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研究業績一覧（著書，論文，口頭発表等）
岡本 浩
目次
（２－１）著書，辞書編集 ............................................................................................................ 1
（２－２）学術論文 ...................................................................................................................... 3
原著論文 .................................................................................................................................... 3
総説 .......................................................................................................................................... 10
国際会議発表論文（アブストラクト査読あり） ......................................................................... 11
国際会議発表論文（編集委員による査読） ........................................................................... 20
国際会議発表論文（査読なし） ............................................................................................... 21
招待講演リスト ......................................................................................................................... 21
（ 国際会議招待講演リスト） ................................................................................................... 21
（ 国内学会招待講演リスト） ................................................................................................... 22
国内学術講演 .......................................................................................................................... 23
（国内学会報告） ...................................................................................................................... 23
（国内学会シンポジウム＆研究会報告） ................................................................................ 35
（２－４）特許 ............................................................................................................................ 38
特許（成立済） .......................................................................................................................... 38
特許（審査請求中，または未請求） ........................................................................................ 39
（２－１）著書，辞書編集
集英社 イミダス２００７ 「エレクトロニクス」分担執筆
岡本浩，工藤一浩，和田恭雄 2006 年 10月
【以下は電子出版】
集英社 デジタル版イミダス２００８ 「エレクトロニクス」分担執筆
2008年 3月 26日
集英社 デジタル版イミダス２００９ 「エレクトロニクス」分担執筆
2009年 2月 18日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１０ 「エレクトロニクス」分担執筆
2010年 2月 18日
http://imidas.jp/
2
集英社 デジタル版イミダス２０１１ 「エレクトロニクス」分担執筆
2011年 2月 28日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１２ 「エレクトロニクス」分担執筆
2012年 3月 28日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１３ 「エレクトロニクス」分担執筆
2013年 3月 21日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１４ 「エレクトロニクス」分担執筆
2014年 3月 25日
http://imidas.jp/
集英社 情報・知識＆オピニオン imidas ２０１６ 「エレクトロニクス」分担執筆
2016年 3月 28日
http://imidas.jp/
弘前大学出版会 電子情報工学実験 I 実験の手引き 平成 29 年度版 分担執筆（改訂）、岡
本 浩、小林 康之、種田 晃人、丹波 澄雄、岡崎 功、安藤 賢、川口 節雄、岡崎 禎子、道上
宗巳、宮永 崇史、市村 雅一、中島 伸夫、小豆畑 敬、中島 健介、中澤 日出樹、佐藤 裕之、
齊藤 玄敏、
2017 年 3月 17日
ISBN 978-4-907192-55-6
弘前大学出版会 電子情報工学実験 I 実験の手引き 平成 30 年度版 分担執筆（改訂）、岡
本 浩、小林 康之、種田 晃人、丹波 澄雄、岡崎 功、安藤 賢、川口 節雄、岡崎 禎子、道上
宗巳、宮永 崇史、市村 雅一、中島 伸夫、小豆畑 敬、中島 健介、中澤 日出樹、佐藤 裕之、
齊藤 玄敏、
2018 年 3月 20日
ISBN 978-4-907192-63-1
弘前大学出版会 電子情報工学実験 I 実験の手引き 2019 年度版 分担執筆（改訂）、岡本
浩、小林 康之、種田 晃人、丹波 澄雄、岡崎 功、安藤 賢、川口 節雄、岡崎 禎子、道上 宗
巳、宮永 崇史、市村 雅一、中島 伸夫、小豆畑 敬、中島 健介、中澤 日出樹、佐藤 裕之、齊
藤 玄敏、
2019 年 3月 18日
ISBN 978-4-907192-75-4
3
（２－２）学術論文
原著論文
1. H. Okamoto, Y. Watanabe, Y. Kadota, and Y. Ohmachi; "Dislocation reduction in GaAs on Si by
thermalcycles and InGaAs/GaAs strained-layer superlattices", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 26, pp.
L1950-1952, 1987.
2. Y. Watanabe, Y. Kadota, H. Okamoto, M. Seki, and Y. Ohmachi; "Structural properties of GaAs-
on-Si with InGaAs/GaAs strained-layer superlattice", J. Cryst. Growth vol. 93, pp. 459-465, 1988.
3. Y. Watanabe, Y. Kadota, H. Okamoto, and Y. Ohmachi; "Depth-resolved cathodoluminescence in
GaAs epilayers grown on Si substrates", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 28, pp. 16-20, 1989.
4. H. Okamoto, T. Oh'hara, Y. Kadota, and Y. Ohmachi; "DLTS measurement on electron-irradiated
GaAs-on-Si", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 29, pp. 1052-1053, 1990.
5. T. Tadokoro, H. Okamoto, Y. Kohama, T. Kawakami, and T. Kurokawa; "Room temperature pulsed
operation of 1.5 µm GaInAsP/InP vertical-cavity surface-emitting laser", IEEE Photon. Technol.
Lett. vol. 4, pp. 409-411, 1992.
6. F. Zamkotsian, H. Okamoto, K. Kishi, M. Okamoto, Y. Yoshikuni, K. Sato, and K. Oe; "An InP
based optical multiplexer for 100-GHz pulse-train generation", IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 7,
pp. 502-504, 1995.
7. H. Okamoto, K. Sato, H. Yasaka, Y. Yoshikuni, K. Oe, K. Kishi, Y. Kondo, and M. Yamamoto;
"Fast wavelength switching for 10 Gbit/s NRZ signal with a tunable duplex integrated light source",
Electron. Lett. vol. 31, pp. 1274-1275, 1995.
8. M. Wada, M. Kohtoku, K. Kawano, H. Okamoto, Y. Kadota, Y. Kondo, K. Kishi, S. Kondo, Y.
Sakai, I. Kotaka, Y. Noguchi, and Y. Itaya; " High-coupling-efficiency laser diodes integrated with
spot-size converters fabricated on 2 inch InP substrates", Electron. Lett. vol. 31, pp. 2102-2104,
1995.
9. F. Zamkotsian, K. Sato, H. Okamoto, K. Kishi, I. Kotaka, M. Yamamoto, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, and K. Oe; "Generation and coding of a 100 Gbit/s signal by an InP-based optical
multiplexer integrated with modulators"; Electron. Lett. vol. 31, pp. 578-579, 1995.
10. Y. Tohmori, Y. Suzaki, H. Oohashi, Y. Sakai, Y. Kondo, H. Okamoto, M. Okamoto, Y. Kadota, O.
Mitomi, Y. Itaya, and T. Sugie; "High temperature operation with low-loss coupling to fibre for
narrow-beam 1.3 µm lasers with butt-jointed selective grown spot-size converter", Electron. Lett.
vol. 31, pp. 1838-1840, 1995.
11. H. Okamoto, Y. Suzaki, Y. Tohmori, M. Okamoto, Y. Kondo, Y. Kadota, M. Yamamoto, K. Kishi,
Y. Sakai, M. Wada, and Y. Itaya; "1.3 µm laser diodes with butt-jointed selectively grown spot-size
converters uniformly fabricated on a 2-in InP substrate", Electron. Lett. vol. 32, pp. 1099-1101,
4
1996.
12. T. Hashimoto, Y. Nakasuga, Y. Yamada, H. Terui, M. Yanagisawa, K. Moriwaki, Y. Suzaki, Y.
Tohmori, Y. Sakai, and H. Okamoto; "Hybrid integration of spot-size converted laser diode on
planar lightwave circuit platform by passive alignment technique, IEEE Photon. Technol. Lett. vol.
8, pp. 1504-1506, 1996.
13. 黒崎武志, 東盛裕一, 三冨修, 笠谷和生, 界義久, 岡本浩, 岡本稔, 須崎泰正, 和田正
人, 内田直人; 「ﾊﾞｯﾄｼﾞｮｲﾝﾄ型光導波路集積素子における内部反射抑制法」, 電子情報
通信学会論文誌, C-1, vol. J79-C-I, pp. 482-483, 1996.
14. H. Okamoto, H. Yasaka, K. Sato, Y. Yoshikuni, K. Oe, K. Kishi, Y. Kondo, and M. Yamamoto; "A
Wavelength-tunable duplex integrated light source for fast wavelength switching", J. Lightwave
Technol. vol. 14, pp. 1033-1041, 1996.
15. K. Kawano, M. Kohtoku, M. Wada, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "Design of a
spotsize-converter-integrated laser diode (SS-LD) with a lateral taper, thin-film core and ridge in
the 1.3-µm-wavelength region based on the 3-D BPM", IEEE J. Selected Topics in Quantum.
Electron. vol. 2, pp. 348-354, 1996.
16. F. Zamkotsian, K. Sato, H. Okamoto, K. Kishi, I. Kotaka, M. Yamamoto, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, and K. Oe; "Monolithic integration of MQW modulators of optical multiplexer on InP
for 100 Gbit/s transmission", J. Lightwave Technol. vol. 14, pp. 2344-2352, 1996.
17. K. Kawano, M. Kohtoku, M. Wada, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "3-D semivectorical
beam propagation analysis of a spotsize-converter-integrated laser diode in the 1.3 µm-wavelength
region", IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 9, pp. 19-21, 1997.
18. H. Okamoto, M. Wada, Y. Sakai, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Kadota, K. Kishi, and Y. Itaya;
"Narrow-beam 1.3 µm superluminescent diode with butt-jointed selectively grown spot-size
converter", Electron. Lett. vol. 33, pp. 528-529, 1997.
19. K. Kawano, M. Kohtoku, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "Comparison of coupling
characteristics for several spotsize-converter-integrated laser diodes in the 1.3-µm-wavelength
region"; IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 9, pp. 428-430, 1997.
20. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, K. Kadota, H. Okamoto, and H. Mawatari; "Electrical drift
phenomenon due to deep donor defects induced by reactive ion etching (RIE) using mixture of
ethane (C2H6) and hydrogen (H2)", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 36, pp. L654-L657, 1997.
21. M. Wada, H. Okamoto, K. Kishi, Y. Kadota, M. Okamoto, Y. Kondo, Y. Sakai, H. Oohashi, Y.
Suzaki, Y. Tohmori, M. Nakao, Y. Itaya, and M. Yamamoto; "Laser diodes integrated with butt-
jointed spotsize converter fabricated on 2-in wafer", J. Lightwave Technol. vol. 15, pp. 498-504,
1997.
22. M. Wada, H. Okamoto, M. Kohtoku, K. Kawano, Y. Kadota, Y. Kondo, K. Kishi, S. Kondo, Y.
5
Sakai, I. Kotaka, Y. Noguchi, and Y. Itaya; "Fabrication and coupling-to-fibre characteristics of
laser diodes integrated with a spot-size converter having a lateral taper", IEE Proc. Optoelectron.
vol. 144, pp. 104-108, 1997.
23. H. Okamoto, T. Tadokoro, Y. Kondo, and M. Nakao; "Non-Destructive characterization of
InGaAsP/InP distributed Bragg reflectors and regrown optical cavity layers for InP-based vertical-
cavity surface-emitting lasers", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 36, pp. 5365-5370, 1997.
24. Y. Itaya, Y. Tohmori, H. Okamoto, O. Mitomi, M. Wada, K. Kawano, H. Fukano, K. Yokoyama, Y.
Suzaki, M. Okamoto, Y. Kondo, I. Kotaka, M. Yamamoto, M. Kohtoku, Y. Kadota, K. Kishi, Y.
Sakai, H. Oohashi, and, M. Nakao; "Spot-size converter integrated laser diodes (SS-LDs)", IEICE
Trans. Electron. vol. E80-C, pp. 30-40, 1997.
25. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, Y. Kadota, R. Iga, H. Okamoto, and H. Mawatari;
"Electrical evaluation of InP surface damage caused by reactive ion etching with a mixture of
methane (CH4) or ethane (C2H6) and hydrogen (H2), J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 15, pp. 103-108,
1997.
26. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, R. Iga, H. Okamoto, and H. Mawatari; "Electrical
evaluation of InP surface damage by RIE using mixture of C2H6 and H2", Material Science And
Engineering, B44, pp. 61-64, 1997.
27. K. Kawano, M. Kohtoku, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "Coupling and conversion
characteristics of spot-size-converter integrated laser diodes", IEEE J. of Selected Topics in
Quantum Electron. vol. 3, pp. 1351-1360, 1997.
28. K. Oe, and H. Okamoto；"New semiconductor alloy GaAs1-xBix grown by metal organic vapor
phase epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 37, pp. L1283-L1285, 1998.
29. H. Okamoto and K. Oe; "Growth of metastable alloy InAsBi by low-pressure MOVPE", Jpn. J.
Appl. Phys. vol. 37, pp. 1608-1613, 1998.
30. H. Okamoto, M. Wada, Y. Sakai, T. Hirono, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Kadota, K. Kishi, and Y.
Itaya; "A Narrow Beam 1.3-µm-Super Luminescent Diode Integrated with a Spot-Size Converter
and a New Type Rear Absorbing Region", J. Lightwave Technol. Vol. 16, pp. 1881-1887, 1998.
31. N. Yamamoto, K. Kishi, Y. Kondo, S. Matsumoto, R. Iga, Y. Kadota, H. Okamoto and H. Mawatari:
"Ammonium sulfide combined etching (ACE): an effective treatment for reducing impurities prior
to MOVPE InP regrowth in a process using hydrocarbon gas reactive ion etching (RIE)", J. Cryst.
Growth, Vol. 193, pp. 16-22, 1998.
32. H. Ofuchi, T. Kubo, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Okamoto, and K. Oe: “Fluorescence EXAFS study
on local structures around Bi atoms in InAsBi grown by low-pressure MOVPE” Jpn. J. Appl. Phys.
Vol. 38, Suppl. 38-1, pp.545-547, 1999.
33. H. Okamoto and K. Oe; "Structural and energy-gap characterization of MOVPE-grown InAsBi",
6
Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2B, pp. 1022-1025, 1999.
34. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima, E. Kurimoto; " Experimental consideration of
optical band-Gap energy of wurtzite InN ", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 42, no. 4B, pp.2288-2290, 2000.
35. Y. Akage, K. Kawano, S. Oku, R. Iga, H. Okamoto, Y. Miyamoto, and H. Takeuchi: "Wide
bandwidth of over 50 GHz travelling-wave electrode electroabsorption modulator integrated DFB
lssers", Electron. Lett. Vol. 37, pp.299-300, 2001.
36. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, K. Tateno, and C. Amano; "High performance of 1.55-mu m
buried-heterostructure vertical-cavity surface-emitting lasers", IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 13, pp. 918
-920, 2001.
37. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, K. Tateno, and C. Amano; "1.55-µm Buried-
Heterostructure VCSELs with InGaAsP/InP-GaAs/AlAs DBRs on a GaAs Substrate", IEEE
Journal of Quantum Electronics, Vol. 37 No. 9, September. pp. 1194 -1202, 2001.
38. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and C. Amano; "Single transverse mode operation of 1.55-
μm buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting lasers", IEEE Photon. Technol. Lett., vol.
14, pp. 783 -740, 2002.
39. T. Ohno, H. Ishii, S. Matsuo, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, T. Furuta, H. Ito, and Y.
Yoshikuni; "Hybrid mode-locking of semiconductor ring lasers incorporating passive deep-ridge
waveguides", Electron. Lett., vol. 38, pp. 884 -886, 2002.
40. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, Y.
Tohmori; "Monolithically integrated 64-channel WDM channel selector with novel configuration",
Electron Lett, vol.38, pp. 331‐332, 2002.
41. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, Y.
