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AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA PARA BAJA FRECUENCIA (AUDIO) 1

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AMPLIFICADORES

LINEALES DE POTENCIA

PARA BAJA FRECUENCIA

(AUDIO)

1

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Introducción 2

Pre

Amplificador

Etapa

de

Potencia

Vi Vo

• Niveles de tensión y corrientes grandes

• Transfiere potencia hacia a la carga con niveles aceptables de distorsión.

• Rangos de tensión y corrientes pequeños.

• Alta ganancia de tensión para reducir la no linealidad y la distorsión.

• Gana en Potencia.

Etapa de salida, cuyo objetivo es entregar la máximapotencia a la carga, con la mínima distorsión y conrendimiento máximo, sin sobrepasar, los límites máximospermitidos de los elementos empleados.

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Introducción 3

El parlante o altavoz convierte una corriente eléctrica en ondas acústicas de

presión, que se logran mediante el desplazamiento de una superficie, que de este modo mueve el aire, y este movimiento se propaga, cubriendo una superficie cada vez mayor.

Las ondas acústicas pueden ser detectadas por el oído humano si tienen el nivel y la frecuencia adecuados.

Nivel: El oído tiene un margen dinámico de unos 120 dB.

Frecuencia: el oído puede percibir sonidos entre 20 Hz y 15 kHz. Aunque de forma habitual se considera que la banda de audio llega a 20 kHz, es absolutamente excepcional que un adulto puede llegar a oír esta frecuencia.

Las impedancias características de los parlantes son: 4 , 8 , 16 y 32

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4

Especificaciones técnicas Sensibilidad de entrada (Input level) Tensión de saturación de entrada (Maximum input level) Impedancia de entrada y salida (Input/output impedance) Potencia de salida (Power output) Respuesta en frecuencia (Frequency response) Distorsión armónica total(Harmonic Distortion) Relación señal a ruido (Signal-to-noise ratio) Ruido equivalente de entrada (Equivalent input noise)

Margen dinámico (Dynamic range)

4CARACTERISTICAS Etapa de salida Excitado con grandes señales (del orden de Vcc) Carga pequeña (4, 8, 16) Proporcionan grandes señales de potencia a sus cargas. Cuanto menor es , mayor es la disipación y por tanto el calentamiento en

el equipo. Problema debido a la distorsión de no linealidad que se producen en las

señales de potencia (grandes) Los modelos de pequeña señal NO VALEN

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5Rendimiento

1 0 0O

C C

Px

P

Rendimiento: Potencia entregada a la carga / potencia que entrega la fuente

Potencia de entrada= Potencia de salida + potencia disipada

5

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CC o disP P P

CC iP P≫

Rendimiento

1 0 0O

C C

Px

P

11O

dis CC O O O

PP P P P P

La potencia que deben disipar los componentes es:

El rendimiento en los sistemas de potencia afecta a la vida de lasbaterías y al costo del equipo. Toda la potencia que no se entrega a lacarga se disipa en forma de calor (se pierde).

.CC CC CCP I VPcc: Potencia continua que entrega la fuente de alimentación

Potencia de entrada = Potencia de salida + potencia disipada

CC i o disP P P P

6

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Clasificación de los amplificadores de Potencia7

Se clasifican según la fracción de tiempo que están conduciendoel/los transistores del circuito, lo cual determina la forma de onda dela corriente en colector, producida por una entrada senoidal:

Clase A. Conduce todo el tiempo,ángulo de conducción = .t =

360°, ICQ >Ip

Clase B. Conduce mitad del tiempo,

ICQ=0; ángulo de conducción = .t =

180° (mayor )

La clasificación esta dada según:

• la zona de trabajo de los dispositivos de salida.

• Tipo de carga

•la frecuencia

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8

Clase AB. Conduce más de lamitad del tiempo, ángulo deconducción 180°< <360° ICQ <Ip, ,menor distorsión.

