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PROYECTO FIN DE CARRERA Banco de Ensayos Para el Control de Calidad de Paneles Solares Fotovoltaicos Andrés Domingo Escudero Septiembre 2013

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PROYECTO FIN DE CARRERA

Banco de Ensayos Para el

Control de Calidad de Paneles Solares Fotovoltaicos

Andrés Domingo Escudero

Septiembre 2013

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Agradecimientos

Llegados a este punto, está claro que el objetivo está conseguido…

Quiero dar las gracias en primer lugar a mis padres, Alfonso y Elvira. Llevan años

esperando este momento y seguro que se van a alegrar bastante cuando les dé la

noticia.

A mis abuelas Elvira y Valentina que tantas veces me han preguntado: “¿has

terminado ya los estudios?”. Estoy convencido de que se van a llevar una gran

sorpresa.

Al resto de la familia, que siempre ha estado animándome a acabar.

A todos los compañeros y amigos de la universidad, especialmente a las niñas heavys y

a las niñas poperas, Pintxo y Calamar. Hemos tenido muy buenos momentos a pesar de

las “penurias”.

A mi grupo de amigos de toda la vida, que en mayor o menor medida me han apoyado

para acabar con esta aventura.

También quiero acordarme del personal de la universidad que me echó una mano

cuando estaba montando todo el tinglado del que trata este proyecto. De no haber sido

por su ayuda creo que aún estaría metiendo cables por el falso techo. Y de los

compañeros del IES que me ayudaron y explicaron bastantes cosas relacionadas con el

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proyecto.

Si me dejo a alguien en el tintero, espero que me perdone… xDD

¡¡¡¡¡¡¡¡SE ACABÓ!!!!!!!!!

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____________ Resumen

El objetivo principal del presente Proyecto Fin de Carrera es el de dotar a la Escuela

Universitaria de Ingenieros Técnicos de Telecomunicación – Universidad Politécnica de

Madrid (EUITT-UPM) de un banco de medida donde poder caracterizar los módulos

fotovoltaicos en condiciones reales de operación. Es necesario comprobar el

funcionamiento de los módulos para asegurarse de que está acorde a lo indicado en las

especificaciones anunciadas por los fabricantes.

A lo largo del texto daremos una introducción al concepto de energía solar fotovoltaica

y una descripción de los sistemas tanto aislados como los conectados a la red eléctrica

de distribución. Hablaremos sobre el fenómeno fotovoltaico y describiremos los

módulos fotovoltaicos para ver las partes de las que está compuesto un módulo.

Finalmente nos centraremos en el banco de ensayo y acabaremos explicando el caso

práctico realizado en la EUITT.

A través de la medida de la curva I-V del módulo fotovoltaico en condiciones reales de

operación y la extrapolación de los resultados obtenidos a las Condiciones Estándar de

Medida (CEM) comprobaremos lo que se ajustan los valores dados por los fabricantes

de los módulos solares.

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______ Abstract

The main aim of this project is to provide the EUITT-UPM a measure workbench to

characterize photovoltaic (PV) modules in real test conditions (RTC). It is necessary to

check the PV modules operations to assure that its characteristics are close to the ones

given by the manufacturers.

I will introduce the concept of photovoltaic solar energy and describe remote systems as

well as network-connected systems. I will talk about the photovoltaic phenomenon and

describe the PV modules in order to know the parts making up a module. Finally, I shall

describe the measure workbench explaining the practical case carried out at the

university.

By measuring the I-V curve of PV modules in real test conditions and the later

extrapolation of the results to the standard test conditions (STC), manufacturers’ data

can be compared to the data obtained within this study.

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__________ Índice

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INTRODUCCIÓN A LA ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTÁICA ............................. 20

1.1 Introducción ...................................................................................................... 21

1.2 Sistemas fotovoltaicos autónomos ............................................................ 23

1.3 Sistemas Conectados en Red ...................................................................... 29

OBJETIVO DEL PROYECTO .................................................................................... 34

MÓDULO FOTOVOLTAICO ....................................................................................... 37

3.1 El efecto fotovoltaico ...................................................................................... 38

3.2 Módulos Solares Fotovoltaicos ................................................................... 40

3.3 Curva Característica del Módulo Fotovoltaico ........................................ 43

3.3.1 Terminología .............................................................................................. 43

3.3.2 Ecuación Característica ......................................................................... 46

3.3.3 Factores que afectan la característica I-V del generador .............. 49

3.3.3.1 Efecto de la intensidad de iluminación (Irradiancia) ................... 49

3.3.3.2 Efecto de la temperatura ..................................................................... 50

3.3.3.3 Efecto del contenido espectral de la luz ........................................ 52

3.3.4 Condiciones de referencia ..................................................................... 52

3.3.4.1 Condiciones Estándar de Medida (CEM) ........................................ 52

3.3.4.2 Condiciones Nominales de Operación (CNO) ............................... 53

3.3.5 Eficiencia de módulo fotovoltaico ....................................................... 54

3.3.5.1 Eficiencia con respecto al área total ............................................... 55

3.3.5.2 Eficiencia con respecto al área de célula ....................................... 55

3.3.5.3 Eficiencia con respecto al área activa de la célula ...................... 56

3.4 Tipos de módulos fotovoltaicos .................................................................. 56

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BANCO DE ENSAYO .................................................................................................. 59

4.1 Descripción del banco de ensayo ............................................................... 60

4.2 Carga capacitiva .............................................................................................. 64

CASO PRÁCTICO ....................................................................................................... 67

5.1 Módulos y célula solar del estudio ......................................................... 68

5.2 Metodología del estudio ............................................................................ 70

5.3 Medidas realizadas ...................................................................................... 74

CONCLUSIONES ........................................................................................................ 95

BIBLIOGRAFÍA ............................................................................................................ 98

ANEXO I: CARGA CAPACITIVA ............................................................................ 101

ANEXO II: TRATAMIENTO DE CAPTURAS ....................................................... 123

ANEXO III: MATERIALES EMPLEADOS EN LA FABRICACIÓN DEL BANCO

DE ENSAYOS ............................................................................................................. 127

ANEXO IV: PARÁMETROS DE LA CÉLULA SOLAR Y MÓDULOS

FOTOVOLTAICOS ..................................................................................................... 132

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______ Índice de figuras

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Figura 1 Célula fotovoltaica 22

Figura 2 Módulo fotovoltaico 22

Figura 3 Sistema fotovoltaico autónomo 24

Figura 4 Ciclo de carga y descarga de una batería 27

Figura 5 Características del líquido de una batería Pb-ácido 28

Figura 6 Diagrama de bloques de un sistema fotovoltaico conectado a red 30

Figura 7 Intercambios de energía entre un edificio fotovoltaico y la red

eléctrica de distribución en un día típico soleado

32

Figura 8 Tabla I: Diferencias entre una central fotovoltaica y un edificio

fotovoltaico

33

Figura 9 Fenómeno fotovoltaico 38

Figura 10 Sección transversal de un módulo fotovoltaico 42

Figura 11 Curva característica, con sus principales elementos, de una célula

fotovoltaica

44

Figura 12 Esquema de conexión eléctrica en un módulo fotovoltaico 47

Figura 13 Tabla con los parámetros característicos para las curvas de la figura

14

48

Figura 14 Curva característica del módulo fotovoltaico para diferentes

combinaciones serie-paralelo de la célula solar

48

Figura 15 Efecto de la irradiancia sobre la característica I-V de un generador

fotovoltaico

50

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Figura 16 Efecto de la variación de la característica I-V del generador

fotovoltaico al variar la temperatura manteniendo la irradiancia

constante

51

Figura 17 Módulo solar policristalino 57

Figura 18 Módulo solar monocristalino 57

Figura 19 Módulo solar amorfo 58

Figura 20 Módulo solar flexible 58

Figura 21 Bastidor 60

Figura 22 Armario intemperie 61

Figura 23 Armario del laboratorio 61

Figura 24 Canaleta fijada a la estructura del edificio 62

Figura 25 Disposición de los conectores 63

Figura 26 Interior de la carga capacitiva 65

Figura 27 Panel frontal de la carga 65

Figura 28 Panel trasero de la carga 66

Figura 29 Célula solar calibrada (a), módulo de referencia (b), módulo de

prueba (c) del caso práctico

69

Figura 30 Disposición de los elementos situados en el bastidor 70

Figura 31 Módulos y célula coplanarios 71

Figura 32 Shunt 100 mV/A 72

Figura 33 Picoscope 73

Figura 34 Entradas de las señales 73

Figura 35 Curva I-V del módulo de referencia BP día 20 de junio 79

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Figura 36 Curva I-V del módulo de prueba Isofotón día 20 de junio 79

Figura 37 Tabla con los valores característicos de las curvas I-V de los dos

módulos en el día 20 de junio

80

Figura 38 Curva I-V en CEM del módulo de referencia BP el día 20-6 82

Figura 39 Curva I-V en CEM del módulo de prueba Isofotón el día 20-6 82

Figura 40 Tabla con los valores característicos en CEM de las curvas I-V de

los dos módulos en el día 20-6

82

Figura 41 Curva I-V del módulo de referencia BP el día 25 de junio 83

Figura 42 Curva I-V del módulo de prueba Isofotón el día 25 de junio 83

Figura 43 Tabla con los valores característicos de las curvas I-V de los dos

módulos en el día 25 de junio

83

Figura 44 Curva I-V en CEM del módulo de referencia BP el día 25-6 85

Figura 45 Curva I-V en CEM del módulo de prueba Isofotón el día 25-6 85

Figura 46 Tabla con los valores característicos en CEM de las curvas I-V de

los dos módulos en el día 25-6

85

Figura 47 Variación de la Isc e Im con G 87

Figura 48 Variación de Voc y Vm con Tc 87

Figura 49 Variación de Pm con G 88

Figura 50 Variación de FF con G 88

Figura 51 Variación de FF con Tc 89

Figura 52 Gráficas de las corrientes extrapoladas Isc* e Im

* 90

Figura 53 Tensión de circuito abierto y del punto de máxima potencia

extrapoladas (Voc*, Vm

*)

91

Figura 54 Potencia máxima extrapolada (Pm*) 92

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Figura 55 Factor de forma extrapolado (FF*) 93

Figura 56 Captura original (A) 125

Figura 57 Captura original en primer cuadrante (B) 125

Figura 58 Captura filtrada en primer cuadrante (C) 125

Figura 59 Cálculo de parámetros en captura filtrada (D) 125

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_____ Índice de ecuaciones

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Ecuación 1 46

Ecuación 2 46

Ecuación 3 46

Ecuación 4 47

Ecuación 5 49

Ecuación 6 51

Ecuación 7 51

Ecuación 8 54

Ecuación 9 55

Ecuación 10 73

Ecuación 11 73

Ecuación 12 76

Ecuación 13 76

Ecuación 14 77

Ecuación 15 77

Ecuación 16 126

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CAPÍTULO 1

INTRODUCCIÓN A LA

ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTÁICA

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1.1 Introducción

El sol es el origen de todas las energías renovables. La tierra recibe del sol una cantidad

de energía anual de aproximadamente 5,4*1024 J. cifra que equivale a 4500 veces la

energía que consume la humanidad.

La energía solar presenta dos características que la diferencian de las fuentes energéticas

convencionales:

• Dispersión: su densidad apenas alcanza 1 kW/m2, muy por debajo de otras

densidades energéticas, lo que hace necesarias grandes superficies de captación o

sistemas de concentración de los rayos solares.

• Intermitencia: hace necesario el uso de sistemas de almacenamiento de la

energía captada.

Los sistemas fotovoltaicos son aquellos que transforman directamente la irradiación

solar en energía eléctrica de corriente continua. No tienen partes móviles, no consumen

combustibles fósiles y no contaminan.

El elemento que hace posible esta transformación es la célula fotovoltaica (figura 1).

Los módulos fotovoltaicos (figura 2) están compuestos de varias células fotovoltaicas

conectadas en serie y en paralelo para así abarcar un amplio abanico de tensiones y

corrientes.

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Los módulos fotovoltaicos admiten tanto radiación directa (la que se recibe

directamente del sol, sin sufrir ninguna dispersión atmosférica) como difusa (emitida

por la bóveda celeste diurna gracias a los múltiples fenómenos de reflexión y refracción

solar en la atmósfera, en las nubes y el resto de elementos atmosféricos y terrestres),

pudiendo generar energía eléctrica incluso en días nublados.

Figura 1 Célula fotovoltaica Figura 2 Módulo fotovoltaico

Algunos de los usos de esta energía son:

1- Electrificación de emplazamientos donde no llega la red eléctrica (sistemas

fotovoltaicos autónomos)

• Suministro de agua a poblaciones

• Bombeo de agua/riegos

• Naves ganaderas

• Telecomunicaciones: repetidores de señal, telefonía móvil y rural

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• Tratamientos de aguas; desalinización, cloración

• Señalizaciones (marítima, ferroviaria, terrestre y aérea) y alumbrado

público

• Sistemas de telecontrol vía satélite, detección de incendios

• Electrificación de viviendas rurales

2- Inyección en la red (sistemas fotovoltaicos conectados en red)

• Plantas fotovoltaicas

• Edificios fotovoltaicos

1.2 Sistemas fotovoltaicos autónomos

Son utilizados especialmente donde no existen sistemas de redes interconectadas o

donde, debido a la distancia, la conexión a la red resulta muy costosa. Están formados

por módulos fotovoltaicos, reguladores de carga, inversor y acumuladores (figura 3).

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Figura 3 Sistema fotovoltaico autónomo

• Regulador de carga: de características definidas por la tensión nominal y la

intensidad máxima que es capaz de disipar, regula la entrada y salida de

corriente de las baterías en función de su estado de carga, protegiendo los

acumuladores contra la sobrecarga y la descarga excesiva. En el primer caso

cortocircuita las placas y corta el paso de corriente hacia los acumuladores, y en

el segundo, corta el suministro y avisa mediante una alarma de que la tensión

está próxima a los niveles mínimos de seguridad.

