avance3
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Presentacion de la tesis de doctotoradoTRANSCRIPT
Calculo de tensiones en películas sobre substrato
nanoestructurado
Miguel Bustamante S.
Crecimiento epitaxial
Problema
¿Por que es de interés el calculo de los esfuerzos y deformaciones de los cristales epitaxiales?
Van der Merwe
Los primeros trabajos son de Van der Merwe obtuvo una expresión de la energía para crecimientos epitaxiales que depende de la altura del sobre cristal.
Van der Merve
El crecimiento supuesto en el cálculo es por capa y es deseable, ya que el cristal está libre de defectos
En los años 90 se fabricaron películas epitaxiales de germanio sobre Silicio con dimensiones del orden de 100 nm.
Eaglesman, encontraron que se pueden obtener islas de Ge sobre Si libres de defectos, hasta espesores de 50 nm, que es superior a los predicho por Van der Merve.
Zubia at al. Calcularon desajustes máximo de una película sobre un sustrato nanestructurado, encontrando que el desajuste es mucho mayor que en el caso de epitaxial 2D.
Cristales epitaxiales nanoestructurado
Objetivo:
El objetivo general
Calcular los esfuerzos y deformaciones de una película heteroepitaxial sobre un sustrato nanoestracturado, usando geometrías reales.
Aspecto Teórico
Para el cálculo de los esfuerzos aplicaremos la teoría de elasticidad
Condiciones teóricas
Se considera un sustrato cristalino, no necesariamente cúbico
Los esfuerzos sobre las caras libres son cero.
Dimensiones finitas del sobre cristal
Ecuación diferencial
Resolución:●Analítica●Numérica
1 2 2u u 0
Calculo de tensiones y esfuerzos
Condiciones
Los esfuerzos en las caras libres es cero:
i , j n j 0
nj: Vector perpendicular a la superficie.
n
n
n
Rigidez infinita
Condición
n B 0
n
B
Problemas Las expresiones algebraicas de las condiciones de borde, condicionan la converegencia de la rutina.
Condiciona el número máximo de elementos.
u[N-1][1]=(ny*ny*u[N-1][0]+2.0*ny*nx*(-u[N-2][0]+u[N-1][0])-u[N-1][0]*vv)/(ny*ny-vv);
A resolver
Cristal 1
Cristal 2
Condiciones
Condiciones de borde en las caras libres
i , j n j 0
1i , j n j 2i , j n j 0
Condición de borde en la interfase
Problemas
La convergencia a una solución depende de los valores de E1 y E2 (Modulo de Young).
Cuando la razón E2/E1<0.1 converge.Cambio de metodología numérica:
Montecarlo.
Montecarlo
Metodología de motecarlo.
Por cada punto se calcula la energía asociada
Se perturba el punto Se calcula la nueva
energía asociada Se decide si la nueva
posición es energéticamente favorable.
Proximo calculo
Materiales de interes
TiO2NdGaO3LaAlO3GeSi
Fin
Miguel Bustamante S.