practica memoria ram
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INSTITUTO TECNOLOGICO DE PACHUCA
Ingeniería en Sistemas Computacionales
Materia: ARQUITECTURA DE
COMPUTADORAS
Practica Memoria RAM
Equipo: CLR
Alumnos:
MENESES HERNANDEZ
ALEJANDRA ITZEL
OLMOS ESTRADA PEDRO RAÚL
REYES SANCHEZ ANA LAURA
Catedrático: ING. LEÓN OLIVARES ERIC
Semestre: Quinto
Pachuca, Hgo; 20 de Octubre del 2015
Introducción
Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los
circuitos asociados que se requieren para transferir información al y del dispositivo.
El tiempo que toma en transferir información a o de cualquier posición al azar
deseada siempre es el mismo, de ahí el nombre de memoria de acceso aleatorio o
RAM.
Una unidad de memoria almacena información binaria en grupos de bits llamados
palabras. Una palabra de memoria es una entidad de bits que siempre se guardan
o sacan juntos, como una unidad. Una palabra de memoria es un grupo de unos y
ceros y podría representar un número, una instrucción, uno o más caracteres
alfanuméricos o cualquier otra información codificada en binario.
La comunicación entre la memoria y su entorno se efectúa a través de líneas de
entrada y salida de datos, líneas de selección de direcciones y líneas de control que
especifican la dirección de transferencia. En la figura siguiente se presenta un
diagrama de bloques de la unidad de memoria. Las n líneas de entrada de datos
alimentan la información que se guardará en la memoria, y las n líneas de salida de
datos proporcionan la información que viene de la memoria. Las k líneas de
dirección especifican la palabra específica escogida, de entre muchas disponibles.
Las dos entradas de control especifican la dirección de la transferencia deseada: la
entrada de escritura hace que se transfieran datos binarios a la memoria; la de
lectura hace que se saquen datos binarios de la memoria.
La unidad de memoria se especifica con el número de palabras que contiene y el
número de bits que hay en cada palabra. Las líneas de dirección seleccionan una
palabra específica. A cada palabra de la memoria se asigna un número de
identificación, llamado dirección, entre 0 y 2k – 1, donde k es el número de líneas
de dirección. La selección de una palabra específica de la memoria se efectúa
aplicando los k bits de dirección a las líneas de dirección.
Opciones de Lectura y Escritura
n líneas de salida de datos
Escribir
Leer
k líneas de dirección Unidad de memoria
2k palabras
n bits por palabra
n líneas de entrada de datos
Las dos operaciones que efectúa una memoria de acceso aleatorio son escritura y
lectura. La señal de escritura especifica una operación de transferencia hacia
adentro, y la de lectura, una de transferencia hacia afuera. Al aceptar una de estas
señales de control, los circuitos internos de la memoria efectúan la operación
deseada.
Los pasos que deben seguirse para transferir una nueva palabra a la memoria son:
1. Aplique la dirección binaria de la localidad deseada a las líneas de dirección.
2. Aplique a las líneas de entrada de datos los bits de datos que se guardarán
en la memoria.
3. Active la entrada escribir.
La unidad de memoria tomará entonces los bits de las líneas de datos de entrada y
los almacenará en la localidad especificada por las líneas de dirección.
Los pasos que deben seguirse para sacar de la memoria una palabra almacenada
son:
1. Aplique a las líneas de dirección la dirección binaria de la localidad deseada.
2. Active la entrada leer.
La unidad de memoria tomará entonces los bits de la localidad seleccionada por la
dirección y los aplicará a las líneas de datos de salida. El contenido de la localidad
seleccionada no cambia después de la lectura.
DIAGRAMA LÓGICO
Desarrollo
Esta práctica
consiste en
comprender el
funcionamiento
de una memoria
RAM y sus
operaciones de
lectura y
escritura, para
esto utilizamos el
circuito 74s289
que tiene la
función de dar a
conocer cómo
funciona dicha
memoria. El
circuito 74s289 está constituido internamente de la siguiente manera (DATA
SHEET).