El regulador es necesario ya que la sobrecarga de las baterías provoca una

producción de gases de hidrógeno y oxígeno por hidrólisis del agua o un

sobrecalentamiento, que pueden ser peligrosos y que acortan notablemente la

vida de las baterías. Por otro lado, una descarga excesiva afecta a la futura

capacidad de carga de las baterías.

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Existen muchos modelos de reguladores, siendo el más completo el que integra

funciones de prevención de carga y descarga del equipo, suministra información

sobre el estado de carga y la tensión en la batería, selecciona el modo de carga

superficial o profunda, determina la tensión a mantener en función de la

temperatura y registra la potencia entregada. Un ordenador conectado al

regulador permite realizar un seguimiento del funcionamiento de la instalación.

• Inversor (ondulador o convertidor): convierte la tensión en continua (12, 24,

48V) que generan los módulos fotovoltaicos a tensión alterna de 230V 50Hz.

En el caso de que el consumo deseado sea en corriente continua, la tensión

continua de alimentación de los aparatos a conectar no suele coincidir con la

tensión de continua de los módulos fotovoltaicos. En ese caso se requiere un

convertidor de continua-continua (DC/DC).

Los parámetros principales del inversor son:

Tensión de entrada a adaptar a la del generador, la potencia máxima que

puede proporcionar y su rendimiento.

Rendimiento es la relación:

=

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Para alcanzar el punto óptimo de trabajo del inversor es necesario conocer la

variación de la potencia consumida, especialmente si la demanda de alterna es

variable, para ajustar el punto de trabajo del equipo a un valor medio

especificado. El rendimiento varía pues en función de la potencia consumida

siendo el punto óptimo de trabajo del orden del 70% de la carga cuando la

entrada al inversor es de 24V y del 85% cuando es de 110V.

• Acumulador eléctrico: son normalmente baterías estacionarias con largos

periodos de descarga (unas 100 horas), que son las que mejor se adaptan al

régimen de funcionamiento de los sistemas fotovoltaicos.

Necesarios para adecuarse a la demanda de energía, que puede variar por la

noche o en momentos de poca insolación, y a la producción solar de energía que

puede cambiar a lo largo del año y que depende de las condiciones climáticas.

Son elementos de 2V, que unidos en serie proporcionan corriente a la tensión de

12, 24 o 48V, en función de si se conectan 6, 12 o 24 elementos

respectivamente. Debe definirse su capacidad de carga y las condiciones

climáticas del lugar de instalación, su eficiencia media de carga es de

aproximadamente el 85%, es decir que disipan un 15% de la energía que reciben

de los módulos fotovoltaicos.

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Su profundidad de descarga es el tanto por ciento de la energía obtenida del

acumulador, si se parte de éste en estado de plena carga. Por ejemplo, una

batería de 150 Ah sometida a una descarga de 30 Ah representa una profundidad

de descarga del 20% (30/150). La profundidad de descarga puede ser superficial

(menor del 20%), lo que supone una vida más larga del acumulador, y profunda

(hasta el 80%) (Figura 4).

Figura 4 Ciclo de carga y descarga de una batería

Es importante señalar que la mayoría de los acumuladores pueden quedar

seriamente dañados si se descargan completamente, perdiendo gran parte de su

capacidad de carga. En la figura 5 se muestran los valores de la carga, la tensión

y peso específico (densidad del electrolito) del ácido a medida que se descarga la

batería.

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% de la carga Tensión batería 12 V Tensión batería 24 V Peso específico

(%) (V) (V) (Kg/dm3)

100 12,7 25,4 1,265 95 12,64 25,25 1,257 90 12,58 25,16 1,249 85 12,52 25,04 1,241 80 12,46 24,92 1,233 75 12,4 24,8 1,225 70 12,36 24,72 1,218 65 12,32 24,64 1,211 60 12,28 24,56 1,204 55 12,24 24,48 1,197 50 12,2 24,4 1,19 45 12,16 24,32 1,183 40 12,12 24,24 1,176 35 12,08 24,16 1,169 30 12,04 24,08 1,162 25 12 24 1,155 20 11,98 23,96 1,148 15 11,96 23,92 1,141 10 11,94 23,88 1,134 5 11,92 23,84 1,127 Descargada 11,9 23,8 1,12

Figura 5 Características del líquido de una batería Pb-ácido

La capacidad del acumulador se mide en amperios-hora (Ah) para un tiempo de

descarga determinado, es decir, una batería de 150 Ah es capaz de suministrar 150 A

(amperios) durante una hora, o bien 1 A durante 150 horas. En los acumuladores

fotovoltaicos el tiempo normal de descarga es de 100 horas, por lo que la batería

anterior descargaría 1,5 A durante 100 horas.

La gran mayoría de los acumuladores para los sistemas fotovoltaicos son de plomo-

ácido (Pb-ácido), que mientras tengan un mantenimiento adecuado son los que mejor se

adaptan. Otros acumuladores son los de plomo-calcio (Pb-Ca), con menos

mantenimiento y una menor autodescarga, y los de plomo-antimonio (Pb-Sb), con

mejores prestaciones a niveles bajos de carga y un menor deterioro ante la sucesión de

ciclos de carga-descarga.

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Las baterías de níquel-cadmio (Ni-Cd) tienen un menor mantenimiento, la posibilidad

de prescindir del elemento regulador y pueden estar bastante tiempo con un bajo nivel

de carga sin deterioro, pero son más caras, sobre unas cuatro veces mayor que las de

plomo-ácido; además su baja capacidad de descarga es un problema en la mayoría de

aplicaciones fotovoltaicas.

Las baterías estancas llamadas “sin mantenimiento” tienen un precio más elevado. Otros

tipos de baterías como las de níquel-hierro (Ni-Fe) tienen una alta fiabilidad, una vida

útil larga y una operación libre de toxicidad.

Desde el punto de vista del mantenimiento es imprescindible comprobar regularmente

(por ejemplo, una vez por semana) su estado de carga (si es muy bajo, la vida útil se

reduce sensiblemente) y el nivel del electrolito para reponerlo si ha bajado, añadiendo

agua destilada hasta el nivel recomendado por el fabricante.

1.3 Sistemas Conectados en Red

Los sistemas fotovoltaicos conectados a la red eléctrica de distribución (SFCR)

constituyen la aplicación de la energía solar fotovoltaica que mayor expansión ha

experimentado en la última década. Se caracterizan por inyectar la totalidad o parte de

su producción a la red eléctrica de distribución, y su configuración responde al diagrama

de bloques de la figura 6, formado por el generador fotovoltaico (módulos

interconectados eléctricamente y estructura de soporte asociada), el acondicionamiento

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de potencia (convertidor DC/AC o inversor) y la unidad de control e interfaz con la red

eléctrica (conjunto de medidas adoptadas para garantizar la seguridad y calidad del

servicio).

Figura 6 Diagrama de bloques de un sistema fotovoltaico conectado a red

Se distinguen básicamente dos tipos de SFCR, que responden a motivaciones y

objetivos diferentes:

a) Centrales fotovoltaicas, en las que se persigue optimizar la producción

energética mediante un enfoque centralizado similar al empleado en las centrales

eléctricas convencionales. Se sitúan en terrenos alejados de los núcleos urbanos,

debidamente acondicionados para ubicar las estructuras de soporte de los módulos

fotovoltaicos y demás infraestructuras necesarias (cableado, inversores,

instalaciones de control, protección e interfaz con la red eléctrica, etc.). Constan

de generadores fotovoltaicos con una potencia nominal desde varios cientos de

kWp hasta 10 MWp, que operan con estrategias de captación solar estáticas o

móviles (seguimiento solar, con o sin concentración) y vierten la totalidad de su

producción en redes eléctricas de media tensión. La explotación de estos sistemas

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estaba a cargo de las compañías eléctricas, si bien la existencia de marcos

reguladores favorables a la electricidad de origen fotovoltaico en algunos países

ha permitido la entrada en los últimos años de nuevos agentes (inversores de

carácter privado y público).

b) Sistemas fotovoltaicos integrados en entornos urbanos, comúnmente conocidos

como “Edificios Fotovoltaicos Conectados a la Red” (EFCR), en los que los

generadores fotovoltaicos, de potencia nominal típica entre uno y varios cientos

de kWp, se integran arquitectónicamente, en mayor o menos medida, en edificios

y otras construcciones urbanas (pérgolas, estaciones de transporte público,

mobiliario urbano, etc.). Constituyen un claro ejemplo de generación distribuida

que, en el caso de los “edificios fotovoltaicos”, se traduce en intercambios de

energía con la red eléctrica cuyas características dependen de la normativa

aplicable. Así, en algunos casos el sistema fotovoltaico suministra parte del

consumo local del edificio y vierte el excedente en la red de distribución (véase

figura 7), mientras que en otros se destina toda la producción a la red.

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Figura 7 Intercambios de energía entre un edificio fotovoltaico y la red eléctrica de distribución en un día típico

soleado

La tabla I (figura 8) resume las principales diferencias entre las centrales y los edificios

fotovoltaicos. Como puede comprobarse, estos últimos difieren sustancialmente de las

primeras en la complejidad de la instalación y la proximidad al lugar de consumo. La

combinación de estos factores, unida a motivaciones de índole social (educación,

concienciación sobre temas energéticos y medioambientales, imagen pública, etc.) y

económica (políticas favorecedoras), ha determinado en numerosos países importantes

inversiones en edificios fotovoltaicos mucho antes de haberse alcanzado los niveles de

competitividad con la electricidad convencional, en términos estrictos de coste

económico de la energía producida. Por otra parte, al amparo de disposiciones legales

favorables a los sistemas fotovoltaicos conectados a la red, también se ha constatado un

incremento de las centrales fotovoltaicas en los últimos años, pese a que esta aplicación

parecía encontrarse en declive a finales de los noventa.

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Figura 8. Tabla I: Diferencias entre una central fotovoltaica y un edificio fotovoltaico

El notable incremento en la demanda de módulos solares fotovoltaicos ha generado un

aumento significativo en el número de empresas dedicadas a la fabricación y suministro

de los mismos. Esto ha incrementado la necesidad de controles de calidad de los

módulos solares para comprobar si los parámetros anunciados por los fabricantes de

módulos se corresponden con el funcionamiento en condiciones reales de operación.

A la hora de montar una instalación solar fotovoltaica, ya sea aislada o conectada a la

red eléctrica (en este segundo caso más necesario si cabe debido a las altas inversiones

que se realizan) es necesario conocer las características reales de los módulos para una

correcta elección de los mismos.

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CAPÍTULO 2

OBJETIVO DEL PROYECTO

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El objetivo de este proyecto es el de construir un banco de ensayos para realizar la

medida de la curva I-V de módulos fotovoltaicos en condiciones reales de operación en

el contexto de procedimientos de control de calidad de este tipo de dispositivos

Esta medida de la curva I-V de los módulos bajo estudio nos va a dar una idea de lo

cercanas que están las características de tensión, corriente y potencia dadas por los

fabricantes con el funcionamiento real del módulo en unas condiciones determinadas.

El banco de ensayos está compuesto de un bastidor y dos armarios eléctricos de

conexiones. El bastidor será el soporte para los módulos solares y en los armarios

eléctricos realizaremos las conexiones necesarias tanto de los módulos como de los

aparatos utilizados para la toma de las medidas.

Incluimos también un caso práctico para ilustrar las posibilidades del banco de ensayo,

que tiene las siguientes fases:

1º montaje sobre el bastidor de un módulo fotovoltaico patrón calibrado por

una entidad competente, junto con otro módulo fotovoltaico a medir y una célula solar

fotovoltaica. Las características de construcción tanto de los dos módulos como de la

célula deben ser lo más parecidas posibles (mismo número de células, mismo material

de células, mismo encapsulamiento, etc.).

2º Asegurar que las condiciones en las que se va a realizar el ensayo están

próximas a las Condiciones Estándar de Medida (CEM), y que ambos módulos y célula

tienen la misma orientación e inclinación al estar colocados sobre el mismo bastidor.

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3º Obtención de las curvas I-V de ambos módulos mediante una carga

capacitiva y un osciloscopio

4º Extrapolación de las curvas I-V medidas a las CEM para hacer una

comparación real con las características dadas por los fabricantes. Es en este punto

donde comprobaremos el ajuste de los datos del fabricante con los datos medidos.

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CAPÍTULO 3

MÓDULO FOTOVOLTAICO

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3.1 El efecto fotovoltaico

El efecto fotovoltaico (figura 9) se produce cuando la radiación solar incide sobre un

material semiconductor en el que se han creado artificialmente dos regiones, una tipo p

(positiva) dopada con cantidades muy pequeñas de boro que contiene “orificios”

cargados positivamente y otra tipo n (negativa) dopada con fósforo que contiene

electrones adicionales. La unión de estos materiales p y n al ser expuesta a la luz,

genera un campo electrostático constante, lo que produce un movimiento de electrones

(corriente continua) que fluyen al cerrar el circuito con una carga externa.

Figura 9 Fenómeno fotovoltaico

Mediante la tecnología, algunos átomos de los que constituyen la red cristalina del

semiconductor se pueden cambiar por otros, llamados impurezas, que pueden ser de dos

tipos:

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o donadoras, si en su última capa tienen un electrón más que los átomos que

constituyen la red.

o aceptadoras, si tienen un electrón menos.

Cuando en el semiconductor introducimos impurezas donadoras, éstas pueden perder el

electrón fácilmente. Si introducimos un número de impurezas adecuado (mayor que la

concentración intrínseca del semiconductor) es posible conseguir que el número de

electrones en el semiconductor venga determinado por el número de impurezas y no por

la concentración intrínseca. Se dice que el semiconductor es extrínseco, y en este caso,

de tipo n.

De forma análoga, cuando en el semiconductor introducimos impurezas aceptadoras,

éstas capturan un electrón fácilmente lo que origina la aparición de un hueco en la red.

De nuevo, introduciendo en el semiconductor un número de impurezas adecuado

(mayor que la concentración intrínseca) puede conseguirse que el número de huecos

venga determinado por el número de impurezas. El semiconductor tiene, de nuevo,

carácter extrínseco pero en esta ocasión se dice que es de tipo p.

