MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

Concepto general Una memoria es un dispositivo capaz de

almacenar información (en forma binaria).

Etiqueta (Dirección)

Información (Datos)

Cajón (Localidad

de Memoria)

CARACTERÍSTICASCARCACTERÍSTICAS MÁS SIGNIFICATIVAS

Tiempo de Acceso

CadenciaDensidad Volatilidad

Capacidad

Tiempo de lectura / EscrituraEs el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura o escritura y el momento en que la información está disponible en la salida. 

Cadencia de transferencia  Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo).

Densidad de información  Es el número de informaciones por unidad de volumen físico. 

Volatilidad  Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se produce un corte de alimentación.

Capacidad 

Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina también volumen.  Por ejemplo, una memoria tiene una capacidad de 8n bits, que en otras palabras representa n bytes. Regularmente estas memorias en la actualidad se consiguen en tamaños del orden megabytes.

CLASIFICACIÓN DE LAS MEMORIAS

MEMORIAS

Magnéticas

Disco Cinta

Ópticas Semiconductoras

Acceso secuencial

Registro de Desplazamiento

Acoplamiento por Carga

CCD

LIFO

FIFO

Acceso Aleatorio

RAM

SRAM DRAM FLASH

ROM

ROM PROM EPROM

EEPROM UVEPROM

Memorias magnéticas

Memorias Ópticas

Memorias Semiconductoras

Semiconductoras

Acceso secuencial

Registro de Desplazamiento

Acoplamiento por

Carga (CCD)

LIFO

FIFO

Acceso Aleatorio

RAM

SRAM DRAM FLASH

ROM

ROM mascara

PROM EPROM

EEPROM UVEPROM

Operaciones de una memoria

Escritura: Introducir información en una posición determinada de la memoria

Lectura: Obtener información existente en una posición determinada de la memoria

Direccionar: Establecer la localidad de memoria en la que se va a trabajar

Capacidad de una memoria Capacidad de Memoria = Ancho de Bus de datos x Espacio de Direccionamiento.

Capacidad de una memoria

Una memoria CCD, dispositivo de acoplamiento por carga, almacena los datos como cargas de condensador, sin embargo a diferencia de una RAM dinámica, la celda de almacenamiento no incluye transistor, la ventaja de estas memorias es su alta densidad. La memoria CCD está formada por largas filas de condensadores semiconductores, denominados canales. Donde las matrices CCD se utilizan en algunas cámaras digitales para captura de imágenes de video en forma de luz inducida. Opera almacenando y transfiriendo portadores minoritarios de un semiconductor. Métodos de Inyección de electrones.

FIFO (First in-first out)

Primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de espera. El término LIFO se utiliza en estructuras de datos y teoría de colas. Guarda analogía con una pila de platos, en la que los platos van poniéndose uno sobre el otro, y si se quiere sacar uno, se saca primero el último que se puso. LIFO es el algoritmo utilizado para implementar pilas.

Ej. Las personas que esperan en una cola y van siendo atendidas en el orden en que llegaron, es decir, que la primera persona que entra es la primera persona que sale.

LIFO (Last in-first out)

La última información introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento. FIFO se utiliza en estructuras de datos para implementar colas. La implementación puede efectuarse con ayuda de  vectores, o bien mediante el uso de punteros y asignación dinámica de memoria.

Si se implementa mediante vectores el número máximo de elementos que puede almacenar está limitado al que se haya establecido en el código del programa antes de la compilación (cola estática) o durante su ejecución (cola pseudoestática ó dinámica). Sea cual sea la opción elegida, el número de elementos que podrá almacenar la cola quedará determinado durante toda la ejecución del programa. Así, el sistema debe reservar el tamaño de memoria necesario para acoger todos los datos, sea cual sea el número de elementos usados.

Ej. En Microsoft Word para abrir los trabajos el primero que sale es el ultimo que se abrió.

1. Memoria RAM: Random Access Memory, o memoria de acceso aleatorio sus velocidades de lectura y escritura son muy similares, son utilizadas en proceso de alta velocidad donde los datos pueden perderse al momento de cortar la energía

2. Memoria ROM:Read Only Memory, Memoria de solo lectura. Esta memoria viene ya grabada de fábrica y no puedes modificar su programación

3. Memoria PROM:Programable ROM, memoria programable. Conocida igual como OTP( one time programable) o memoria de una sola programación. Una vez grabada ya no se puede modificar.

4. Memoria EPROM:Erasable PROM, memoria borrable. Solo pueden programarse si se les borra antes exponiéndolas durante cierto tiempo a la luz ultravioleta. Esto introduce voltaje a las celdas para que después puedan ser grabadas.

5. Memoria EEPROM:electricos EPROM, memoria borrable electrónicamente. Esta memoria puede ser borrada por medios electrónicos a través de una terminal conocida como Vpp. Los voltajes de borrado son de aprox 13v.

6. Memoria FLASH:Es igual que una EEPROM su diferencia radica en la velocidad de grabado de los datos, además que el voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v dependiendo de la memoria. Es la más usada actualmente y existe un sin número de variantes