Tohmori; "Error-free signal selection and high-speed channel switching by monolithically
integrated 64-channel WDM channel selector", Electron Lett, vol.38, pp. 823‐824, 2002.
42. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Ito, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Suzuki and Y.
Tohmori; "Filter-Free all-optical Wavelength Conversion using Sagnac interferometer integrated
with Parallel-amplifier structure (SIPAS)", Electron. Lett. vol. 38, pp. 1273‐1275, 2002.
43. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima and E. Kurimoto; "Optical Band-Gap Energy of
Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett. vol. 81, pp.1246-1248, 2002.
44. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Ito, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Suzuki and Y.
Kondo; "Monolithically Integrated Parallel-Amplifier Structure for Filter-Free Wavelength
Conversion", Jpn. J. Appl. Phys. vol.41, pp. 1194-1198, 2002.
45. K. Asaka, Y. Suzaki, Y. Kawaguchi, S. Kondo, Y. Noguchi, H. Okamoto, R. Iga, and S. Oku;
"Lossless electroabsorption modulator monolithically integrated with a semiconductor optical
amplifier and a passive waveguide", IEEE Photon. Technol. Lett. vol.15, pp.679-681, 2003.
7
46. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, Y.
Tohmori; "Monolithically integrated 64 ‐ channel WDM wavelength ‐ selective receiver",
Electron Lett, vol. .39, pp. 312-314, 2003.
47. Y. Suzaki, K. Asaka, Y. Kawaguchi, S. Oku, Y. Noguchi, S. Kondo, R. Iga, and H. Okamoto; "High
extinction ratio performance of a DWDM Monolithic multi-channel modulation circuit", Electron.
Lett. vol. 39, pp. 306-307, 2003.
48. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, F. Kana, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Yoshikuni, and Y.
Tohmori; "Mode-hop-free wavelength-tunable distributed Bragg reflector laser", Electron. Lett.,
vol. 39, pp. 614-615, 2003.
49. S. Matsuo, Y. Yoshikuni, T. Segawa, Y. Ohiso, H. Okamoto; "A Widely Tunable Optical Filter
Using Ladder-Type Structure", IEEE Photonic Technol Lett, VOL.15, pp. 1114‐1116, 2003.
50. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, M. Ishikawa, F. Kano, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and Y. Tohmori; "Inherently Mode-hop-free Distributed Bragg Reflector (DBR) Laser
Array", IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., Vol.9, pp. 1132-1137, 2003.
51. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima and E. Kurimoto; "Experimental Consideration
of Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Jpn. J. Appl. Phys., 42, 4B, pp.2288-2290, 2003.
52. T. Matsuoka, H. Okamoto, and M. Nakao; "Growth of Wurtzite InN using MOVPE and its Optical
Characteristics", phy. stat. sol. (c), 0, pp.2806-2809, 2003.
53. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, Y. Kondo, Y.
Tohmori; "Monolithically integrated 100-channel WDM channel selector employing low-crosstalk
AWG", IEEE Photon. Technol. Lett. vol.16, pp. 2481-2483, 2004.
54. T. Ito, Y. Shibata, H. Okamoto, S. Oku, Y. Kawaguchi, R. Sato, N. Kikuchi, Y. Kondo, Y. Suzuki; "
Bit-rate and format conversion from 10-Gbit/s WDM channels to a 40-Gbit/s channel using a
monolithic Sagnac interferometer integrated with parallel-amplifier structure", IEE Proc
Optoelectron, vol.151, pp.41-45, 2004.
55. T. Matsuoka, H. Okamoto, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, and T.
Makimoto; "MOVPE Growth and Photoluminescence of Wurtzite InN", J. Cryst. Growth, 269,
pp.139-144, 2004.
56. Y. Suzaki, H. Ysaka, Y. Kawaguchi, R. Iga, and H. Okamoto; "Monolithically integrated eight-
channel WDM modulators with cyclic AWGs for multichannel-block operation over C-band",
Electron. Lett. vol. 41 pp. 551-552 2005.
57. K. Asaka, Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and Y. Tohmori; "Improvement in threshold
voltage of 1.55-mu m buried-heterostructure vertical-cavity surface-emitting", Jpn. J. Appl. Phys.
Part 2, vol. 44, L552-L554 2005.
58. N. I. Cade, H. Gotoh, H. Kamada, H. Tawara, T. Sogawa, H. Nakano, and H. Okamoto; "Charged
8
exciton emission at 1.3 µm from single InAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor
deposition", Appl. Phys. Lett. vol.87, pp. 172101-1-172101-3, 2005.
59. S-H. Jeong, S. Matsuo, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, Y.
Yoshikuni; "Stable and fast 100 GHz-spaced 30-channel digitally tunable operation in
monolithically integrated semiconductor laser employing chirped ladder filter", Electron. Lett. vol.
41, pp. 1176-1178, 2005.
60. Y. Suzaki, H. Yasaka, H. Mawatari, K. Yoshino, Y. Kawaguchi, S. Oku, R. Iga,
H. Okamoto; "Monolithically integrated eight-channel WDM modulator with narrow channel
spacing and high throughput ", IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron. vol. 11, pp. 43-49,
2005.
61. N. Fujiwara, N. Kikuchi, T. Kakitsuka, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, Y. Tohmori; "Tuning range enhanced by self-phase adjustment in mode-hop-free short-
active-region DBR laser", J. Selected Topics in Quantum Electron. vol. 11, pp. 939-944, 2005.
62. S. Matsuo, S. H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, Y.
Yoshikuni; "Digitally tunable ring laser using ladder filter and ring resonator", J. Selected Topics
in Quantum Electron. vol.11, pp. 924-930, 2005.
63. N. I. Cade, H. Gotoh, H. Kamada, H. Nakano, and H. Okamoto; "Fine structure and magneto-optics
of exciton, trion, and charged biexciton states in single InAs quantum dots emitting at 1.3 µm",
Phys. Rev. B, vol. 73, pp.115322-1-115322-7, 2006.
64. T. Kakitsuka, S. Matsuo, S-H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and H. Suzuki; "Design of a widely tunable laser with a chirped ladder filter", Optical
and Quantum Electronics 38, pp. 1053-1060, 2006.
65. N. Fujiwara, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; "Suppression of
Thermal Wavelength Drift in Super-Structure Grating Distributed Bragg Reflector (SSG-DBR)
Laser with Thermal Drift Compensator", IEEE. J. Selected Topoics in Quantum Electron, vol. 13,
pp. 1164-1169, 2007.
66. H. Gotoh, S. W. Chang, S. L. Chuang, H. Okamoto, and Y. Shibata; "Tunable slow light of 1.3 µm
region in quantum dots at room temperature", Jpn. J. Appl. Phys. vol.46, pp. 2369-2372, 2007.
67. T. Yamaguchi, T, Tawara, H, Kamada, H. Gotoh, H. Okamoto, H. Nakano, and O. Mikami;
"Single-photon emission from single quantum dots in a hybrid pillar microcavity", Appl. Phys. Lett.
vol.92, pp. 081906-1-081906-3, 2008.
68. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi, and T. Sogawa; "Cavity mode
emission in weakly coupled quantum dot cavity systems", OPTICS EXPRESS, vol. 17, pp. 6643-
6654, April 7, 2009.
69. T. Tawara, H. Kamada, T. Tanabe, T. Sogawa, H. Okamoto, P. Yao, P. K. Pathak, and S. Hughes;
9
"Cavity-QED assisted attraction between a cavity mode and an exciton mode in a planar photonic-
crystal cavity", OPTICS EXPRESS, vol. 18, pp. 2719-2728, January 26, 2010.
70. H. Okamoto, T. Tawara, H. Gotoh, H. Kamada, and T. Sogawa; "Growth and Characterization of
Telecommunication-Wavelength Quantum Dots Using Bi as a Surfactant", Jpn. J. Appl. Phys. vol.
49, pp. 06GJ01-1-06GJ01-6, June 21, 2010.
71. Y. Fukuda, H. Okamoto, T. Iwasaki, Y. Otani, and T. Ono, “Surface passivation of p-type Ge
substrate with high-quality GeNx layer formed by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation”,
Appl. Phys. Lett. vol. 99, Issue 13, pp. 132907-1-132907-3, 2011. (published online 30 September
2011). ISSN 0003-6951 (print) 1077-3118 (online)
72. H. Okamoto, T. Tawara, T. Tateno, H. Gotoh, H. Kamada, and T. Sogawa; "Distinctive Feature of
Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant",
Jpn. J. Appl. Phys. vol. 50, pp.06GH07-1-06GH07-4, 2011.
73. Yukio Fukuda, Hiroshi Okamoto, Takuro Iwasaki, Kohei Izumi,Yohei Otani, Hiroki Ishizaki, and
Toshiro Ono, "Thermal Improvement and Stability of Si3N4/GeNx/p- and n-Ge Structures
Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room
Temperature", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 51, pp. 090204-1-090204-3, 2012. (published online August
28, 2012).
74. Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Jinqiao Xie, Ramo´n Collazo,
Hisashi Murakami, Hiroshi Okamoto, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar; "Structural and Optical
Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN
Substrates Prepared by Physical Vapor Transport", Applied Physics Express 5 (2012) 125501_1-
125501_3, published online November 12, 2012.
75. Y. Fukuda, H. Ishizaki, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu, H. Okamoto,
and H. Narita; " Spontaneous formation of aluminum germanate on Ge(100) by atomic layer
deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen", Appl. Phys. Lett.,
vol. 102, Issue 13, pp. 132904-1-132904-3, 2013. (Published online 05 April 2013)
76. 岩崎拓郎，小野俊郎，王谷洋平，福田幸夫，岡本浩；「ECR プラズマ法によって作製した p 型
並びに n型 GeNx/Ge構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価」，電気学会論文誌 C，
Vol. 133, No. 7, pp. 1279-1284, 2013年 07月 01日.
※電気学会論文誌 C奨励賞受賞
77. 岡本浩，成田英史，佐藤真哉，岩崎拓郎，小野俊郎，王谷洋平，福田幸夫；「ECR プラズマ法
によって作製した Ge-MIS構造における界面近傍トラップの DLTS評価」，電気学会論文誌 C，
Vol. 133, No. 8, pp. 1481-1484, 2013年 08月 01日.
78. H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H. Gotoh; "Deep level
transient spectroscopy characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a
10
surfactant", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 53, pp. 06JG11-1- 06JG11-5, 2014. (Volume 53 Number
6S Published 27 May 2014)
79. Takuro Iwasaki, Toshiro Ono, Yohei Otani, Yukio Fukuda, and Hiroshi Okamoto, " Interface State
Density Evaluation of p-Type and n-Type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique",
Electronics and Communications in Japan, Vol. 98, No. 6, pp. 8-15, June 2015, Article first
published online: 6 MAY 2015, Translated from Denki Gakkai Ronbunshi, Vol. 133-C, No. 7, July
2013, pp. 1279–1284.
80. Yukio Fukuda, Daichi Yamada, Tomoya Yokohira, Kosei Yanachi, Chiaya Yamamoto,
Byeonghak Yoo, Junji, Yamanaka, Tetsuya Sato, Toshiyuki Takamatsu, and Hiroshi
Okamoto, “Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate
layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition”, Journal of
Vacuum Science & Technology A 34(2), 02D101 (2016); doi: 10.1116/1.4932039 Volume
34, Issue 2, March 2016, Published online 29 September 2015
81. Hiroshi Okamoto; "Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV
Semiconductors with Bismuth", Journal of Advances in Nanomaterials, Vol. 1, No. 2, pp.
82-94, December 2016.
82. Kazuto Tsushima, Kensuke Takita, Hideki Nakazawa, Takehiko Tawara, Kouta Tateno,
Guoqiang Zhang, Hideki Gotoh, and Hiroshi Okamoto, "Study on the formation
mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation", Jpn. J.
Appl. Phys., 58, SDDG10, 2019.
83. Hiroshi Okamoto, Kensuke Takita, Kazuto Tsushima, Takehiko Tawara, Kouta Tateno,
Guoqiang Zhang, and Hideki Gotoh, "Low-temperature formation of GeSn nanodots by Sn
mediation", Jpn. J. Appl. Phys., 58, SDDG09, 2019.
※JJAP Spotlights に選出
https://iopscience.iop.org/journal/1347-4065/page/Spotlights
84. Keiichi Nakata, Hideki Nakazawa, Hiroshi Okamoto, Yasuyuki Kobayashi, " Influence of
the terrace width of pentacene underlayers on the crystallinity of C60 overlayers ", Thin
Solid Films, Volume 692, 31, 137638, December 2019.
総説
1. 大礒義孝，岡本 浩，伊賀龍三，岸 健志，天野主税，「1.55μｍ帯埋込み面発光レーザ」
オプトロニクス，2002 1 月号，No.241 pp.105-110 (オプトロニクス社，2002 年）
2. 天野主税，大礒義孝，岡本 浩，伊賀龍三，岸 健志，「光通信波長帯面発光半導体レー
ザ」NTT R&D 2002 1 月号 Vol. 51 pp. 59-67 （2002年）
3. C. Amano, Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, and K. Kishi; "1.55- mu m vertical-
11
cavity surface-emitting lasers for optical fiber transmission" NTT Review vol.14,
pp. 35-42, May 2002.
4. 佐藤里江子，伊藤敏夫，小川育生，岡本浩，「フォトニックネットワークを実現する波長
変換デバイス PLC ハイブリッド集積技術を用いた相互位相変調型波長変換デバイス」，
NTT R&D VOL.51, pp. 699-705, 2002.
5. 天野主税，大礒義孝，岡本 浩，伊賀龍三，岸 健志，「光通信波長帯面発光半導体レー
ザ 世界最小電流での室温連続発振動作に成功」，NTT R&D VOL.51, pp.59‐67, 2002.
6. Y. Shibata, Y. Tohmori, S. Oku, and T. Ito; "Semiconductor Monolithic Wavelength
Converter (SIPAS)", NTT Technical Review, Vol.1, pp. 39-45, 2003.
国際会議発表論文（アブストラクト査読あり）
1. J. Osaka, H. Okamoto, F. Hyuga, K. Watanabe, and K. Yamada; "Characterization of bulk-annealed
dislocation-free LEC GaAs", Semi-Insulating III-V Materials, pp. 279-284, (Hakone, Japan, May
1986).
2. J. Osaka, H. Okamoto, and K. Kobayashi; "Identification of the main hole trap in LEC GaAs",
Semi-Insulating III-V Materials, pp. 421-426, (Hakone, Japan, May 1986).
3. T. Oh'hara, H. Okamoto, and K. Moriya; "Thin-film GaAs-on-Si solar cells", Technical digest of
the 3rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, pp. 195-198, (Tokyo, Japan,
1987).
4. H. Okamoto, Y. Kadota, Y. Watanabe, Y. Fukuda, T. Oh'hara, and Y. Ohmachi; "High efficiency
GaAs solar cells fabricated on Si substrates", Conf. Record of the 20th IEEE Photovoltaic
Specialists Conference, pp. 475-480, (Las Vegas, USA, l988).
5. Y. Ohmachi, Y. Kadota, Y. Watanabe and H. Okamoto; "High-quality GaAs on Si and its application
to a solar cell", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 144, pp. 297-302, (San Diego, CA, USA. April 1989).
6. T. Tadokoro, H. Okamoto, Y. Kohama, T. Kawakami, and T. Kurokawa; "Room temperature pulsed
operation of a 1.5 µm GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting laser", Digest of 50th IEEE
Annual Device Research Conference, paper IIIB-3, (Masatusets, USA, 1992).