El término extrínseco está relacionado con el hecho de que ahora la conductividad (o la

resistencia) del semiconductor no está determinada por una propiedad característica del

mismo (o intrínseca) sino por algo ajeno (o extrínseco) que se ha introducido, a saber,

las impurezas. Dada la dependencia exponencial que tiene la concentración intrínseca

con la temperatura, si la temperatura aumenta lo suficiente, un semiconductor pasará de

ser extrínseco a intrínseco. Normalmente, con los semiconductores habituales en la

industria electrónica (Si, GaAs…) puede conseguirse con facilidad que en un entorno de

unos 80 grados alrededor de la temperatura ambiente el semiconductor conserve su

carácter extrínseco.

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3.2 Módulos Solares Fotovoltaicos

Desde el punto de vista de la aplicación de los sistemas fotovoltaicos para la obtención

de electricidad, es necesaria la asociación de células fotovoltaicas hasta obtener una

potencia de generación deseada, que dependerá del tipo de instalación, las cargas que

alimentará, y si dispone o no de sistemas de acumulación y adaptación de corriente. Esta

asociación se materializa, en primer lugar, en el módulo fotovoltaico, que es el

dispositivo comercial consistente en una asociación de células fotovoltaicas siguiendo

una configuración serie-paralelo determinada y preparado para su instalación exterior.

De la misma manera que las células fotovoltaicas se asocian para formar el módulo

fotovoltaico, los módulos se asocian entre sí, en serie y en paralelo, hasta obtener la

potencia deseada para el tipo de aplicación al que se vaya a destinar, constituyendo el

generador fotovoltaico

El módulo así definido es encapsulado de forma que quede protegido de los agentes

atmosféricos que le puedan afectar cuando esté trabajando en la intemperie, dándole a la

vez rigidez mecánica y aislándole eléctricamente del exterior. Tradicionalmente los mó-

dulos fotovoltaicos más utilizados en aplicaciones autónomas de pequeña potencia esta-

ban constituidos por 33 o 36 células de silicio monocristalino o policristalino, asociadas

en serie. No obstante, en la actualidad, con la amplia gama de aplicaciones fotovoltaicas

existentes y el incremento de las nuevas aplicaciones como la integración de sistemas

fotovoltaicos en edificios, el tamaño y características de los módulos presenta una gran

variación, pudiendo encontrarse desde el módulo convencional con cubierta transparen-

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te, encapsulado en Tedlar y con 72 células conectadas en serie, hasta los módulos semi-

transparentes coloreados especialmente diseñados para su integración en edificios, o los

llamados “AC-modules”, que incorporan un pequeño inversor en la caja de conexiones

generando, por tanto, en corriente alterna.

La figura representa, de forma esquematizada, la estructura más convencional de un

módulo fotovoltaico. La sección transversal muestra los siguientes elementos:

1. Cubierta frontal: Ha de poseer una elevada transmisión en el rango de longitudes

de onda que pueden ser aprovechadas por una célula solar fotovoltaica (350 a

1200 nm en el caso de células de silicio), y una baja reflexión de la superficie

frontal, para aprovechar al máximo la energía solar incidente. Además, el mate-

rial ha de ser impermeable al agua, deberá tener una buena resistencia al impac-

to, deberá ser estable a la exposición prolongada de los rayos UV y contará con

una baja resistividad térmica. Si se diera el caso de que penetrara agua en el inte-

rior del módulo, ésta corroería los contactos metálicos contribuyendo a reducir

drásticamente la vida útil del módulo.

Entre los materiales más empleados para la superficie frontal podemos encontrar

acrílicos, polímeros y cristal. El más empleado suele ser el cristal templado con

bajo contenido en hierro por sus características de bajo coste, elevada transpa-

rencia y estabilidad, impermeabilidad al agua y los gases y buenas propiedades

de auto-limpiado.

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2. Encapsulante: se utiliza para dar adhesión entre las células solares, la superficie

frontal y la posterior del módulo. Deberá ser impermeable al agua y resistente a

la fatiga térmica y la abrasión. El más utilizado es el EVA (etilen-vinil-acetato).

3. Cubierta posterior: Debe ser impermeable y con baja resistencia térmica. Nor-

malmente se utiliza una película de Tedlar adosada en toda la superficie del mó-

dulo, aunque también existen modelos que emplean una nueva capa de Tedlar y

un segundo vidrio.

4. Células solares y sus conectores: las cintas de interconexión eléctrica suelen ser

de aluminio o acero inoxidable, y se sueldan de forma redundante, con dos con-

ductores paralelos para aumentar la recolección de portadores en ambas caras de

la célula.

Figura 10 Sección transversal de un módulo fotovoltaico

Los bordes del bloque así laminado se protegen de la posible exfoliación con una junta

de neopreno, y todo el conjunto va incrustado en un marco de aluminio adherido

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normalmente con silicona, que le proporciona resistencia mecánica y está preparado

para permitir su instalación y ensamblaje en cualquier estructura. Se incorpora también

una caja de conexiones externa (normalmente adherida con silicona en la parte

posterior) que cuenta con dos bornes de salida, positivo y negativo, para permitir la

conexión de módulos. Ésta ha de ser de cierre hermético y resistente a la intemperie

para proteger las conexiones del módulo, y en algunos casos lleva incorporados diodos

de protección.

3.3 Curva Característica del Módulo Fotovoltaico

3.3.1 Terminología

La representación estándar de un dispositivo fotovoltaico es la característica corriente-

tensión (figura 11). La curva representa las posibles combinaciones de corriente y

voltaje para un dispositivo fotovoltaico bajo unas condiciones ambientales

determinadas. El punto concreto de corriente y voltaje en el que el dispositivo

fotovoltaico trabajará vendrá determinado por la carga a la que esté conectado.

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Figura 11 Curva característica, con sus principales elementos, de una célula fotovoltaica

Los principales parámetros de la característica I-V del dispositivo fotovoltaico, según se

señalan en la figura 11, son:

o Corriente de cortocircuito (Isc): es la máxima corriente que producirá el

dispositivo bajo unas condiciones definidas de iluminación y temperatura,

correspondientes con un voltaje igual a cero.

o Voltaje de circuito abierto (Voc): es el máximo voltaje del dispositivo bajo unas

condiciones determinadas de iluminación y temperatura, correspondientes a una

corriente igual a cero.

o Potencia máxima (Pm): es la máxima potencia que producirá el dispositivo en

unas condiciones determinadas de iluminación y temperatura, correspondiente al

par máximo V x I.

Curva I-V

Curva potencia P = I·V

Potencia máxima: Pm = Im · Vm

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o Voltaje en el punto de máxima potencia (Vm): es el valor de voltaje para Pm en

unas condiciones determinadas de iluminación y temperatura.

o Corriente en el punto de máxima potencia (Im): es el valor de corriente para Pm

en unas condiciones determinadas de iluminación y temperatura.

o Factor de forma o fill factor (FF): es el valor correspondiente al cociente entre

Pm y el producto Isc y Voc. Puede venir expresado en tanto por ciento o tanto por

1, siendo el valor 100% el que correspondería a un hipotético perfil de curva

cuadrado, no real. Nos da una idea de la calidad del dispositivo fotovoltaico,

siendo éste tanto mejor cuanto más alto sea su factor de forma.

Generalmente las células dentro del módulo fotovoltaico se asocian en serie, con el fin

de obtener valores de voltajes más apropiados para su conexión a distintas cargas o a

una batería (el voltaje de una célula estándar suele ser de unos 0,6V). El voltaje total del

módulo dependerá, por tanto, del número de células asociadas en serie. Por el contrario,

la corriente que podremos obtener del módulo fotovoltaico va a depender básicamente

del tipo y tamaño de células (suponiendo que no haya células conectadas en paralelo en

el interior del módulo). Una célula clásica de silicio cristalino de 100 cm2 de área suele

ofrecer unos 3 A, aunque actualmente se están produciendo células de tamaños muchos

más grandes, pudiendo rendir hasta 5 o 7 A.

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3.3.2 Ecuación Característica

La curva característica corriente tensión de una célula fotovoltaica puede describirse

con suficiente precisión por la ecuación:

I = I − I · exp · ·!" − 1$ − % Ecuación 1

Donde IL es la corriente fotogenerada, IO es la corriente inversa de saturación del diodo,

vt es el voltaje térmico ( v' = K · T e* , siendo K la constante de Boltzman, T la

temperatura en grados Kelvin y e la carga del electrón), m es el factor de idealidad del

diodo, Rs es la resistencia serie y Rp la resistencia paralelo. Para el caso de un módulo

fotovoltaico, su característica eléctrica dependerá fundamentalmente del número de

células en serie y paralelo que posea. Si suponemos que todas la células constituyentes

de un módulo fueran iguales, la corriente generada por el módulo sería igual a la

corriente de la célula multiplicada por el número de células en paralelo, y el voltaje sería

igual al voltaje de la célula multiplicado por el número de células en serie:

I +, = I- · N/ Ecuación 2

V +, = V- · N1 Ecuación 3

donde Np y Ns son respectivamente el número de células en paralelo y en serie que

contiene el módulo según se muestra en la figura.

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Figura 12 Esquema de conexión eléctrica en un módulo fotovoltaico

Teniendo esto en cuenta, si combinamos las ecuaciones 1, 2 y 3 se obtendría, para la

curva característica de un módulo fotovoltaico formado por células iguales y con re-

lación a los parámetros de la célula:

I N/ 2I I 3exp 4* 4%5 !" 16 4* 4%5% 7 Ecuación 4

Esta ecuación muestra el mismo comportamiento que la característica I-V de una cé-

lula, y de hecho en la práctica, cuando se habla de la ecuación característica y los pa-

rámetros fundamentales de un módulo fotovoltaico, no se suele hacer referencia a su

relación con la célula solar sino que se escribe la ecuación 1 con todos los parámetros

característicos (IL, IO, m, Rs y Rp) del módulo. La figura 14 muestra un ejemplo de la

curva característica de un módulo fotovoltaico partiendo de la misma célula y con di-

ferentes configuraciones serie paralelo. Los parámetros significativos de esta curva

son los mismos que se empleaban para el caso de células, es decir, Isc es la corriente

de cortocircuito, Voc es el voltaje de circuito abierto, Vm e Im son los valores de volta-

je y corriente correspondientes al punto de máxima potencia Pm y FF es el “Factor de

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Forma” (FF V I V+- I1-* ) que nos da una idea de la calidad de la curva. Los

valores fundamentales de estos parámetros para la figura 14 aparecen en la figura 13.

Figura 13 Tabla con los parámetros característicos para las curvas de la figura 14

Figura 14 Curva característica del módulo fotovoltaico para diferentes combinaciones serie-paralelo de la célula

solar

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3.3.3 Factores que afectan la característica I-V del generador

La curva característica corriente tensión del generador fotovoltaico se ve afectada por

factores ambientales tales como la intensidad de iluminación, la temperatura y la

distribución espectral de la luz solar.

3.3.3.1 Efecto de la intensidad de iluminación (Irradiancia)

En general la irradiancia afecta principalmente a la corriente, de forma que se puede

considerar que la corriente de cortocircuito del generador fotovoltaico es proporcional a

la irradiancia:

I1-9G;< = I1-9G=< · >?>@ Ecuación 5

donde: Isc(G2) es la corriente de cortocircuito para un nivel de irradiancia G2

Isc(G1) es la corriente de cortocircuito para un nivel de irradiancia G1

Esta ecuación es válida para variaciones de irradiancia a temperatura constante, y

resulta una aproximación cuando ésta varía, ya que supone despreciar los efectos que la

temperatura tiene sobre la corriente de cortocircuito. Sin embargo, podemos

considerarlo como una expresión adecuada para tener una idea de cuales serían los

valores de la Isc a diferentes irradiancias ya que el error que se comete es inferior al

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0.5%.

La figura 15 muestra un ejemplo de la influencia de la intensidad de iluminación sobre

una curva I-V medida en laboratorio desde 120 W/m2 hasta 1180 W/m2 y temperatura

constante.

Figura 15 Efecto de la irradiancia sobre la característica I-V de un generador fotovoltaico

3.3.3.2 Efecto de la temperatura

La temperatura afecta principalmente a los valores de voltaje de la característica I-V, y

tiene su mayor influencia en el voltaje de circuito abierto, aunque también modifica los

valores del punto de máxima potencia y el valor de Isc (éste muy ligeramente). En la

figura 16 puede verse un ejemplo de la variación de la curva característica I-V en un

generador fotovoltaico al variar la temperatura manteniendo la irradiancia constante.

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V+-9T-< = V+-∗ + βDE9T- − TF∗< + N1VG ln J EE∗K Ecuación 6

Donde Ns es el número de células conectadas en serie y VT es la temperatura térmica:

VG = m MGE9N<O Ecuación 7

Donde m es el factor de idealidad del diodo (que para el modelo de una exponencial

utilizado tiene un valor típico m=1,3), k es la constante de Boltzmann, q es la carga del

electrón y Tc está expresada en Kelvin.

Figura 16 Efecto de la variación de la característica I-V del generador fotovoltaico al variar la temperatura

manteniendo la irradiancia constante

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3.3.3.3 Efecto del contenido espectral de la luz

Dependiendo de la época del año y la hora de medida el espectro presenta pequeñas

desviaciones respecto al espectro considerado estándar en la superficie terrestre. Si se

realiza una medida del espectro en el momento de tomar la característica I-V puede rea-

lizarse una pequeña corrección multiplicando la corriente de cortocircuito por el “factor

espectral”, obtenido de la comparación del espectro estándar y el espectro en condicio-

nes experimentales. Esta corrección suele ser muy pequeña y se utiliza cuando se re-

quiere elevada precisión por tratarse de calibraciones de células o módulos fotovoltai-

cos.

