𝑖

2∗𝑑𝑒𝑓

2∗𝜋2∗𝑓𝑠∗𝑃𝑛𝑜𝑚∗ 𝜑 ∗ (𝜋 − 𝜑) = 80 𝜇𝐻 (10)

Si se asume un valor de 𝜑𝑛𝑜𝑚

= 50, y se reemplazan los demás valores se obtiene (11)

𝐿𝑓 =400𝑉2 ∗ 1

2 ∗ 𝜋2 ∗ 20𝑘𝐻𝑧 ∗ 10𝑘𝑊∗ 0.8726 ∗ (𝜋 − 0.8726) = 80 𝜇𝐻

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El ángulo nominal 𝜑𝑛𝑜𝑚

es el valor de desfase que se requiera para obtener la potencia

nominal, se asume un valor menor a 90° para lograr tener un margen de operación, ya que

con 90° se llega al máximo del convertidor. La potencia máxima que se maneja cuando se

tiene un ángulo de 90° es de P= 12.5 kW lo que genera que el rango de trabajo de

convertidor sea 0 < |Po| < 12.5 kW. El valor obtenido de inductancia permite hacer las

elección correcta del transforma de alta frecuencia y del inductor externo, ya que las suma

de sus inductancias debe ser menor a 80 uH, ya que si llega a ser mayor la potencia en

sistema será menor.

Para calcular la corriente que debe soportar tanto el transformador como el inductor

externo, se analiza la forma de onda de la corriente en 𝐿𝑓la cual se ve en la figura 24, el

análisis se hace con el ángulo nominal (𝜑𝑛𝑜𝑚

= 50°) que corresponde a la figura 24(a), en

ella se ve que la corriente pico es igual a 83.29 A, y calculando el valor rms de la señal se

obtiene que la corriente de entrada para la potencia nominal que es de 53.68 A, lo que

implica que la potencia aparente nominal sea de 21.47 kVA, en la figura 24(b) se muestra la

forma de onda para el desfase máximo el cual es igual de 90°, se logra ver que la corriente

pico es de 123.34 A, y el valor rms es igual a 83.63 A, lo que implica que la potencia

aparente máxima que debe manejar tanto la bobina como el transformador es de 33.452

kVA. La corriente rms mínima que debe soportar los semiconductores es de 37.96 A

Figura 24. Señal de corriente el Lf, (a) ángulo nominal 50°, (b) ángulo nominal 90°.

En la tabla 3, se indican los parámetros necesarios para la elección de dispositivos

necesarios para hacer el montaje físico.

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Tabla 3. Parámetros para la elección de Dispositivos.

3.1.3 Elección de dispositivos

3.1.3.1 Transformador y bobina

Para la construcción del transformador de alta frecuencia se selecciona un núcleo de ferrita

WCM5277, de la compañía WEST COAST MAGNETICS [30], el cual se muestra en la

figura 25, este núcleo tiene una frecuencia de trabajo de máximo 100 kHz, y soporta un

potencia de 25 kW.

Figura 25. Núcleo de ferrita para el transformador de alta frecuencia, tomada de [30].

La bobina también requiere manejar una alta cantidad de potencia y de corriente, para su

implementación se propone un núcleo de ferrita KF10 de la compañía EMIKON POWER

COILS [31], el cual se muestra en la figura 26, y el cual soporta hasta 240A para

frecuencias de hasta 70 kHz.

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Figura 26. Núcleo para la bobina externa, tomada de [31].

3.1.3.2 Semiconductor.

Para la elección de los semiconductores se tuvo en cuenta principalmente la corriente

mínima que debía soportar, es así que se elige un MOSFET de potencia STY112N65M5

[32], el cual tiene como característica un ID de 96 A, otros parámetros relevantes se

muestran en la tabla 4.

Tabla 4. Parámetros de los Semiconductores.

3.2 Diseño e implementación de la modulación DPS en Psoc® 5lp.

Para el diseño de la modulación DPS, se plantea el diagrama que flujo que se muestra en la

figura 27.

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Figura 27. Diagrama de flujo diseño modulación DPS en Psoc® 5lp.

Luego se implementa usando el microcontrolador programable Psoc® 5LP basado en una

CPU ARM cortex M3, cuyo programa de desarrollo es Psoc® creator 3.3 [32]; para realizar

las pruebas y ver las señales de control de cada interruptor se usa el programa logic® 1.2.10

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[33] realizado por Saleae logic® 1.2.10, que es un analizador lógico de 16 canales,

suficiente para ver las ocho señales de cada interruptor en tiempo real y los tres pulsos de

disparo para hacer los desfases.

Para realizar la modulación DPS se diseña el esquema que se ve en la figura 28 , en donde

se implementaron bloques de PWM, los cuales son señales cuadradas con un ciclo útil del

50%; en la figura 29 se ven los parámetros con los que se configuraron cada uno de estos

módulos, un reloj principal de 10 MHz, ya que la frecuencia de conmutación que se desea

para los interruptores es de 10 kHz; para ellos es necesario tener un periodo de 100 us,

partiendo de la fórmula f=1/T, timers para realizar los desfases entre las señales, y

compuertas NOT para las señales complementarias de cada rama de los puentes del DAB.

Figura 28. Diagrama del hardware para la implementación de DPS en Psoc® 5lp.

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Figura 29. Configuración PWM1 (referencia), 50% de ciclo útil, T=100 us.

Se colocan cuatro bloques de PWM; PWM1, PWM2, PWM3 y PWM4, que representan las

señales principales S1, S3, S5, y S7 respectivamente, las señales S2, S4, S6 y S8 son

señales complementarias de las señales principales.

