Transistores bjt, darlington, mosfet, igbt

Transistores bjt, darlington, mosfet, igbtPonce Wong Luis AndreiTransistores BJT:Dispositivo electrnico de estado slido que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:- Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.- Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.- Colector, de extensin mucho mayor.

Transistores MOSFET:Son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.

Diferencias entre FET y BJTLa independencia de entrada de los FET es considerablemente mayor que la de los BJT.Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones.La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento, a contrario de los BJT.

Transistores Darlington:Dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo, tiene una alta ganancia de corriente.Este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (las ganancias se multiplican).

Transistores IGBT:El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que posee las caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Aplicaciones:Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.El transistor MOSFET es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en l.Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas.El transistor IGBT generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia, tambin han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.Valores comparativos:Corrientes (A)Voltajes (v)FrecuenciasBJT15AHasta 1200v25KhzDarlington5AHasta 1200v50KhzMOSFET5AHasta 1000v300Khz - 400KhzIGBT60AHasta 2000v75Khz