3.3.4 Condiciones de referencia

Dado que la curva característica del módulo fotovoltaico cambia con las condiciones

ambientales, es necesario definir una serie de condiciones de operación para poder

contrastar los valores de distintos fabricantes y extrapolar a partir de ellas a otras

condiciones deseadas. Las condiciones más empleadas son:

3.3.4.1 Condiciones Estándar de Medida (CEM)

Son las de uso más generalizado y universal, y vienen definidas por:

Irradiancia 1000 W/m2

Distribución espectral AM 1.5G

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Incidencia normal

Temperatura de la célula 25ºC

Normalmente los parámetros característicos de los módulos o células incluidos en las

hojas de especificaciones técnicas de los fabricantes vienen definidos en estas

condiciones. Sin embargo la experiencia muestra que pocas veces los módulos

fotovoltaicos alcanzan estas condiciones, ya que con un nivel de irradiancia de 1000

W/m2 que puede alcanzarse al mediodía, los módulos adquieren temperaturas de más de

25ºC, a no ser que sea un día claro de invierno. Es por esto por lo que se definen

además, otras condiciones que pretenden representar el comportamiento del módulo de

manera más realista.

3.3.4.2 Condiciones Nominales de Operación (CNO)

Vienen definidas por:

Irradiancia 800 W/m2

Temperatura Tª de Operación Nominal de la Célula (TONC)

Velocidad del viento 1 m/s

Temperatura ambiente 20ºC

Donde TONC es lo que se define como la temperatura nominal de operación de la célu-

la, y representa la temperatura que alcanzarían las células solares para un nivel de irra-

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diancia de 800 W/m2, temperatura ambiente de 20ºC, velocidad del viento de 1 m/s e

incidencia normal. El valor de la TONC también viene incluido en las hojas de caracte-

rísticas técnicas de los módulos, y para un módulo de silicio monocristalino suele estar

en torno a los 47ºC. Además, existen normas internacionales que indican la forma de

calcular esta temperatura. Dado que las condiciones nominales de operación hacen refe-

rencia a la temperatura ambiente, y no a la temperatura del módulo, se hace necesaria

una expresión que relacione ambas. Se puede considerar una buena aproximación:

T- = TP + 4FGQ;RSRR · G Ecuación 8

donde: Tc es la temperatura de la célula o módulo

Ta es la temperatura ambiente

NOCT es la Temperatura de Operación Nominal de la Célula

G es la irradiancia

3.3.5 Eficiencia de módulo fotovoltaico

Para el caso de un generador fotovoltaico, la eficiencia sería el cociente entre la poten-

cia producida por el dispositivo y la potencia solar incidente. Sin embargo, existen va-

rias maneras de definir la eficiencia del generador fotovoltaico, dependiendo del área

del mismo que se tenga en cuenta. Así, en los catálogos de fabricantes y en bibliografías

de referencia podemos encontrar:

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3.3.5.1 Eficiencia con respecto al área total

Esta definición implica la relación entre la máxima potencia generada por el dispositivo

y la cantidad de radiación solar incidente en el dispositivo completo. Por dispositivo

completo se entiende el área total del módulo, incluyendo células, espacio intercelular,

contactos y marco del mismo.

ŋUVWP'+'PX = P PZ 9AG · GG<* Ecuación 9

Donde ŋAreatotal es la eficiencia con respecto al área total, Pmax es la potencia máxima que

puede generar el dispositivo, AT es el área total del mismo y GT es la irradiancia solar

incidente total.

3.3.5.2 Eficiencia con respecto al área de célula

Es una versión modificada de la anterior, en la que solo se considera el área cubierta por

células dentro del módulo, ignorando el espacio entre células y el marco del módulo. De

esta manera se evita el efecto de marcos muy grandes, que en realidad no afectan a la

calidad de las células fotovoltaicas.

La expresión sería la misma que la de la ecuación 9, sustituyendo el área total por el

área de las células AT.

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3.3.5.3 Eficiencia con respecto al área activa de la célula

Esta definición implica el cálculo de la eficiencia basada solamente en el área del

dispositivo que está expuesta a la luz solar incidente. Las áreas sombreadas por los

contactos o rejillas de las células no estarían incluidas. Esta es la eficiencia que nos

ofrece siempre un valor mayor, aunque normalmente solo se utiliza para células

individuales y en resultados de laboratorio, y no en dispositivos comerciales acabados.

3.4 Tipos de módulos fotovoltaicos

En todos los tipos de energías renovables existen uno o varios elementos dentro del sis-

tema, los cuales determinan en gran parte el funcionamiento global del sistema. En la

energía solar fotovoltaica el elemento más importante del sistema es el módulo fotovol-

taico.

En función del material utilizado para su fabricación, podemos hablar de distintos tipos

de células solares. Según esto, se dividen en tres tipos principalmente (aunque actual-

mente se están barajando nuevas tecnologías), estas son:

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- Células monocristalinas, las cuales se componen de secciones de un único cristal

de silicio, basadas en secciones de barra de silicio perfectamente cristalizado en

una sola pieza.

- Células policristalinas, están formadas por pequeñas partículas cristalizadas, se

basan en secciones de una barra de silicio que se ha estructurado desordenada-

mente en forma de pequeños cristales. Visualmente son reconocibles por tener

su superficie de aspecto granulado.

- Células de película delgada, también denominadas de silicio amorfo, basadas

también en el silicio, pero a diferencia de los dos anteriores, este material no si-

gue estructura cristalina alguna.

Figura 17 Módulo solar policristalino Figura 18 Módulo solar monocristalino

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Figura 19 Módulo solar amorfo Figura 20 Módulo solar flexible

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CAPÍTULO 4

BANCO DE ENSAYO

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60

4.1 Descripción del banco de ensayo

El banco de ensayo es el núcleo del presente proyecto.

Éste comprende el bastidor de soporte de los módulos solares fotovoltaicos, el armario

eléctrico situado en la azotea de la escuela, el armario eléctrico situado en el interior del

laboratorio y el cableado entre ambos armarios.

La disposición es la siguiente: uno de los armarios eléctricos y el bastidor se encuentran

en la azotea del edificio de la EUITT (figuras 21 y 22 respectivamente). El segundo

armario se encuentra en el laboratorio 7016, Laboratorio de Optoelectrónica. Ingeniería

fotovoltaica, dentro del departamento de ingeniería de circuitos y sistemas (ICS) de la

EUITT (figura 23).

Figura 21 Bastidor

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61

Figura 22 Armario intemperie

Figura 23 Armario del laboratorio

La configuración de los armarios eléctricos es la siguiente: una plancha de baquelita

perforada contiene 12 bornes para conectar cables de potencia y 12 bornes para conectar

cables de señal. A derecha e izquierda de las dos filas de los bornes de potencia hay dos

carriles para guiar los cables de los aparatos, componentes, etc. que se conecten a esos

borneros.

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62

En la parte izquierda del interior del armario se ha colocado un carril por donde pasan

los cables de potencia y señal que unen cada par de bornes de potencia y señal del

armario intemperie con el armario del laboratorio.

El armario intemperie está fijado a la azotea del edificio mediante una estructura

metálica que evita que se desplace en caso de vientos fuertes. Asimismo se le ha

colocado en la parte superior del mismo un tejadillo para mejor protección contra la

lluvia.

El armario del laboratorio está fijado a la pared a una altura adecuada para realizar con

comodidad las conexiones que se precisen.

Los cables que conectan los borneros de ambos armarios (tanto cable de señal como

cable de potencia) van a través del falso techo del laboratorio y por la canaleta fijada a

la estructura del edificio (figura 24).

Figura 24 Canaleta fijada a la estructura del edificio

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63

El primer par de cables de señal junto con el primer par de cables de potencia situados

en la parte superior de la plancha de baquelita de uno de los armarios eléctricos se

corresponden con el primer par de cables de señal y el primer par de cables de potencia

situados en la parte superior de la plancha de baquelita del otro armario (véase figura

25). La misma disposición se da para el resto de posiciones.

Figura 25 Disposición de los conectores

En el armario intemperie vamos a conectar los equipos (células solares, módulos

fotovoltaicos, etc.) de los que queramos obtener datos.

Para la obtención de esos datos, conectaremos los aparatos de medida que precisemos

en el armario del laboratorio teniendo presente que deberemos utilizar la misma fila de

bornes en el armario del laboratorio que los utilizados en el armario intemperie

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64

4.2 Carga capacitiva

La carga capacitiva es el equipo que utilizaremos para medir la curva I-V de los

módulos fotovoltaicos. En el Anexo I se detalla el diseño y procedimiento de utilización

de la carga capacitiva para la medida de módulos fotovoltaicos.

La carga utilizada para nuestras pruebas es una carga doble, lo que significa que tiene

dos circuitos gemelos para medir dos módulos simultáneamente. De esta forma

medimos la curva I-V del módulo patrón y la del módulo bajo estudio en el mismo

instante de tiempo, con lo que la medida resulta más fiable al hacerlo con unas

condiciones ambientales exactamente iguales.

La figura 26 muestra el interior de la carga utilizada para nuestras medidas. En ella

podemos observar:

1. Circuitos de control

2. Condensadores de carga

3. Resistencias de potencia

4. Batería de 9V con la que se realiza la precarga negativa

5. Batería que alimenta el circuito de control.

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65

Figura 26 Interior de la carga capacitiva

La figura 27 muestra el panel frontal con el interruptor de carga/descarga, el pulsador de

disparo (carga o descarga los condensadores dependiendo de la posición del interruptor

de carga/descarga), el pulsador para la precarga negativa y un fusible de protección.

Figura 27 Panel frontal de la carga

1

2

3

4

5

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66

La figura 28 muestra el panel trasero con el interruptor del circuito de control (On/Off),

las tomas para el cargador de la batería que alimenta el circuito de control, las tomas

para medir la tensión en los condensadores y las tomas para conectar los módulos

solares que cargarán los condensadores.

Figura 28 Panel trasero de la carga

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67

CAPÍTULO 5

CASO PRÁCTICO

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68

5.1 Módulos y célula solar del estudio

Durante los días 20 y 25 de junio de 2012 se llevaron a cabo una serie de medidas de los

módulos con el fin de tomar la curva característica I-V de ambos módulos en

condiciones reales y poder extrapolar la característica a CEM.

Los módulos y célula fotovoltaica que se utilizaron para la toma de medidas fueron los

siguientes:

- Célula solar calibrada para la medida de la irradiancia (figura 29 a)

- Módulo de referencia: BP 1245 12V (figura 29 b)

- Módulo de prueba: Isofotón I-80S/12 (figura 29 c)

Las características eléctricas y de fabricación de ambos módulos y de la célula solar se

detallan en el anexo IV.

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69

(a)

(b) (c)

Figura 29 Célula solar calibrada (a), Módulo de referencia (b), Módulo de prueba (c) del caso práctico

La disposición de los elementos en el bastidor se muestra en la figura 30.

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70

Figura 30 Disposición de los elementos situados en el bastidor

5.2 Metodología del estudio

Las condiciones en las que se realizan las medidas normalmente son muy distintas a las

fijadas por las CEM. Esto hace necesario conocer las condiciones particulares de

operación en que se toman todas las muestras de los módulos. De esta forma podremos

extrapolar los resultados obtenidos a las condiciones estándar de medida, a las

condiciones nominales de operación o a cualquier otras condiciones que deseemos.

En nuestro caso, como sensor de irradiancia utilizamos tanto la célula solar como el

módulo de referencia y como sensor de temperatura, el módulo de referencia (de ellos

hablamos en el apartado anterior), ambos calibrados por un laboratorio acreditado. Al

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71

estar calibrados conocemos sus características eléctricas en CEM. Lo ideal sería que el

módulo de referencia y la célula fueran idénticos al módulo de prueba.

Para realizar las pruebas situamos el módulo de referencia y la célula coplanares al

módulo de prueba en la misma estructura (figura 31). De esta forma podemos asumir

que tanto la célula como los dos módulos están trabajando en las mismas condiciones de

operación.

Figura 31 Módulos y célula coplanarios

Para capturar los valores de tensión de circuito abierto del módulo de referencia y del

módulo de prueba, conectamos directamente los cables de los módulos a las entradas

Módulo 1 y Módulo 2 de la carga capacitiva (véase figura 28). De ese punto, tomamos

la señal que conectamos a Vref y V de nuestro osciloscopio de medida que consta de dos

entradas (corriente y tensión) para el módulo de referencia, y otras dos entradas

(corriente y tensión) para el módulo de prueba (figura 33 y figura 34). Para capturar los

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72

valores de corriente de cortocircuito del módulo de referencia y del módulo de prueba,

conectamos los cables de ambos módulos a dos shunts1 de 100 mV/A (figura 32). De

los shunts salen los cables hacia las entradas Iref e I del osciloscopio de medida.

Figura 32 Shunt 100 mV/A

Figura 33 Picoscope Figura 34 Entradas de las señales

1 Un shunt es un resistor de resistencia casi nula (es prácticamente un cortocircuito) que nos permite medir la corriente que pasa por el circuito. El valor de esta corriente es igual al producto de la tensión (mV) medida en bornes del shunt por la relación entre sus características (en este caso es el cociente entre 1A y 100 mV)

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73

Una vez obtenidos los valores Isc y Voc del módulo de referencia y del módulo de prueba

podemos calcular la temperatura de la célula y la irradiancia a través de las siguientes

relaciones:

G = G∗ · E,]^_E,]^_∗ [a ?] Ecuación 10

TF = DE,]^_QDE,]^_c∗deDE ∙4g,]^_·9GE∗;hi<4g,]^_∙jdeDEk∙lm ∙noE,]^_oE,]^_c∗p

− 273[°C] Ecuación 11

V+-,VWv e I1-,VWv es la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito

respectivamente del módulo de referencia calibrado.

V+-,VWvF∗ e I1-,VWvF∗ es la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito

respectivamente del módulo calibrado correspondiente a las CEM.

βDE es el coeficiente de temperatura de la tensión de circuito abierto, que para el silicio

toma un valor típico de -2,3 mV/ºC por célula.

Nw,VWv es el número de células en serie que presenta el módulo de referencia.

es el factor de idealidad del diodo, que para el modelo de una exponencial utilizado

tiene un valor típico = 1,3.

x es la constante de Boltzmann (1,38·10-23 J/K).

y es la carga del electrón (1,602·10-19 C).