Para realizar los desfases se utilizan bloques de timers; para el desfase externo

(TimerDE) y para el desfase interno (TimerDI_1 y TimerDI_2), uno para cada puente del

convertidor, se toma como señal de disparo la señal S1, ya que con respecto a ella se

realizan los desfase de cada rama y de cada puente del convertidor; el TimerDI_1 genera un

pulso de que dura 80ns el cual es la señal de disparo para el PWM2 (S3), es así cómo se

logra realiza el desfase con respecto a PWM1 (S1) como se muestra en la figura 30.

Figura 30. Señal S1, señal de disparo 80 ns para el desfase y señal S3.

Para realizar la señal del interruptor S5, se implementa el bloque PWM3 y para el

interruptor S7 el bloque PWM4, para realizar el desfase interno de este puente se hace lo

mismo que en el caso anterior teniendo en cuenta que TimerDI_1 y TimerDI_2 tiene el

mismo valor de retardo, ya que el desfase interno es igual para los dos puentes, como se

muestra en la figura 31.

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En la figura 31(a) se ven las cuatro señales principales (S1, S3, S5, S7) sin ningún desfase

(De, Di1 y Di2 en 0°), en la figura 31(b) se realiza un desfase interno de 45° (Di1=Di2=45)

para ver claramente lo mencionado anteriormente.

Figura 31. Señales principales S1, S3, S5 y S7, (a) desfase interno y externo en 0°, (b)

desfase interno en 45° y externo en 0°.

Ahora bien, para generar el desfase externo es decir, el desfase entre cada puente del DAB

se implementa el bloque TimerDE, este genera un pulso que hace que PWM1 (S1) y

PWM3 (S5) se desfasen; este pulso al igual que TimerDI_1 y TimerDI_2 dura 80 ns,

suficiente para que Pwm3 comience a funcionar.

El rango de desfase tanto para De, como para Di, está entre -90° y 90° con saltos de

aproximadamente dos grados partiendo desde 0°, esto para poder manejar el flujo de la

potencia en las dos direcciones de DAB. En la figura 32, se muestran diferentes casos

desfase, en la figura 32(a), se ven las cuatro señales principales sin ningún desfase, en la

figura 32(b), se tiene el mismo desfase de 45° para De como para Di, en la figura 32(c), De

es mayor que Di, siendo De igual a 90° y Di igual a 45°, en la figura 32(d), se tiene en caso

inverso cuando De es menor a Di, en la figura 32(e), se muestra un Di de 0° y un desfase

externo de 45° lo cual como se mencionó anteriormente sería equivalente a tener una

modulación SPS con un desfase de 45°, y por último se observa un desfase negativo tanto

en Di como en De en la figura 32(f).

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Figura 32. Señales S1,S3,S5 y S7, (a) Desfase interno y desfase externo 0°; (b) Desfase

interno 45° y desfase externo 45°; (c) Desfase interno 45° y desfase externo 90°; (d)

Desfase interno 90° y desfase externo 45°; (e) Desfase interno 0° y desfase externo 45°; (f)

Desfase interno -90° y Desfase externo -45°.

Para generar las señales complementarias S2, S4, S6 y S8 se niegan las señales principales

S1, S3, S5 y S7 respectivamente con una compuerta NOT, esto se evidencia en la figura 33,

en la figura 33(a), se muestran las ocho señales sin ningún desfase, y en la figura 33(b), se

realiza el desfase máximo positivo que es de 90° para De y el desfase máximo negativo que

es -90° para Di.

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Figura 33. S1, S3, S5 y S7 y sus complementarias S2, S4, S6 y S7, (a) desfase interno y

externo en 0°; (b) desfase interno -90° y desfase externo en 90°.

El código fuente utilizado para realizar la modulación DPS se puede ver en el anexo 1.

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CAPÍTULO 4

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4.1 SIMULACIÓN

4.1.1 Parámetros de simulación.

Para realizar el análisis del comportamiento del convertidor bidireccional DAB utilizando

control SPS y el control DPS, se utiliza como herramienta de simulación el software

PSIM® 6.0 [34] para obtener los datos que serán posteriormente, analizados utilizando

Matlab® [35].

El convertidor se simula utilizando todos los elementos de esta topología, incluyendo el

inductor que representa la suma de la inductancia de dispersión del transformador de alta

frecuencia y de la inductancia externa que se conecta en serie. Los parámetros que se

utilizar para cada uno de los dispositivos se encuentran en la tabla 5, y el esquemático

general del mismo se muestra en la figura 34.

Tabla 5. Parámetros de simulación Psim® 6.0.

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Figura 34. Esquema del convertidor, (a) circuito general; (b) módulo puente 1; (c) módulo

puente.

Para realizar la caracterización que se quiere del sistema, se colocan sensores de tensión y

de corriente en los extremo DC de cada puente para obtener el valor de potencia de salida

en las dos direcciones del convertidor, a su vez se mide la señal de tensión y corriente en el

inductor haciendo énfasis en la forma de onda que se obtienen para cada caso, por último se

colocan sensores para medir la tensión de los bornes del transformador.

4.1.2 Simulación ideal del DAB con SPS.

En la simulación, al implementar la modulación SPS, se configura el convertidor DAB en

modo seguidor, lo que implica que las dos fuentes estén encendidas al mismo valor, se usan

MOSFETs con parámetros ideales. Para la implementación de la modulación SPS, se

utilizan dos generadores de onda cuadrada con ciclo útil del 50%, el generador uno, es la

señal de activación S1 y S4, y por medio de una compuerta NOT, se obtiene las señales

complementarias S2 y S3, con el generador dos, se implementan las señales para el segundo

puente igual que se hizo con el primero, con la única diferencia que se realizan variaciones

al desfase que se tienen con respecto al generador uno.

En la figura 35, se muestran los ocho pulsos de activación, la señal de voltaje del primario

del transformador (Vp) , y la señal de corriente en la inductancia iL.

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Figura 35. Pulsos de activación para los ocho MOSFETs, Voltaje en el primario Vp,

corriente en la inductancia iL para SPS.