7. T. Tadokoro, H. Okamoto, Y. Kohama, T. Kawakami, and T. Kurokawa; "Room temperature pulsed
operation of a 1.5 µm GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting laser", Technical Digest of 4th
Optoelectronics Conference, pp. 158-159, (Makuhari, Japan, 1992).
8. F. Zamkotsian, K. Sato, H. Okamoto, K. Kishi, I. Kotaka, M. Yamamoto, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, and K. Oe; "An InP based optical multiplexer integrated with modulators for 100 Gbit/s
transmission", in Proc. 20th European Conf. on Optical Commun. vol. 4, pp. 105-108, (Firenze,
Italy, 1994).
9. H. Okamoto, K. Sato, H. Yasaka, Y. Yoshikuni, K. Oe, K. Kishi, Y. Kondo, and M.
12
Yamamoto; "Fast wavelength switching with a tunable duplex integrated light source", Technical
Digest of 10th International Conf. on Integrated Optics and Optical Fibre Communication, vol. 2,
pp. 44-45, (Hong-Kong, 1995).
10. H. Okamoto, H. Yasaka, Y. Yoshikuni, and K. Oe; "Suppression of wavelength drift and thermal
crosstalk in a tunable duplex integrated light source" , in Conf. proc. of IEEE LEOS '95, vol. 2, pp.
297-298 (San Francisco, USA, 1995).
11. (Invited) H. Okamoto, H. Yasaka, and K. Oe; "A Wavelength-tunable duplex integrated light
Source", SPIE Conference Proceeding of High-Speed Semiconductor Laser Sources, vol. 2684, pp.
118-126, (San Jose, USA, 1996).
12. H. Okamoto, H. Yasaka, and K. Oe; "Study on packet length in a tunable duplex integrated light
source for WDM packet switching", Technical Digest of 1st Optoelectronics and Communications
Conference, pp. 392-393, (Makuhari, Japan, 1996).
13. H. Okamoto, Y. Suzaki, Y. Tohmori, M. Okamoto, Y. Kondo, Y. Kadota, M. Yamamoto, K. Kishi,
Y. Sakai, T. Sugie, and Y. Itaya; "Uniformity of 1.3-µm laser diodes with Butt-jointed Selectively
Grown Spot-size Converter Fabricated on 2-Inch InP substrates", Proc. Indium Phosphide and
Related Materials (IPRM1996), (Schwäbisch Gmünd, Germany, April 1996).
14. Y. Suzaki, O. Mitomi, Y. Tohmori, H. Okamoto, Y. Kondo, Y. Sakai, M. Okamoto, and Y. Kadota;
"Impact of current blocking structure on the coupling characteristics in 1.3 µm spot-size converted
laser diodes, Technical digest of Integrated Photonics Research, vol. 6, pp. 516-519. (Boston, USA,
1996).
15. (Invited) Y. Kawaguchi, M. Okamoto, H. Okamoto , H. Fukano, Y. Tohmori, Y. Suzaki, M. Nakao
and M. Yamamoto; "MOVPE selective growth of spot-size converter for 1.3 µm lasers", Second
International Conf. on High Speed Opto-electronics for Communications. (Snowbird, U.S.A
August 1996).
16. Y. Itaya, Y. Tohmori, O. Mitomi, H. Okamoto, Y. Suzaki, T. Kurosaki, M. Wada, K. Kasaya, Y.
Sakai, and M. Okamoto; "Improvement of Spectrum Characteristics in Spot-size Converter
Integrated Lasers with Tilted Butt Joint Portion" in Conf. Digest of 15th IEEE International
Semiconductor Laser Conf. (Haifa, Israel), Tu3.2, pp. 67-68, 1996.
17. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, R. Iga, H. Okamoto, and H. Mawatari; "Electrical
evaluation of InP surface damage by RIE using mixture of C2H6 and H2", EXMATEC '96, 2.4,
(Freiburg, Germany, May 1996).
18. H. Okamoto and K. Oe; "Growth of metastable alloy InAsBi by low-pressure MOVPE", in
Extended abstracts of the 1997 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, pp. 68-69,
(Hamamatsu, Japan, 1997).
19. N. Yamamoto, K. Kishi, Y. Kondo, S. Matsumoto, Y. Kadota, H. Okamoto, H. Mawatari , H.
13
Oohashi, and Y. Suzaki; "Effect on regrowth interface quality of a new treatment, ACE in a process
using hydrocarbon RIE to fabricate InP-based BH-LD", 9th Int. Conf. on Indium Phosphide and
Related Materials (IPRM'97), (Hyannis, USA, May 1997).
20. H. Okamoto and K. Oe; "Optical characterization of the energy gap of MOVPE-grown InAsBi ",
10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM98), pp. 60-63.
(Tukuba, Japan, May 1998).
21. K. Oe, H. Okamoto; "Low temperature dependence of photoluminesence peak energy of new
semiconductor alloy GaAsBi", 10th International Conference on Indium Phosphide and Related
Materials (IPRM98), PD pp. 5-6, (Tukuba, Japan May 1998).
22. K. Oe, H. Okamoto, and M.Nakao: “Low temperature growth of GaInAs by MOVPE” Proc. of 11th
Intern. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, pp.131-134, (Davos, Switzerland, May
1999).
23. M. Herms, V. G. Melov, P. Verma, G.Irmer, H. Okamoto, M. Fukuzawa, K.Oe, and M.
Yamada; "Characterization of GaAsBi epilayers by Raman scattering and X-ray diffraction", 8th
Eurropean Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques,
pp.249 - 252, (Prague, Czech, June 1999).
24. P. Verma, M. Herms, G. Irmer, H. Okamoto, M. Fukuzawa, K. Oe, and M. Yamada; "Micro-Raman
Investigation of InAsBi epilayers grown by MOVPE” 8th Int. Conf. on Defects-Recognition,
Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP VIII), P5-11(Late News), (Narita, Japan, Sept.,
1999).
25. Y. Akage, H. Takeuchi, K. Tsuzuki, S. Kondo, Y. Noguchi, H. Okamoto, T.
Yamanaka; "Polarization-independent InGaAlAs/InAlAs electroabsorption modulators with an
optimized strained-MQW", Lasers and Electro-Optics, 1999. CLEO/Pacific Rim '99. The Pacific
Rim Conference on , Volume: 2 , Pages:191 - 192 vol.2, (Korea, Aug.-Sept. 1999).
26. K. Oe, H.Okamoto and M. Nakao; "Low temperature growth of GaInAs by MOVPE", IPRM99,
MoP17, (Davos, Switzerland May 1999).
27. Y. Akage, K. Kawano, S. Oku, R. Iga, H. Okamoto, Y. Miyamoto, and H. Takeuchi: "Travelling-
wave electrode electroabsorption modulator integrated DFB lssers (TW-EADFB) for over 40-Gb/s
transmission", IEEE 17th Int. Semicond. Laser Conf., PD1, (Monterey, California, U.S.A., Sept,
2000).
28. H. Yasaka, Y. Akage, R. Iga, H. Okamoto, T. Yamanaka,Y. Kadota, H. Takeuchi, and H.
Tsuda; "Transmission Characteristics of 10-Gb/s Low-chirp EA-DFB Lasers in Standard SMF
without Dispersion Compensation”, Proc. 5th Optoelectronics and Communications Conf.,
(OECC'2000), 12C3-4, pp. 166 - 167, (Chiba, Japan, July 2000).
29. K. Asaka, Y. Suzaki, Y. Kawaguchi, S. Kondo, Y. Noguchi, H. Okamoto, R. Iga, and S.
14
Oku; "Lossless electroabsorption modulator monolithically integrated with semiconductor optical
amplifier (EA-SOA) by passive waveguide", 2nd International laser, lightwave and microwave
conference (ILLMC), pp.29-31, (Shanghai, China, Nov. 2001).
30. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, K. Tateno, and C. Amano; "Low Threshold (380 μA) and
Single Transverse Mode Operation of 1.55-μm BH Vertical-Cavity Surface -Emitting Lasers",
Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics.
(CLEO 2001), Postconference Technical Digest : CPD14-1-2,, (Baltimore, USA, May 2001).
31. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, and Y.
Tohmori; "Monolithically integrated 64-channel WDM channel selector on InP substrate",
Proceedings 27th European Conference on Optical Communication (ECOC '01), Vol. 1, Mo.F.2 4
- 5 , (Amsterdam, Netherlands, Sept.-Oct. 2001).
32. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Itoh, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, and Y. Suzuki; "Filterless
Wavelength Conversion using Monolithically Integrated Parallel Amplifiers Structure", Proc. IEEE
Int. Conf. On Indium Phosphide and Related Materials, (IPRM2001) pp. 587-590, ( Nara, Japan,
May 2001).
33. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Ito, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and Y.
Suzuki; "Filter-free Wavelength Conversion using a Sagnac Interferometer Integrated with Parallel
Amplifiers Structure (SIPAS)", Proc. Optoelectronics and Communications Conference Integrated
Optics and Optical Fiber Communications (OECC/IOOC2001), pp. 212-213, (Sydney, Australia,
July 2001).
34. T. Ito, Y. Shibata, H. Okamoto, S. Oku, Y. Kawaguchi,R. Sato, N. Kikuchi, Y. Kondo, and Y.
Suzuki; "Full bit rate conversion from 10-Gb/s WDM channels to a 40-Gb/s channel using a Sagnac
Interferometer integrated with Parallel-Amplifier Structure", Optical Amplifiers and Their
Applications Topical Meeting (OAA2001), (Stresa, Italy, 2001).
35. H. Kamioka, H. Oohashi, M. Okamoto, K Magari, T. Ito. and Y. Tohmori; "Relationship between
ASE and gain during. the degradation for a semiconductor optical amplifier with spot-size
comverters (SS-SOA)", Optical Amplifiers and Their Applications Topical Meeting (OAA2001),
OMB4. 121, (Stresa, Italy, 2001).
36. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and C. Amano; "Single Transverse Mode Operation of
1.55-μm BH Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers", Proc. 14th Indium Phosphide and Related
Materials Conf. (IPRM 2002), A3-2, (Stockholm, Sweden May 2002).
37. (Invited) Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and C. Amano; "Single Transverse Mode
Operation of 1.55-μm BH VCSELs", Solid State Devices and Materials (SSDM 2002), G-3-1 334,
(Nagoya Japan, Sept. 2002).
38. Ohki, Y. Shibata, N. Kikuchi, T. Ito, H. Okamoto, Y. Suzuki, N. Ishihara; " Multichannel optical
15
coupling with an aspherical lens and its application to an all-optical monolithic wavelength
converter module", Proc. 52nd Electronic Components and Technology Conf., pp. 29-33, (San
Diego, CA, USA, May 2002).
39. T. Ohno, H. Ishii, S. Matsuo, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, T. Furuta, H. Ito and Y.
Yoshikuni; "Long-wavelength semiconductor ring mode-locked lasers incorporating passive deep-
ridge waveguides" Technical Digest. Conf. Lasers and Electro-Optics. (CLEO 2002), (vol.1)
CThV5, pp. 585-586, (Long Beach, U.S.A., May 2002).
40. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii,Y. Yoshikuni, and Y.
Tohmori; "High-speed error-free signal selection by a monolithically integrated 64-channel WDM
channel selector" Technical Digest of Optical Fiber Communications Conf. (OFC2002)., (vol.1) pp.
29-30 (Anaheim, CA, USA, March 2002).
41. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii,Y. Yoshikuni, and Y.
Tohmori; "64-Channel WDM Wavelength-Selective Receiver Monolithically Integrated on InP
Substrate", 28th European Conf. Optical Communication, (ECOC 2002), 2.3.2, (Copenhagen,
Denmark, Sept. 2002).
42. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Ito, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Suzuki and Y.
Tohmori; "Single-stage all-optical 3R at 40Gb/s retaining input wavelength using Sagnac
Interferometer Integrated with Parallel-Amplifier Structure (SIPAS)" 28th European Conf. Optical
Communication, (ECOC 2002), 7.3.7, (Copenhagen, Denmark, Sept. 2002).
43. Y. Suzaki, K. Asaka, Y. Kawaguchi, S. Oku, Y. Noguchi, S. Kondo, R. Iga, and
H. Okamoto; "Multi-channel Modulation in a DWDM Monolithic Photonic Integrated Circuit",
Proceedings of 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2002), A8-4, pp.
681-683, (Stockholm, Sweden, May 2002).
44. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, Y. Shibata, Y. Kawaguchi, H. Okamoto, Y. Kondo, Y. Yoshikuni, and Y.
Tohmori; " Inherently Mode-hop-free DBR Laser Array", IEEE 18th Int. Semiconductor Laser
Conf. (ISLC2002) Digest, PD-1, (Garmisch, Germany, Sep./Oct. 2002).
45. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima and Eiji Kurimoto; "Experimental Consideration
of Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", 2002 International Conference on Solid State
Devices and Materials, P5-31, (Nagoya, Japan, 2002).
46. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, and Y. Tohmori; "100- channel WDM
channel selector monolithically integrated on InP substrate", Proc. 29th European Conference on
Optical Communication -14th International Conference on Integrated Optics and Optical Fibre
Communication (ECOC-IOOC2003). Th1.6.2 pp. 924-925 (Rimini, Italy, Sept. 2003).
47. Y. Suzaki, H. Yasaka, H. Mawatari, K. Yoshino, Y. Kawaguchi, S. Oku, R. Iga, H. Okamoto, Y.
Kondo, and K. Asaka; "2.5-Gb/s Operation of Monolithically Integrated Eight-Channel WDM
16
Modulator Module with 25-GHZ Channel Spacing", Proc. Optical Fiber Communication
Conference (OFC2003), TuG4, Vol.1, pp.186-187, (Atlanta, GA, USA , March 2003).
48. Y. Tohmori, N. Fujiwara, T. Kakitsuka, Y. Shibata, F. Kano, M. Ishikawa , Y. Kawaguchi,
H. Okamoto, Y. Kondo, and Y. Yoshikuni; "Wavelength-selectable DBR Laser Array Inherently
Free from Mode-hopping for High-speed Switching", Proc. Optical Fiber Communication
Conference (OFC2003), ThF5, pp. 467-468, (Atlanta, GA, USA , March 2003).
49. S. Matsuo, Y. Yoshikuni, T. Segawa, Y. Ohiso, H. Okamoto; "Digirtally Tunable Laser Using
Ladder Type Filter and Ring Resonator", Proc. 11th European Conference on Integrated Optics
(ECOC2003) vol.1, 191-194 (Prague, Czech Republic, April 2003).
50. T. Matsuoka, H. Okamoto, and M. Nakao; "Growth of Wurtzite InN using MOVPE and its Optical
Characteristics", 5th International Conference on Nitride Semiconductors, We-A6.1, (Tokyo, Japan,
2003).
51. (Invited) T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y.
Uchiyama, and T. Makimoto: "MOVPE Growth of Wurtzite InN and its Optical Characteristics",
International Conference on Solid State Devices and Materials, F-4-1, (Tokyo, Japan, 2003).
52. (Invited) T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, and T.
Makimoto: "MOVPE Growth of InN and its Band-Gap Energy", 8th Wide-Bandgap III-Nitride
Workshop, WP-2-1, (Richmond, U.S.A., 2003).
53. (Invited) T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama,
H. Harima, and T. Makimoto: "MOVPE Growth of Wurtzite InN and Experimental Consideration
of Optical Characteristics", ONR Indium Nitride Workshop, Freemantle, 6-4, (Fremantle Australia,
2003).