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74

Para minimizar al máximo las posibles diferencias de Tc entre ambos módulos, lo ideal

sería utilizar módulos lo más parecido posibles, si no idénticos.

Para el cálculo de la temperatura de célula, la expresión que empleamos utiliza factores

que toman sus valores más frecuentes pero que pueden variar según la tecnología

(ecuación 11). Más concretamente, nos referimos al coeficiente de temperatura de la

tensión βDE, y al factor de idealidad del diodo, m.

En este caso disponemos del valor medido de βDE para el módulo de referencia y el

módulo de prueba (anexo IV).

5.3 Medidas realizadas

El análisis de la operación de módulos fotovoltaicos requiere en primer lugar la medida

experimental de los puntos de corriente y tensión en los que puede estar trabajando el

módulo. Es lo que se conoce como curva característica I-V. Para ello usamos la carga

capacitiva implementada en el IES con la que podemos realizar el barrido de estos

puntos, los cuales adquirimos y almacenamos mediante el osciloscopio.

Una vez que hemos capturado la curva I-V es necesario realizar un tratamiento a sus

puntos para eliminar el ruido que puede estar presente en ellos, así como para calcular

los parámetros característicos del módulo: corriente de cortocircuito, Isc, tensión de

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75

circuito abierto, Voc, corriente de máxima potencia, Im, tensión de máxima potencia, Vm,

potencia máxima, Pm y factor de forma, FF. Un posible procedimiento para el cálculo de

estos parámetros podemos verlo en el anexo II.

Los valores obtenidos directamente de la característica I-V corresponden con unas

condiciones de operación que no coinciden con las CEM. Por ello no podemos

compararlos con los valores característicos de fábrica del módulo bajo estudio, valores

conocidos a priori y que están especificados a las CEM (Isc*, Voc

*, Im*, Pm

* y FF*).

Por tanto, es necesario traducir los parámetros de la curva capturada en condiciones

reales de operación a las CEM.

Para conocer las condiciones de operación en las que se ha efectuado la medida, es

necesario conocer la irradiancia incidente y la temperatura de célula alcanzada por el

módulo, G y TC respectivamente.

Una vez calculadas las condiciones de operación en las que hemos realizado la medida

del módulo, podemos extrapolar la curva I-V a CEM para comparar su funcionamiento

real respecto al teórico esperado.

Partimos de la hipótesis de que la corriente de cortocircuito varía de manera lineal con

la irradiancia incidente. De esta forma:

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76

I1-∗ = I1- · >∗> [A] Ecuación 12

La corriente de cortocircuito presenta una ligera dependencia con la temperatura de la

célula, el espectro de irradiancia y el ángulo de incidencia. Los efectos del espectro y

del ángulo de incidencia se tienen en cuenta intrínsecamente al medir G mediante la

célula calibrada o el módulo fotovoltaico de referencia (ambos coplanares). La

dependencia con la temperatura puede despreciarse ya que la corrección que produce es

mínima.

Si sustituimos el valor de la irradiancia G calculada a partir del módulo de referencia

que utilizamos como sensor (ecuación 10), obtenemos:

I1-∗ = I1- · gc,]^_c∗gc,]^_ [A] Ecuación 13

Donde IwF,VWv es el valor de la corriente de cortocircuito obtenido directamente del

módulo de referencia con la irradiancia incidente e IwF,VWvF∗es el valor de corriente de

cortocircuito del módulo de referencia calibrado en CEM.

También podemos sustituir directamente el valor de G obtenido de la célula solar

calibrada en la ecuación 12 y obtendríamos el valor de I1-∗ (para calcular la irradiancia

incidente con la célula solar basta con medir la tensión en bornes de la misma con un

polímetro. La correspondencia tensión-irradiancia es la que sigue: 124,2 mV

corresponde a un valor de irradiancia de 1000 W/m2)

Para el resto de puntos de corriente deberíamos utilizar una expresión similar

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recurriendo a los demás valores de la curva del módulo calibrado. Habitualmente no se

poseen estos valores, salvo el asociado a la corriente de máxima potencia I ,VWvF∗. Por

ello utilizamos la misma relación que, aunque no sea del todo correcta, constituye una

aproximación bastante razonable:

I∗ = I · gc,]^_c∗gc,]^_ [A] Ecuación 14

En la extrapolación de la tensión elegimos la expresión [8]:

V∗ = V − N1 ∙ βDE ∙ 9T- − T-∗<[V] Ecuación 15

Esta expresión da unos resultados aceptablemente lineales y no tiene en cuenta el

término que introduce el efecto de la irradiancia (ya que la tensión depende

fundamentalmente de la temperatura de la célula, siendo muy inferior la influencia de la

irradiancia, especialmente cuando nos encontramos cerca de los 1000 W/m2). Tampoco

tiene en cuenta el factor de idealidad del diodo, que es un parámetro del que usamos su

valor más típico en el modelo de una exponencial (m=1,3), pero que puede tomar

valores entre 1 y 2.

Una vez descritos los métodos de medida, de extrapolación, el módulo de referencia, la

célula solar y el módulo de prueba sobre el que vamos a realizar el estudio solo falta

presentar los resultados obtenidos tras las medidas realizadas los días 20 y 25 de junio

de 2012.

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78

Las condiciones climatológicas de ambos días eran aptas para realizar las medidas. El

cielo estaba despejado y el viento era inexistente el primer día y muy suave el segundo

día. Las medidas fueron tomadas entre las 16h y las 17:30h. 11 medidas se tomaron el

día 20 y 8 medidas el día 25. La temperatura ambiental rondaba los 33º C.

La irradiancia registrada osciló entre los 934 W/m2 de mínima y los 1047 W/m2 de

máxima (datos obtenidos de la célula solar calibrada) y la temperatura de célula desde

los 41º C de mínima hasta los 69º C de máxima (dato obtenido del módulo solar de

referencia BP).

Debido a que las condiciones climatológicas de ambos días eran casi idénticas y que los

resultados obtenidos en todas las muestras son muy similares, vamos a exponer los

resultados de dos pruebas correspondientes a una del día 20 de junio y a otra del día 25

de junio (los resultados de estas dos pruebas los hacemos extensibles al resto de las

pruebas realizadas los mismos días), más concretamente:

- Para el primer caso, la prueba se realizó el día 20 de junio a las 16:40

horas con una irradiancia de 934 W/m2 (valor de la célula solar: 116 mV)

- Para el segundo caso, la prueba se realizó el día 25 de junio a las 16:18

horas con una irradiancia de 1002 W/m2 (valor de la célula solar: 124,4

mV)

Finalmente daremos los resultados de los parámetros característicos (Isc, Voc, Im, Vm, Pm,

Isc*, Voc*, Im*, Vm*, Pm*) de todas las pruebas realizadas tanto del día 20 como del día

25 para extraer las conclusiones a cerca de los resultados extrapolados a CEM.

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Los resultados obtenidos de la prueba realizada en condiciones reales de operación el

día 20 de junio a una G = 948 W/m2 y una Tc = 41,81ºC fueron los que se exponen a

continuación:

Figura Figura 36 Curva I-V del módulo de prueba Isofotón día

20 de junio

Las gráficas nos muestran las curvas I-V del módulo de referencia y del módulo de

prueba una vez filtradas y eliminados los valores negativos. Los valores más

significativos son:

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

0,0

0

3,2

5

6,2

5

9,4

1

12

,36

15

,23

17

,28

18

,53

19

,19

19

,51

19

,67

19

,83

Corriente BP (A)

Potencia BP (W)

P (W)

V (V)

Pm

0

10

20

30

40

50

60

70

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

0,0

2

3,5

5

6,9

6

10

,47

13

,84

16

,69

18

,23

19

,03

19

,34

19

,55

19

,63

19

,72

Corriente Isofotón (A)

Potencia Isofotón (W)

I (A)

Voc

I (A)

Isc

Voc

V (V)

P (W)

Isc Pm

Figura 35 Curva I-V del módulo de referencia BP

día 20 de junio

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80

Módulo de referencia BP Módulo de prueba Isofotón

Isc = 2,59 A Isc = 4,27 A

Voc = 19,93 V Voc = 19,77 V

Pm = 34,75 W Pm = 60,45 W

Im = 2,26 A Im = 3,941 A

Vm = 15,37 V Vm = 15,337 V

Figura 37 Tabla con los valores característicos de las curvas I-V de los dos módulos en el día 20 de junio

Como dijimos anteriormente, el valor de la irradiancia registrado por la célula solar en

el momento de la toma de las medidas era de 934 W/m2.

Calculamos seguidamente el valor de Tc de ambos módulos así como el valor de la

irradiancia incidente mediante el módulo solar calibrado.

Aplicando la ecuación 10 para el cálculo de la irradiancia, obtenemos:

- G = 948W/m;

Observamos que existe una diferencia en el valor obtenido de la irradiancia incidente

(934 W/m2 de la célula solar frente a los 948 W/m2 del módulo). Ello puede ser debido

a múltiples factores como son la tecnología empleada en la construcción de los mismos,

tanto en el tipo de silicio empleado, como en los materiales de la cubierta frontal y

posterior, las dimensiones de la célula, respuesta espectral de la célula, las dimensiones

del módulo, etc.

Por todo ello, decidimos utilizar el valor de irradiancia obtenido mediante el módulo

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81

fotovoltaico de referencia, para la realización de futuros cálculos, al tener unas

características de construcción más próximas al módulo fotovoltaico de prueba (mismo

número de células, mismo material de la cubierta frontal, etc.) y de esta manera

intentamos disminuir la incertidumbre existente en la medida de las condiciones de

operación.

Aplicando la ecuación 11 para el cálculo de la temperatura de la célula, obtenemos los

siguientes valores:

- Módulo BP: Tc = 41,81°C

- Módulo Isofotón: Tc = 40,96°C (este valor lo damos como dato para

comparar con la temperatura calculada del módulo de referencia)

Una vez hemos calculado los valores de temperatura de célula y de irradiancia y

aplicando las ecuaciones 14 y 15 para el cálculo de los valores de corriente y de tensión

en CEM obtenemos las siguientes gráficas. Los valores característicos de estas gráficas

se detallan a continuación de las mismas.

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Figura 38 Curva I-V en CEM del módulo de referencia BP Figura 39 Curva I-V en CEM del módulo de prueba en

el día 20-6 Isofotón el día 20-6

Módulo de referencia BP Módulo de prueba Isofotón

Isc* = 2,73 A Isc* = 4,61 A

Voc* = 21,3 V Voc* = 21,11 V

Pm* = 39,93 W Pm* = 70,95 W

Im* = 2,44 A Im* = 4,25 A

Vm* = 16,35 V Vm* = 16,68 V

Figura 40 Tabla con los valores característicos en CEM de las curvas I-V de los dos módulos en el día 20-6

Los resultados obtenidos de la prueba realizada el día 25 de junio a una G = 1018 W/m2

y una Tc = 67,76 ºC fueron los siguientes:

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,51

,34

4,5

9

7,5

9

10

,76

13

,70

16

,57

18

,62

19

,87

20

,53

20

,86

21

,02

21

,18

Corriente BP (A)

Potencia BP (W)

Isc*

I (A) P (W)

V (V)

Voc*

0

10

20

30

40

50

60

70

80

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

1,3

6

4,8

9

8,3

1

11

,82

15

,19

18

,04

19

,57

20

,37

20

,69

20

,89

20

,97

21

,06

Corriente ISO (A)

Potencia ISO (W)

I (A) P (W)

V (V)

Isc*Pm*

Voc*

Pm*

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Figura 41 Curva I-V del módulo de referencia BP Figura 42 Curva I-V del módulo de prueba Isofotón

el día 25 de junio el día 25 de junio

Las gráficas nos muestran las curvas I-V del módulo de referencia y del módulo de

prueba una vez filtradas y eliminados los valores negativos. Los valores más

significativos son:

Módulo de referencia BP Módulo de prueba Isofotón

Isc = 2,79 A Isc = 4,60 A

Voc = 17,97 V Voc = 17,648 V

Pm = 31,93 W Pm = 54,636 W

Im = 2,47 A Im = 4,154 A

Vm = 12,93 V Vm = 13,154 V

Figura 43 Tabla con los valores característicos de las curvas I-V de los dos módulos en el día 25 de junio

0

5

10

15

20

25

30

35

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,00

,00

2,5

3

5,1

1

7,5

2

9,9

4

12

,29

14

,20

15

,50

16

,41

17

,04

17

,38

17

,64

Corriente BP (A)

Potencia BP (W)

P (W)

V (V)

Isc

Voc

Pm

0

10

20

30

40

50

60

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0,0

0

3,6

6

6,5

6

9,4

7

12

,26

14

,49

15

,82

16

,58

17

,03

17

,28

17

,46

17

,52

Corriente ISOFOTÓN (A)

Potencia Isofotón (W)

I (A)

V (V)

Isc Pm

Voc

I (A) P (W)

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84

El valor de irradiancia registrado por la célula solar en el momento de la toma de las

medidas era de 1002 W/m2.

Calculamos seguidamente el valor de Tc de ambos módulos así como el valor de la

irradiancia incidente mediante el módulo solar calibrado.

Aplicando la ecuación 10 para el cálculo de la irradiancia, obtenemos:

- G = 1018W/m;

Aplicando la ecuación 11 para el cálculo de la temperatura de la célula, obtenemos los

siguientes valores:

- Módulo BP: Tc = 67,76°C

- Módulo Isofotón: Tc = 71,24°C (este valor lo damos como dato para

comparar con la temperatura calculada del módulo de referencia)

Una vez hemos calculado los valores de temperatura de célula y de irradiancia y

aplicando las ecuaciones 14 y 15 para el cálculo de los valores de corriente y de tensión

en CEM obtenemos las siguientes gráficas.

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85

Figura 46 Curva I-V en CEM del módulo Figura 45 Curva I-V en CEM del módulo de prueba

de prueba BP el día 25-6 Isofotón el día 25-6

Los valores característicos de estas gráficas se detallan en la siguiente tabla:

Figura 46 Tabla con los valores característicos en CEM de las curvas I-V de los dos módulos en el día 25-6

A continuación se exponen los resultados de las medidas de ambos días. Según hemos

comentado anteriormente, poseemos 19 capturas de la característica I-V de ambos

módulos.