Clase C. Conduce pequeñafracción de tiempo , ángulo deconducción = .t < 180° (gran ,sin distorsión). Su carga es unresonante LC

Clase D. Usa señales digitales que se activan durante un intervalo corto y se desactivan durante un intervalo más largo. Como el amplificador se “activa” (utilizando potencia) sólo durante intervalos cortos el rendimiento es muy alto 100 %)

Clasificación de los amplificadores de Potencia 8

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Amp. de Potencia Clase A-Seguidor Emisivo 9

IC [mA]

VCE [V]

CCV

QCI

CC

L

V

R

QL CR I

�OmV

OmIɵ

• Capacidad de responder a señales de cualquier polaridad.

•Mínima distorsión

• Se polariza en la zona de respuesta lineal,

para MÁXIMA EXCURSIÓN.

Ventajas

11

1

f e L

V

ie f e L

h RA

h h R

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10

IC [mA]

VCE [V]

CCV

QCI

CC

L

V

R

QL CR I

�OmV

OmIɵ

C C C C C QP V ILa potencia que entrega la fuente es:

Como el transistor debe estar polarizado para máxima excursión:

2CC CQ CCCQ

L L

V V VI

R R

2

2

CCin CC

L

VP P

R

Observar que la potencia que entrega la fuente es constante sin importar la amplitud de la señal de entrada!!!!!!.

Calculo de la Potencia de Entrada10

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La máxima tensión de salida sin distorsión es: � max

2

CCO

VV

2

2Om

OL

vPR

ɵ

Se hace la aclaración de “potencia útil” ya que sobre la carga también circula la corriente de polarización (cd) y que originará disipación en esta resistencia.

Cálculo del Rendimiento del circuito

O

in

P

P

2

2

2 2

2maxCC

Om

máx

CC CC

V

V

V V

125%

4máx

�2

2

OmO

in CC

P V

P V

2

8

CCO máx

L

VP

R

Calculo de la Potencia de Salida11

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dis CC oP P P �2

2

2 2

OmCC

dis

L L

V VP

R R

Esta potencia se debe disipar en las resistencias debido a la circulación de continua y principalmente en la juntura CE del TBJ.

Observar: cuando no hay excitación, la potencia disipada es máxima, puesto que la potencia de señal en la carga es nula; es decir, como

2

2

CC

dismáx

L

VP

R

2

. 50%4MAX

CC

disTBJ CEQ CQ in

L

VP V I P

R

Calculo de la Potencia disipada12

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Amplificador de Potencia Clase A 13

GRAFICO DE POTENCIA VS SEÑAL DE SALIDA:

La transferencia de potencia a lacarga es baja y circula IDC por RL.

• El TBJ, disipa potencia con Vi=0 !!!! Desventajas

2

Re4

CC

dis s

L

VP

R

Especificaciones del Transistor

VCE Máx = VCC

IC Máx =VCC/RL

Pd Máx= VCC2/ 4RL

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Ejemplo Amplificador de Potencia Clase A14

1fe b LSi h i i≫ ≪

L f LSi R R i i≫ ≪

2

CCL i

Vv v

2

4

CCO máx

L

VP

R

2

2

CC

dismáx

L

VP

R

L C bi i i

Desventaja: Circula CD por el parlante

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15

http://elizeueletrotecnico.blogspot.com.ar/2012_08_01_archive.html

Ejemplo Amplificador de Potencia Clase A15

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16

Desventajas:

• El cono del altavoz está permanentemente desplazado, ya que es atravesado por una corriente de continua. Cómo los altavoces se diseñan para que el cono tenga la posición de reposo con corriente nula, esta corriente continua provocará una mayor distorsión, y calentamiento del hilo del altavoz, que se ha diseñado para lidiar con señales sinusoidales positivas y negativas. Esto disminuye la vida útil del parlante.

• La excursión de la tensión de salida es menor que Vcc/2

• El rendimiento es bajo. Incluso en reposo, el circuito disipa. Considere que esto sucede antes de que haya empezado a sonar la música.

Ventajas

Sencillo

Sin embargo, la idea no es mala del todo: es un buen comienzo, porque es un diseño que ofrece baja distorsión.

Amp. de Potencia Clase A-Seguidor Emisivo 16

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Clase A-Seguidor Emisivo -Salida desacoplada de continua

• El espejo de corriente se basa en la conexión en paralelo de dos diodos iguales.

