lab el diodo

Electrónica Lic. Robert Portocarrero Gamboa

1

INSTITUCIÓN EDUCATIVA TECNICO INDUSTRIAL

CARLOS HOLGUIN MALLARINO

ÁREA MANTENIMIENTO ELECTRÓNICO

GRADO 11°

Laboratorio: PARÁMETROS DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Nombres: _____________________________________________________________

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OBJETIVOS:

1. Identificar las características de los diodos semiconductores

2. Determinar el estado de un diodo

3. Identificar las formas de polarización de un diodo

PROCEDIMIENTO

1. Para determinar si el diodo se encuentra en buen estado o tiene algún defecto, basta probar simplemente si se

encuentra en: corto, abierto o si presentan fugas excesivas.

Medir los diodos como lo muestra la figura 1 y anotar cada una de las lecturas obtenidas en la tabla No. 1

Polarización directa Polarización Inversa

Figura 1

Tabla 1

Referencia Polarización Directa Polarización Inversa

Escala en Escala Diodo Escala en Escala Diodo

Si: 1N4004

Ge: 1N100

2. Montar el circuito de la figura 2

Diagrama esquemático P


2

Medición de corriente Medición de Voltaje

3. Medir y anotar en la tabla No.2 los valores de VD e ID para cada valor de entrada de Vin utilizando el diodo.

Tabla 2: Diodo de Si

Vin (v) 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.2 1.5 2.0

VD(v)

ID(mA)

4. Graficar los datos de las tablas 3 en un par de ejes (corriente en función del voltaje del diodo VD)

5. Montar el circuito de la figura 3 con el led Rojo. Medir (como lo muestra la figura 4) y consignar lo indicado en la

tabla 5

6. Para el circuito de la figura 2, Cambie el led por el indicado en la tabal 5 y mida el valor de la corriente, el voltaje en la

resistencia y el voltaje en el diodo

Tabla 5: Voltaje del LED

LED VR VD ID

Rojo

Amarillo

Azul

Blanco

Infrarrojo

Figura 4

Figura 3

Terminales

de la fuente

Terminales

del Tester

Figura 2


3

ID (mA)

VD(V)


4

INSTITUTO TÉCNICO INDUSTRIAL

CARLOS HOLGUIN MALLARINO

ELECTRÓNICA Grado 11°

Laboratorio El transistor Bipolar ó BJT

Nombres: ___________________________________________________________________

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OBJETIVOS

1. Identificar el funcionamiento del transistor

2. Implementar el circuito detector de oscuridad con BJT

PROCEDIMIENTO

1. Identificar los terminales del transistor utilizando el manual ECG.

2. Comprobar el estado del transistor utilizando el tester:

Se empleará un multímetro digital y las medidas se efectuarán colocando el instrumento en la escala de diodo

. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de transistor, ya que si es

NPN se procederá de forma contraria que si se trata de un PNP.

Si el transistor es NPN se situará la punta roja (positivo)

del multímetro sobre el terminal de la base y se aplicará la

punta negra sobre las patitas correspondientes al emisor y

colector. Con esto se habrá aplicado entre la base y el

emisor o colector, una polarización directa, lo que traerá

como consecuencia la entrada en conducción de ambas

uniones, marcando en el multímetro el valor

correspondiente a 700 aproximadamente

A continuación se invertirá la posición de las puntas del

instrumento, colocando la punta negra (negativo) sobre la

base y la punta roja sobre el emisor y después sobre el

colector. De esta manera el transistor recibirá una tensión

inversa sobre sus uniones con lo que circulará por él una corriente muy débil, traduciéndose en una medida

infinita. Si se tratara de un transistor PNP el método a seguir es justamente el opuesto al descripto, ya que las

polaridades directas e inversas de las uniones son las

contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una

medida, situando el multímetro entre los terminales

de emisor y colector en las dos posibles

combinaciones que puede existir; la indicación del

instrumento será muy similar a la que se obtuvo en el

caso de aplicar polarización inversa (valor infinito),

debido a que al dejar la base sin conexión el

transistor estará bloqueado. Esta comprobación no

debe olvidarse, ya que se puede detectar un

cortocircuito entre emisor y colector y en muchas

700

Directa

-1


5

ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

Referencia Tipo VBE (mV) VBC (mV) VCE (mV)

Directo Inverso Directo Inverso Directo Inverso

2N3904

2N3906

3. Comprobación del estado de la fotorresistencia. Mida el valor de la fotorresistencia (en ohmios)

con el tester a plena luz y sin luz directa (tapar la fotorresistencia). Anotar en la tabla 1

Tabla 1

Valor de la resistencia a plena luz Valor de la resistencia sin Luz

4. Montar el siguiente circuito (Figura 1)

Figura 1

-1 -1

Fotorresistencia

Potenciómetro


6

5. Medir la corriente de base y la corriente de colector con luz y sin luz. Llenar la tabla 2.

Tabla 2

IB (mA) IC (mA) VCE (v)

Con luz

Sin Luz

6. Montar en el Protoboard el circuito de la figura2

Figura 2

7. Medir los valores indicados en la tabla 3

Tabla 3

VB(V) VBE(V) Vc(V) VE(V) VCE(V) IC (mA) IE(mA) IB(mA)

8. Aplicar señal análoga a la entrada del circuito, por medio de un generador de señal y un

condensador, como lo muestra el diagrama de la figura 3.

9. Medir la señal de entrada y la señal de salida con el osciloscopio.

10. Dibujar la gráfica que se muestra en el osciloscopio.

11. Cambie la medida del osciloscopio como lo muestra la figura 4

12. Medir la señal de entrada y la señal de salida con el osciloscopio.

VE

VCE

VC

VB

VBE

IC

IB

IE


7

Figura 3

Figura 4


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