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,03

,42

5,9

5

8,5

3

10

,94

13

,36

15

,71

17

,62

18

,92

19

,83

20

,46

20

,80

21

,06

Corriente BP (A)

Potencia BP (W)

P (W)

V (V)

Pm*

Voc*

0

10

20

30

40

50

60

70

80

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

3,4

3

7,0

9

9,9

9

12

,90

15

,70

17

,92

19

,25

20

,01

20

,47

20

,71

20

,89

20

,95

Corriente ISOFOTÓN (A)

Potencia Isofotón (W)

I (A) P (W)

V (V)

Pm*

Voc*

Módulo de referencia BP Módulo de prueba Isofotón

Isc* = 2,76 A Isc* = 4,7 A

Voc* = 17,97 V Voc* = 21,08 V

Pm* = 31,93 W Pm* = 70,7 W

Im* = 2,47 A Im* = 4,399 A

Vm* = 12,93 V Vm* = 16,07 V

I (A)

Isc* Isc*

Figura 44 Curva I-V en CEM del módulo de

referencia BP el día 25-6

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86

En las siguientes gráficas se representan los valores de Isc, Im, Voc, Vm, Pm y FF. Estas

medidas corresponden a condiciones reales de operación con G entre 945 W/m2 y 1082

W/m2 y con Tc entre 41º C y 69º C (datos obtenidos del módulo solar de referencia BP).

Como se aprecia en la gráfica de las corrientes, éstas crecen de manera lineal con la

irradiancia. La influencia con la temperatura de la célula es despreciable, lo que queda

reflejado en la concentración de los puntos.

Al igual que la corriente, la potencia máxima muestra una relación lineal con G, de

manera que a mayor potencia luminosa incidente mayor potencia eléctrica se extrae del

módulo fotovoltaico. No obstante, la dispersión de los puntos es mayor, lo que indica

que existe una ligera dependencia con Tc.

Las tensiones también presentan relaciones lineales, pero en este caso con la

temperatura de la célula: al aumentar Tc disminuyen las tensiones. Los puntos están

bastante agrupados y su pequeña dispersión permite considerar que la tensión es

independiente de G, aunque en menor grado que en el caso de las corrientes con Tc.

Todos estos resultados son acordes con lo esperado a priori según lo indicado en la

literatura [6], [9], [12], [13].

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87

Figura 47 Variación de la Isc e Im con G

Figura 48 Variación de Voc y Vm con Tc

3

3,5

4

4,5

5

5,5

920 940 960 980 1000 1020 1040 1060 1080 1100

Isc ImTendencia Isc Tendencia Im

I (A)

G (W/m2)

10

12

14

16

18

20

22

35 40 45 50 55 60 65 70 75

Voc Vm

Tendencia Voc Tendencia Vm

V (V)

Tc (°C)

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88

Figura 49 Variación de Pm con G

Figura 50 Variación de FF con G

45

50

55

60

65

70

920 940 960 980 1000 1020 1040 1060 1080 1100

PmTendencia Pm*

P (W)

G (W/m2)

0,665

0,670

0,675

0,680

0,685

0,690

0,695

0,700

0,705

0,710

0,715

0,720

930 980 1030 1080 G (W/m2)

FF

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89

Figura 51 Variación de FF con Tc

Cuando se realiza la extrapolación a CEM, el deseo es que, sean cuales sean las

condiciones reales de partida, se obtengan siempre los mismos resultados. Gráficamente

se traduce en que se espera que los distintos parámetros extrapolados de la característica

I-V resulten ser valores constantes independientes de los valores de G y de Tc de la

medida real.

Las siguientes gráficas muestran los valores extrapolados de Isc*, Im*, Voc*, Vm*, Pm* y

FF*.

0,665

0,67

0,675

0,68

0,685

0,69

0,695

0,7

0,705

0,71

0,715

0,72

35 45 55 65 75

FF

Tc (°C)

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90

Figura 52 Gráficas de las corrientes extrapoladas Isc

* e Im

*

En la figura 52 se muestran los valores extrapolados de corriente de cortocircuito y de

corriente del punto de máxima potencia (ecuación 14). Se observa que la traslación no

es ideal ya que obtenemos una tendencia casi plana en la corriente de cortocircuito y

decreciente en la del punto de máxima potencia cuando lo esperado era una tendencia

creciente con la irradiancia. Suponiendo que el módulo de referencia y el de prueba

tienen la misma respuesta espectral (ambos son de silicio monocristalino), este efecto se

explica por ser las Tc diferentes, como vimos en los dos ejemplos expuestos

anteriormente.

En la siguiente figura se representa la extrapolación de la tensión de circuito abierto y la

tensión del punto de máxima potencia, según la ecuación 15.

4

4,1

4,2

4,3

4,4

4,5

4,6

920 940 960 980 1000 1020 1040 1060 1080 1100

Isc* Im*

Tendencia Isc* Tendencia Im*

I (A)

G (W/m2)

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91

Figura 53 Tensión de circuito abierto y del punto de máxima potencia extrapoladas (Voc

*, Vm

*)

Tanto la tensión de circuito abierto como la tensión del punto de máxima potencia se

aproximan a una horizontal.

Lo ideal es que las extrapolaciones de todas las variables desemboquen en puntos

concentrados en torno a una línea horizontal.

La extrapolación que más nos importa es la correspondiente a la potencia máxima pues

es la que servirá para realizar la evaluación directa del funcionamiento del módulo.

Es posible que la combinación de la extrapolación de corriente y tensión para obtener la

potencia máxima en CEM tenga el comportamiento horizontal deseado a pesar de que

por separado no lleguen a los resultados esperados. Para el cálculo de la Pm* realizamos

el producto de la extrapolación de corriente Im* por la extrapolación de tensión Vm

*. La

gráfica de la figura 56 muestra el resultado de esa extrapolación.

15

16

17

18

19

20

21

22

35 45 55 65 75

Voc* Vm*

Tendencia Voc* Tendencia Vm*

V (V)

T (°C)

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92

Figura 54 Potencia máxima extrapolada (Pm

*)

Como observamos en la gráfica, existe una dispersión considerable de los puntos, lo que

hace pensar que no debemos basarnos en el resultado de una medida puntual ya que ésta

puede estar muy por encima o muy por debajo del valor medio.

La gráfica disminuye al aumentar la irradiancia aunque las potencias se sitúan en torno a

una línea bastante cercana a la horizontal (es ligeramente decreciente)

Mostramos finalmente la extrapolación del factor de forma, que como observamos no

tiene una tendencia horizontal

67,5

68

68,5

69

69,5

70

900 950 1000 1050 1100

Pm*

Tendencia Pm*

P (W)

G (W/m2)

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93

Figura 55 Factor de forma extrapolado (FF

*)

A modo de conclusión podemos decir que:

- la traslación a CEM que más nos interesa es la asociada a la Pm* ya que

es la que usamos para determinar si el módulo está proporcionando la

potencia adecuada a su salida o está por debajo de los valores anunciados

por el fabricante.

- Todas las extrapolaciones presentan una dispersión considerable, lo que

hace conveniente recurrir a la media de diferentes medidas para

determinar si el funcionamiento es correcto (con esto conseguimos no

cometer grandes errores).

- Los métodos utilizados introducen cierta incertidumbre al basarse en la

hipótesis de que todos los puntos de tensión y de corriente varían,

respectivamente, como la tensión de circuito abierto Voc, y la corriente de

0,705

0,71

0,715

0,72

0,725

0,73

0,735

35 45 55 65 75

FF*

FF

T (°C)

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94

cortocircuito Isc. Esto repercute en los resultados de las extrapolaciones

de corriente y tensión de los puntos de máxima potencia, que no

muestran una tendencia plenamente horizontal.

- También debemos tener en cuenta que nos basamos en la hipótesis de

que la irradiancia y la temperatura de célula del módulo calibrado

coincide con la irradiancia y la temperatura de célula media del módulo

de prueba, lo cual puede no ser cierto.

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95

CONCLUSIONES

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96

El objetivo principal de este proyecto fin de carrera ha sido realizar un banco de ensayos

para la medida de la curva I-V de módulos fotovoltaicos en condiciones reales de

operación.

El resultado de estos ensayos nos permitirá comprobar si el funcionamiento de dichos

módulos cumple con las especificaciones anunciadas por los fabricantes de los mismos.

La metodología empleada en los ensayos se ha basado en la medición de los parámetros

característicos Voc e Isc de los módulos fotovoltaicos para su posterior extrapolación a

condiciones estándar de medida. Previamente y mediante un módulo fotovoltaico

calibrado se han calculado los parámetros Tc (temperatura de célula) y G (irradiancia

incidente).

Para la medida de los parámetros característicos Voc e Isc se ha utilizado una carga

capacitiva implementada en el IES que consiste básicamente en la carga de un

condensador.

Se ha desarrollado un banco de ensayos compuesto por un bastidor situado en la azotea

de la EUITT y dos armarios de conexiones, uno de los cuales está situado en la azotea y

el otro en el laboratorio de optoelectrónica (aula 7016). En el armario de la azotea

conectaremos los módulos fotovoltaicos bajo estudio. En el armario del laboratorio se

conectarán los aparatos necesarios para realizar las medidas.

Para ilustrar su utilidad, realizamos durante los días 20 y 25 de junio de 2012 varias

medidas de los parámetros de dos módulos fotovoltaicos (BP utilizado como módulo de

referencia e Isofotón utilizado como módulo de prueba) con la carga capacitiva.

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97

Expusimos los resultados de una medida tomada el día 20 y de otra medida tomada el

día 25. Finalmente extrapolamos a CEM los resultados de todas las pruebas realizadas

durante los dos días y sacamos una serie de conclusiones recogidas en el capítulo 5

(Caso Práctico).

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BIBLIOGRAFÍA

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99

Referencias

[1] Fix E. Hodges J.L “An Important Contribution to Non-parametric Discriminant

Analysis and Density Estimation”, School of Mathematical Sciences, University of

Bath, BA2 7AY, U.K. ,1951

[2] Cortes C., Vapnik V. "Support-Vector Networks”, Machine Learning, 20, 1995.

[3] Igelmo Ganzo A “Introducción al Análisis Multivariante”, Robotics Laboratory, De-

partament of Computer Science, Standford University, 1996

[4] Green, Martin. Energía fotovoltaica. De la luz solar a la electricidad usando células

solares. Acribia, 2000

[5] Creus Solé, Antonio. Energías Renovables. Ceysa editorial técnica, 2009

[6] CIEMAT. Fundamentos, dimensionado y aplicaciones de la energía solar

fotovoltaica (Volumen I). CIEMAT editorial, 2008.

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100

[7] CIEMAT. Fundamentos, dimensionado y aplicaciones de la energía solar

fotovoltaica (Volumen II). CIEMAT editorial, 2008.

[8] Proyecto fin de carrera: caracterización de generadores fotovoltaicos en condiciones

reales de operación. Francisco Martínez Moreno, 2006

[9] E. Caamaño-Martín, E. Lorenzo and C. Lastres. Crystalline Silicon Photovoltaic

Modules: Characterization in the Field of Rural Electrification. Junio 2002

[10] Norma Española UNE-EN 60891: Dispositivos fotovoltaicos. Procedimiento de

corrección con la temperatura y la irradiancia de la característica I-V de dispositivos

fotovoltaicos. 2010

[11] B. Marion, S. Rummel and A. Anderberg. Current–Voltage Curve Translation by

Bilinear Interpolation. 2004

[12] King D. L., Boyson W. E., Kratochvil J. A. Photovoltaic array performance model.

Sandia National Laboratories, Report SAND2004-3535. 2004

[13] Lorenzo E., Araujo G. L., Cuevas A., Egido M. A., Miñano J. C., Zilles R.

Electricidad Solar. Ingeniería de los sistemas fotovoltaicos. Progensa 1994

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101

ANEXO I

CARGA CAPACITIVA

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102

Diseño de una carga capacitiva para medir generadores

fotovoltaicos (**)

J. Muñoz(*). E. Lorenzo

Instituto de Energía Solar. Universidad Politécnica de Madrid (IES-UPM).

Ciudad Universitaria s/n. 28040 Madrid

(*)Correo-e: [email protected]. Tel: 91 544 10 60. Fax: 91 54463 41

(**) Publicado en la revista Era Solar. Número 127. Julio/Agosto 2005

Introducción

La medida de la curva I-V de un generador fotovoltaico proporciona información muy

útil para el diseño, la instalación y el mantenimiento de los sistemas fotovoltaicos. Por

ejemplo, la simple inspección de la forma de la curva permite analizar los efectos de las

sombras sobre el generador o detectar posibles anomalías del mismo (ramas

desconectadas, células rotas, diodos defectuosos, etc.) Además, la medida de la curva

también permite averiguar, entre otros parámetros característicos, cuál es la potencia

nominal del generador. El valor obtenido puede compararse, por ejemplo con el que

indica el catálogo del fabricante (para evaluar las pérdidas de dispersión y

conexionado), con el especificado en el contrato de suministro (para garantizar la

calidad del mismo), o con los resultados de medidas anteriores (para cuantificar la

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103

degradación de la potencia real a lo largo del tiempo).

El proceso de determinación de la potencia nominal tiene dos fases. La primera, a la que

se dedica fundamentalmente este artículo, consiste en medir experimentalmente curva I-

V del generador y las condiciones de operación (irradiancia y temperatura de la célula)

existentes en ese momento. Además, como las Condiciones Estándar de Medida o CEM,

en las que se define la potencia nominal (1000 W/m2 de irradiancia, 25ºC de

temperatura de célula y espectro solar AM 1.5) raramente ocurren en el exterior, en

especial en lo que se refiere a la temperatura de célula, es necesaria una segunda fase en

la que se extrapolan los puntos I-V medios a las CEM mediante procedimientos de

cálculo de los que hablaremos más adelante.