El desfase externo De, que se hace entre la señal S1 y S5, genera que la señal de tensión en

la inductancia varié, lo cual se ve reflejado en la inclinación de la pendiente de la señal

trapezoidal de la corriente, se obtiene esta forma por el modo seguidor en el cual está

configurado el convertidor. En la figura 36, se muestra la tensión y la corriente en la

inductancia cuando se tiene un desfase de 90°, con este desfase se logra obtener la máxima

potencia en el sistema, en contraste con las mismas señales pero esta vez con un desfase de

20°.

Figura 36. Tensión VL y corriente iL, (a) De=90°, (b) De=20°.

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El cambio de pendiente de la señal de corriente, genera que se maneje una gran cantidad de

potencia reactiva, por lo que hace necesario sobredimensionar los dispositivos, para que

estos puedan soportar esa potencia adicional, el cual es uno de los defectos que presenta la

modulación SPS. este efecto se ve reflejado en la corriente de salida medida antes del

condensador, ya que esta presenta valores instantáneos negativos, que representa la

corriente de retorno que se está realimentando en el sistema como se muestra en la figura

37, en donde se usa un desfase externo de 90°.

Figura 37. Corriente de salida io con un desfase de 90°.

EL flujo de potencia se analiza realizando variaciones en el desfase en pasos de 10°, desde -

180° hasta a 180°, en la figura 38 se muestra el comportamiento obtenido, se logra

evidenciar como el flujo es bidireccional, ya que cuando se tiene un desfase negativo el

flujo va en inverso de V2 a la fuente V1, que es la parte negativa de la curva, y cuando el

desfase es positivo el flujo es directo desde la fuente V1 a la fuente V2, lo que corresponde

a la parte positiva, los valores máximos de potencia se logran cuando el desfase externo

está en -90° y 90° respectivamente. Es así que se logra comprobar la simetría que se tiene

con respecto al flujo de potencia bidireccional.

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Figura 38. Flujo de potencia usando SPS.

4.1.3 Simulación ideal del DAB con DPS

Para realizar el análisis del convertidor con modulación DPS se utilizan los mismos

parámetros que en el caso anterior, el DAB configurado en modo seguidor y parámetros en

los MOSFETs ideales.

En la figura 39 se muestran los ocho pulsos de conmutación S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7 y

S8, en donde se nota el desfase interno que se realiza entre las señales S1 y S3 en el puente

uno y entre S5 y S7 en el puente dos, al igual que el desfase externo que se realiza entre S1

y S5, también se tiene la señal Vp y la corriente iL. Cabe resaltar, que al tener un desfase

interno, la señal de tensión Vp adquiere un nuevo nivel, lo cual produce que la señal VL sea

escalonada; estos cambios de tensión se ven reflejados en los flancos de subida y bajada de

la señal de corriente, ya que esta deja de estar compuesta por una sola pendiente, a ser la

sumatoria de diferentes pendientes, es así que la señal de corriente iL pasa a tener una

forma mucho más suave, lo que da como resultado la reducción de la potencia reactiva (Q).

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Figura 39. Pulsos de activación para los ocho MOSFETs, Voltaje en el primario Vp,

corriente en la inductancia iL para modulación DPS.

Al tener dos desfases que pueden ser tanto negativos como positivos, se obtienen diferentes

combinaciones, las cuales se logran dividir en ocho grupos, en la figura 40,, se muestran las

señales en los bornes del transformador Vp y Vs, la tensión en la inductancia VL y la

corriente iL para cada uno de los casos, en la figura 40(a), se tiene el primer caso, que es

cuando el desfase externo es menor al desfase interno entre 0 y 1 siendo 1, un desfase de

180° (0 < De ≤ Di < 1 ), la figura 40(b), representa el caso dos, cuando el desfase interno

es menor que el desfase externo (0 < Di < De < 1), en la figura 40(c) se muestra el caso

tres, el cual se presenta cuando los dos desfases son negativos y el desfase interno es menor

al desfase externo entre -1 y 0 siendo -1 igual a 180° (-1 < Di < De < 0), en la figura 40(d),

está el caso cuatro, que es contrario al anterior cuando el desfase interno es mayor que el

desfase externo (-1 < De < Di < 0), en la figura 40(e), se observa el caso cinco, cuando el

desfase interno es positivo y en magnitud mayor al desfase externo el cual es positivo, en la

figura 40(f), se tiene en caso seis en donde el desfase interno es positivo pero en magnitud

menor que el desfase externo que es negativo, en la figura 40(g), se muestra el caso siete

en donde el desfase interno es negativo pero en magnitud mayor al desfase externo, y por

último el caso ocho que se representa en la figura 40(h), el cual consiste en que el desfase

interno es negativo pero en magnitud menor al desfase externo que es positivo.

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Figura 40. Vs, Vp, VL y iL; (a) 0<De<Di<1, (b) 0<Di<De<1 (c)-1<De<Di<0, (d) -

1<De<Di<0, (e) (g) Di (+), De (-), (f) (h) Di (-) De (+).

Se logra identificar dos tipos de señales, de tensión y de corriente, la primera se obtiene

siempre y cuando la magnitud del desfase externo sea menor a la magnitud del desfase

interno |De|<|Di|, en este caso se tiene en la tensión una caída a cero, lo que genera que la

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corriente no tenga pendiente en ese instante, esa es la única diferencia entre las dos formas

de onda de la corriente, la segunda señal resulta cuando la magnitud del desfase interno es

menor que la magnitud del desfase externo |Di|≤|De|, esta señal es más escalonada que la

anterior y los cambios de pendiente dependen del ancho de cada escalón.

Cuando De es negativo, Vs ocurre primero que Vp, entonces, el flujo de potencia es

inverso, va de la fuente V2 a la fuente V1, esto genera que la señal de tensión que se ve en

la inductancia sea negativa, y que se genere el flanco de subida en la corriente.