54. Y. Suzaki, H. Yasaka, H. Mawatari, K. Yoshino, Y. Kawaguchi, S. Oku, R. Iga, and
H. Okamoto; "Beyond 80-Gb/s Throughput Monolithically Integrated Eight-Channel WDM
Modulator Module for Multi-Channel Optical Transmitter", Proc. Optical Fiber Communication
Conference (OFC2004) TuE1, (Los Angels, USA, 2004).
55. Y. Suzaki, H. Yasaka, Y. Kawaguchi, R. Iga, and H. Okamoto; " Channel-Block Switching
Operation over C-Band using Monolithic Eight-Channel WDM Modulators with Cyclic AWGs",
30th European Conference on Optical Comunic, Tu4.4.3, (Stockholm, Sweden, 2004).
56. (Invited) N. Fujiwara, T. Kakitsuka, N. Kikuchi, Y. Kawaguchi, H. Okamoto, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and Y. Tohmori; "6.1nm Tuning in a Mode-hop-free DBR Laser", OECC/COIN2004
Technical Digest., 15E2-3, pp. 702-703, (Yokohama, Japan, Jul. 2004).
57. N. Fujiwara, N. Kikuchi, T. Kakitsuka , Y. Kawaguchi, H. Okamoto, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, and Y. Tohmori; "Mode-hop-free tuning range enhanced by self-phase-adjustment in a
short-active-region DBR laser", Conference Digest. IEEE 19th International Semiconductor Laser
17
Conference (ISLC2004), SaA3, pp. 143-144, (Matsue, Japan, Sept. 2004).
58. S. Matsuo, S. -H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, and Y.
Yoshikuni; "Monolithically Integrated Digitally Tunable Laser Using Ladder Filter and Ring
Resonator", 30th European Conference on Optical Communication (ECOC 2004), vol.3, pp. 594-
595, (Stockholm, Sweden, Sept. 2004).
59. S. Matsuo, S. -H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, and Y.
Yoshikuni; "Digitally Tunable Ring Laser Using Ladder Filter and Ring Resonator", Conf. Digest
IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2004), SaA1, pp.139-140. ,
(Matsue, Japan, Sept. 2004).
60. (Invited) T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama,
H. Harima, and T. Makimoto; "Current Status of Nitride Semiconductors from GaN to InN -
MOVPE Growth of Characteristics -", International Workshop on Crystal Growth and
Characterization of Technologically Important Materials, 12, (Chennai, India, 2004).
61. Y. Akage, H. Fukano, T. Yamanaka, M. Tamura, K. Kishi, H. Okamoto, H. Nakajima, T. Saitoh, Y.
Kondo; "Return-loss-suppressed electroabsorption modulator with novel transmission line
electrodes on conductive substrate", 2005 Optical Fiber Communications Conf. (OFC2005)
Technical Digest, vol. 3, OWE4, (Anaheim, CA, USA, March 2005).
62. N. I. Cade, H. Gotoh, H. Kamada, T. Tawara, T. Sogawa, H. Nakano, and
H. Okamoto; "Electronic shell structure in single InAs/InGaAs quantum dots emitting at 1.3 µm,
Quantum Electronics and Laser Science Conference (QELS2005), vol. 2 pp. 1067-1069,
(Baltimore, MD, USA, May 2005).
63. J. Miyazu, T. Segawa, S. Matsuo, T. Ishii, H. Okamoto, Y. Kondo, H. Suzuki, and Y.
Yoshikuni; "Wavelength Tunable Mode-Locked Semiconductor Lasers", Int. Quantum Electronics
Conf. 2005 and the Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics 2005 (IQEC/CLEO-PR2005),
CWJ2-1, pp. 624-625, (Tokyo, Japan, July 2005).
64. K. Asaka, Y. Ohiso, T. Kurosaki, H. Okamoto, R. Iga, and Y. Tohmori; " Low Thermal Resistance
of 1.55-µm Buried-Heterostructure VCSEL on GaAs/AlAs DBR ", Tenth Opto-Electronics and
Communications Conf. (OECC2005), 6F3-3, (Seoul, Korea, July , 2005).
65. N. I. Cade, H. Okamoto, H. Gotoh, H. Kamada, T. Tawara, and T. Sogawa; "Optical characteristics
of single InAs/InGaAs quantum dots emitting around 1.3 µm", Int. Quantum Electronics Conf.
2005 and the Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics 2005 (IQEC/CLEO-PR2005), JTuH3-
2, pp. 255-256, (Tokyo, Japan, July 2005).
66. S. Matsuo, S-H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, and Y.
Yoshikuni; "Frequency Stability in High Speed Frequency Switching of Digitally Tunable Laser
Using Ladder Filter", Optical Fiber Communications Conf. (OFC2006), OWL3, (Anaheim, CA,
18
USA, March 2006).
67. N. Nunoya, Y, Shibata, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; "4.6 nm
mode-hop-free tunable DFB laser with high coupling coefficient gratings", IEEE LEOS Annual
Meeting Conf. WZ3 (Montreal, Que., Canada, Oct.-Nov. 2006).
68. N. Fujiwara, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; " Suppression of
thermal wavelength drift in SSG-DBR laser with thermal drift compensation structure", IEEE 20th
Int. Semiconductor Laser Conf. TuB7 pp.31-32 (Kohala Coast, HI, USA, Sept. 2006).
69. S. Matsuo, T. Segawa, T. Kakitsuka, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, and Y.
Yoshikuni; " Widely tunable laser using microring resonators", IEEE 20th Int.Semiconductor Laser
Conf. TuB2 pp. 21-22 (Kohala Coast, HI, USA, Sept. 2006).
70. T. Kakitsuka, S. Matsuo, S-H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and H. Suzuki; " Design of a widely tunable laser with a chirped ladder filter", 6th Int.
Conf. On Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Proceedings pp. 47-48 (Singapore, Sept.
2006).
71. N. Nunoya, Y, Shibata, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; " Novel
tunable DFB laser with separated high coupling coefficient gratings", Int. Conf. on Indium
Phosphide and Related Materials Conf. Proceedings pp. 68-71, 2006 (Princeton, NJ, USA, May
2006).
72. T. Yamaguchi, T. Tawara, H. Gotoh, H. Kamada, H. Okamoto, H. Nakano, and O. Mikami;
"Fabrication and Optical Properties of Hybrid-type Pillar Microcavity", 12th Optoelectronics and
Communications Conf. (OECC) 13D2-4, (Yokohama, Japan, July, 2007).
73. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi, T. Sogawa; “Cavity mode emission
in weakly coupled quantum-dots-cavity system” 9th Int. Conf. on Physics of Light-Matter Coupling
in Nanostructures (PLMCN9) FrB2-2, (Lecce, Italy, Apr. 2009).
74. T. Tawara, S. Hughes, H. Kamada, P. Yao, H. Okamoto, T. Tanabe, T. Sogawa; "Cavity-
QED assisted “attraction” between an exciton and a cavity mode in a planar photonic-
crystal cavity", Conference on Lasers and Electro-Optics and Int. Quantum Electronics
Conf. 2009 (CLEO/IQEC 09) ITuJ4, (Baltimore, USA, June 2009).
75. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi and T. Sogawa; "Influence of
Cavity Mode Emission on Single Photon Generation in Quantum-Dot-Cavity Systems", Int.
Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), I-6-2, (Miyagi, Japan, Oct.
2009).
76. H. Okamoto, T. Tawara, H. Gotoh, H. Kamada and T. Sogawa, "Growth and Characterization of
Telecommunication-Wavelength Quantum Dots using Bi as a Surfactant", 22nd Int.
Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2009), 18B-4-2, pp. 76-77, (Sapporo, Japan,
19
Nov. 2009).
77. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi, H. Gotoh; "Role of Background
Photons in a Strongly-Coupled Quantum Dot - Nanocavity System", 37th Int. Symp. on Compound
Semiconductors, ThD2-3 , (Kagawa, Japan, June 2010).
78. D. Suzuki, H. Nakazawa, R. Osozawa, H. Okamoto; "Formation of an AlN buffer layer by pulsed
laser deposition for SiC heteroepitaxy on Si substrate", The 7th International Symposium on
Intrinsic Josephson Effects and Plasma Oscillations in High-Tc Superconductors (Hirosaki, Japan,
May 2010).
79. H. Okamoto, T. Tawara, K. Tateno, H. Gotoh, H. Kamada and T. Sogawa; "Distinctive Feature of
Ripening During the Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy using Bi as a
Surfactant", 23rd Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2010), 12D-11-61,
(Kokura, Japan, Nov. 2010).
80. Yohei Otani, Yukio Fukuda, Tetsuya Sato, Hiroshi Toyota, Hiroshi Okamoto and Toshiro Ono ,
"Interface Properties of GeNx/Ge Fabricated by Electron-cyclotron-resonance Plasma Nitridation",
2011 MRS Spring Meeting, P4.6, April 27, 2011 San Francisco, California.
81. H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H.Gotoh, "DLTS Characterization of
In(Ga)As-quantum DotsFabricated using Bi as a Surfactant", 26th Int. Microprocesses and
Nanotechnology Conf. (MNC 2013), 8D-9-2, (Sapporo, Japan, Nov. 2013).
82. Y. Otani, K. Yanachi, H. Ishizaki, C. Yamamoto, J. Yamanaka,T. Sato, T. Takamatsu, H. Okamoto,
and Y. Fukuda, "Formation of Metal Germanate Interlayer for High-k/Ge Metal-oxide-
semiconductor structures by Atomic Layer Deposition Assisted by Microwave-generated Atomic
Oxygen", The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition 2014 (ALD 2014), 16P074,
(Kyoto, Japan, June 15-18, 2014).
83. T. Yokohira, K. Yanachi, D. Yamada, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu,
H. Okamoto, and Y. Fukuda, "Role of low-energy ion irradiation in the formation of aluminum
germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition," the 13th
International Symposium on Sputtering and Plasma Process, (Kyoto, Japan, July 8-10, 2015) Proc.
pp. 90-93 (2015).
84. Y. Fukuda, D. Yamada, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, and H. Okamoto, "Effects
of electrode metal and thermal treatment on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack
grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition", 16th International Conference
on Atomic Layer Deposition (ALD 2016), P-02-060, (Dublin, Ireland, July 26, 2016).
85. D. Yamada, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, H. Okamoto, Y. Fukuda, "Formation
of Al and Hf Germanates as Interlayers between High-κ Dielectrics and Ge Substrates by Radical-
Enhanced Atomic Layer Deposition", The 6th International Symposium on Organic and Inorganic
20
Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017), PA4-1-2, (Fukui, Japan,
June 21, 2017).
86. Y. Kobayashi, T. Kimura, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura, " Boron Nitride
Thin Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy", 2017 International
Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), PS-8-06, (Tsukuba, Japan,
September 21, 2017).
87. Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura, "Growth of Single-
Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular
Beam Epitaxy", 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM
2018), PS-11-01, (Tokyo, Japan, September 9-13, 2018).発表は9/13
88. H. Okamoto , K. Takita , K. Tsushima , T. Tawara , K. Tateno , G. Zhang, and H. Gotoh, " Low-
Temperature Formation of GeSn Nanodots by Tin Mediation", 31st International Microprocesses
and Nanotechnology Conference (MNC2018), 14D-2-1, (Nov. 13-16, 2018, Sapporo Park Hotel,
Sapporo, Japan).
89. K. Tsushima, K. Takita, H. Nakazawa, T. Tawara, K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh and H. Okamoto,
"Study on the Formation Mechanism of Bismuth-Mediated Ge Nanodots Fabricated by Vacuum
Evaporation", 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018),
16P-11-51, (Nov. 13-16, 2018, Sapporo Park Hotel, Sapporo, Japan).
90. Yasuyuki Kobayashi, Keiichi Nakata, Hideki Nakazawa, Hiroshi Okamoto, Masanobu Hiroki and
Kazuhide Kumakura, "Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on
Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers", 11th International Symposium on Advanced
Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 12th International Conference
on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2019/IC-PLANTS2019), 20aF06O , (March 17
- 21, 2019, Nagoya, Japan).
国際会議発表論文（編集委員による査読）
1. H. Okamoto, H. Narita, T. Iwasaki, T. Ono, Y. Fukuda, Y. Otani, H.Toyota, M. Sakuraba, J.
Murota, and M. Niwano; " DLTS Evaluation of GeNX/Ge Structures Fabricated by ECR-Plasma
Techniques", 4th International Workshop on Nanostructures & Nanoelectronics, (Sendai, Japan,
March 7, 2013).
2. H. Okamoto, H. Narita, T. Ono, Y. Fukuda, Y. Otani, T. Sato, H. Toyota, M. Sakuraba, J. Murota,
and M. Niwano; "Comparison of the properties of traps in Ge-MIS structures by conductance
method and deep level transient spectroscopy (DLTS)", 7th International WorkShop on New Group
IV Semiconductor Nanoelectronics, O-5, (Sendai, Japan, Jan. 28, 2014).
3. (Invited) Hiroshi Okamoto, Tomoya Yokohira, Kosei Yanachi, Chiaya Yamamoto,
21
Byeonghaku Yoo, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Toshiyuki Takamatsu, Hidefumi Narita,
and Yukio Fukuda, " Formation mechanism of aluminum germanate layer on germanium
substrate by radical-enhanced atomic layer deposition ", 8th International WorkShop on
New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, I-04, (Sendai, Japan, Jan. 30, 2015).
4. (Invited) Hiroshi Okamoto, Daichi Yamada, Hidefumi Narita, Yohei Otani, Chiaya
Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, and Yukio Fukuda, "Effects of postdeposition
treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate
by radical-enhanced atomic layer deposition", 9th International WorkShop on New Group
IV Semiconductor Nanoelectronics, I-04, (Sendai, Japan, Jan. 11, 2016).
5. (Invited) H. Okamoto, "Self-organized nanostructure formation of III-V and grope IV
semiconductors by using bismuth" Collaborative Conference on 3D and Materials
Research (CC3DMR), p. 311 (Incheon/Seoul, Korea, June 23, 2016).
国際会議発表論文（査読なし）
1. (Invited) H. Okamoto, " Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-
current DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type
GaN", Forth Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4), ED-
III-3, (Sendai, Japan, Nov. 18-20, 2018). 発表は11/20
招待講演リスト
（国際会議，国内学会リストと重複掲載）
（ 国際会議招待講演リスト）
1. H. Okamoto, H. Yasaka, and K. Oe; "A Wavelength-tunable Duplex Integrated Light Source", SPIE
Conference Proceeding of High-Speed Semiconductor Laser Sources, vol. 2684, pp. 118-126, (San
Jose, USA, 1996).
2. Y. Kawaguchi, M. Okamoto, H. Okamoto , H. Fukano, Y. Tohmori, Y. Suzaki, M. Nakao and M.
Yamamoto; "MOVPE Selective Growth of Spot-size Converter for 1.3 µm Lasers", Second
International Conf. on High Speed Opto-electronics for Communications. (Snowbird, U.S.A. 1996)
3. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and C. Amano; "Single Transverse Mode Operation of
1.55-μm BH VCSELs", Solid State Devices and Materials (SSDM), G-3-1 334 (Nagoya Sept. 2002).
4. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama,
and T. Makimoto; "MOVPE Growth of Wurtzite InN and its Optical Characteristics", International
Conference on Solid State Devices and Materials, F-4-1, (Tokyo, Japan, 2003).
22
5. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, and T. Makimoto;
"MOVPE Growth of InN and its Band-Gap Energy", 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop, WP-
2-1, (Richmond, U.S.A., 2003).
6. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H. Harima,
and T. Makimoto; "MOVPE Growth of Wurtzite InN and Experimental Consideration of Optical
Characteristics", ONR Indium Nitride Workshop, 6-4, (Fremantle Australia, 2003).
7. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, N. Kikuchi, Y. Kawaguchi, H. Okamoto, Y. Kondo, Y. Yoshikuni, and
Y. Tohmori; "6.1nm Tuning in a Mode-hop-free DBR Laser", OECC/COIN2004 Technical
Digest., 15E2-3, pp. 702-703, (Yokohama, Japan, Jul. 2004).
8. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H. Harima,
and T. Makimoto; "Current Status of Nitride Semiconductors from GaN to InN -MOVPE Growth
of Characteristics-", International Workshop on Crystal Growth and Characterization of
Technologically Important Materials, 12, (Chennai, India, 2004).
9. Hiroshi Okamoto,1 Tomoya Yokohira,2 Kosei Yanachi,2 Chiaya Yamamoto,3 Byeonghaku
Yoo,3 Junji Yamanaka,4 Tetsuya Sato, 3 Toshiyuki Takamatsu,5 Hidefumi Narita,1 and Yukio
Fukuda, " Formation mechanism of aluminum germanate layer on germanium substrate by
radical-enhanced atomic layer deposition ", 8th International WorkShop on New Group
IV Semiconductor Nanoelectronics, I-04, (Sendai, Japan, Jan. 30, 2015).
10. Hiroshi Okamoto, Daichi Yamada, Hidefumi Narita, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji
Yamanaka, Tetsuya Sato, and Yukio Fukuda, "Effects of postdeposition treatments on the
electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced
atomic layer deposition", 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor
Nanoelectronics, I-04, (Sendai, Japan, Jan. 11, 2016).
11. H. Okamoto, " Self-organized nanostructure formation of III-V and grope IV
semiconductors by using bismuth" collaborative conference on 3D and Materials Research
(CC3DMR), p. 311 (Seoul, Korea, June 23, 2016).
12. H. Okamoto, " Evaluation of deep levels in N-polar GaN epitaxial layers by photo-current
DLTS: An approach to reveal the self-compensation effect of Mg doping in p-type GaN",
Forth Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4), ED-III-3,
(Sendai, Japan, Nov. 20, 2018).
（ 国内学会招待講演リスト）
1. 田村宗久，赤毛勇一，伊賀龍三，岡本 浩，奥 哲，近藤 進，都築 健，野口悦男，山
中孝之，近藤康洋「EA 変調器及び EA 変調器集積ＤＦＢレーザの高速化と低電圧化」2001
年度電子情報通信学会秋季大会シンポジウム SC-2-8, （2001 年 9月，電気通信大学)
23
2. 大礒義孝，岡本 浩，伊賀龍三，岸 健志，天野主税，「1.55μｍ帯埋込み面発光レーザ」，
電子情報通信学会技術研究報告 LQE2001-144 2002 pp49-54（2002 年 2月）
3. 柴田泰夫，菊池順裕，奥 哲，伊藤敏夫，岡本 浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木安弘，東
盛裕一，「モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子（SIPAS）」，2002 年電気情報通
信学会総合大会講演論文集 C-4-24（2002年 3月早稲田大学）
4. 伊藤敏夫，柴田泰夫，岡本 浩，奥 哲，川口悦弘，佐藤里江子，菊池順裕，近藤康洋，
鈴木安弘，「モノリシック集積波長変換素子 SIPAS を用いた 10Gb/s 波長多重チャネルか
ら 40Gb/s チャネルへのビットレート変換」，2002 年電気情報通信学会総合大会講演論文
集（2002年 3 月早稲田大学）
5. 浅香航太，大礒義孝，黒崎武志，伊賀龍三，岡本 浩，加藤和利，「長波長帯埋込み面発
光レーザの開発」，電気情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 CS-4-8（2005年 9月，
北海道大学）
6. 岡本 浩，俵 毅彦，舘野功太，章 国強，後藤秀樹，「Bi を媒介した In(Ga)As 並びに
Geナノドットの自己形成」，信学技報, vol. 117, no. 191, R2017-24, pp. 1-6, (2017
年 8月, 弘前文化センター）
国内学術講演
（国内学会報告）
1. 国吉繁一, 岡本浩, 田中國昭, 大木創;「高分子・半導体 MIS 構造の電気的特性」, 昭和
56年電気学会全国大会講演論文集, 273,（1981 年 3月）
2. 国吉繁一, 岡本浩, 田中國昭, 大木創;「MOS 界面の充電 TSC (IV)-界面捕獲電子のエネ
ルギー再分布過程の検討」, 第 43回応用物理学学術講演会, 28p-S-4,（1982 年 9月, 九
州産業大学）
3. 石塚文則, 岡本浩, 巻島秀男;「半絶縁性 GaAs 基板上のインダクタの特性」, 昭和 59 年
度電子通信学会総合全国大会, 860,（1984 年 3月, 早稲田大学理工学部）
4. 岡本浩, 大坂次郎, 小林隆, 小林健二;「LEC法 GaAs 結晶中のホールトラップの評価」
第 33 回応用物理学関係連合講演会, 1p-V-15,（1986 年 4月, 日本大学生産工学部）
5. 大坂次郎, 岡本浩, 日向文明, 渡辺和夫;「In添加 VM-FEC 法無転位 GaAs 結晶の熱処理
による特性改善機構」, 第 33回応用物理学関係連合講演会, 4p-X-6,（1986 年 4月, 日
本大学生産工学部）
6. 岡本浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 大町督郎;「熱処理 GaAs on Si のフォトルミネッセンス」,
第 48 回応用物理学会学術講演会, 20p-X-7（l987 年 10 月, 名古屋大学）
7. 大町督郎, 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩;「ポーラス Si 上の GaAs 成長」, 第 48回応用
物理学会学術講演会, 20a-X-5（l987 年 10月, 名古屋大学）
8. 大町督郎, 西岡孝, 岡本浩, 門田好晃;「GaAs on Si の熱処理効果」, 第 48 回応用物理
24
学会学術講演会, 20p-X-6,（l987年 10月, 名古屋大学）
9. 門田好晃, 渡辺義夫, 岡本浩, 大町督郎;「MOCVD による Si基板上の GaAs 成長 I」, 第
48回応用物理学会学術講演会, 20a-X-10,（l987 年 10 月, 名古屋大学）
10. 門田好晃, 岡本浩, 渡辺義夫, 大町督郎;「M0CVDによる Si基板上の GaAs成長 II」, 第
48回応用物理学会学術講演会, 20a-X-11,（l987 年 10 月, 名古屋大学）
11. 岡本浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 大町督郎;「歪超格子を導人した GaAs on Si の内部応力」,
第 35 回応用物理学関連連合講演会, 29p-Z-8,（1988 年 3月, 法政大学）
12. 関昌浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「歪超格子中間層を持つ Si 基板上
GaAs層の欠陥観察」, 第 35回応用物理学関係連合講演会, 29p-Z-2（l988 年 3月, 法政
大学）
13. 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「歪超格子を導入した GaAs on Si の結晶欠陥
評価」, 第 35回応用物理学関係連合講演会, 29p-Z-4（l988 年 3月, 法政大学）
14. 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「Si基板上の AlGaAs/GaAs単一量子井戸によ
るへテロ界面の評価」, 第 35回応用物理学関係連合講演会, 29p-Z-13（l988 年 3月, 法
政大学）
15. 門田好晃, 岡本浩, 渡辺義夫, 大町督郎;「Si基板上の GaAs 太陽電池特性」, 第 35回
応用物理学関係連合講演会, 29p-E-5,（l988 年 3 月, 法政大学）
16. 門田好晃, 岡本浩, 渡辺義夫, 大原多賀彦, 大町督郎;「Si基板上の高効率 GaAs 太陽電
池」, 第 49回応用物理学会学術講演会, 7p-Y-16,（l988年 10月, 富山大学）
17. 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「InGaAs 系，AlGaAs系中間層を導入した Si 基
板上 GaAs成長」, 第 49回応用物理学会学術講演会, 7p-Y-6,（l988年 10月, 富山大学）
18. 大原多賀彦, 岡本浩, 門田好晃, 大町督郎;「Si基板上に形成した薄膜 GaAs 太陽電池」
昭和 63 年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集, 2-352,（l988 年 3月）
19. 岡本浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 大町督郎;「InGaAs／GaAs歪超格子による GaAs on Siの
転位低減（低減機構）」, 第 36回応用物理学関係連合講演会,2p-ZM-8,（1989 年 4月, 千
葉大学）
20. 大町督郎, 渡辺義夫, 岡本浩, 門田好晃;「InGaAs/GaAs歪超格子による GaAs on Siの
転位低減（TEM観察）」, 第 36回応用物理学関係連合講演会, 2p-ZM-7,（1989 年 4月, 千
葉大学）
21. 門田好晃, 小浜剛孝, 渡辺義夫, 岡本浩, 大原多賀彦, 大町督郎;「Bragg 反射層付き
GaAs on Si太陽電池」, 第 36回応用物理学関係連合講演会, 2a-V-5,（1989 年 4月, 千
葉大学）
22. 大原多賀彦, 岡本浩, 門田好晃, 大町督郎;「GaAs-on-Si構造薄膜太陽電池」, 1989年
電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集 C-103, （1990年 9月）
23. 岡本浩, 大原多賀彦, 門田好晃, 大町督郎;「電子線照射した GaAs/Si の DLTS 測定」,
25
第 37 回応用物理学関係連合講演会, 28p-PC-38,（1990 年 3月, 東洋大学朝霞校舎）
24. 田所貴志, 岡本浩, 川上剛司, 小濱剛孝;「1.5 µm 面発光レーザの発振特性」, 第 52 回
応用物理学会学術講演会, 11p-ZM-2,（1991 年 10 月, 岡山大学）
25. 田所貴志, 岡本浩, 小濱剛孝, 川上剛司, 黒川隆志;「1.5 µm 帯面発光レーザの室温パ
ルス発振」, 第 39回応用物理学関係連合講演会,（1992年 3月, 日本大学理工学部習志
野校舎）
26. 岡本浩, 八坂洋, 佐藤憲史, 吉國裕三, 尾江邦重, 岸健志, 近藤康洋, 山本みつ夫;「可
変波長 Duplex 集積光源による 10 Gbit/s 光信号の高速波長の切換動作」, 1995 年電子
情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-205,（1995年 9月, 中央大学理工学部）
27. 岡本浩, 八坂洋, 吉國裕三, 尾江邦重;「可変波長 Duplex 集積光源の波長ドリフト及び
熱クロストｰクの抑制」, 1995年電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-206,（1995 年
9月, 中央大学理工学部）
28. 和田正人, 岡本浩, 神徳正樹, 河野健治, 門田好晃, 近藤康洋, 岸健志, 近藤進, 東盛
裕一, 界義久, 小高勇, 野口悦男, 板屋義夫;「2 インチ InP 基板上に作製したスポット
サイズ変換機能付き LDII」, 1995 年電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-296,（1995
年 9月, 中央大学理工学部）
29. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 伊賀龍三, 岡本浩, 馬渡宏泰;「C2H6-RIEを用いたプロセ
スにおける InP表面ダメージ層の電気的評価 」, 第 56回応用物理学学術講演会, 26a-
ST-9,（1995年 8月, 金沢工業大学）
30. 岡本浩, 須崎泰正, 東盛裕一, 岡本稔, 近藤康洋, 門田好晃, 山本みつ夫, 中尾正史,
岸健志, 界義久, 板屋義夫, 杉江利彦; 「2 ｲﾝﾁ InP 基板上に作製したﾊﾞｯﾄｼﾞｮｲﾝﾄ選択成
長ｽﾎﾟｯﾄｻｲｽﾞ変換レーザの均一性」, 電子情報通信学会 1996 年総合大会, C-369,（1996
年 3月, 東京工業大学）
31. 河野健治, 神徳正樹, 和田正人, 岡本浩, 板屋義夫, 永沼充;「薄膜コアリッジ形スポッ
ト変換 LDの 3-D BPMによる設計」, 電子情報通信学会 1996 年総合大会, C-367,（1996
年 3月, 東京工業大学）
32. 和田正人, 岡本浩, 神徳正樹, 河野健治, 門田好晃, 近藤康洋, 岸健志, 近藤進, 界義
久, 小高勇, 野口悦男, 板屋義夫;「スポット拡大機能付きレーザ」, 電子情報通信学会
1996年総合大会, C-368,（1996年 3月, 東京工業大学）
33. 須崎泰正, 三冨修, 東盛裕一, 岡本浩, 近藤康洋, 界義久, 岡本稔, 門田好晃;「pn-BH
構造を考慮したバットジョイント型スポットサイズ変換 LD における結合効率の検討」,
電子情報通信学会 1996年総合大会, C-368,（1996 年 3 月, 東京工業大学）
34. 岡本浩, 和田正人, 界義久, 川口悦弘, 近藤康洋, 門田好晃, 岸健志, 板屋義夫; 「1.3
µm 帯狭出射ビームスーパールミネッセントダイオード」, 1996年電子情報通信学会ｴﾚｸ
ﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-280,（1996年 9月, 金沢大学）
26
35. 河野健治, 神徳正樹, 東盛裕一, 岡本浩, 和田正人, 三冨修, 界義久, 板屋義夫, 永沼
充; 「各種スポット変換 LD(SS-LD)の結合特性の 3-D BPM による比較」, 電子情報通信学
会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-299,（1996 年 9月, 金沢大学）
36. 黒崎武志, 東盛裕一, 笠谷和生, 三冨修, 界義久, 和田正人, 岡本浩, 岡本稔, 須崎泰
正;「バットジョイント構造を有するスポットサイズ変換レーザの発振スペクトル特性の
検討」, 電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-305,（1996 年 9月, 金沢大学）
37. 界義久, 黒崎武志, 和田正人, 岡本浩, 東盛裕一, 鳥羽弘;「スポット変換 LD の近端戻
り光雑音特性」, 電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-306,（1996年 9月, 金沢大
学）
38. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 伊賀龍三, 岡本浩, 馬渡宏泰;「C2H6-RIEを用いたプロセ
スにおける InP表面ダメージ層の電気的評価(II)」, 第 43回応用物理学関係連合講演会,
27p-M-17,（1996 年 3月, 東洋大学朝霞校舎）
39. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 岡本浩, 馬渡宏泰;「C2H6-RIEにより InP表面に導入され
る欠陥の電気的性質」, 第 57回応用物理学学術講演会, 8p-ZH-3,（1996年 9月, 九州
産業大学）
40. 岡本浩, 尾江邦重;「準安定混晶 InAsBiの MOVPE 成長」, 第 58 回応用物理学会学術講演
会, 4p-V-3,（1997年 10月, 秋田大学）
41. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 近藤康洋, 門田好晃, 岡本浩, 馬渡宏泰 ; 「炭化水素
系 RIE プロセス後の InP表面上への MOVPE 再成長前処理新手法」, 第 44回応用物理関係
連合講演会, 29a-M-3, （1997年 3月, 日本大学船橋校舎）
42. 岡本浩, 尾江邦重;「光学的手法による MOVPE成長 InAsBiのバンドギャップ評価」, 第
45回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZM-4,（1998 年 3月, 東京工科大学）
43. 尾江邦重, 岡本浩;「GaInAs 混晶の MOVPE 低温成長」, 第 45回応用物理学関係連合講演
会, 28a-ZM-1,（1998年 3 月, 東京工科大学）
44. 尾江邦重, 岡本浩;「GaAsBi 混晶の MOVPE エピタキシャル成長」, 第 45回応用物理学関