La carga capacitiva es el método más utilizado por los equipos comerciales para medir

la curva I-V de los dispositivos fotovoltaicos1, y su uso está recomendado por varios

estándares internacionales para medir generadores con potencias a partir de 2 kWp2, 3.

En 1994, el IES-UPM desarrolló una carga capacitiva que se utilizó por primera vez en

el control de calidad de los generadores fotovoltaicos de la planta de Toledo-PV4. Sin

embargo, aunque esta carga sigue funcionando, tiene ciertas desventajas (por ejemplo,

es incómoda de transportar) y no incorpora ciertas funciones que conviene realizar de

forma independiente, como la medida aislada de la corriente de cortocircuito del gene-

rador. Estas razones, y el hecho de que las cargas comerciales son todavía caras y dejan

que desear1, justifican que hayamos desarrollado un nuevo equipo, cuyo diseño se pre-

senta en este artículo con el propósito de animar, no sólo a laboratorios de investigación

o a universidades, sino también a todas aquellas organizaciones involucradas en proyec-

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104

tos fotovoltaicos (instaladores, fabricantes, suministradores, etc.) a que construyan

equipos similares y los usen de forma generalizada.

La nueva carga está basada en IGBTs (acrónimo inglés de transistores bipolares de puer-

ta aislada) y permite medir la curva I-V de generadores fotovoltaicos con corrientes de

cortocircuito hasta 80 A y tensiones de circuito abierto hasta 800 V. La carga ha sido

probada satisfactoriamente en la medida de más de 20 generadores (con potencias supe-

riores a los 10 kWp), como parte de los ensayos de aceptación especificados en los con-

tratos de suministros de varios proyectos de electrificación rural5, 6.

Después de un breve repaso de los principios de funcionamiento de una carga capacitiva

ideal, las secciones siguientes de este artículo describen el diseño práctico de la misma

(circuitos de potencia, disparo y control), su coste, y el procedimiento de medida que

utilizamos para la caracterización de generadores fotovoltaicos.

Principios de operación de una carga capacitiva

La figura 1-a muestra el circuito de una carga capacitiva ideal, compuesta por un

interruptor y un condensador, que funciona del modo siguiente. Si suponemos que el

condensador está inicialmente descargado y se cierra el interruptor, la tensión del

generador en ese preciso instante es nula (V=0) y la corriente que entrega es igual a su

corriente de cortocircuito (I=ISC). A partir de ese instante, el condensador comienza a

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105

cargarse y su tensión aumenta, de manera que vamos recorriendo la curva I-V desde el

punto de cortocircuito (V=0, I=ISC) hasta llegar a circuito abierto (V=VOC, I=0),

momento en el que finaliza la carga del condensador. La figura 1-b muestra la evolución

de la corriente y de la tensión durante el proceso.

Si suponemos que el generador fotovoltaico tiene, idealmente, la curva I-V cuadrada

representada en la figura 2-a, el tiempo que tarda en cargarse el condensador, tC , depen-

de de su capacidad, C, y de los valores instantáneos de ISC y VOC a través de la siguiente

relación:

tF =VFIwF C

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106

En las curvas I-V reales, la corriente decrece conforme aumenta la tensión (figura 2-b) y

el tiempo de carga es ligeramente superior al que se obtiene usando la ecuación anterior.

Sin embargo, esta aproximación es más que suficiente para los propósitos de diseño de

la carga. Como regla general, la capacidad del condensador2 suele elegirse para que el

tiempo de carga esté comprendido entre 20 y 100 ms. Estos tiempos tan cortos reducen

el sobrecalentamiento y el tamaño de los componentes de la carga, y permiten suponer

que las condiciones de operación (irradiancia y temperatura de célula) no varían durante

la medida. Una vez elegida la capacidad, puede ocurrir que bajo determinadas condicio-

nes de operación los tiempos de carga alcancen varias centenas de milisegundos, los

cuales son todavía aceptables y no peligrosos para la carga.

Diseño práctico

Circuito de potencia

La figura 3 muestra el esquema del circuito de potencia de la carga que hemos

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107

desarrollado. Comparándolo con la carga capacitiva ideal de la figura 1-a, podemos

identificar el interruptor y el condensador C, respectivamente, con el IGBT2 y la

asociación en paralelo de los condensadores C1 a C4. Los condensadores están

conectados en paralelo y su capacidad equivalente es de 18.8 mF, aunque también

pueden asociarse en serie y dos en paralelo (capacidad equivalente de 4.7 mF) para

medir, en principio, generadores con tensiones en circuito abierto entre 450 y 900 V. Sin

embargo, la máxima tensión se ha fijado en 800 V para salvaguardar el aislamiento

eléctrico de otros componentes de la carga (pequeñas modificaciones del diseño, por

ejemplo, poner más condensadores en serie y cambiar algún componente por otro de

mayor aislamiento, permitirían medir generadores con tensiones en circuito abierto

hasta 1200 V).

Las funciones del resto de componentes del circuito, cuyas características eléctricas

están recogidas en la tabla 1, son las siguientes:

- La resistencia R3 sirve para equilibrar la tensión entre los condensadores

cuando éstos se conectan en serie, lo que evita que la tensión en alguno

de ellos supere los 450 V.

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- El IGBT3 se utiliza para descargar los condensadores a través de la resis-

tencia de potencia RD antes de realizar un nuevo barrido de la curva I-V.

El proceso de descarga tarda algunos segundos y se considera que ha fi-

nalizado cuando la tensión de los condensadores es inferior a unos 5 V

(más adelante veremos el motivo). El fusible F1 protege a la resistencia

RD en el caso de que ésta quede conectada directamente al generador fo-

tovoltaico, lo cual puede ocurrir si se produce una avería del IGBT2.

- El subcircuito compuesto por el pulsador P1, el fusible F2, la resistencia

RP y la pila VB, sirve para realizar una precarga negativa de los conden-

sadores antes de iniciar el barrido de la curva I-V. Esta tensión negativa

compensa las caídas de tensión en los componentes internos de la carga

(IGBTs, diodos, cables, etc.), de manera que la curva I-V empieza el ba-

rrido en el segundo cuadrante (V<0, I>0) y cruza el punto de cortocircui-

to (V=0, I=ISC).

- El fusible F2 protege al subcircuito anterior contra la posibilidad de rea-

lizar una precarga negativa sin haber descargado previamente los con-

densadores (la tensión residual de éstos debe ser inferior a unos 5 V para

evitar que se queme el fusible). El diodo D3 evita que la precarga negati-

va se descargue a través de RD y el diodo interno del IGBT3.

- El IGBT1 permite realizar medidas independientes de la corriente de cor-

tocircuito. Siendo estrictos, esta medida proporciona una buena aproxi-

mación de su valor , ya que la tensión de trabajo del generador fotovol-

taico es superior a 0 V debido fundamentalmente a las caídas de tensión

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en el IGBT1 y en el D1, que oscilan entre 2 y 3 V. El diodo D1 protege al

diodo interno del IGBT1 contra la posibilidad de conectar el generador

con polaridad incorrecta.

- El diodo D2 evita la descarga de los condensadores a través del diodo in-

terno del IGBT1 cuando éste último cortocircuita el generador fotovol-

taico y los condensadores no han sido previamente descargados. Además,

D2 también protege a los condensadores contra la posibilidad de conec-

tar el generador fotovoltaico con polaridad inversa.

- La resistencia R1 y el potenciómetro R2 forman un divisor de tensión

que reduce la tensión del generador fotovoltaico por un factor de 10. La

caída de tensión en R2 (V1 = 0.1·V) se utiliza como sensor de la tensión

del generador. RS es una resistencia de precisión que se utiliza como

sensor de corriente. Ambos sensores son accesibles externamente a tra-

vés de terminales aislados tipo “banana” donde se conecta el equipo de

adquisición de datos (datalogger, osciloscopio, etc.) que se utiliza para

capturar los puntos I-V durante la carga del condensador.

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Respecto al diseño térmico de la carga, merece la pena señalar que los componentes de

la misma no han sido dimensionados para trabajar en régimen permanente. Por ejemplo,

la disipación instantánea de potencia de los IGBTs cuando circula la corriente máxima

(80 A) es 320 W (suponiendo el caso peor de un IGBT cuya tensión de saturación

colector-emisor es de 4 V). A pesar de ello, el disipador sobre el que están montados

tiene una resistencia térmica disipador-ambiente de 1.4 ºC/W lo que incrementaría su

temperatura en 450 ºC sobre la ambiente (320W x 1.4 ºC/W), es decir, el triple de la

máxima temperatura que pueden soportar los IGBTs comerciales. Por lo tanto, el diseño

debe confiar en la corta duración de la medida o en la baja magnitud de la corriente.

Este es el caso de los IBGTs 2 y 3, los cuales no experimentan un calentamiento

excesivo, ya que para el primero, lo tiempos de carga del condensador son

habitualmente inferiores a 1 sg, y para el segundo la corriente de descarga de los

condensadores es inferior a 2 A. El caso del IGBT1 merece una atención especial, ya

que la duración de la medida de la corriente de cortocircuito depende de la voluntad del

operador del equipo (como veremos más adelante, el equipo se controla de forma

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totalmente manual). En principio, el operador debe ser consciente de este riesgo y

asegurar que la medida no dura más de 5 sg (tiempo más que suficiente para realizar la

medida y que no pone en peligro la fiabilidad del equipo). A pesar de ello, el equipo

incorpora una protección redundante que consiste en un relé térmico que está en

contacto con el disipador. Si la temperatura de éste supera los 60 ºC, el relé, que

normalmente está cerrado, se abre, inhibe el control del operador e interrumpe el paso

de corriente.

El equipo completo pesa alrededor de unos 15 kg y se ha dividido en dos cajas para

facilitar el transporte. La primera de ellas (figura 4-a) contiene los IGBTs, las

resistencias, los diodos, etc., y los circuitos de disparo y control que se describen en los

apartados siguientes. La segunda (figura 4-b) contiene los condensadores electrolíticos y

el circuito de precarga negativa. Con esta división, esta segunda caja puede ser

sustituida por otra llegado el caso. Por último, merece la pena señalar que todas las

partes accesibles del equipo son de material aislante (poliéster, plástico, etc.) como

medio de protección contra el choque eléctrico.

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Circuito de disparo

La apertura y cierre de cada IGBT se realiza mediante un circuito de disparo cuyo

esquema está representado en la figura 5. Aunque no se ha representado en el esquema,

el circuito de disparo asociado al IGBT1 incluye además el relé térmico mencionado en

el apartado anterior conectado en serie con el pulsador P2. Para facilitar la construcción

del equipo, el diseño de una placa de circuito impreso que incluye los tres circuitos de

disparo puede descargarse de la página web del IES-UPM7.

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El núcleo del circuito es un optoacoplador comercial que contiene un diodo LED

acoplado ópticamente a una etapa de potencia compuesta por dos transistores (T1 y T2)

y que funciona del siguiente modo:

- Cuando P2 no está pulsado, el transistor T1 está abierto y el T2 cerrado,

de manera que la puerta (G) y el emisor (E) del IGBT están conectados a

través de la resistencia de puerta, Rg, lo cual mantiene al IGBT en estado

de bloqueo (abierto).

- Cuando se pulsa P2, el diodo LED emite luz y el estado de los transisto-

res T1 y T2 se invierte (a cerrado y abierto, respectivamente) y la tensión

de salida del optoacoplador (Vo) toma un valor próximo a la tensión de

alimentación (Vcc). La aplicación de esta tensión carga la capacidad de

entrada del IGBT a través de Rg, lo que provoca que éste pase al estado

de conducción (cerrado), en el cual se mantendrá mientras siga P2 pulsa-

do.

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- Finalmente, al soltar el pulsador P2, se vuelve a la situación inicial, la

capacidad de entrada del IGBT se descarga a través de Rg y de T2, y el

IGBT pasa al estado de bloqueo.

La velocidad de conmutación del IGBT depende de su capacidad de entrada

(característica de cada dispositivo) y del valor de Rg. Cuanto más pequeño sea éste

último, más rápida será la conmutación y menor será la potencia disipada por el IGBT.

Sin embargo, el valor de Rg no puede ser tan pequeño como se desee, en particular, el

valor de Rg debe asegurar que no se supera la corriente máxima del optoacoplador, Im,

es decir Rg≥Vo/Im.

La tabla 2 recoge las características eléctricas de los componentes del circuito de

disparo. La función de los componentes no mencionados anteriormente es la siguiente:

los diodos D4 y D5 reducen la tensión de alimentación (Vcc) en 1.2 V

aproximadamente. La resistencia R4 limita la corriente a través del LED y el

condensador C6 se utiliza para absorber los rebotes del pulsador P2. Los diodos zener

Dz1 y Dz2 evitan que la tensión entre la puerta y el emisor del IGBT supere ±18.6 V

(un diodo en directa y otro en disrupción), inferior al límite máximo de ±20 V que

provocaría la destrucción de la capa óxido de la puerta. Finalmente, la resistencia

situada entre la puerta y el emisor, Rge, asegura que el IGBT permanece firmemente en

estado de bloqueo cuando su circuito de disparo no está alimentado y otro IGBT está

siendo conmutado en el circuito (como veremos en el siguiente apartado, sólo se

alimenta el circuito de disparo del IGBT que se utilice en cada momento).

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Circuito de control

El esquema del circuito de control, representado en la figura 6, consiste simplemente en

dos interruptores bipolares, operados manualmente, que permiten seleccionar el modo

de funcionamiento de la carga (cortocircuito, carga o descarga de los condensadores)

por el procedimiento de alimentar solamente el circuito de disparo del IGBT

correspondiente:

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Costes

La tabla 3 desglosa el coste de los componentes de la carga, comprados en el mercado

minorista de Madrid. El coste total, inferior a los 1000 €, está al alcance de

organizaciones de pequeña y mediana escala involucradas en proyectos fotovoltaicos.

Hay que señalar que, a este coste, hay que añadir el de otros componentes que deben

usarse en combinación con ella: sensores de radiación y temperatura de célula,

ordenador portátil, sistema de adquisición de datos, programa para procesar las medidas,

etc.