4.2 Comparación SPS vs DPS.

La modulación DPS da como ventaja una variedad de combinaciones de ángulos de desfase

que generan la misma potencia de salida, en la figura 41, se ve por medio de una gráfica en

tres dimensiones este comportamiento; el eje Z es la potencia de salida según los desfases,

el eje Y es el desfase interno Di en el cual se realizan variaciones del ángulo de desfase en

pasos de 5° desde -90° hasta 90° y por último el eje X es el desfase externo De en aumentos

de 10°, desde -180° hasta 180°.

Se puede deducir que la modulación SPS es un caso particular de la modulación DPS el

cual se presenta cuando el ángulo de desfase Di es 0°.

Figura 41. Comportamiento de la potencia de salida con respecto a el De y Di.

Al colocar un plano que intercepte con la curva en la potencia deseada de 10 kVa se logra

determinar los ángulos de trabajo para cualquiera de las dos formas de modulación. Para el

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caso de la modulación SPS el ángulo de desfase De es de 50°; para la modulación DPS se

eligen los ángulos de desfases De iguales a 90° y Di igual a 50°, entre las diferentes

combinaciones posibles.

En la figura 42, se muestra la potencia instantánea cuando se entrega 10 kW, en la figura 42

(a), se ve la potencia de salida cuando se tiene modulación SPS, en ella se puede observar

un nivel negativo grande, este representa la potencia reactiva que se está devolviendo al

sistema, en la figura 42 (b), se ve la potencia de salida cuando se realiza la modulación

DPS, en este caso específico se tiene un De=90° y Di=50°, se nota como el pico negativo

de la potencia disminuye considerablemente su tamaño, reduciendo así la potencia reactiva

en el sistema.

Figura 42. Potencia instantánea cuando se entregan 10 kW, (a) SPS ángulo De =50°, (b)

DPS ángulo De =90° ángulo Di=50°.

4.3 Simulación real del DAB con SPS

Luego de realizar el análisis con parámetros ideales, se hizo el mismo estudio, pero ahora

con parámetros reales en los MOSFETs, los cuales se encuentran especificados en capítulo

3, estos datos corresponden al MOSFETs seleccionado en la etapa de diseño, también se

agregó la resistencia de pérdidas de la inductancia Ri la cual tiene un valor de 180 mΩ. Esto

con el fin de notar algún cambio relevante en el comportamiento del DAB

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Se logran identificar pequeños cambios en la forma de la corriente iL, los cuales son

generados principalmente por la resistencia de pérdidas asociada a la inductancia, esto hace

que la forma de onda de esta señal sea más senoidal; la tensión VL también presenta

variaciones ya que se generan pequeñas pendientes en cada uno de los escalones de la

señal, esto es fruto de los parámetros de los MOSFETs. En la figura 43, se observa la

corriente y la tensión obtenida con un desfase externo de 90°.

Figura 43. Corriente y tensión en la inductancia De=90°.

El flujo de potencia mantiene su forma, con la única diferencia de que la potencia de salida

se reduce por los parámetros reales, sin embargo esta disminución no es muy significativa

como se ve en la figura 44 en donde la curva morada representa la potencia con parámetros

ideales y la curva verde la potencia con parámetros reales.

Figura 44. Flujo de potencia con SPS, con parámetros ideales vs parámetros reales.

4.4 Simulación real del DAB con DPS.

Al usar los mismos parámetros del caso anterior, se logra ver que los cambios se mantienen

cuando se usa modulación DPS, en la figura 45, se muestran las dos formas de onda, la

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corriente y la tensión en la inductancia, en la figura 45(a), cuando |Di|< |De| y en la figura

45(b), es cuando |De| < |Di|.

Figura 45. Corriente y tensión en la inductancia, (iL) y (VL), (a) Di=50°, De=90°, (b)

Di=90°, De=50°.

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CAPÍTULO 5

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5.1 IMPLEMENTACIÓN

5.1.1 Implementación de las estrategias de modulación.

Para la implementación de las técnicas de modulación se utiliza el Psoc® 5lp, en el cual se

generan los ocho pulsos de activación, la modulación SPS al ser un caso particular de la

modulación DPS se obtendrá cuando el desfase interno sea igual a 0°.

En la figura 46, se muestra en montaje final de la etapa de modulación, el cual consta del

Psoc® 5lp, una LCD de visualización y cuatro pulsadores.

.

Figura 46. Montaje de la etapa de modulación con el Psoc® 5lp.

Con los cuatro pulsadores se realiza la variación de los ángulos de desfase, estos se denotan

de la siguiente manera: UP_DI incrementar ángulo interno, Down_DI disminuir ángulo

interno, UP_DE incrementar ángulo externo y, DOWN_DE disminuir ángulo externo, cada

activación de los pulsadores cambia el desfase 1.8° respectivamente según sea el caso,

partiendo de un desfase 0° y llegando a los límites de desfase establecidos de -90° y 90°

para cada caso.

La LCD de 16x2, se utiliza para visualizar la variación en grados con que se realizan los

desfases, en ella se imprime el ángulo interno y externo de desfase actual, como se muestra

en la figura 47, para facilitar su visualización, el software hace una aproximación al entero

más cercano obviando los decimales, es decir puede haber un error de +-0.5°.

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Figura 47. Visualización del desfase interno y externo actual.

5.2 DAB.

El montaje físico del convertidor, se realiza para manejar un flujo de potencia de 200

vatios, esto debido a limitaciones en el núcleo con el que se construyó el transformador.