係連合講演会, 28a-ZM-2,（1998年 3月, 東京工科大学）
45. 尾江邦重, 岡本浩;「GaAsBi エピタキシャル膜の評価」, 第 45 回応用物理学関係連合講
演会, 28a-ZM-3,（1998年 3月, 東京工科大学）
46. 赤毛勇一，河野健治，奥 哲，伊賀龍三，岡本 浩，宮本 裕，竹内博昭「進行波電極
構造 EA 変調器集積 DFBレーザの開発」，2001 年電子情報通信学会総合大会 C-3-80（2001
年 3月）
47. 吉村了行，神徳正樹，三条広明，黒崎武志，奥 哲，岡本 浩，吉國裕三，「2.5Gb/s-
16ch-100GHz 半導体 AWG-PDモジュール」，2001 年電子情報通信学会総合大会 C-3-93（2001
年 3月）
48. 菊池順裕，柴田泰夫，岡本 浩，川口悦弘，奥 哲，石井啓之，吉國裕三，東盛裕一「モ
27
ノリシック集積型 64ch-WDM 用チャネルセレクタ」，2001 年電子情報通信学会ソサイエテ
ィ大会講演論文集 C-3-68（2001年 9月）
49. 柴田泰夫，菊池順裕，奥 哲，伊藤敏夫，岡本 浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木安弘，「モ
ノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)におけるフィルタフリー動作」，
2001年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 C-3-65（2001年 9月）
50. 伊藤敏夫，柴田泰夫，岡本 浩，奥 哲，川口悦弘，佐藤里江子，菊池順裕，近藤康
洋，鈴木安弘，「モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)を用いた
10Gb/s波長多重チャネルから 40Gb/s チャネルへのビットレート変換」，2001 年電子情
報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 C-3-66（2001 年 9月）
51. 岡本 浩，「分光エリプソメータを用いた InGaAsP 成長層の非破壊評価」，第 62回応用物
理学会学術講演会,12a-T-2(2001年 9月 愛知工業大学）
52. 大礒義孝，岡本 浩，伊賀龍三，岸 健志，舘野功太，天野主税，「1.55μｍ帯埋込み面
発光レーザの低閾値電流・単一横モード動作」，第 62 回応用物理学会学術講演会 14p-B-
8 (2001年 9月 愛知工業大学）
53. 柴田泰夫，菊池順裕，奥 哲，伊藤敏夫，岡本 浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木安弘，「モ
ノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)」第 62 回応用物理学会学術講演会
13p-Y-17，(2001 年 9月 愛知工業大学）
54. 菊池順裕，柴田泰夫，岡本 浩，川口悦弘，奥 哲，石井啓之，吉國裕三，東盛裕一，「モ
ノリシック集積型 64ch-WDM 用チャネルセレクタによるチャネル切換特性」，2002 年電気
情報通信学会総合大会講演論文集 C-3-6（2002年 3月早稲田大学）
55. （招待講演）柴田泰夫，菊池順裕，奥 哲，伊藤敏夫，岡本 浩，川口悦弘，近藤康洋，
鈴木安弘，東盛裕一，「モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子（SIPAS）」，2002年
電気情報通信学会総合大会講演論文集 C-4-24（2002 年 3月早稲田大学）
56. （招待講演）伊藤敏夫，柴田泰夫，岡本 浩，奥 哲，川口悦弘，佐藤里江子，菊池順裕，
近藤康洋，鈴木安弘，「モノリシック集積波長変換素子 SIPAS を用いた 10Gb/s 波長多重
チャネルから 40Gb/s チャネルへのビットレート変換」，2002 年電気情報通信学会総合大
会講演論文集（2002 年 3月早稲田大学）
57. 浅香航太， 須崎泰正，川口悦弘，近藤進，野口悦男，岡本浩，伊賀龍三，奥 哲，「パッ
シブ導波路を有するモノリシック集積型 EA‐SOAの損失補償動作」，第４９回応用物理学
関係連合講演会講演予稿集 VOL.49th, NO.3 p.1183 （2002年 3月，東海大学）
58. 大野哲一郎，石井啓之，松尾慎治，岡本浩，川口悦弘，近藤康洋，古田知史，伊藤弘，吉
国裕三，「パッシブ・ハイメサ導波路を用いた半導体リングモード同期レーザ」，第４９回
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 VOL.49th, NO.3 ，p.1183（2002年 3 月，東海大
学）
59. 松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治, 萩原恵美 : "InNのバンドギャップ・
28
エネルギ", 第 49回応用物理学関係連合講演会予稿集, p.392 (29p-ZM-1) （2002 年 3
月，東海大学）
60. 菊池順裕, 柴田泰夫, 岡本浩, 川口悦弘, 奥哲, 石井啓之, 吉国裕三, 東盛裕一 ，「モ
ノリシック集積型 64ch‐WDM 波長選択受信器」，2002 応用物理学会学術講演会講演予稿
集 VOL.63rd, NO.3, p.1021，(2002 年 9月，新潟大学)
61. 柴田泰夫, 菊池順裕, 奥哲, 伊藤敏夫, 岡本浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 鈴木安弘, 東盛
裕一 「モノリシック波長変換素子 (SIPAS) を用いた 40Gb/s 同一波長 3R」，2002 応用物
理学会学術講演会講演予稿集 VOL.63rd, NO.3, p.1034，(2002 年 9月，新潟大学)
62. 須崎泰正, 浅香航太, 川口悦弘, 奥哲, 野口悦男, 近藤進, 伊賀龍三, 岡本浩，「モノリ
シック集積型多チャンネル変調素子」，2002応用物理学会学術講演会講演予稿集 VOL.63rd,
NO.3, p.1021，(2002年 9 月，新潟大学)
63. 松岡隆志, 岡本浩, 中尾正史, 播磨弘, 栗本英治, 谷賢典: "ウルツ鉱型 InNの結晶性
と MOVPE成長条件", 第 63回応用物理学会学術講演会予稿集, p.339 (26a-YH-11) (2002
年 9月，新潟大学).
64. 馬渡宏泰，須崎泰正，八坂 洋，吉野 薫，川口悦弘，奥 哲，伊賀龍三，岡本 浩，近
藤康洋，浅香航太，「モノリシック集積型多チャンネル光変調素子の 2.5Gbps 動作」，
2003年電気情報通信学会総合大会講演論文集 C-3-3，(2003 年 3月，東北大学）
65. 藤原直樹，硴塚孝明，岡本 浩，川口悦弘，近藤康洋，吉國裕三，東盛裕一，「モードホ
ップフリー分布反射型（DBR）レーザの波長可変特性」，2003 年電気情報通信学会総合大
会講演論文集 C-4-20，(2003 年 3月，東北大学)
66. 瀬川徹, 松尾慎治, 大磯義孝, 岡本浩，「マッハツェンダー干渉計とリング共振器を用い
た高速波長可変フィルタ」，第 50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集VOL.50th, NO.3,
p.1287（, 2003年 3 月，神奈川大学）
67. 菊池順裕, 柴田泰夫, 岡本 浩, 川口悦弘, 奥 哲, 近藤康洋, 東盛裕一，「モノリシ
ック集積 100 チャネル WDM チャネルセレクタ」，電子情報通信学会 2003 年ソサイエティ
大会, C-4-47，（2003年，新潟大学）
68. 赤毛勇一, 岡本 浩, 岸 健志, 深野秀樹, 山中孝之, 保井孝子, 高橋 亮, 斎藤
正，「1.55μm 帯 InGaAsP/InGaAsP 多重量子井戸(MQW)構造のキャリアエスケープタイ
ム評価」，第 64回応用物理学会学術講演会講演予稿集 VOL.64th, NO.3, p.1312,（2003
年 8月，福岡大学）
69. 須郷 満, 柴田泰夫,岡本 浩, 竹下達也, 上岡裕之, 都築 健, 東盛裕一「OCT応用
1300nm SLD におけるリップル低減の検討」，第 64 回応用物理学会学術講演会講演予稿
集 VOL.64th, NO.3 , p.912（2003 年 8月，福岡大学）
70. 松尾慎治, 吉国裕三, 瀬川徹, 大磯義孝, 岡本浩，「ラダー型構造を持つ広帯域波長可変
フィルタ」，応用物理学会学術講演会講演予稿集 VOL.64th, NO.3, p.1078（2003 年）
29
71. 須崎泰正，八坂洋，馬渡宏泰，吉野薫，川口悦弘，奥哲，伊賀龍三，岡本浩「モノリシッ
ク集積型 WDM 用 8ch 光変調素子の 80Gb/s スループット動作」，電気情報通信学会総合大
会講演論文集 C-3-58（2004 年 3月，東京工業大学）
72. 浅香航太，大礒義孝，岡本浩，岸健志，伊賀龍三，鈴木博之 「単一横モード 1.55μm 帯
埋込み面発光レーザの緩和振動周波数評価」，2004 応用物理学関係連合講演会講演予稿集
VOL.51st, NO.3 p.1265（2004年 3月，東京工科大学）
73. 松尾慎治, 吉国裕三, 瀬川徹, 大いそ義孝, 岡本浩，「ラダー型フィルタとリング共振器
を用いた波長可変レーザ」，応用物理学関係連合講演会講演予稿集 VOL.51st, NO.3,
p.1312（2004 年 3月，東京工科大学）
74. 浅香航太，大礒義孝，岡本 浩，岸 健志，伊賀龍三，東盛裕一，「1.55μm 帯埋込み VCSEL
の熱抵抗評価」，電気情報通信学会 2004 ソサイエティ大会 C-4-2（2004 年 9 月，徳島大
学）
75. 松尾慎治，JEONG S‐H，瀬川徹，岡本浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木博之，吉国裕三，「ラ
ダー型フイルタとリング共振器を用いた波長可変レーザ (II)」，第 65 回応用物理学会学
術講演会講演予稿集 VOL.65th, NO.3, p.1019（2004 年 9月，東北学院大学）
76. 松岡隆志, 岡本浩, 硴塚孝明, 牧本俊樹，「ウルツ鉱型 InN の光学吸収特性の温度依存
性」，第 65 回応用物理学関係連合講演会予稿集, (3a-W-10) (2004 年 9月，東北学院大
学)
77. 赤毛勇一，深野秀樹，山中孝之，田村宗久，岸 健志，岡本 浩，中島裕樹，齊藤 正，
近藤康洋，「マイクロ波入出力線路構造を有する n-InP 基板上 40Gbps EA 変調器」，電
気情報通信学会総合大会講演論文集 C-4-2（2005年 3月，大阪大学）
78. 浅香航太，大礒義孝，黒崎武志，伊賀龍三，岡本 浩，東盛裕一，「1.55 μm 帯埋込み
型 VCSELの熱解析」，電気情報通信学会総合大会講演論文集 C-4-17（2005 年 3月，大阪
大学）
79. ニコラスケイド，後藤秀樹，鎌田英彦，俵 毅彦，寒川哲臣， 中野秀俊，岡本 浩，「1.3μm
で発光する単一 InAs/InGaAs 量子ドットにおける電子シェル構造」，2005 応用物理学関
係連合講演会講演予稿集 VOL.52nd, NO.3, p.1568（2005 年 3月，埼玉大学）
80. JEONG S.‐H., 松尾慎治, 瀬川徹, 岡本浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 鈴木博之, 吉国裕
三，「チャープしたラダーフィルタを用いる半導体波長可変レーザ」，電気情報通信学会
ソサイエティ大会講演論文集 C-4-31（2005 年 9月，北海道大学）
81. （招待講演）浅香航太，大礒義孝，黒崎武志，伊賀龍三，岡本 浩，加藤和利，「長波長
帯埋込み面発光レーザの開発」，電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 CS-4-8
（2005 年 9月，北海道大学）
82. 松尾慎治, JEONG S.‐H., 瀬川徹, 岡本浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 鈴木博之, 吉国裕
三 ，「チャーピングしたラダー型フィルタを用いた波長可変レーザ」，第 66 回応用物理
30
学会学術講演会講演予稿集 VOL.66th, NO.3, p.1013（2005 年 9月，徳島大学）
83. 岡本 浩，後藤秀樹，ニコラスケイド，鎌田英彦，寒川哲臣，「Biサーファクタントを用
いた In(Ga)As 量子ドットの MOVPE 成長」，第 53 回応用物理学関係連合講演会 25p-T-19
（2006 年 3月，武蔵工業大学）
84. ニコラスケイド，後藤秀樹，鎌田英彦，俵 毅彦，岡本 浩，中野秀俊，「InAs 量子ドッ
トからの 1.3 ミクロン帯オンデマンド単一光子発生」，第 67 回応用物理学会学術講演会
31p-RE-13（2006 年 8月，立命館大学）
85. 山口貴雄，俵毅彦，後藤秀樹，鎌田英彦，岡本浩，中野秀俊，三上修，「量子ドットを有
するハイブリッド型ピラー微小共振器の発光特性」，第 54 回応用物理学関係連合講演会
28p-ZB-10（2007 年 3月，青山学院大学）
86. 俵 毅彦，鎌田英彦，田辺孝純，Nicholas Cade1，倉持栄一，Yong-Hang Zhang，岡本 浩，
後藤秀樹，納富雅也，寒川哲臣，「線欠陥型ナノ共振器に埋め込まれた低密度量子ドット
の発光特性」，第 68回応用物理学会学術講演会 7p-R-12（2007 年 9月，北海道工業大学）
87. 山口貴雄，俵 毅彦，鎌田英彦，後藤秀樹，岡本 浩，中野秀俊，三上 修，「量子ドッ
トを有するハイブリッド型ピラー微小共振器からの単一光子発生」，第 55 回応用物理学
関係連合講演会 28a-ZX-7（2008年 3月，日本大学）
88. 俵 毅彦，鎌田英彦，岡本 浩，納富雅也，寒川哲臣，「ガス凝縮共振モード離調法によ
る励起子ー光子結合状態の評価」，第 69 回応用物理学会学術講演会 2p-V-16（2008 年 9
月，中部大学）
89. 俵毅彦，S. Hughes，鎌田英彦，P. Yao，岡本浩，田辺孝純，寒川哲臣，「励起子ー共振器
結合におけるアトラクション現象」，第 56 回応用物理学関係連合講演会 31p-ZN-6（2009
年 3月，青山学院大学）
90. 岡本浩，俵毅彦，後藤秀樹，鎌田英彦，寒川哲臣；「Bi サーファクタントを用いた In(Ga)As
量子ドットの MOVPE 成長と評価 II」，第 70 回応用物理学会学術講演会 10a-C-7（2009 年
9月，富山大学）
91. 俵毅彦，鎌田英彦，Stephen Hughes，岡本浩，納富雅也，寒川哲臣；「非共鳴励起下にお
ける励起子ー共振器結合系の光子統計」，第 70回応用物理学会学術講演会 8p-TH-8（2009
年 9月，富山大学）
92. 俵毅彦，鎌田英彦，Stephen Hughes，岡本浩，納富雅也，後藤秀樹；「単一励起子ー光子
強結合状態の励起条件依存性」，第 57 回応用物理学関係連合講演会 17a-TM-19（2010 年
3月，東海大学）
93. 岡本浩，俵毅彦，後藤秀樹，鎌田英彦；「Bi サーファクタントを用いた In(Ga)As 量子ド
ットの MOVPE 成長と評価 III」，第 57 回応用物理学関係連合講演会 17p-TW-3（2010 年 3
月，東海大学）
94. 佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；「キャパシタンスメー
31
タとデータ収録装置を用いた DLTS 測定装置の構築と Ge-MIS 界面の評価」，平成 22 年度
電気関係学会東北支部連合大会講演論文集 1H01, p.249（2010 年 8月，八戸工業大学）
95. 三上嘉孝，秋元光一郎，中島崇詞，松原 弘，岡本浩；「空間光通信と仮想音像定位を利
用した視覚障害者用歩行支援装置の検討」，平成 22 年度電気関係学会東北支部連合大会
講演論文集 2F04, p.198（2010年 8月，八戸工業大学）
96. 俵毅彦，鎌田英彦，S. Hughes，岡本浩，納富雅也，後藤秀樹，寒川哲臣；「単一励起子
ー光子強結合状態の励起条件依存性 II」，第 71 回応用物理学会学術講演会 16p-NC-10
（2010 年 9月，長崎大学）
97. 岡本浩，俵毅彦，舘野功太，後藤秀樹，鎌田英彦，寒川哲臣；「Bi ｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いた In(Ga)As
量子ﾄﾞｯﾄの MOVPE 成長と評価 IV」，第 71回応用物理学会学術講演会 15p-ZV-6（2010 年 9
月，長崎大学）
98. 佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；「ECR プラズマ法によ
る SiN/GeN/Ge-MIS 界面の DLTS 評価」，第 71回応用物理学会学術講演会 15p-ZA-11（2010
年 9月，長崎大学）
99. 岡本浩，鈴木聡一郎，舘野功太，俵毅彦，後藤秀樹，鎌田英彦，寒川哲臣；「Bi サーフ
ァクタントを用いた In(Ga)As 量子ドットの MOVPE 成長と評価 V」，第 58 回 応用物理学
関係連合講演会 24p-BQ-9（2011年 3月，神奈川工科大学）
100. 飯田真正，石崎博基，王谷洋平，森田直樹，佐藤哲也，岡本浩，小野俊郎，福田幸
夫；「マイクロ波生成プラズマ支援 ALD 法による Si 基板上 HfO2 薄膜の形成」，第 58 回
応用物理学関係連合講演会 25p-KW-12（2011 年 3月，神奈川工科大学）
101. 佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩； 「ECR プラズマ法
による Ge-MIS 構造中絶縁膜の DLTS と C-t 測定による評価」，平成 23年度電気関係学
会東北支部連合大会講演論文集 2F17，p. 228，（2011 年 8月，東北学院大学）
102. 岩崎拓郎，佐藤真哉，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；「ECR プラズマ法
による Ge-MIS 構造の低温並びに室温コンダクタンス法による界面準位密度評価」，平成
23年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集 2F18，p. 229，（2011年 8 月，東北学
院大学）
103. 鈴木聡一郎，佐藤真哉，岩崎拓郎，俵毅彦，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣，岡本
浩；「In(Ga)As 積層量子ドット構造の DLTS 評価」，平成 23 年度電気関係学会東北支部連
合大会講演論文集 2F19，p. 230，（2011 年 8月，東北学院大学）
104. 臼井友洋，川田桂輔，小鹿優太，足立伸太郎，渡辺孝夫，岡本浩；「Na 置換 CaCu3Ti4012
単結晶における誘電率」，平成２４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文
集，MC6-2, pp,1251-1252 (2012年 9月, 弘前大学).
