transistores bipolares de unión

Transistores bipolares de unión. BJT De 1904 a 1947 en tubo de vació (presentado por J. A. Fleming en 1904) fue el dispositivo electrónico mas utilizado. Por esa misma época en 1906 Lee De Forest, presento un bulbo de tres terminales (el triodo) que sin embargo no tuvo aplicación inmediata. No fue sino hasta 1947 (el 23 de diciembre) cuando Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la acción amplificadora del transistor en los laboratorios Bell Telephone. CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR El transistor es un dispositivo de tres terminales que se construye uniendo tres capas de material semiconductor extrínseco. En la figura 5.1 se muestran los dos tipos de transistor BJT existentes, el transistor pnp y el transistor npn, cada uno con una forma de polarización correcta . Las terminales del transistor reciben los siguientes nombres: emisor E, base B y colector C, tal como se muestra en la figura. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la del colector ligeramente dopada, mientras que la de la base se encuentra muy poco dopada. Figura 5.1 Tipos de transistores: (a) npn; (b) pnp En este capítulo se estudia un tipo especial de transistor denominado Transistor Bipolar de Unión BJT, el término Bipolar refleja el hecho de que tanto electrones como huecos participan en el proceso de conducción. Regla de polarización del transistor. Si la unión pn de un transistor se encuentra en polarización directa (polarización de

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Transistores bipolares de unin. BJTDe 1904 a 1947 en tubo de vaci (presentado por J. A. Fleming en 1904) ueel dispositivo electrnico mas utili!ado. "or esa misma #poca en 190$ %ee De Forest& presento un bulbo de tres terminales (el triodo) 'ue sin embargo no tuvo aplicacin inmediata. (o ue sino )asta 1947 (el *+ de diciembre) cuando ,alter -. .rattain / Jo)n .ardeendemostraron la accin ampli0cadora del transistor en los laboratorios .ell 1elep)one.23(41562278( D9% 15A(4741359l transistor es un dispositivo de tres terminales 'ue se constru/e uniendo tres capas de material semiconductor e:tr;nseco. 9n la 0gura entonces la restante unin np debe encontrarse en polari!acin inversa.2uando el diodo se polari!a siguiendo la consideracin anterior& entonces por la unin polari!ada en directa e:iste gran conduccin& puesto 'ue la regin de agotamiento es mu/ estrec)a tal como lo indica la 0gura

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