5.2.1 Puentes activos.

Para la implementación del DAB, se utilizan dos módulos de IGBT de Semikron® AN-8005

[36], los cuales se muestra en la figura 48, estos se componen en esencia por un

rectificador, y tres ramas de IGBT, la activación de cada interruptor es independiente y se

hace por medio de una señal externa CMOS de (0 a 15 voltios). De cada módulo se usan

solo dos ramas con el fin de obtener el puente en H de cada extremo, para los pulsos de

activación se hace necesario realizar una etapa de acondicionamiento, la cual se especifica

más adelante, la cual permite que las señales provenientes del Psoc® que son señales TTL

de (0 a 5 voltios), se amplifiquen para tener 0-15 voltios.

Los dos módulos se conectan por medio de un transformador de alta frecuencia y una

inductancia conectada en serie al transformador, es importante tener especial atención al

hacer la conexión de los dos puentes a los bornes del transformador, ya que un error en esta

conexión puede cambiar el sentido de los desfases. En los extremos DC de los puentes se

conecta un reóstato de 100 Ω, el cual ayuda a manejar la potencia reactiva de sistema y así

no afectar los condensadores internos de los módulos, el convertidor es alimentado con

170V en cada extremo, que es el valor que se obtiene al rectificar la red.

Figura 48. Módulo de IGBT de Semikron® AN-8005, tomado de [36].

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5.2.2 Transformador e inductancia.

Se diseña un transformador de alta frecuencia usando un núcleo de ferrita EA77-625 [37],

el cual se muestra en la figura 49. En la tabla 6 se especifican los parámetros que hay que

tener en cuenta para la construcción del transformador.

Figura 49. Núcleo para el transformador de alta frecuencia, tomado de [37].

Tabla 6. Parámetro transformador.

Parámetros Valor

Potencia máxima 200 vatios

Número de vueltas totales 100

Número de vueltas primario 50

Número de vueltas secundario 50

Relación de transformación 1

Calibre del cobre 18

Para disminuir la potencia de salida y así garantizar los 200 vatios se utiliza una bobina en

serie al transformador, la cual permite aumentar el valor de la inductancia de dispersión,

dicha bobina consta de dos toroides de ferrita y de 83 espiras , logrando así una bobina de

997uH y una resistencia en serie de 182 mΩ. Las dimensiones del transformador y la

bobina obtenida se observan en la figura 50.

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Figura 50. Transformador y bobina resultante.

5.2.3 Etapa de acondicionamiento.

Como se mencionó anteriormente, es necesario realizar una etapa de acondicionamiento

para las señales del Psoc®, esta etapa consta de transistores de potencia TIP 31c [38], en

corte y saturación, como se muestra en la figura 51(a) y con los valores que se prestan en la

tabla 7. Este montaje se realiza para cada una de las ocho señales de modulación. Por la

configuración del conversor de TTL a CMOS, la señal de salida es la negada de la señal de

entrada como se ve en la figura 51(b), sin embargo esto no genera ningún cambio en la

forma de la modulación.

Tabla 7. Valores del conversor TTL a CMOS.

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Figura 51. Conversor de TTL a CMOS.

5.2.4 Dispositivos de medición.

Los dispositivos que se usan para la adquisición de datos son: un sensor de corriente de

efecto hall acs712-20A [39], el cual se muestra en figura 52, con él se mide la corriente en

la inductancia iL; este sensor funciona convirtiendo la señal de corriente medida en un una

señal de voltaje, la relación de equivalencia que maneja es de 100 mV por 1 A, la forma de

onda de la señal resultante se visualiza en uno de los canales de un osciloscopio digital, en

el otro canal se visualiza la tensión en la inductancia VL. También se usan dos PQA

(Power Quality Analyzer), los cuales se ubican en cada uno de los extremos DC de los

puentes en donde está V1 y V2, con estos dispositivos se mide el voltaje, la corriente, la

potencia activa y la potencia reactiva que ve cada una de las fuentes, cuando se realicen las

variaciones del desfase interno y del desfase externo.

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Figura 52. Sensor de corriente de efecto hall acs712-20A, tomado de [39].

5.3 Análisis de Resultados.

Se hace la conmutación de los puentes utilizando los dos tipos de modulación (DPS) y

(SPS); en la figura 53, se ve la salida AC de cada puente en la figura 53(a) se tienen las dos

señales sin desfases que es como se encuentra en el primer momento, ya que desfases

programados en el Psoc están en 0°. En la figura 53(b), se muestra un segundo momento

cuando ya se tiene un desfase interno de 45° y un desfase externo de 25°, es decir

implementando DPS.

Figura 53. Señales de salida de parte AC de cada puente.(a) sin desfase (b) modulación

DPS con un desfase interno de 45° y un desfase externo de 25°.

El comportamiento de la tensión y la corriente fue muy cercano al esperado, sin embargo,

uno de los cambios que se realizaron por los dispositivos que se están usando ee el

disminuir la frecuencia de conmutación de 20 kHz a 10 kHz, ya que se presentaba mucho

ruido y picos muy altos de corriente, esto a causa de los diodos que están en paralelo con

cada uno de los IGBT, en la figura 54, se muestra la señal de corriente obtenida en la

bobina, para los dos casos de frecuencia, en la figura 54(a) se ve la señal de corriente que se

obtiene con un desfase interno 0° y un desfase externo de 25° y con una frecuencia de

conmutación de 20 kHz, en la figura 54(b), se tiene la señal de corriente cuando se tiene

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un desfase interno de 0° y un desfase externo de 45° con una frecuencia de conmutación de

10 kHz. Se logra apreciar la disminución que se obtiene de los picos de corriente al

disminuir la frecuencia de conmutación.

Figura 54. Forma de onda experimental de la corriente en la bobina, (a) con un desfase

externo 25° a una frecuencia de 20 kHz; (b) un desfase externo de 45° a una frecuencia de

10 kHz.

5.3.1 Análisis comportamiento tensión.

La forma de onda a analizar es VL, la tensión que se tiene sobre la inductancia. Se compara

la señal obtenida en la práctica, con la obtenida en la simulación, se tiene un error debido a

que en el LCD de visualización muestra el valor entero del ángulo en cuestión, y se

aproximan los decimales al entero más cercano, es decir que el ángulo mostrado puede

estar con un error de +- 0.5°.

