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VINIENDO DESDE ARRIBA…. QUE APRENDIMOS DE LAS NANOESTRUCTURAS
MAGNÉTICAS
Laura B. SterenLaboratorio de Nanoestructuras Magneticas y Dispositivos
Dpto. Fisica de la Materia Condensada, CACCONICET - UBA
Guia de la charla
• Top-down: hacia lo NANO• Problemas de física básica• Materiales artificiales y espintronica• Aplicaciones• Nuestras metas
actividades• Perspectivas
Nanomateriales
BOTTOM – UP <=> TOP-DOWM
1940 1960 1980 2000 202010
-10
10-8
10-6
10-4
10-2
B OTTOM- UP
siz
e [
m]
TOP-DOWNNanoestructuras magneticas!
Fe/Au
Fe2O3/SiO3
FexOy
N AN OE S TR U C TU R AS M AG N E TIC AS TOP-DOWN
5x5mm2 MnAs
HRTEM LaSrMnO3/LaMnO3
MnAs micro-ribbons
Deposito capa por capa MBE oxidos (dde 2005)
Ilustracion esquematica de un crecimiento capa por capa de La2CuO4 (Max Planck, Munich Alemania).
Crecimiento de películas delgadas magnéticas - primeras: 80s
SPUTTERING
ABLACION LASER (PLD)
MBE
Deposito LaSrMnO/CaTiO3/Si. Adamo et al, APL 2015
INTERES por las nanoestructuras magnéticas
INVESTIGACION FUNDAMENTAL Longitudes características magnetismo (decimas nm) y transporte (nm-µm)!
= Estudio de problemas fundamentales via experimentos: ahora es posible! Por ej: efecto túnel magnético, etc. = Diseño dispositivos manipulando propiedades: orden magnético, acoplamiento magnético en nanoestructuras, magnetoresistencia gigante, etc.
APLICACIONES = Diseño de nanoestructuras artificiales con propiedades especificas para sensores con distintas funcionalidades! => Sensores de campo magnetico por ej.Area Aero-espacial, almacenamiento informacion Medicina, energia, electronica, metal-mecánica
Problemas de física básica
DESDE LA FISICA EXPERIMENTAL
• DISEñO Y FABRICACION DE MATERIALES/DISPOSITIVOS
• MICRO y NANOESTRUCTURACION
• PROPIEDADES FISICAS (uso de nuevas técnicas )
* ESTUDIO DE FENOMENOS CUANTICOS
* BUSQUEDA DE NUEVOS EFECTOS A TRAVES DE DISPOSITIVOS COMPLEJOS NANOESTRUCTURADOS
Superredes metálicas
Acoplamiento entre capas
Magnetizacion de una monocapa de Fe separada de Fe bulkComportamiento 2D -> 3D
Cambios anisotropíasEspesores/buffers
“The interface is still the device” NATURE MATERIALS | VOL 11 | FEBRUARY 2012 | www.nature.com/naturematerials
El Nobel Herbert Kroemer enuncio la frase “the interface is the device” se referia a las viejas aplicaciones de semiconductores en fotonica y electronica hace mas de 40 años.
Interfaces?
HABLAR de SUPERFICIES e INTERFACES MAGNETICAS HOY ……
- Avance en la fabricación de nanoestructuras (métodos físicos)- Desarrollo de técnicas experimentales para detectar magnetismo!!A pesar de que las superficies se investigan desde hace mas de 40 años en semiconductores!!!
FISICA DE INTERFACES
• Fenómenos inesperados: exchange-bias, gas bidimensionalentre dos aislantes
GAS 2DEG
Metal!!AlLaO3
SrTiO3
“DISEÑO DE MATERIALES A MEDIDA” + Apilando materiales de distintas caracteristicas
+ Acoplando interfaces terminadas de manera controlada
+ Modificando interfaces con sustratos/ buffers: contenido O, distorsion de red, tensiones…. Se usa PLD para ello!!
3 monocapas buffermodifican angulo Ru-O-Ru en SrRuO3y alteran anisotropia de todo el film
Sustrato afecta octaedros en interface
2015 M U LTIFE R R OIC OS AR TIFIC IALE S
• Porque?
…..las interfaces se han revelado sumamente activas en las propiedades de heteroestructuras de óxidos
tensiones => acople magneto-elastico
transferencia de carga
magneto-eléctrico (control orden y anisotropías
con E – baja potencia!)
