Investigación sobre Transistor 2N2222

Transistor 2N222

Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para las aplicaciones de amplificación lineal conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23 y SOT-223.

Principales Características.

Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo) Corriente de colector constante 800mA (Ic)

Potencia total disipada 500mW(Pd)

Ganancia o hfe 35 mínima

Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)

Encapsulado de metal TO-18

Estructura NPN

Su complementario PNP es el Transistor 2N2907

Zona de corte:

Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo tanto la c.d.t. en RC será mínima con lo que VCE=VCC. El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor. La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.

Zona de saturación:

Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCEsat.Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v. Cuando el transistor está saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.

Zona activa:

Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, con unos valores intermedios tanto de IC como de VCE.El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de las comunicaciones. La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.

Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) máximo (casi igual al voltaje de alimentación). Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero oltios).

En la región de corte las uniones de emisor y colector están polarizadas en inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV.

En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll pueden ser simplificadas a:

Estas corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a efectos prácticos se puede considerar al transistor como si no existiese.

En la figura 1.5 se muestra gráficamente la relación entre la VBE y la IC en donde se puede observar como por debajo de 0.58 V (typ) la corriente de colector es de bajo valor (<100µ).

Zonas de Operación del Transistor

1.- Región activa: en donde el transistor esta en el punto Q, es cuando no está ni en saturación ni en corte pero está conectado con todos su voltajes de polarización.

2.- Región inversa: el transistor esta polarizado inversamente, lo que hace que la ganancia disminuya.

3.- Región de corte: el transistor no conduce. por lo tanto la corriente colector-emisor es igual a (0) el voltaje entre emisor y colector es igual al de la fuente de alimentación con la respectiva perdida de las resistencias que se encuentran polarizando. No conduce, pero si esta polarizado y con sus fuente de voltaje, de acuerdo al diseño que se desee.

4.- Región de saturación: el transistor ha recibido un voltaje en su entrada, y ha entrado al modo de conducción entre emisor y colector, en donde la corriente en esos puntos es la misma que la de la fuente de acuerdo a las resistencias de

polarización utilizando la ley de ohm, el voltaje entre emisor y colector es igual a (0).