Cuando se tienen desfases intermedios tanto interno como externo se logran combinaciones

que generan señales escalonadas, que lograrlas con otras técnicas sería más complicado

obtener; en la figura 55, se muestran las formas de onda de mayor relevancia, en la figura

55(a), se muestra la señal cuando se tiene Di=0° y De=0° lo cual implica que no hay flujo

de potencia en el sistema, en la figura 55(b), se observa el punto máximo de la modulación

SPS con un ángulo De=-90° y un ángulo Di=0°, la señal en el otro límite es igual, y en la

figura 55 de la (c) se obtiene un ejemplo de la forma que onda resultante cuando |De| < |Di|

en la figura 55 (d) y (e) se observan dos ejemplos de la forma de onda que se obtiene

cuando |Di| < |De|, y por último en la figura 55 (f) es la señal resultante cuando |De| =|Di|.

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Figura 55. Comparación real vs ideal casos de modulación según ángulo de desfase (Di) y

(De), (a) Di=0°, De=0°; (b) Di=0°, De=-90° ; (c) Di=90°,De=45°; (d) Di=45°, De=90°;

(e) Di=-75°,De=-90°; (f) Di=-90°,De=90°.

5.3.2 Análisis comportamiento de corriente.

Con respecto a la señal de corriente en la inductancia, la cual se mide con el sensor de

corriente en la salida AC del primer puente del DAB, se puede observar cómo los cambios

de pendiente se hacen de forma más suave, dependiendo directamente de los cambios de

nivel en la señal de tensión, es así que cuando se tiene el máximo desfase interno; se

obtiene una señal de corriente con una forma de onda muy cercana a una sinusoidal. Es

importante mencionar que los picos de corriente que se presentan en la señal coinciden con

las transiciones del apagado y encendido de los interruptores en los puentes.

La corriente se mantuvo entre 130 mV y 300 mV, por la conversión que realiza el sensor

que es 100 mV por cada amperio, se puede afirmar que la corriente en la inductancia se

mantuvo entre 1.3 A y 3 A.

En la figura 56 se realiza una comparación entre las señales obtenidas en la práctica y lo

obtenido en la simulación, se nota una diferencia en la forma de onda a causa de los

parámetros usados en la simulación ya que la carga resistiva en paralelo a las fuentes fue de

solo 16 Ω, y al estar las fuentes activas la pendiente superior se compensa, suceso que no

pasa en la realidad ya que la carga resistiva es mayor, de 100 Ω, también incluye

parámetros como la Ron de los IGBT.

En la figura 56(a), se muestra las señales de voltaje y corriente cuando se tiene una

modulación SPS, con un De=45° y un Di=0°, en esta imagen se puede notar cómo los

cambios son pronunciados, al aumentar Di, como se hace en la figura 56(b), en donde se

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aumenta a 45°, se logra obtener pequeños cambios en las pendientes de la señal lo que

hace que la forma sea más suave y simétrica especialmente en el flanco de bajada, y por

último cuando se aumenta Di a 90°, como se ve en la figura 56(c), se tiene una señal más

uniforme, comparándola con el caso anterior, en la gráfica experimental de esta figura se

logra ver un poco más claro, como la pendiente de la corriente se vuelve cero en un

momento determinado, fruto del nivel de cero que se presenta en la señal de tensión, en la

figura 56(d), se presente la otra forma de la señal de corriente que se presenta en el sistema,

esta se da cuando |Di| < |De|, ya que no tiene el nivel de cero en la tensión, la señal

resultante tiene una forma más senoidal

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Figura 56. Comparación entre las señales obtenidas en la práctica y las simuladas, (a)

Di=0°, De=45°; (b) Di=45°; De=45°; (c) Di=90°. De=45°; (d) Di=45°, De=90°.

5.3.3 Análisis flujo de potencia.

La primera característica que se busca comprobar en el convertidor, es su bidireccionalidad,

así como el comportamiento de la potencia en el sistema, aprovechando que se tienen los

datos de la potencia activa que se obtiene para cada combinación de desfases en las dos

fuentes tanto V1 como V2; se realiza una gráfica en donde se muestra el comportamiento

de dicha potencia (P). con respecto a las variación del desfase externo, para la fuente V1 y

para la fuente V2; esta se ve en la figura 57, las curvas azules, son la representación del

comportamiento de la potencia activa en V1 para cada desfase interno, y las curvas rojas

son la potencia activa en V2; claramente se ve, que cuando el desfase externo está en 0°, se

intersectan las dos curvas ya que en este punto la potencia que manejan las dos fuentes es

igual, lo que significa que no hay flujo de potencia. Cuando se empieza a incrementar el

ángulo externo de forma positiva el flujo de potencia va de la fuente V1 a la fuente V2, lo

que se ve reflejado en cómo V1 disminuye mientras la potencia activa en V2 va en

aumento; fenómeno opuesto se presenta cuando la variación en el ángulo es negativa ya que

cambia el sentido del flujo de potencia activa del sistema, ahora es V2 la que le entrega

potencia a V1.

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Figura 57. Flujo de potencia V1 y V2.

5.4 Análisis potencia activa.

Continuando con el análisis de la bidireccionalidad del convertidor DAB, se logra

reconstruir la curva tridimensional de flujo de potencia con respecto a los desfases tanto

interno como externo, la cual se ve en la figura 58, en el eje X se tiene, el desfase externo

con variaciones de 5°, y en el eje Y está el desfase interno el cual tiene variaciones de 15°,

y por último en el eje Z el flujo de la potencia activa, es importante recordar que en la

implementación se colocaron como ángulos límites de variación -90° y 90° para los dos

desfases tanto interno como externo.