Un multiferroico es un material que presenta mas de una ¨ferroicidad¨: orden magnetico, ferroelectrico, …. Estado
natural
Artificial
M1M2
Orden magneticoAnisotropias
Materiales por diseñoDispositivos
ε M
P
E
σ HPI
EZO-
ELEC
TRIC
O
MAGNETO-
ELECTRICO
MAGNETO-ELASTICO
MECANISMOS DE ACOPLAMIENTO A TRAVES DE LA INTERFACE TIENEN
DISTINTAS LONGITUDES CARACTERISTICAS
E<Ec
E>Ec
Film magnetico FeGaB de 100nmReplica dominios arreglo FE en los dominios magneticos
ESPINTRONICA (FINES 80)
Variables del problema
CARGA SPIN
Sistemas:GMR Junturas tunel Spin-torque .Dinamica de paredes de dominios….
The N obel Prize in Phys ic s 2007" for the dis c overy of G iant M ag netores is tanc e"
Trans porte polarizado en es pín en nanoes truc turas
MAGNETORRESISTENCIA GIGANTE (1988)
JUNTURAS TUNEL
Efectos barreras
Experimental evidence of the interfacial modification of the spin-dependent DOS of the TM-electrode by switching the ferroelectric polarization of a tunnel barrier with voltage pulses: magneto-electric coupling
TMR in Fe/BTO/LSMO junctions
PREDICTION OF A MAGNETO-ELECTRIC COUPLING AT Fe/BTO/LSMO junctions
2016 http://www.nature.com/am/focus/magnetic_materials/index.html#Focus_library
http://www.spintronics-info.com/
Antiferromagnetic spintronics
++ SENSORES DE CAMPO MAGNÉTICO
++ MEMORIAS NO - VOLATILES
NUCLEAR
Sensado de daño por radiacion, accidentes, etc
ALMACENAMIENTO DE INFORMACION
MEDICINAESPACIAL
Sensores MR de H terrestre
Nuestras metas y actividades
Laboratorio de Nanoestructuras Magnéticas y Dispositivos
LNMD
Nuestras metas
• Desarrollar nuevos materiales con funcionalidades multiples => multiferroicos
• Rol de interfaces en las propiedades físicas de estos materiales.
• Efectos de confinamiento sobre propiedades M y E: investigación de nanoestructuras únicas
• Control de propiedades ferroeléctricas, magnéticas, etc. con campos de tensiones, eléctricos y magnéticos.
• Diseño y fabricación de dispositivos magnetoresistivos: GMR, MTJ
Actividades de laboratorio NMD
• Fabricacion de peliculas y multicapas por PLD y sputtering
Desarrollar materiales avanzados con funcionalidades multiples
Caracterización RX AFM SEM
HRTEM + EELS AFMUNIZAR (colab. M. Aguirre) Grupo FQ- Corti
* Caracterizacion magnetica y electrica promedio
CARACTERIZACION MAGNETICA CON TECNICAS DE RADIACION SYNCHROTRON X M C D1 9 8 0 Se propone que rayos X circularmente polarizados pueden servir para medir magnetismo. La técnica consiste en iluminar una muestra con luz circularmente polarizada y detectar electrones secundarios S elec tivo a nivel elementosAna lis is s uperfic ia l
X PEE MX - Photoemis s ion E lec tron m ic ros c opy Mide la variacion local de emision de electrones secundarios para generar contraste en las imágenes. Como el dicroismo depende de la alineacion del espin de los fotones respecto a la direccion de magnetizacion del elemento observado al hacer microscopia se determina la estructura de dominios magneticos (IP). La resolucion lateral es alrededor de 10nm en los mejores equipos.
IMAGEN POLARIZ + IMAGEN POLARIZ -
• Cinta de MnAs (colab. LIFAN, medicion ELETTRA)
DEPENDENCIA EN TEMPERATURA DE LA MAGNETIZACION, resol. lateral 50nm
MAGNETIC Ni2+ AT INTERFACE!
J. C .Rojas et al, Phys. Rev. B (2013)
INTERCAMBIO DE CARGA DESDE Ni3+ A Mn3+ da lugar la aparicion de Ni2+y Mn4+
La0.7Sr0.3MnO3/LaNiO3
TECNICAS DE SONDA LOCAL R E S OLU C ION LATE R AL: S U B M IC R OM E TR IC A
M IC R OS C OP IA DE FUE R Z A M AG N ETIC AM IC R OS C OP IA DE FUE R Z A ATÓM IC AC AFMPFM
M O… .