105. 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫, 岡本浩;「ECR プラズマ法によって作製
した n 型並びに p 型 GeNx/Ge 構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価」，平成
32
２４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集，MC6-7, pp,1271-1275 (2012
年 9月, 弘前大学).
106. 岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫;「ECRプ
ラズマ法によって作製した Ge-MIS 構造における界面近傍トラップの DLTS 評価」平成２
４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集，MC6-8, pp,1276-1279 (2012年
9月, 弘前大学).
107. 岩崎拓郎，照井悠惟, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫, 岡本浩;「ECR プラズマ法形
成 GeNx/Ge 界面の低温コンダクタンス法による界面準位密度分布評価」,第 73 回応用物
理学会学術講演会 11a-PB1-5（2012 年 9月, 愛媛大学・松山大学）
108. 成田英史，佐藤真哉，岩崎拓郎，小野俊郎，王谷洋平，福田幸夫，岡本浩;「DLTS 法
による ECR プラズマ法 GeNx/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価」,第 73
回応用物理学会学術講演会 11a-PB1-6（2012 年 9月,愛媛大学・松山大学）
109. 岡本浩，佐藤崇信，堤浩一，鈴木道夫，熊谷義直，久保田有紀，永島徹，木下亨，
Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, 村上尚, 纐纈明伯,
Zlatko Sitar;「HVPE 成長フリースタンディング AlN 基板の異方性を考慮した分光エリ
プソメトリー評価」,第 73 回応用物理学会学術講演会 13a-H10-10（2012 年 9 月,愛媛大
学・松山大学）
110. 関渓太，石崎博基，王谷洋平, 山本千綾, 山中淳二, 佐藤哲也, 泉康平，岡本浩，
小野俊郎，福田幸夫;「ECR プラズマ法により Ge 基板上に低温形成した GeO2 および
GeNx中間層の界面特性の比較」,第 73 回応用物理学会学術講演会 11a-PB1-3（2012 年 9
月,愛媛大学・松山大学）
111. 王谷洋平, 石崎博基, 岩崎拓郎, 泉康平, 岡本浩, 小野俊郎, 佐藤哲也, 福田幸
夫;「低温形成 GeNx/Ge 構造の PDA 処理による特性改善と熱安定性」,第 73 回応用物理
学会学術講演会 11a-PB1-4（2012年 9月, 愛媛大学・松山大学）
112. 梁池昴生，花田毅広，石崎博基，王谷洋平，山本千綾，山中淳二，佐藤哲也，岡本浩，
福田幸夫；「マイクロ波生成原子状酸素を酸化剤として用いたＡＬＤ法によるＧｅ基板上
へのＡｌジャーマネイト薄膜の自発的形成」，第 60 回 応用物理学関係連合講演会 29p-
PB1-16（2013 年 3月, 神奈川工科大学）
113. 鈴木聡一郎，岡本浩，舘野功太，俵毅彦，後藤秀樹，寒川哲臣；「Bi ｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用い
た In(Ga)As 量子ﾄﾞｯﾄの DLTS評価」，第 60回 応用物理学関係連合講演会 29a-PB7-4（2013
年 3月, 神奈川工科大学）
114. 成田英史，岩崎拓郎，福田幸夫，王谷洋平，小野俊郎，岡本浩；「DLTS法による ECR
プラズマ法 GeNx/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価Ⅱ」，第 74 回応用物
理学会学術講演会 18p-P9-6（2013 年 9月，同志社大学）
115. 岡本浩，林一稀，小林弓華，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹；「Biサーファク
33
タントを用いた Geナノドットの低温形成」，第 60 回 応用物理学関係連合講演会 18p-F6-
7（2014年 3月, 青山学院大学）
116. 成田 英史，福田 幸夫，王谷 洋平，梁池 昂生, 花田 毅広, 石崎 博基，岡本 浩；
「ALD 法による Al ジャーマネイト絶縁層を用いた Ge-MIS 構造における界面近傍トラッ
プの DLTS 評価」，第 60 回 応用物理学関係連合講演会 19p-PG2-6（2014 年 3 月, 青山学
院大学）
117. 横平知也, 梁池昂生 1, 柳炳學, 山本千綾，山中淳二，佐藤哲也, 岡本浩，福田幸
夫； 「Radical-Enhanced ALD法による Ge基板上 Alジャーマネイトの形成機構に関する
検討」，第 62回 応用物理学会春期学術講演会 12a-P12-7（2015年 3月, 東海大学）
118. 成田 英史，山田 大地，福田 幸夫，鹿糠 洋介，岡本 浩；「Radical-enhanced ALD 法
による Ge-MIS構造の欠陥評価」，第 76 回応用物理学会秋季学術講演会 13p-PA5-3（2015
年 9月，名古屋国際会議場）(9/13～9/16, 発表は 9/13）
119. 鈴木良優, 滝田健介, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 岡本浩；「Bi プレデ
ィポジションによる Ge ナノドットの 石英基板上への低温形成」応用物理学会東北支部
第７０回学術講演会 3P21 （2015年 12月, 平川市 ホテルアップルランド）（12/3～12/4,
発表は 12/3）
120. 成田英史，山田大地，福田幸夫，岡本浩 1；「Radical-enhanced ALD 法による Ge-MIS
構造の欠陥評価価(2);熱処理効果」，第 63回応用物理学会春季学術講演会 19p-P3-2（2016
年 3月，東京工業大学）（3/19～3/22, 発表は 3/19）
121. 寺島勝哉，野々田亮平，正直花奈子，谷川智之，松岡隆志，鈴木秀明，岡本浩；「N極
性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性」第 77 回応用物理学会秋
季学術講演会 14a-P6-6（2016 年 9月，新潟市朱鷺メッセ）
122. 山田大地, 王谷洋平, 山本千綾，山中淳二，佐藤哲也, 岡本浩，福田幸夫；「REALD
形成 Al2O3/GeO2/p-Ge MOS キャパシターの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響」
第 77回応用物理学会秋季学術講演会 16a-P4-7（2016 年 9月，新潟市朱鷺メッセ）
123. 滝田健介，対馬和都，遠田義晴，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，池田高之，
水野誠一郎，岡本浩；「真空蒸着と低温アニールによる Bi 媒介 Ge ナノドット形成-１」，
第 64 回応用物理学会春季学術講演会 15p-P7-3 (2017年 3月，横浜市パシフィコ横浜)
124. 対馬和都，滝田健介，中澤日出樹，遠田義晴，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，
岡本浩；「真空蒸着と低温アニールによる Bi媒介 Ge ナノドット形成-2」，第 64回応用物
理学会春季学術講演会 15p-P7-4 (2017年 3月，横浜市パシフィコ横浜)
125. 滝田健介，対馬和都, 遠田義晴, 俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩，
“真空蒸着法による Bi 媒介 Ge ナノドットの形成過程評価”，平成 29 年度電気関係学会
東北支部連合大会，1G03，（2017年 8月，弘前大学）
126. 寺島 勝哉，野々田 亮平，正直 花奈子，谷川 智之，松岡 隆志，岡本 浩 「N極性
34
n 型 GaN 上 Ni ショットキー特性に対するアニール効果の評価」平成 29 年度電気関係学
会東北支部連合大会 1C0 (2017年 8月，弘前大学)
127. 鈴木秀明，寺島勝哉，及川峻梧，野々田亮平，谷川智之，松岡隆志，岡本浩；「N 極
性 Mg ドープ p型 GaNの光電流 DLTS 評価」，第 78回応用物理学会秋季学術講演会 6p-PA8-
20（2017年 9 月，福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル）
128. 対馬和都，滝田健介，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，池田高之，水野誠一郎，
岡本 浩「真空蒸着と低温アニールによる Bi 媒介 Ge ナノドット形成-3」第 78 回応用物
理学会秋季学術講演会 7p-PA9-5] （2017 年 9 月，福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サ
ンパレスホテル）
129. 長浜優，山田大地，王谷洋平，福田幸夫，岡本浩「RE-ALD 形成 Al2O3/GeO2/p-Ge MOS
キャパシタの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響 -２」第 78回応用物理学会秋季
学術講演会 6a-PA9-3（2017 年 9 月，福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル）
130. 山田大地，王谷洋平，山本千綾，山中淳二，佐藤哲也，岡本浩，福田幸夫「原子層堆
積法により Ge 基板上に形成した Al2O3 への酸素ラジカル照射が Al2O3/p-Ge 界面特性に
及ぼす影響」第 78 回応用物理学会秋季学術講演会 6a-PA9-2（2017 年 9 月，福岡国際会議
場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル）
131. 小林 康之，木村 拓磨，中澤 日出樹，岡本 浩，廣木 正伸，熊倉 一英「MBE による
(0001)サファイア基板上 BN 薄膜成長」第 78 回応用物理学会秋季学術講演会 8a-A301-1
（2017年 9月，福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル）
132. 木村 拓磨，小林 康之，中澤 日出樹，岡本 浩「真空蒸着によるガラス基板上の C60
薄膜成長」第 78回応用物理学会秋季学術講演会 6a-A413-8（2017年 9月，福岡国際会議場・
福岡国際センター・福岡サンパレスホテル）
133. 上西理加, 山田大地, 王谷洋平, 福田幸夫, 岡本浩，「Alジャーマネイト絶縁層を
有する n型基板 Ge-MIS構造の電気的特性評価」，応用物理学会東北支部第 72 回学術講演
会, 19p- 30p-A05, 秋田大学, 2017 年 11月．
134. 王谷洋平，山田大地，白倉麻依，山本千綾，山中淳二，佐藤哲也，岡本浩，福田幸夫，
「p-Ge 基板 上に ALD 堆積 した Al 2O3 への酸素 ラジカル 照射 の及ぼす影響」，平
成 29 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, E05, (2017年 12月 9日，金沢歌舞