En esta gráfica se puede confirmar nuevamente la bidireccionalidad del flujo de potencia

del sistema, la cual se comporta de forma simétrica en las dos direcciones, cuando el

desfase externo es positivo, el flujo de potencia va de la fuente V1 a la fuente V2 que es

equivalente a la parte positiva de la curva, y cuando el desfase externo es negativo se

observa que el flujo de potencia va de la fuente V2 a la fuente V1, que es la parte negativa

de la curva, los su pico máximo de flujo de potencia se presenta en |90|.

Ahora bien, con respecto al desfase interno se tiene un comportamiento muy similar en

simetría, se obtiene el punto máximo de potencia cuando se tiene un desfase de 0°, que es

equivalente a tener una modulación SPS, sin embargo, es en este punto donde mas potencia

reactiva se tiene, fenómeno que se estudiará con claridad más adelante.

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Figura 58. Curva del Flujo de potencia con respecto al desfase interno y externo.

5.4.1 Análisis potencia reactiva

Uno de los objetivos de realizar un desfase interno es obtener una reducción en la potencia

reactiva, para así lograr tener mayor eficiencia en el convertidor, ya que el flujo de potencia

aparente pasará a ser en gran proporción potencia activa; en la figura 59 se ve la potencia

reactiva para cada desfase externo, y se logra ver como se reduce a medida que se varía el

ángulo de desfase interno, siendo 0° el punto máximo de potencia reactiva y 90° el punto

mínimo de potencia reactiva, para cada uno de los casos; esta reducciones es

aproximadamente del 68,2%

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Figura 59. Flujo de potencia reactiva según la variación del desfase interno.

Esta reducción se ve reflejada en la las pérdidas que se tienen por la disipación de calor en

el sistema, con una modulación SPS, el sistema debe manejar una mayor cantidad de

energía, pues se tiene presente toda la componente de potencia reactiva, esto genera que el

transformador empiece a calentarse, al igual que las cargas que están conectadas en paralelo

a las fuentes, lo que hace que sea necesario tener dispositivos sobredimensionados para

poder manejar la componente reactiva.

Cuando se logra reducir la potencia reactiva por medio de la modulación DPS, la potencia

que maneja el sistema es en su mayoría potencia activa, lo que hace que el transformador

esté en su punto óptimo de trabajo.

5.4.2 Análisis de la conmutación suave ZVS.

La configuración con la que se implementó el convertidor DAB, garantiza que en todo el

rango de operación del sistema se tenga conmutación suave [27], al igual la frecuencia de

conmutación es lo suficientemente grande para que las capacitancias parásitas de salida de

los MOSFETs, generen el valor mínimo de corriente para realizar la conmutación suave,

esto reduce el estrés eléctricos de los semiconductores, en la figura 60, se muestra los

efectos de la conmutación suave sobre la tensión en la bobina, en la figura 60(a), se observa

la tensión obtenida cuando se usa modulación SPS , con un desfase externo de 90; se logra

ver como el encendido del IGBT se genera por medio de la conmutación dura lo que genera

el ruido que se ve en intervalo dos, sin embargo en el intervalo tres, que es cuando los

diodos conducen se ve como la señal tiene una caída más suave generada por el ZVS, lo

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mismo pasa en los intervalos cuatro y cinco, en la figura 60(b) se observa la tensión

obtenida cuando se usa una modulación DPS, con un desfase De=90 y un desfase Di = 45,

en esta señal se puede ver que se tiene un comportamiento similar de conmutación suave.

Figura 60. Evidencia de conmutación suave ZVS, (a) modulación SPS; (b) modulación

DPS.

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CAPÍTULO 6

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6.1 Conclusiones

A pesar de que la implementación del DAB no se pudo llevar a cabo para la potencia

deseada de 10 kW, se realizó para una potencia de 200 W; se obtienen resultados muy

cercanos a los esperados en simulación especialmente en la forma de onda del voltaje y la

corriente en la inductancia, al igual que la curva del flujo de potencia, lo que permite

comprobar que el convertidor DAB tiene una respuesta similar de trabajo con potencias

relativamente bajas y potencias altas.

Al configurar el DAB en modo seguidor se pudo comprobar que efectivamente se tiene

conmutación suave ZVS en todo el rango de operación, lo cual reduce el estrés eléctrico en

los semiconductores, y los picos de corriente que se presentan en la inductancia, cuando se

hace el cambio de los dispositivos que están en conducción.

Al comparar la potencia reactiva obtenida con las dos formas de modulación, se evidencia

que utilizando la modulación DPS se tiene reducción del 68,2%, de dicha potencia, lo cual

representa una gran ventaja ya que permite reducir el volumen del DAB al usar el

transformador a su valor efectivo, y reducir el tamaña de los condensadores necesarios para

el filtrado de la corriente de salida, a su vez reduce las pérdidas por disipación de calor, y

alargar la vida útil de los semiconductores ya que la potencia que maneja es en su mayoría

potencia activa.

Se logra ver que al implementar el desfase interno no se tiene un cambio significativo en la

curva que representa el flujo de potencia, lo que implica que cuando se utiliza DPS se tiene

un comportamiento similar al obtenido con modulación SPS, lo que garantiza que se

tendrán todas las ventajas de esta modulación pero ahora con el agregado de poder reducir

reactivos con el desfase interno.

La modulación DPS nos permite tener un mayor rango de operación, ya que para un mismo

desfase externo, la modulación SPS se puede obtener solo un valor de potencia de salida, en

cambio con la modulación DPS se obtiene un gran rango de potencias de salida las cuales

dependen del desfase interno.

Se logra concluir que para la modulación DPS, se presentan dos formas de onda de tensión

y de corriente en la inductancia, las cuales no depende del signo de los desfases sino a la

relación que existen entre ellos, una se presenta cuando |De| < |Di| y la otra cuando |Di| <

|De|, estas generan que la corriente que se ve en la inductancia sea cambios más suaves que

la que se tiene cuando se usa SPS.