CAFM
MFM
DIAGRAMA DE FASES MnAs p=w/t
DW structures
0 5 10 15 20 25 30 350
30
60
90
120
150
180
0 5 10 15 20 25 30 350
30
60
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180
0 5 10 15 20 25 30 350
30
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0 5 10 15 20 25 30 350
30
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0 5 10 15 20 25 30 350
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0 5 10 15 20 25 30 350
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0 5 10 15 20 25 30 350
30
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180
t (n
m)
w/t
VI
V
III IV
III
II
(a)
I
Basal plane view w-l t-l Lateral view
t
SIMULACIONES MICROMAGNETICAS
XPEEM
Junto a diseño de dispositivos
Incorporacion barreras ferroelectrica,
aislantes….
Diseño y fabricacion de mascaras
Optimizacion proceso litografia optica y ataque ionico (JTM)
Contactos
S EN S OR M R : JU N TU R AS TU N E L Y G M R
En los 90’s reaparece el interes en el estudio de oxidos FM con propiedades interesantes! Se examina la familia de compuestos, de estructura pseudo-perovskita
Los oxidos a traves de su composicion principalmente, pero tambien utilizando sustratos particulares al fabricar las peliculas delgadas o multicapas, nos permiten diseñar nanomateriales con propiedades fisicas especificas!!
AB O 3
90s : M ang anitas
A/BMnO
ESPINTRONICA de OXIDOS
Review E. Y. Tsymbal et al, MRS Bulletin 37 (2012)
estructura PEROVSKITA
ABO3
sitio A: La3+, Ba2+, Sr2+ ,Ca2+
sitio B: Mn (3+ o 4+),
etc.
Electrones d (5) en entorno octaedrico
ACOPLE MAGNETICO entre Mn a través de los oxígenosPuede ser AFM o FM, en general es AFM. El signo y el valor de la constante de SUPERINTERCAMBIO, K, dependen de:
Angulo Mn-O-Mn
Orbitales d involucrados en el enlace (nro de electrones d, caracter eg o t2g )
DOBLE INTERCAMBIO
Otro tipo de acoplamiento indirecto: ahora entre Mn3+ y
Mn4+
DISTORSION JAHN-TELLER
⇒Ruptura de degeneracion orbitales
DIAGRAMA DE FASES La-Sr-Mn-O Competencia entre acoplamiento de superintercambio, doble intercambio y DM
X-Ray Reflectivity pattern (La0.75Sr0.25MnO3/ LaNiO3)x20
Es sencillo crecer muy buenas muestras por sputtering o PLD
FUERTE INFLUENCIA del SUSTRATO en el MAGNETISMO, TRANSPORTE
ELECTRONICO y ESTRUCTURA CRISTALINA de FILMS y MULTICAPAS
a base OXIDOS
- Anisotropias magneticas => cambios de simetrias - Orden magnetico => FM/AFM/FM debil- Caracter electrico de los materiales: metalico o aislante - Dinamica de oxigenacion: rapida/lenta
J.C. Rojas Sanchez et al, Phys. Rev. B 85 , 094427 (2012)
EFECTO de TENSIONES INDUCIDAS por el SUSTRATO sobre el MAGNETISMO de FILMS de LaSrMnO
C oerc ividad vs . es pes or
L.B. Steren, M. Sirena, and J. Guimpel, J. Appl. Phys., Vol. 87, No. 8, (2000)
KA1 = KV + 1/t * KS
LS-STO LS-MGO Kv[erg/cm3] -3.6x105 +2.6x105
Ks [erg/cm2] +0.89 +0.66
AN IS OTR OP IAS
AN C LAJE DE PAR E DE S
MgO
SrTiO3
MULTICAPAS para JUNTURAS LSMO/BaSrTiO/Py
= Orange peel , estimada segun S. Tegen et al, J. Appl. Phys. 89, 8169 (2001) y suponiendo una rugosidad de 0.3nm (XRD & AFM)Mp: LSMO, Mf: Py J=H0*Mp*tp
= Acoplamiento de intercambio a traves de la barrera, depende de estados evanescentes en la barrera. Mismo orden de magnitud que calculos reportados por M. Zhuravlev et al, J. Phys. Condens. Matter 22, 352203 (2010).
0.5 1 .0 1 .5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
-1 .5
-1 .0
-0.5
0.0
0.5
J (erg/cm2) x 10-2
t (nm)
J (MGO) J (STO)
T=51 K
0 50 1 00 1 50 200-1 .2
-0.6
0.0
0.6
1 .2
J (erg/cm2) x 10-2
T (K)
8-MGO 4-MGO 2-MGO
-30 0 30
0.0
0.1
0.2
M (1e-3*emu)
Magne tic F ie ld (Oe)
FM
AFM
Nuestra ultima aventura: Bessy II - BerlinESTRUCTURAS ESTUDIADAS
LaMnO3 t/ La0.7Sr0.3MnO3 25nmLMO AFM-WF bulk, film: AFM (?)-FM Tc ~150K
La.9Sr.1MnO3 t/ La0.7Sr0.3MnO3 25nmAFM-WF bulk, film AFM(?)-FMPLD: Crecimiento epitaxial.
