El Transistor de Unión Bipolar El Transistor de Unión Bipolar (BJT)(BJT)

Jesús Pizarro PeláezJesús Pizarro Peláez I.E.S. Trinidad ArroyoDpto. de Electrónica

BJT (Bipolar Junction Transistor)BJT (Bipolar Junction Transistor)

Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN.Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN.

Tres zonas de dopado:Tres zonas de dopado:– Emisor: zona muy dopada.Emisor: zona muy dopada.– Base: zona estrecha y poco dopada.Base: zona estrecha y poco dopada.– Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.

Transistores PNP y NPNTransistores PNP y NPN

TRANSISTORTRANSISTOR ESTRUCTURAESTRUCTURA EQUIVALENTEEQUIVALENTE SÍMBOLOSÍMBOLO

NPNNPN

PNPPNP

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

El diodo emisor se polariza en directaEl diodo emisor se polariza en directa El diodo colector en inversaEl diodo colector en inversa

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

Base y Emisor son una unión PN polarizada en Base y Emisor son una unión PN polarizada en directa.directa.

Sí Sí Vee > 0V Vee > 0V los los e- e- del emisor se acercan a la del emisor se acercan a la barrera.barrera.

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

Cuando Cuando Vee >Vee > Vu Vu (0.6V - 0.7V) el diodo conduce.(0.6V - 0.7V) el diodo conduce. Aparece una corriente entre base y emisor.Aparece una corriente entre base y emisor. Como la base está poco dopada, la corriente es Como la base está poco dopada, la corriente es

pequeña.pequeña.

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

Si Si Vcc>0Vcc>0 el diodo de colector está en inversa. el diodo de colector está en inversa. Los Los e-e- del emisor son atraídos por el colector. del emisor son atraídos por el colector. Base muy estrecha => los Base muy estrecha => los e-e- pueden atravesar la barrera y pueden atravesar la barrera y

pasar al colector.pasar al colector. Colector mas dopado que base => la gran mayoría de Colector mas dopado que base => la gran mayoría de e-e-

pasan al colector y unos pocos a la base.pasan al colector y unos pocos a la base.

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

: Característica de cada transistor: Característica de cada transistor - Porcentaje de - Porcentaje de e-e- que pasan a C (0 – 1) que pasan a C (0 – 1) - Muy elevado (0.95-0.99)- Muy elevado (0.95-0.99)

CBE III

CBOEC III ·

IE IC

IB

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

: Ganancia. Característica de cada transistor: Ganancia. Característica de cada transistor Relación entre Relación entre IIBB e e IIC C (0 - (0 - ))

BC II ·

11

IE IC

IB

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC

controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB

IE IC

IB

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC

controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB

IE IC

IB

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC

controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB

IE IC

IB

FUNCIONAMIENTOFUNCIONAMIENTO

En resumen:En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente Podemos variar el paso de una gran corriente IICC

controlando una pequeña corriente controlando una pequeña corriente IIBB

IE IC

IB