• Si son iguales y tienen la misma curva característica, por los dos diodos circula la misma corriente puesto que los puntos de funcionamiento son idénticos.

• Para una misma tensión ánodo-cátodo en los dos diodos se tiene una misma corriente en cada uno de ellos

• Si el diodo y el transistor son de silicio se pueden considerar iguales la tensión en extremos del diodo y la tensión entre base y emisor.

17

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18Clase A-Seguidor Emisivo -Salida desacoplada de continua

Características: Se reemplaza RE por una carga

activa- Fuente de corriente- La excursión de la tensión de salida

es mayor que Vcc

Diseño:0,7DV V 0A A D CCI R V V V

o i BEv v V B R A RI I I I ≪ 1

CC DA R C

A

V VI I I

R

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Para ic1>0

Q1 desactivado cuando ic1=0:

19Clase A-Seguidor Emisivo -Salida desacoplada de continua

Si RL<RA la salida no será simétricapara que no haya distorsión se debe cumplir:

( )o máx CC CEsatV V V

1 0c R o

CC BEo o L R L L

A

i i i

V Vv i R i R R

R

L AR R

La máxima excursión de salida pico a pico es:

( ) 2pp máx CC CEsatV V V El rendimiento de la etapa es menor al 25%!!!!

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20

Observe: condensador de desacoplo de

salida (Co) Carga activa: Q2 forma una

fuente de corriente constante.

Clase A-Seguidor Emisivo -Salida desacoplada de continua

Diseño: Capacitor de salida Co:

electrolítico, se carga a Vcc/2.

Forma Filtro pasa alto con RL

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AMPLIFICADOR CLASE B 21

En clase B el transistor se enciende cuando se aplica la señal de ca.

El transistor conduce sólo la mitad del ciclo de la señal.

Para obtener salida durante el ciclo completo de la señal se requieren dos transistores que conduzcan durante semiciclos opuestos.

Como una parte del circuito empuja (push) la señal hacia arriba durante medio ciclo y la otra parte jala (pull) la señal hacia abajo durante el otro semiciclo, el circuito se conoce como circuito

push-pull.

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AMPLIFICADOR CLASE B - Simetría Complementaria 22

Sí: Vi>0Q1 en ON

Q2 en OFFSí: Vi<0

Q1 en OFF

Q2 en ON

o i BE BE i BEv v V para V v V

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AMPLIFICADOR CLASE B - Simetría Complementaria

23

IC [mA]

VCE [V]

CCV

CC

L

V

R

�OmMAXV

CCV

maxCC

Om

L

VI

Para que el amplificador trabaje en clase B:

�maxmax .OmOm L CCV I R V ɵ

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AMPLIFICADOR CLASE B: Simetría Complementaria 24

OmCi I sen tɵ

• Se polariza en el extremo de la zona de respuesta lineal.

• Capacidad de responder a señales de determinada polaridad.

• Necesita de etapa complementaria para dar una salida bipolar.

• No hay disipación de potencia con Vi = 0.

180

• No se polarizan los transistores!!!!. No hay corrientes de

polarización

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AMPLIFICADOR CLASE B: Simetría Complementaria25

POTENCIA DE ENTRADA �2. CC

OmCC CC DC

L

VP V I V

R

POTENCIA DE SALIDA �2

2

Om

O

L

VP

R

POTENCIA DE DISIPADA�

�2

2 OmCCOmD

L L

V VP V

R R

Potencia que ocurre cuando: 2

2

2 CCDMAX

L

VP

R

RENDIMIENTO

4

OmO

in CC

P V

P V

78,54%

4máx

Potencia que debe poder disipar entre los 2 transistores

� 2Om CCV V

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AMPLIFICADOR CLASE B - Simetría Complementaria 26

GRAFICO DE POTENCIAS Y RENDIMIENTO

2CCV

CCV

2

2

CC

L

V

R

2

2

2 CC

L

V

R

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AMPLIFICADOR CLASE AB- Simetría Complementaria27

Para minimizar la distorsión por cruce se polariza la base y se deja a los transistores al borde de la conducción. Para ello se aplica un voltaje VBE sobre la juntura BE.