Se distingue la barrera. Rugosidad de 1 c.u
Efectos de interfaz en las junturas túnel. Disminución de la polarización de espín en la interfaz.
Interfaces La0.66Sr0.33MnO3 / La1-xSrxMO3
Aumento de la polarización de espín en la interfaz.
Transferencia de carga. Ruptura de simetría en interfaces. Tensiones y distorsiones estructurales. Vacancias de oxígeno. Migración catiónica.
630 640 650 660 670
XAS
E (eV)
LMO // STO
LMO (6nm) / LSMO // STO
LMO (4nm) / LSMO // STO
LMO (3nm) / LSMO // STO
LMO (2nm) / LSMO // STO
LSMO // STO
640 641 642 643 644 645
XAS
630 640 650 660 670
XMCD
E (eV)
LMO // STO
LMO (6nm) / LSMO // STO
LMO (4nm) / LSMO // STO LMO (3nm) / LSMO // STO
LMO (2nm) / LSMO // STO
LSMO // STO
T = 4.2K
Espectro de absorcion en el borde del Mn +> x Mn3+ + 1-x Mn4+
DICROISMOPolarizacion en espindel espectro => Magnetismo Mn
= Fenómenos de transferencia de carga en interfaces LSMO / L1-xSxMO.
= Variación del acople magnético en la interfaz. = Aumento local de la polarización de espín
XAS=(RCP+LCP)/2; XMCD=(RCP-LCP)/2
525 530 535 540 545 550 555
0
1
2
3
4
5
6
O2p- Mn4s,p, La6s ,p
XAS
E (eV)
LSMO LS0.1MO (2nm) / LSMO LS0.1MO (3nm) / LSMO LS0.1MO (4nm) / LSMO LS0.1MO (6nm) / LSMO
O2p-Mn3d
O2p-La5d (S r4d)
525 530 535 540 545 550 555
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
XMCD Oxygen
E (eV)
LSMO LMO (2nm) / LSMO LMO (3nm) / LSMO LMO (4nm) / LSMO LMO (6nm) / LSMO
Espectro de absorcion en el borde del O
DICROISMOPolarizacion en espinen la absorcion O- Mny tambien en O-La sobre el compuesto LaMnO3
NO en el LSMO!
Ref. espectro O: NPG Asia Materials 7,1 (2015)
PERSPECTIVAS DEL GRUPO
• Crecimiento de films. Control capa por capa
• Fabricacion de materiales magneticos a medida,
diseñando interfaces mediante uso buffers/sustratos
• Multiferroicos : mecanismos de acoplamiento FE/FM
• Efectos de confinamiento lateral
• Dinamica de paredes de dominios magneticos
• Sensores de campo magnetico magnetoresistivo:
Junturas Tunel Magneticas, GMR
PDTS: DESARROLLO lab-on-chip Año 1
REQUERIMIENTOS ESPECIFICOS según aplicación (diagnostico por reconocimiento de bio-moleculas):
sensibilidad , especificidad, SEÑAL/RUIDO
SENSOR mr *
ELECTRONICA
N AN OPAR TIC U LAS
M IC R OFLU ID IC A +
FUNCIONALIZACION BIO
EQUIPOS: MEMS +, LNMD *….
EQUIPOPermanentesMarina Tortarolo
DoctorandosSantiago Carreira Augusto RomanAneely Carrero LoboPablo Granell INTI UNSAM Estudiantes de grado Agustin Lopez Pedroso (Tesina)Mariano Cababie (ahora MEMS)Agostina Lo GiudiceLucas Cantarutti
http://www.tandar.cnea.gov.ar/grupos/solidos/nanomag/
COLABORACIONESGrupo MEMS (Karina, Alejandro, Juan, Cintia….), D. Rubi, D. Vega, G. Leyva, teoria…. MatCondL. Pietrasanta, CMA – UBAA.Butera, J. Gomez, M. Sirena, CABJ. Briatico, UMR-Thales FranciaJ. P. Sinnecker, CBPF, BrasilM. Marangolo, INSP, FranciaM. Aguirre, UNIZAR, España
CAB
MEMS
TEORIA
MATCONDEXP
PLD, FQ, Q
CMA-UBA
INTI
LNMD
MUCHAS GRACIAS!