Pontificia Universidad Católica de Valparaíso Escuela de Ingeniería Eléctrica

Segunda Prueba de Cátedra de Fundamentos de Electrónica IEE-344 Profesor: Daniel Yunge Sepúlveda Nombre: Viernes 11 de Junio de 2010

Escriba cada paso del desarrollo. No se considerarán las respuestas sin desarrollo. ______________________________________________________________________________________

Gráfico 1

e c b

ce c e

cb c b

be

I = I +I

I = I

V = V -V

V = V -V

V = 0.7[V]

c bβ ⋅

thb

e

thb

e

V -0.7I =

R (1 )

Vcc-0.7-VI =

R (1 )

th

th

T NPNR

T PNPR

β

β

=+ ⋅ +

=+ ⋅ +

Fórmulas Circuito 2

1) Para el transistor cuyo punto de operación Q1 aparece en el gráfico 1, calcular la corriente de

saturación SATIc si la tensión

MAXVce =+5V. Encuentre Q2 para cuando se aumente Vcc en un 50% e

Ib en un 100%. Fundamente el estado de operación del transistor (Activo, saturado, cortado). 2) En el Circuito 1, encuentre los valores de las resistencias R1, R2 y RE para que la ampolleta de

filamento opere con sus valores nominales. Vcc = +12V, 100β = , Vce>1V, Pc < 1W. Fundamente el

estado de operación del transistor (Activo, saturado, cortado). 3) Para el Circuito 2, calcule las tensiones Vc, Ve y Vb, y corrientes Ic e Ib de cada transistor, si

Vcc = +12V y 100β = para ambos transistores. Fundamente el estado de operación de ambos

transistores (Activo, saturado, cortado).

Circuito 1