El circuito funciona en clase AB: ambos TBJ operan en la región activa.

Las relaciones de potencia son idénticas al clase B, excepto por que se disipa potencia de polarización IQ. VCC.

Circuito de polarización de base

Si TQ1 y TQ2 aumenta y VBE se mantiene constante, la ICaumenta con la temperatura.El incremento de IC provoca el incremento de PD, lo que aumenta la IC EMBALAMIENTO TÉRMICO.

Las tensiones de polarización deben disminuir con el incremento de la Temperatura

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AMPLIFICADOR CLASE AB- Simetría Complementaria28

Circuito de polarización de base: Multiplicador de tensiones Base-Emisor

32

2

BEP

VI

R

2 1 2( )AB pV I R R

3

1

2

1AB BE

RV V

R

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AMP. CLASE B - Simetría Complementaria - EJEMPLO 129

�2

2

Om

O

L

VP

R

�2

2

CC

Omáx

L

VP

R

1 2

2

2

, 2

4

omMAXCMAX

L

CEMAX CC

CCdMAX

L

VI

R

Q Q V V

VP

R

Sobre la carga:om cc om máx cc

omom

L

V V V V

VI

R

Cálculo de los TBJ: Q1 y Q2 par complementario-BD139/140

Cálculo de las resistencias:2 2

22 2E

E om E CCE L R máx

L

R I R VAdopto R R P

R ≪

10. . ( )E

CutOFFRB B B CC BE R B

IV I R V V V I

Diodos: No requieren especificaciones. Puede ser cualquier diodo

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AMPLIFICADOR CLASE B: Simetría complementaria30

http://www.taringa.net/post/hazlo-tu-mismo/17353016/Cansado-de-los-TDA2003-Ampli-de-15W-a-transistores.html

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AMPLIFICADOR CLASE B - Simetría Cuasicomplementaria31

Si se requiere potencias de varios vatios no se pueden usar pnp.

A partir de un pnp de señal y un npn de potencia se “fabrica” un pnp compuesto

2 2 2 2(1 )B N E P C N fe C PI I I h I

La tensión de saturación del pnp compuesto es mayor

2 2CE sat CE sat P BE NV V V

Sí: Vi>0Q1 en ON

Q2 en OFFSí: Vi<0

Q1 en OFF

Q2 en ON

Desventaja

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2

CCV

2

CCBE

VV

2

CCBE

VV

AMPLIFICADOR CLASE B - Simetría Cuasicomplementaria32

El capacitor fuente CF

cumple dos funciones:1.proporciona la

polarización de colector al pnpcompuesto durante el semiciclonegativo

2. Impide que la componente de cd circule por la carga.

3.Forma con RL un filtro pasa altoDesventaja

El amplificador diseñado posee una ganancia de 1, por lo tanto la máxima señal de entrada será igual a la máxima tensión de salida deseada.

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AMPLIFICADOR CLASE B - Simetría Cuasiomplementaria

33

CCV

2

CC

L

V

R

�OmMAXV

2

CCV

max

2

CCOm

L

VI

Para que el amplificador trabaje en clase B:

�maxmax .

2

CCOmOm L

VV I R ɵ

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AMPLIFICADOR CLASE B: Simetría Cuasicomplementaria34

POTENCIA DE ENTRADA �1 CCOmCC DC

L

VP I V

R

POTENCIA DE SALIDA �2

2

Om

O

L

VP

R

POTENCIA DE DISIPADA�

�2

1

2

OmCCOmD

L L

V VP V

R R

Potencia que debe poder disipar el amplificador. Principalmente, en los transistores

2

2

1

2

CCDMAX

L

VP

R

Potencia que ocurre cuando: �1

Om CCV V

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• La red de Zobel es una red compuesta por una resistencia y un condensador en paralelo con el altavoz diseñada para compensar el efecto inductivo de éste.