Con el uso del Psoc® para desarrollar la modulación DPS, se logra concluir que el coste

computacional que se requiera para su implementación de esta estrategia de modulación, no

es muy superior al que implicaría el realizar la modulación SPS, lo que es una razón más

para elegir la modulación DPS sobre la SPS.

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6.2 Trabajos futuros.

Los convertidores bidireccionales como el DAB tienen una gran versatilidad de

aplicaciones, es esta área se pueden proponer trabajos futuros, otra área de trabajo está

enfocada en mejorar el DAB por medio de nuevas estrategias de modulación y/o haciendo

uso de dispositivos de última tecnología para su construcción física. Por último existe otra

área de trabajo la cual consiste en aplicar la estrategia de modulaciones DPS en otras

topologías de convertidores u otras aplicaciones; a continuación se enumeran algunos

posibles trabajos futuros:

● Implementar la modulación de triple desplazamiento de fase (TPS), para de esta

forma reducir la potencia reactiva y comprobar si es más eficiente frente a la

modulación SPS, y DPS.

● Implementar en una microrred un convertidor DC-DC de alta densidad de energía

con modulación DPS, y TPS y verificar su eficiencia al reducir la potencia reactiva

del sistema.

● Se propone diseñar e implementar un sistema de carga de baterías de vehículos

eléctricos (electrolinera), implementando un convertidor DAB con modulación

DPS, para manejar altas densidades de energía en bajo volumen, ya sea de carga

rápida o lenta.

● Diseñar e implementar un sistema de control que permita la variación dinámica de

los desfases de la modulación DPS en un convertidor DAB.

● Diseñar e implementar un convertidor DAB de alta densidad de energía usando

DPS.

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ANEXOS

● Anexo 1:

Código control

#include <project.h>

#include <math.h>

#define HIGH 1

#define LOW 0

volatile uint16 DI=970u; //750 for -90, 1250 for +90, 970 for 0 Degrees

volatile uint16 DE=970u;

uint16 step=5u;

uint8 N;

void print_phase_degrees();

CY_ISR(key_isr_Handler)

{ //There is a switching offset of ~1.5us which is ~30 units

if(~(UP_DI_Read()) & pin_key_Read()){

if(DI<1211u) // 1215 corresponds to +90 deggrees 1210+5=1215

DI = DI + step; // Each step of 5 degrees is equivalent 13.88

}

if(~(DOWN_DI_Read()) & pin_key_Read()){ //

if(DI>726u) //725+5=730 for -90 degrees

DI = DI - step; //495 is 180 degrees minus 1.44 from error

} //730 corresponds to -90

if(~(UP_DE_Read()) & pin_key_Read()){

if(DE<1211u) // 1215 corresponds to +90 deggrees 1210+5=1215

DE = DE + step; // Each step of 5 degrees is equivalent 13.88

}

if(~(DOWN_DE_Read()) & pin_key_Read()){

if(DE>726u) //725+5=730 for -90 degrees

DE = DE - step; //495 is 180 degrees minus 1.44 from error

}

Pin_Reset_Write(HIGH);

Pin_Reset_Write(LOW);

TimerDE_WriteCounter(DE);

TimerDI_1_WriteCounter(DI);

TimerDI_2_WriteCounter(DI);

print_phase_degrees();

}

void print_phase_degrees(){

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//for DI

if(DI>=970){

if(DI<=975) //When 0 degrees or first step

N = roundf(((DI - 965)/2.777777777777)-1.8) ;

else

N = roundf((DI - 965)/2.777777777777) ;

LCD_Position(1,10);

LCD_PrintString(" ");

LCD_PrintNumber(N);

LCD_PutChar(LCD_CUSTOM_0);

LCD_PrintString(" ");

}

else{ //for negative angles

N = -1*(roundf((DI-15 - 965)/2.777777777777)+1.8);

LCD_Position(1,10);

LCD_PrintString("-");

LCD_PrintNumber(N);

LCD_PutChar(LCD_CUSTOM_0);

LCD_PrintString(" ");

}

//for DE

if(DE>=970){

if(DE<=975) //When 0 degrees

N = roundf(((DE - 965)/2.777777777777)-1.8) ;

else

N = roundf((DE - 965)/2.777777777777) ;

LCD_Position(0,10);

LCD_PrintString(" ");

LCD_PrintNumber(N);

LCD_PutChar(LCD_CUSTOM_0);

LCD_PrintString(" ");

}

else{

N = -1*(roundf((DE-15 - 965)/2.777777777777)+1.8);

LCD_Position(0,10);

LCD_PrintString("-");

LCD_PrintNumber(N);

LCD_PutChar(LCD_CUSTOM_0);

LCD_PrintString(" ");

}

}

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int main()

{

CyGlobalIntEnable; /* Enable global interrupts. */

/* Place your initialization/startup code here (e.g. MyInst_Start()) */

key_isr_StartEx(key_isr_Handler);

Pin_Reset_Write(LOW);

TimerDI_1_Start(); //Timer for first DI

TimerDI_1_WritePeriod(180u);

TimerDI_1_WriteCounter(DI);

TimerDE_Start();

TimerDE_WritePeriod(238u);

TimerDE_WriteCounter(DE);

TimerDI_2_Start();

TimerDI_2_WritePeriod(180u);

TimerDI_2_WriteCounter(DI);

PWM2_Start();

PWM1_Start();

PWM3_Start();

PWM4_Start();

LCD_Start();

LCD_Position(0,0);

LCD_PrintString("D Externo: 0");

LCD_PutChar(LCD_CUSTOM_0);

LCD_Position(1,0);

LCD_PrintString("D Interno: 0");

LCD_PutChar(LCD_CUSTOM_0);

}