UNIVERSIDAD TECNICA DE MACHALA

FACULTAD DE CIENCIAS QUIMICAS Y DE LA SALUD

ESCUELA DE ENFERMERIA

NOMRE:

ALEJANDRO TACURI LOPEZ

CURSO:

TERCERO «C»

DOCENTE:

KARINA GARCIA

VRAM

Siglas de Vídeo RAM, unamemoria de propósito especialusada por los adaptadores devídeo. A diferencia de laconvencional memoria RAM,la VRAM puede ser accedidapor dos diferentes dispositivosde forma simultánea.

SIMM

Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistenteen una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, yque se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa dememoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips dememoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugarde bits.

DIMM

Siglas de Dual In line MemoryModule, un tipo de encapsulado,consistente en una pequeñaplaca de circuito impreso quealmacena chips de memoria, quese inserta en un zócalo DIMM enla placa madre y usageneralmente un conector de 168contactos.

DIP

Siglas de Dual In line Package, untipo de encapsulado consistente enalmacenar un chip de memoria enuna caja rectangular con dos filas depines de conexión en cada lado.

MEMORIA CACHÉ Ó RAM CACHÉ

Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad.Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como undispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Haydos tipos de caché frecuentemente usados en las computadoraspersonales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché,llamada tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es unaparte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que lalenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal.

SRAM

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es másrápida y fiable que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estáticaviene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAMdinámica.Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y lasmemorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.

DRAM

Siglas de Dynamic RAM, un tipo dememoria de gran capacidad pero queprecisa ser constantemente refrescada(re-energizada) o perdería sucontenido. Generalmente usaun transistor y un condensador pararepresentar un bitLos condensadores debe de serenergizados cientos de veces porsegundo para mantener las cargas. Adiferencia de los chips firmware(ROMs, PROMs, etc.) las dosprincipales variaciones de RAM(dinámica y estática) pierden sucontenido cuando se desconectan de laalimentación. Contrasta con la RAMestática.

por las siglas en inglés de Erasable Programmable Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrablede sólo lectura. Esta memoria ROM es un chip no volátil y está

conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS quesalen de fábrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse através de un dispositivo electrónico cuyos voltajes superan a los usadosen circuitos electrónicos. A partir de esto, las celdas comienzan a leersecomo 1, previo a esto se lo hace como 0.

EPROM

PROMpor las siglas de ProgrammableRead Only memory, en castellanoROM programable, se caracterizapor ser digital. En ella, cada uno delos bits depende de un fusible, elcual puede ser quemado una únicavez. Esto ocasiona que, a través deun programador PROM, puedanser programadas por única vez.