• El esquema es:

35

La Red Zobel

R1: representa la resistencia del altavoz. Suele ser 8L1. representa la inductancia del altavozValores típicos son: R2 = 10; C2 = 100 nF

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EJEMPLO : Clase B Simetría Cuasicomplementaria

• Problema: Diseñe un amplificador de potencia, clase B, simetría

cuasi-complementaria capaz de entregar una potencia de salida sin

distorsión de 15 W sobre una carga de 4 .

36

VVVV

adopto

VV

RPV

ccomcc

omMAX

LomMAX

242

95,10

2 0

AI

adopto

AI

I

AR

VI

DC

omMAXDC

L

omMAXomMAX

1

87,0

74,24

95,10

1) Cálculo de la fuente de alimentación.Primero se calculará la tensión de continua de la fuente así como la corriente que debe entregar la misma.

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EJEMPLO : Clase B Simetría Cuasicomplementaria 37

Ra3.6kΩ

VCC

24V

C1

1.0uF

C2

47mF RL4ΩC3

1.0uF

R12.2kΩ

Rb4.2kΩ

Q1

TIP31A

Q2

TIP31A

Q3

BC548B

Q4

BC558B

Q5

BC548BR21kΩ

Vs

1 Vpk 1kHz 0°

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EJEMPLO : Clase B Simetría Cuasicomplementaria38

2) Cálculo de los transistores

WR

VP

VV

AR

VI

QQ

L

CCdMAX

CEMAX

L

omMAXCMAX

64,34

24

3

,

2

2

21

WIV

P

VV

mAhfe

II

QQ

CCCdMAX

CEMAX

omMAXCMAX

182,0

24

75

,

2

43

Para el desarrollo del circuito elijo los siguientes transistores.

Q1 y Q2 =TIP31

Q3 y Q4 = BC548, BC558

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EJEMPLO : Clase B Simetría Cuasicomplementaria 39

3)Cálculo de la polarización.

4200

3600003,0

8,10

3230

6,126,012

8,10

2,112)2

(

33

3

21

B

A

PC

B

BP

RB

RA

BEBECC

CCRA

R

R

mAIAhfe

II

II

VV

VV

VVV

VV

1000

2200

2

3

8,1

2

1

21

2

21

2

21

R

R

Adopto

RR

R

RR

R

RRVV

VV

BEAB

AB

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EJEMPLO : Clase B Simetría Cuasicomplementaria 40

3)Cálculo del capacitor de salida.

VV

VV

CF

CCCF

16

2

1F L

CF

C Rf

20

12,5

CF

F

Adopto f Hz

C mF

El amplificador diseñado posee una ganancia de 1, por lo tanto la máxima señal de entrada será igual a la máxima tensión de salida deseada. VinMAX=11(V)

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http://es.fmuser.org/news/fm-transmitter/8550-and-8050-by-making-a-small-transistor-amplifier-circuit-diagrams.html

AMPLIFICADOR CLASE B: Simetría Cuasicomplementaria 41

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AMPLIFICADOR CLASE B: Simetría Cuasicomplementaria 42

http://amplificadoresaudio.blogspot.com.ar/2011/11/amplificador-con-tip-31-y-tip-32.html

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AMPLIFICADOR CLASE B: Integrado Simetría Cuasicomplementaria43

• Amplio rango de tensión de alimentación• Baja disipación de potencia en vacío• Ganancia de tensión fijada en 50 veces o 34 dB• Capacidad para soportar altas corrientes de pico• Entrada referenciada a GND• Alta impedancia de entrada• Baja distorsión• La tensión de salida en estado de vacío es un medio de la alimentación• Encapsulado tipo DIL 14

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AMPLIFICADOR CLASE B: Integrado Simetría Cuasicomplementaria44

• The TDA 2050 is a monolithic integrated circuit in Pentawatt package, intended for use as

an audio class AB audio amplifier. Thanks to its high power capability the TDA2050 is able

to provide up to 35W true rms power into 4 ohm load @ THD = 10%, VS = ±18V, f = 1KHz

and up to 32W into 8ohm load @ THD = 10%, VS = ±22V, f = 1KHz.

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/25046/STMICROELECTRONICS/TDA2050.html

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EJEMPLO: Integrado Simetría Cuasicomplementaria45

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EJEMPLO: Integrado Simetría Cuasicomplementaria