Respecto al sensor de radiación y temperatura de célula, nosotros utilizamos un módulo

de referencia calibrado por un laboratorio acreditado, el CIEMAT en nuestro caso, cuyo

servicio de calibración ronda los 500 €. Para la adquisición de datos utilizamos un

osciloscopio digital de propósito general que permite capturar 512 parejas de puntos I-V

durante la carga del condensador, aunque el número mínimo de puntos recomendado2 es

500. El precio aproximado de este osciloscopio es de 2000 €, aunque hay alternativas

más baratas en el mercado, por ejemplo, osciloscopios digitales asistidos por ordenador

(a partir de unos 500 €). Por último, el programa necesario para procesar las medidas y

extrapolarlas a las CEM puede realizarse en una hoja de cálculo sin coste adicional.

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Medida de las condiciones de operación y

procedimientos de extrapolación

Como ya se ha comentado en la introducción, el proceso de caracterización de un

generador fotovoltaico consiste en medir la curva I-V y las condiciones de operación

que existen en ese momento y, posteriormente, realizar una extrapolación de la curva

medida a las CEM para averiguar, entre otros parámetros característicos, la potencia

nominal del generador.

La medida de la curva I-V con la carga capacitiva ya ha sido descrita anteriormente y no

merece mayores comentarios, excepto dos consideraciones. En primer lugar, antes de

iniciar la medida, el generador fotovoltaico tiene que permanecer desconectado de la

carga (baterías, inversor, etc.) durante un tiempo suficiente para que alcance una

condición térmica estable (para módulos del tipo vidrio-tedlar, con 5 minutos suele ser

suficiente). En segundo lugar, la medida debe realizarse bajo condiciones

meteorológicas aceptables, las cuales están definidas por8:

- Irradiancia superior a 600 W/m2

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- Fracción difusa de la irradiancia inferior al 20% (día claro)

- Ángulo de incidencia de los rayos solares sobre la superficie del genera-

dor inferior a 40°

- Masa de aire menor que AM 1.5 (equivalente a un ángulo de elevación

del sol sobre el horizonte superior a 42°)

- Velocidad del viento inferior a 8 m/s

Para la determinación de las condiciones de operación, utilizamos un módulo

fotovoltaico de referencia (de la misma tecnología y tamaño similar a los módulos que

forman el generador), como sensor de irradiancia y temperatura de la célula. La lectura

de ambas variables se realiza a través de medidas indirectas de la corriente de

cortocircuito y de la tensión de circuito abierto del módulo, respectivamente8. Este

módulo de referencia debe situarse en el mismo plano de los módulos del generador

(figura 7) unos minutos antes de iniciar las medidas para garantizar que las condiciones

de operación son similares (si el módulo de referencia es de vidrio-tedlar, es suficiente

con exponerlo al sol unos 15 minutos antes9).

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Los métodos de extrapolación de las curvas I-V medidas a las CEM están bien

establecidos y pueden encontrarse en la amplia literatura sobre el tema (véanse, como

ejemplos ilustrativos, las referencias 2 y 3), y una discusión detallada sobre ellos escapa

de los propósitos de este artículo. Sin embargo, merece la pena señalar que estos

métodos aseguran una precisión de la potencia nominal del ±5% para irradiancias

superiores a los 600 W/m2. Cuando se requiere una precisión mayor es necesario

realizar las medidas tan cerca de 1000 W/m2 como sea posible.

Por último, hay que indicar que las medias suelen realizarse con los generadores sucios,

debido a la dificultad para limpiarlos en el sitio, lo que hace necesario realizar algún

tipo de estimación de las pérdidas causadas por la suciedad. Un procedimiento muy

sencillo consiste en medir la corriente de cortocircuito de varios módulos del generador

(elegidos al azar y distribuidos a lo largo de la superficie del generador) antes y después

de limpiarlos. A continuación, las corrientes medidas se extrapolan a las CEM y las

diferencias que se obtengan pueden aplicarse directamente para corregir la corriente

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nominal del generador en el punto de máxima potencia.

Conclusiones

El diseño práctico de una carga capacitiva portátil basada en IGBTs se ha presentado en

este artículo con el propósito de alentar el desarrollo y el uso de este tipo de equipos. La

carga permite medir la curva I-V de generadores fotovoltaicos con las corrientes de

cortocircuito hasta 80 A y tensiones de circuito abierto hasta 800 V. La carga es fácil de

reproducir y relativamente asequible, características que la ponen al alcance de

pequeñas y medianas organizaciones (instaladores, suministradores, etc.) involucradas

en proyectos fotovoltaicos.

Desde el IES-UPM animamos a todas estas organizaciones a embarcarse en la tarea. Al

beneficio que representa poder conocer las potencias reales de sus generadores

fotovoltaicos, hay que añadir el incremento en la capacidad técnica que siempre

representa el enfrentarse a la obtención e interpretación de medidas experimentales.

No obstante, el IES-UPM ofrece como servicio la medida de cualquier dispositivo

fotovoltaico, bien sea célula, módulo o generador. Como corresponde a un servicio de

estas características, el IES-UPM garantiza la confidencialidad de los resultados, que

solo son accesibles para quien encarga el ensayo. La figura 8 muestra un ejemplo de la

medida de la característica I-V de un generador fotovoltaico, su extrapolación a las

CEM y los parámetros característicos obtenidos en esas condiciones.

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Referencias

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2. Blaesser, G., Munro, D. Guidelines for de Assessment of Photovoltaic Plants.

Document C. Initial and Periodic Test son PV plants. Joint Research Centre Ispra.

1995.

3. Estándar Internacional IEC 61829. Crystalline silicon photovoltaic (PV) array-On-

site measurement of I-V characteristics. 1995

4. Lorenzo, E., Zilles, R. PV modules and arrays test at 1 MW Toledo PV plant. 12th

European Photovoltaic Solar Energy Conference, p. 807-809. 1994

5. Muñoz, J., Narvarte, L., Lorenzo, E., 2003. Replacement of diesel generators by

small PV plants. Proceedings of the 2nd European PV-Hybrid and Mini-Grid

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122

Conference, p. 157-162. 2003.

6. Narvarte, L., Poza, F., Lorenzo, E. Technical Quality in a PV Pumping Program in

the Maghreb. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, p. 2234-2237.

2004

7. www.ies.upm.es (Directorio: Programas de I+D\Sistemas\Actividades

concretas\Biblioteca\Buscar).

8. Caamaño, E., Lorenzo, E., Lastres, C. Crystalline silicon photovoltaic modules:

characterization in the field of rural electrification. Progress in Photovoltaics:

Research and Applications. Vol. 10, Issue 7, p. 481-493. 2002.

9. King, D. L., Kratochvil, J. A., Boyson, W. E. Temperature coefficients for PV

modules and arrays: measurement methods, difficulties, and results. 26th IEEE

Photovoltaic Specialists Conference, p. 1183-1186. 1997.

10. R. Orduz Marzal, E. Caamaño-Martín. Quality assurance in PV rural electrification

programmes: characterization method for crystalline silicon PV modules. 19th

European Photovoltaic Solar Energy Conference, p. 2622-2625. 2004

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ANEXO II

TRATAMIENTO DE CAPTURAS

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Tratamiento de las capturas

Una vez obtenidos los puntos de tensión y de corriente correspondientes a una captura

del funcionamiento del módulo, es necesario aplicarles un tratamiento para calcular los

parámetros característicos de manera adecuada (Isc, Voc, Im, Vm, Pm y FF).

En primer lugar debemos desechar los puntos que no pertenecen al primer cuadrante, ya

que solo nos interesa evaluar el funcionamiento del generador como fuente de energía.

Para realizar el cálculo de los parámetros seguimos las recomendaciones que encontra-

mos en la literatura (Handbook of photovoltaic science and engineering). En la siguiente

figura se indican los ajustes propuestos y los puntos obtenidos:

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Figura 56 Captura original (A) Figura 57 Captura original en primer cuadrante (B)

Figura 58 Captura filtrada en primer cuadrante (C) Figura 59 Cálculo de parámetros en captura filtrada (D)

• Cálculo de Isc: se hace un ajuste lineal de la corriente en el entorno de la mues-

tra de tensión más pequeña.

• Cálculo de Voc: se hace un ajuste lineal de la tensión en el entorno de la muestra

de corriente más pequeña.

• Cálculo de Pm, Im y Vm: se hace un ajuste mediante un polinomio de orden 3 de

la corriente y de la tensión en el entorno de la muestra de máxima potencia. Así

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se consigue un ajuste de orden 6 de la potencia en ese entorno. El máximo de es-

te ajuste asume el valor de Pm y a partir de él obtenemos Im y Vm.

• Cálculo de FF: se obtiene a partir de los valores anteriores como el cociente in-

dicado en la siguiente ecuación:

FF∗ = k∗E∗DE∗ Ecuación 16

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ANEXO III

MATERIALES EMPLEADOS

EN LA FABRICACIÓN DEL BANCO DE ENSAYOS

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Relación de materiales empleados en el banco de ensayo

Los materiales empleados en la construcción del banco de ensayo son los siguientes:

• Cable de potencia: 750v Flexible

Datos técnicos:

Tipo UNE

Sección (mm2)

Diámetro Ext. Máx

(mm2)

Espesor medio aislamiento mín.

(mm2)

Resistencia óhmica máx.

(Ω/km)

Peso apróx.

(kg/100m)

H07V-K 16 7.60 1.0 1.21 17.0

• Cable de señal: cable de control de 12 hilos apantallados

- Cable apantallado de 12 conductores de 0,75mm2.

- Cubierta de PVC.

- Modelo: STPR-cablex12

- Fabricado por: EA4TX

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• Bornes de potencia: Borne clic antideslizante 2 x 50mm2 (Ref. 03444044) de

Legrand.

Características generales:

- Bornes clic anticillantes

- Permiten la conexión sin cortar el cable

- Presión del cable por plaqueta

- Capacidad (mm2)

- Distancia entre ejes de fijación (mm): 40

• Bornes de señal:

- Banana 4mm macho aérea negra SPB (Código: COBULA20K930726N)

- Banana 4mm macho aérea roja SPB (Código: COBULA20K930726R)

- Borne HBS 4mm hembra panel faston negra (Código: COHBSHPNE)

- Borne HBS 4mm hembra panel faston roja (Código: COHBSHPRO)

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• Armarios eléctricos: Schneider Electric REF: NSY3D8830P

- Estanqueidad: IP55 (IEC 60529)

- Resistencia a impacto mecánico externo: IK10 (IEC 62262)

- Cuerpo fabricado en una sola chapa plegada y soldada

- Armarios metálicos monobloc fabricados en chapa especial ALU-ZINC 150

- La presencia de aluminio en más del 55% de la superficie proporciona una

buena reflexión de las ondas electromagnéticas

- Trenzas de tierra integrales entre el cuerpo y la puerta

- Punto de cierre metálico que proporciona continuidad eléctrica

- Chasis metálico galvanizado (chapa de potencial de referencia)

- Con pintura externa de resina epoxi-poliéster texturizada, en color gris

RAL7035

- Homologaciones: EN62208, LCIE, UL y CUL

• Plancha de baquelita: Características principales:

- Elevada rigidez dieléctrica.

- Excelente resistencia mecánica.

- Buenas propiedades eléctricas.

- Elevado poder aislante y gran resistencia a la humedad.

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- Resistente al alcohol, tetracloruro de carbono, hidrocarburos aromáticos y pe-

tróleo.

- Difícilmente inflamable.

- Soporta los 110 ºC.

• Canaleta: canaleta metálica con pintura anticorrosión

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ANEXO IV

PARÁMETROS DE LA CÉLULA SOLAR Y MÓDULOS

FOTOVOLTAICOS

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Características eléctricas y de fabricación de los módulos y la

célula solar del estudio

Características del módulo de referencia BP 1245:

- Corriente de cortocircuito en condiciones estándar de medida:

Isc* = 2,73 A

- Tensión de circuito abierto en condiciones estándar de medida:

Voc* = 21,37 V

- Corriente en el punto de máxima potencia en condiciones estándar de medida:

Im* = 2,50 A

- Tensión en el punto de máxima potencia en condiciones estándar de medida:

Vm* = 16,54 V

- Potencia máxima en condiciones estándar de medida:

Pm* = 41,29 W

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- Factor de forma en condiciones estándar de medida:

FF* = 0,707

- Número de células serie:

Ns = 36

- Coeficiente de variación de la corriente de cortocircuito con la temperatura:

Alfa (α)= 0,065 %/ºC

- Coeficiente de variación de la tensión de circuito abierto con la temperatura:

Beta9< = -2,22 mV/(ºC·célula)

- Coeficiente de variación de la potencia máxima con la temperatura

Gamma = -0,43 %/ºC

Características del módulo de prueba Isofotón I-80S/12:

- Corriente de cortocircuito en condiciones estándar de medida:

Isc* = 4,61 A

- Tensión de circuito abierto en condiciones estándar de medida:

Voc* = 20,88 V

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- Corriente en el punto de máxima potencia en condiciones estándar de medida:

Im* = 4,23 A

- Tensión en el punto de máxima potencia en condiciones estándar de medida:

Vm* = 16,22 V

- Potencia máxima en condiciones estándar de medida:

Pm* = 68,66 W

- Factor de forma en condiciones estándar de medida:

FF* = 0,713

- Número de células serie:

Ns = 36

- Coeficiente de variación de la corriente de cortocircuito con la temperatura:

Alfa (α)= 0,04 %/ºC

- Coeficiente de variación de la tensión de circuito abierto con la temperatura:

Beta9< = -1,94 mV/(ºC·célula)

- Coeficiente de variación de la potencia máxima con la temperatura:

Gamma = -0,46 %/ºC

Page 136: PROYECTO FIN DE CARRERA Banco de Ensayos Para el …oa.upm.es/21837/2/PFC_ANDRES_DOMINGO_ESCUDERO.pdf · El objetivo principal del presente Proyecto Fin de Carrera es el de dotar

136

Características de la célula solar:

- Proporciona 124,2 mV cuando recibe 1000 W/m2 de irradiancia