Las cuatro entradas de direccion seleccionan una de 16 palabras de la memoria. El
bit menos significativo de la direccicon es A0, y el mas significativo, A3. La entrada
de la selección de chip (CE, chip enable), debe ser 0 para habilitar la memoria. Si
CE es 1, la memoria queda inhabilitada. La entrada de habilitacion de escritura
(R/W, read/write) determina el tipo de operación, como se indica en la tabla de
funcion. Se efectua una escritura cuando R/W = 0. Ello consiste en una transferencia
del número binario que está en las entradas de datos a la palabra seleccionada de
la memoria. La operación de lectura se efectúa cuando R/W =1, y transfiere el valor
de complemento almacenado en la palabra seleccionada, a las lineas de datos de
la salida.
Material y equipo
1 Multímetro
1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente continúa
1 Protoboard
1 Circuito 7489
7404
13 leds
2 DIP switch de 4 interruptores
8 resistencias de 1k
Proceso
Para poder realizar el funcionamiento de la memoria RAM por medio del circuito
74s289 utilizamos el programa PROTEUS el cual es un paquete de software para
el diseño de circuitos electrónicos que incluye captura (composición) de los
esquemas, simulaciones analógicas y digitales combinadas.
Se utilizó una fuente de poder de 5 volts, para los DIP switch de dirección y de datos
colocamos resistencias de 1 k, nuestro bus de dirección fue colocada en las
entradas A0, A1, A2, A3 porque así está configurado el circuito siguiendo el Data
sheet al mismo tiempo a 4 leds y el bus de datos a las entradas D1, D2, D3, D4
igualmente conectándolos a 4 leds, en las salidas Q1, Q2, Q3, Q4 son conectados
a las compuertas negadas 7404, puesto que las salidas 74289 producen los valores
de complemento, salidas que conectamos a los leds que son los que indicaran los
datos que se mandan. Conecte la entrada CE a tierra, y la R/W, a un interruptor de
dos posiciones. Hay que tener cuidado al usar el interruptor R/W. La forma correcta
de escribir requiere colocar primero la direccion en el contador y luego las entradas
en los cuatro interruptores de dos posiciones. Para almacenar la palabra en la
memoria, cambie el interruptor R/W a la posicion de escritura y luego vuelvalo a la
posicion de lectura. Tenga cuidado de no modificar la direccion ni las entradas
cuando R/W esté en el modo de escritura.
A continuación se muestra el diagrama de conexión el cual representa el
funcionamiento de nuestro circuito:
Evidencias
En la dirección 1000 (8) se ingresan los datos 1000 (8) y por lo tanto la salida deberá
ser esta misma:
Conclusiones
Comprendimos con mayor precisión el funcionamiento de una memoria RAM y
como es que los buses del sistema, llevan los datos hasta esta, guardándolos de
manera temporal, y posteriormente como es que los buses llevan a la lectura de
datos.
Algunas de las competencias que logramos:
La habilidad de comprensión acerca del funcionamiento correcto de nuestro
circuito de RAM
Capacidad para conocer el circuito 74S289 que esta misma simula lo que
con lleva el funcionamiento de una RAM.
La eficiencia en la atención de los buses (dirección, control, datos).
Esta información que realizamos nos ha ayudado a comprender mejor lo que es una
memoria RAM ya que para nuestro punto de vista no teníamos el conocimiento de
todo lo que implica una memoria RAM y que a la vez qué tan importante es para
nuestro equipo de cómputo.
Competencias Obtenidas:
1. Colaborar en equipo para deducir soluciones aplicadas a circuitos digitales.
2. Diseñar circuitos digitales.
3. Conocer los conceptos fundamentales de los modelos de arquitecturas de
cómputo.
4. Conocer y analizar los bloques que conforman un sistema de cómputo.
Referencias en formato APA
M. MORRIS MANOS. (2003). DISEÑO DIGITAL. México: PEARSON
EDUCACIÓN.
Roger L. Tokheim. (2015). Electrónica digital. México: MCGRAW-HILL /
INTERAMERICANA DE MEXICO.
Heriberto Antonino. (2012). Memoria ram7489. 2015, de BuenasTareas.com
Sitio web: http://www.buenastareas.com/ensayos/Memoria-
Ram7489/1558512.html