APUNTES DE LABORATORIOS DE ELECTRONICA

APLICACIONES DEL FETPRACTICA N 3

I.- OBJETIVOSVerificar el funcionamiento de un JFET en polarizacin por divisor de voltaje y autopolarizacin.Experimentar circuitos con JFET cuando opera como amplificador.

II.- FUNDAMENTO TEORICO

En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada que controla la corriente de salida.La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes.Los FETs, bsicamente son de dos tipos:El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.

EL JFET

El JFET esta constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. ALos terminales del canal N son denominados SURTIDOR (SOURCE) y DRENADOR (DRAIN). El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE).Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula nicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo elctrico el cual limita el paso de la corriente a travs del canal N (Fig.B). Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador disminuye.Tambin se construyen JFETs con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominndose JFET canal P.El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura (tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo.Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

VALORES COMERCIALES PARA EL JFETVoltaje VDS (V)25,30,40,50Potencia (W)0.15,0.3,1.8,30Para comprar un JFET se debe indicar su cdigo.PRUEBA DEL JFET

Se comprueba con un ohmmetro en la escala de Rx1 Rx10.Entre compuerta y surtidor o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso.Entre Drenador y surtidor, el valor hmico exclusivamente del material del canal. Su valor vara entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.III.- EQUIPO Y MATERIALESDos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.Un multitester digital o analgicoUn JFET K373Resistores W: de 470K , 82K, 1.5K, 820.Condensador Electroltico de 4.7F y 47F.

IV.- PROCEDIMIENTO

AUTOPOLARIZACIONArme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes nudos y puntos del circuito.

Con los resultados se llena la siguiente tabla:

MAGNITUDVALOR MEDIDOVALOR CALCULADOVGVSVDVDSISIDIGANALISIS DE PEQUEA SEAL

Apague la fuente y agregue al circuito anterior los condensadores y la fuente de seales, energice la fuente y aplique una seal de 0.01 V ( 10 mV a 1KHz) a travs de Vi y mida tanto la salida VO como Vi con ayuda del Osciloscopio y determinar la ganancia AC del amplificador de tensin.Con los resultados se llena la siguiente tabla:MAGNITUDVALOR MEDIDOVALOR CALCULADOViVoAv

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSIONArme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes nudos y puntos del circuito.

Con los resultados se llena la siguiente tabla:

MAGNITUDVALOR MEDIDOVALOR CALCULADOVGVSVDVDSISIDIG

ANALISIS DE PEQUEA SEALApague la fuente y agregue al circuito anterior los condensadores y la fuente de seales, energice la fuente y aplique una seal de 0.01 V ( 10 mV a 1KHz) a travs de Vi y mida tanto la salida VO como Vi con ayuda del Osciloscopio y determinar la ganancia AC del amplificador de tensin.

Con los resultados se llena la siguiente tabla:

MAGNITUDVALOR MEDIDOVALOR CALCULADOViVoAv