伎座)．
135. 小林康之，中田啓一，中澤日出樹，岡本 浩，廣木正伸，熊倉 一英，「MBE による h-
BN バッファ層を用いた(0001)サファイア基板上 GaN 成長」第 65 回応用物理学会春季学
術講演会 18p-E202-22（2018年 3月 17日～3月 20 日，早稲田大学）
136. 中田啓一，中澤日出樹，岡本浩，小林 康之，「ペンタセン薄膜導入による C60薄膜の
結晶性向上」第 65回応用物理学会春季学術講演会 18a-G205-2（2018 年 3 月 17 日～3 月
20日，早稲田大学）
35
137. K. Tsushima, K. Takita, T. Tawara, K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, and H.
Okamoto, "Bi-mediated formation of Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation",
平成 30 年度電気関係学会東北支部連合大会 Student Session 2F03, （2018 年 9月 6日
～9月 7日，岩手大学）
138. 対馬和都，滝田健介，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩，「真空蒸着と
低温アニールによる Sn 媒介 GeSn ナノドット形成」，第 79 回応用物理学会秋季学術講演
会，19p-PB7-6，(2018年 9/18～9/21，名古屋国際会議場)
139. 小林 康之，中田 啓一，中澤 日出樹，岡本 浩，廣木 正伸，熊倉 一英，「h-BN/AlN
バッファ層を用いたサファイア基板上 GaN 薄膜の MBE 成長」，第 79 回応用物理学会秋季
学術講演会，18a-146-13，(2018年 9/18～9/21，名古屋国際会議場)
140. 中田 啓一、中澤 日出樹、岡本 浩、小林 康之，「ペンタセン薄膜のテラス幅制御」
応用物理学会東北支部第 73回東北支部学術講演会，2pB04，(2018 年 12 月 6 日・12月 7
日，東北大学)
141. 小林 康之，中田 啓一，中澤 日出樹，岡本 浩，廣木 正伸，熊倉 一，「MBE による
ガラス基板上 BN 薄膜成長」，第 66回応用物理学会春季学術講演会，11p-W541-15，(2019
年 3月 9日～3月 12日，早稲田大学)
142. 小林 康之，小豆畑 敬，中澤 日出樹，岡本 浩，廣木 正伸，熊倉 一英，「ガラス基
板上 MBE 成長 BN 薄膜のラマン散乱」，第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，18a-PB3-
39，(2019 年 9月 18日～9月 21日，北海道大学)
（国内学会シンポジウム＆研究会報告）
1. 永沼充, 竹内博昭, 佐藤憲史, 岡本浩;「半導体高速光素子のﾓﾉﾘｼｯｸ集積」, 信学会光波
ﾏｲｸﾛ波相互作用研究会, OMI96-9, (1996年 7月, 港区, 東京)
2. 河野健治,岡本浩, 永沼充, 板屋義夫; 「通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計」，
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 98 pp. 61-66(99 年 1月，大阪大学)
3. 柴田泰夫，菊池順裕，奥 哲，伊藤敏夫，岡本 浩，川口悦弘，鈴木安弘，近藤康洋，「ﾓ
ﾉﾘｼｯｸ集積 Parallel Amplifires Structure(PAS)構造を用いたﾌｨﾙﾀﾌﾘｰ波長変換」，2001
年電子情報通信学会総合大会シンポジウム SC-3-11（2001年 3月）
4. 吉村了行，神徳正樹，三条広明，黒崎武志，奥哲，岡本浩，狩野文良，吉國裕三，「ＰＤ
を集積した半導体アレイ導波路回折格子（AWG-PD）の 2.5 Gb/s 受信特性」，電子情報通
信学会研究技術報告 LQE2001-36(2001 年 7月)
5. （招待講演）田村宗久，赤毛勇一，伊賀龍三，岡本 浩，奥 哲，近藤 進，都築 健，
野口悦男，山中孝之，近藤康洋「EA変調器及び EA 変調器集積ＤＦＢレーザの高速化と低
電圧化」2001年度電子情報通信学会秋季大会シンポジウム SC-2-8, （2001 年 9 月，電気
通信大学)
36
6. 柴田泰夫，菊池順裕，奥哲，伊藤敏夫，岡本浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木安弘，「モ
ノリシック集積差分位相変調型 波長変換素子 (SIPAS)を用いたフィルタフリー波長変
換」電子情報通信学会技術研究報告 LQE2001-72 Vol.101 pp. 11-15（2001 年 11月 高
知工科大）
7. 伊藤敏夫，柴田泰夫，岡本浩，奥哲，川口悦弘，佐藤里江子，菊池順裕，近藤康洋，鈴木
安弘，「モノリシック集積素子 SIPAS を用いた 40Gb/s LAN 間ブリッジ」電子情報通信学
会技術研究報告 PS2001-64，vol.101 pp. 169-174（2001年 12月沖縄）
8. 浅香航太， 須崎泰正，奥哲，川口悦弘，近藤進，岡本浩，伊賀龍三，野口悦男，「パッシ
ブ導波路を有するモノリシック集積型 EA-SOA」，電子情報通信学会技術研究報告
LQE2001-116, vol.101 pp. 67-70（2002 年 1月 九州工業大学）
9. 菊池順裕，柴田泰夫，岡本浩，川口悦弘，奥哲，石井啓之，吉國裕三，東盛裕一，「新構
成法による半導体モノリシック集積型 64ch-WDM 用チャネルセレクタ」，電子情報通信学
会技術研究報告 LQE2001-115, Vol.101, pp.61-66（2002年 1月 九州工業大学）
10. （招待講演）大礒義孝，岡本浩，伊賀龍三，岸健志，天野主税，「1.55μｍ帯埋込み面発
光レーザ」，電子情報通信学会技術研究報告 LQE2001-144 2002 pp49-54（2002 年 2 月）
11. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima and E. Kurimoto : "OPTICAL BANDGAP
ENERGY of InN", 第 21回電子材料シンポジウム，pp. 3-6 (2002).
12. 松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治 : "ウルツ鉱型 InN のバンドギャッ
プ・エネルギ", 電子情報通信学会技術研究報告, LQE2002-19~47, B1, pp.85-88 (2002).
13. 大磯義孝, 岡本浩, 伊賀龍三, 岸健志, 浅香航太，「1.55μm 帯埋込み VCSELs」，2003 電
気学会光・量子デバイス研究会資料 VOL.OQD‐03, pp.5-10，（2003 年 12月）
14. 藤原直樹, 硴塚孝明, 岡本 浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 吉國裕三, 東盛裕一，「波長選
択型モードホップフリーDBRレーザアレイ」，電子情報通信学会技術研究報告 OPE2003-
33 Vol. 103 pp.47-50，(2003年 07月）
15. 須崎泰正，八坂洋，馬渡宏泰，吉野薫，川口悦弘，奥哲，伊賀龍三，岡本浩，「モノリシ
ック集積型多チャンネル変調素子」，電子情報通信学会技術研究報告，LQE2003-43, pp.
35-38（2003 年 8月）
16. 菊池順裕, 柴田泰夫, 岡本浩, 川口悦弘, 奥哲, 近藤康洋, 東盛裕一，「半導体モノリシ
ック集積による大規模 WDM チャネルセレクタ」レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 電
子情報通信学会技術研究報告，vol.103, pp. 69-72（2003年 12月）
17. 松尾慎治，吉國裕三，瀬川徹，大礒義孝，岡本浩「ラダー型フィルターとリング共振器を
用いた波長可変レーザ」電子情報通信学会技術研究報告 Vol.103， OPE2003-179，（2003
年 12 月）
18. 松尾慎治，鄭錫煥，瀬川徹，岡本浩，川口悦弘，近藤康洋，鈴木博之，吉國裕三，「ラダ
ー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ」，電子情報通信学会技
37
術研究報告 LQE2005-115, vol.105, pp. 13-16（2005 年 12月）
19. 岡本浩，俵毅彦，後藤秀樹，鎌田英彦，寒川哲臣，「Biサーファクタントを用いた通信波
長帯量子ドットの成長と評価」，電子情報通信学会技術研究報告 vol. 109, no. 171,
CPM2009-46, pp. 67-72 (2009 年 8月)
20. 中澤日出樹，鈴木大樹，遲澤遼一，岡本浩，「レーザーアブレーション法による Si 基板
上 AlN 薄膜の形成」；電子情報通信学会技術研究報告 vol.110, no.154, CPM2010-38,
pp. 39-44 (2010 年 8月)
21. 鈴木聡一郎，佐藤真哉，岩崎拓郎，俵毅彦，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣，岡本浩，
「In(Ga)As 積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性の DLTS 評価」；電子情
報通信学会技術研究報告 vol.111, no.176, CPM2011-57, pp. 7-10 (2011 年 8月)
22. 岩崎拓郎，佐藤真哉，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩，「低温と室温における
コンダクタンス法の組合せによる Ge-MIS 構造の界面準位密度評価」；電子情報通信学会
技術研究報告 vol.111, no.176, CPM2011-64, pp. 43-46(2011 年 8月)
23. 佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩，「ECR プラズマ法によ
って作製した Ge-MIS構造の DLTSと C-t測定による評価」；電子情報通信学会技術研究報
告 vol.111, no.176, CPM2011-65, pp. 47-50(2011 年 8月)
24. 佐藤真哉，岡本浩，「DLTS 法による Ge-MIS 構造の評価に関する研究」；平成 23 年度 第
1回情報処理学会東北支部研究会，26-1-1（2011 年 9月，弘前大学）
25. 三上嘉孝，岡本浩，「空間光通信と仮想音像定位による視覚障がい者用案内装置の研究」；
平成 23 年度 第 1回情報処理学会東北支部研究会，26-1-2（2011 年 9月，弘前大学）
26. 成田英史，山田大地，福田幸夫，鹿糠洋介，岡本浩，「Radical-Enhanced ALD 法によって
形成した Al ジャーマネイト/Ge 界面とその近傍の欠陥評価」；電子情報通信学会技術研
究報告 vol. 115, no. 179, CPM2015-44, pp. 67-70, (2015 年 8月, 弘前大学).（8/10
～8/11，発表は 8/11)
27. 田代昂己，岡本浩「ディジタル変調による空間光通信を利用した案内装置の開発」；平成
27年度情報処理学会東北支部研究会，B1-3，(2016年 2月, 弘前大学).
28. 山田大地, 王谷洋平, 山本千綾，山中淳二，佐藤哲也, 岡本浩，福田幸夫；「ラジカル
援用原子層堆積法で形成した Al2O3/GeO2/p-Ge 構造上のゲート電極金属が電気的特性に
及ぼす影響」 応用物理学会 北陸・信越支部 第 3 回有機・無機エレクトロニクスシン
ポジウム，(2016 年 7月, 石川県政記念しいのき迎賓館) (2016年 7月 15日（金）～7
月 16 日（土）, 発表は 15日）
29. 鹿糠洋介，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；「MCTS 評価並びに解析手法の検討と Ge 基板中
に ECR プラズマプロセスによって導入された欠陥の評価」，情報処理学会東北支部研究報
告 Vol.2016, No.6, A1-3（2017 年 2月，弘前大学）(2017 年 2月 20日)
30. （招待講演）岡本浩，俵 毅彦，舘野 功太，章 国強，後藤 秀樹；「Biを媒介した In(Ga)As
38
並びに Geナノドットの自己形成」，電子情報通信学会技術研究報告 vol. 117, no. 193,
(R2017-24, EMD2017-18, CPM2017-39, OPE2017-48, LQE2017-21), pp. 1-6, (2017年 8
月, 弘前文化センター).（8/31～9/1，発表は 8/31)
31. 対馬和都，滝田健介，中澤日出樹，俵 毅彦，舘野功太，章 国強，後藤秀樹，池田高之，
水野誠一郎，岡本 浩，「真空蒸着法による Bi 媒介 Ge ナノドットの形成機構の検討」電
子情報通信学会技術研究報告, vol. 118, no. 179, CPM2018-12, pp. 21-24, (2018年
8/9～8/10, 弘前大学，発表は 8/9).
（２－４）特許
特許（成立済）
1. 大町督郎，小濱剛孝，門田好晃，福田幸夫，渡辺義夫，岡本浩，「エピタキシャル成
長方法」，特公平 6-91027 平成 6年(1994)11月 14日
2. 岡本浩，尾江邦重，八坂 洋，吉國裕三，「半導体光源装置およびその制御方法」，特
許第 3168855 号 平成 13 年(2001)3 月 16日
3. 岡本浩，尾江邦重，佐藤憲史，吉國裕三，「半導体光源装置とその駆動方法」，特許
第 3257185 号 平成 13年(2001)12 月 7日
4. 岡本浩，和田正人，曲 克明，河野健治，野口悦男，板屋義夫，「スーパールミネッセ
ントダイオード」，特許第 3393634 号 平成 15年(2003)1 月 31日
5. 尾江邦重，岡本浩，「半導体の製造方法」，特許第 3406504 号 平成 15年(2003)3 月
7日
6. 岡本浩，尾江邦重，「半導体光素子とその製造方法」，特許第 3414992 号 平成 15年
(2003)4月 4 日
7. 岡本浩，福田光男，吉國裕三，「半導体光源装置，および，その制御方法」，特許第
3504848号 平成 15 年(2003)12月 19日
8. Matsuoka; Takashi, and Okamoto; Hiroshi, " Semiconductor light-emitting device for optical
communications", United States Patent 6,927,426, April 30, 2003.
9. 岡本浩，門田好晃，山中孝之，関 俊司，竹内博昭，八坂 洋，「半導体光変調器及び
モノリシック集積半導体光素子」，特許第 3765382 号 平成 18 年(2006)4 月 12 日
10. 岡本浩，「半導体量子ドット構造及びその製造方法」，特許第 3771925 号 平成 18 年
(2006)5 月 10 日
11. 岡本浩，「半導体量子ドット構造の製造方法」 特許第 4440876 号平成 22 年 (2010)1
月 15 日(登録) (2010)3 月 24 日(発行)
12. 岡本浩，「半導体薄膜構造とその製造方法」特許第 4545573 号【登録日】平成２２年７
月９日【発行日】平成２２年９月１５日
13. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
39
制御方法」，特許 4850757，平成 23年 10月 28日
14. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，中国特許 ZL200880006573.8，2012年 7月 18日
15. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，ドイツ特許 DE2120301，2012 年 8月 22日
16. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，フランス特許 FR2120301，2012 年 8月 22 日
17. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，イギリス特許 GB2120301，2012 年 8月 22 日
18. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，ドイツ特許 DE2309610，2014年 5月 7日
19. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，フランス特許 FR2309610，2014年 5月 7日
20. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子及びその制御装置，
制御方法」，イギリス特許 GB2309610，2014年 5月 7日
21. 藤原直樹，石井啓之，大橋弘美，岡本浩，「波長可変レーザ素子」，中国特許
ZL201210085505.3，2014年 11月 5日
22. 岡本浩，「案内システム」，特願 2012-74483，特許第 6044921 号，特許登録日：平成
28 年 11月 25日
23. 俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩「ナノ構造の製造方法」，特願２０１
４－１２３１１２，特許６２３８３６０，特許登録日：平成 29年 11月 10 日
特許（審査請求中，または未請求）
1. 大町督郎，森屋邦夫，門田好晃，岡本 浩，「薄膜結晶製造方法」，特開昭 63-280415
2. 大町督郎，門田好晃，渡辺義夫，岡本 浩，「ガスソースセル」，特開昭 63-123894
3. 岡本 浩，門田好晃，渡辺義夫，大町督郎，「半導体結晶の成長方法」，特開平 1-10618
4. 大町督郎，小濱剛孝，門田好晃，福田幸夫，渡辺義夫，岡本 浩，「エピタキシャル成長
方法」，特開平 1-211913
5. 大町督郎，門田好晃，岡本 浩，渡辺義夫，「熱処理方法」，特開平 1-246818
6. 岡本 浩，門田好晃，渡辺義夫，大町督郎，「薄膜太陽電池」，特開平 2-2184
7. 渡辺義夫，門田好晃，岡本 浩，大町督郎，「化合物半導体薄膜構造およびその形成方法」，
特開平 2-101736
8. 門田好晃，小濱剛孝，岡本 浩，渡辺義夫，大原多賀彦，大町督郎，「薄膜太陽電池」，
特開平 2-201973
9. 大原多賀彦，岡本 浩，「半導体基板の形成法」，特開平 2-220431
40
10. 岡本 浩，「半導体層形成法及びそれに用いる装置」，特開平 5-144752
11. 岡本 浩，池田正宏，柴田泰夫，「半導体光素子」，特開平 6-302903
12. 岡本 浩，尾江邦重，佐藤憲史，吉國裕三，「半導体光信号出力装置」，特開平 7-162394
13. 岡本 浩，松本信一，笠谷和生，奥 哲，「半導体光素子およびその製造方法」，特開平 8-
148758
14. 三冨 修，界 義久，近藤康洋，須崎泰正，東盛裕一，岡本 浩，「光結合デバイス」，特
開平 9-181395
15. 奥 哲，柴田泰夫，岡本 稔，吉本直人，近藤 進，岡本 浩，板屋義夫，「光導波路」，特
開平 9-197154
16. 岡本浩，小笠原松幸，伊賀龍三，近藤康洋，走査型容量顕微鏡およびこの顕微鏡を用いた
測定方法 特許出願２００２－１３６４７０ 平成１４年５月１３日（２００２．５．１
３）
17. 湯田正宏，伊賀龍三，大礒義孝，岡本浩，天野主税，面発光レーザ及びその製作方法特許
出願２００３－５２３１０ ２００３年２月２８日
18. 松岡隆志，岡本 浩，「半導体発光素子」，特開 2004-95724
19. 松岡隆志，岡本 浩，" Semiconductor Light-emitting Device ", EP Patent Application
3090120.1
20. 松岡隆志，岡本 浩，" Semiconductor Light-emitting Device ",韓国 Patent Application
10-2003-0018788
21. 松岡隆志，岡本 浩， " Semiconductor Light-emitting Device ",中国 Patent
Application 03107531.2
22. 岡本 浩，「半導体量子ドット構造及びその製造方法」，特願 2005-45172
23. 岡本 浩，「半導体積層構造の製造方法及び半導体量子ドット構造の製造方法」，特願 2006-
76183
24. 松岡隆志，岡本 浩，「半導体発光素子」，特願２００７－２２３４２７