Preparacin de Informes en formato IEE

MEMORIASBorja Carrera Daro Javiere-mail: kevinivancho@hotmail.com

Del Mar Nathalye-mail:

Lopez tatianae-mail:

Tapia Diegoe-mail:

Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE, 2014, Borja, Cndor, Lpez, Tapia, Memorias

4

Abstract: IResumen:

PALABRAS CLAVE:

Introduccin

Memorias

2.1

2.2

2.2.1

2.2.2Combinaciones no importa en mapas de Karnaugh de cinco variables

2.2.3Ejemplo de aplicacin, mapas de Karnaugh para cinco variables

2.3 Mapas de Karnaugh de seis variables.

2.3.1 Simplificacin de variables

2.3.2 Pasos para la simplificacin

2.3.3 Ejemplo de aplicacin, mapas de Karnaugh para seis variables

2.4 Software para resolver mapas de Karnaugh de cinco y seis variables.

Integrados

Memoria Prom 74S473

Este dispositivo tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits.Pines:

A0A8 (Bus de direcciones): Estos pines son las entradas para seleccionar la posicin de memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras que puede almacenar, dada por la expresin 2, donde n es el nmero de pines.Q0-Q7: Corresponden a las salidas del integradoG: Habilitacin de salida

Figura1. Integrado 74S473 (Colombia, 2014)

Caractersticas tcnicas

Rango de temperatura

0 - 70C

Voltaje

4.75min 5.25 max

Capacidad (bits)

512 X 8

Tipo de salida

OPEN COLECTOR

Tiempos de acceso

60ns

Encapsulado

DIL-20

Corriente mxima

155mA

Tabla1. Caractersticas tcnicas del 74S473 (Semiconductor, 2014)

EPROM 27C16B

Esta memoria de 24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir 2KB. Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos con el mismo bus de datos.PINES:A0- A10: Direccin de entrada D0 D7: Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. OE: Habilitacin de salida VPP: Es utilizado durante la programacin. CE/P (Chip Enable/Program): Utilizado para seleccionar el chip (en caso de emplearse en forma conjunta con otros) y para programar la posicin de memoria seleccionada en el bus de direcciones.

Figura2. Integrado 27C16B (Colombia, 2014)

Caractersticas tcnicas

Referencia

27C16B

Tipo

EPROM/CMOS

Capacidad bits

2048/8

Tipo de salida

5v(Vp=12.75V)

Tiempos de acceso

150/250 ns

Encapsulado

DIL-24

Tabla2. Caractersticas tcnicas del 27C16B (Semiconductor, 2014)

EEPROM 28C64A Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 y tiene caractersticas diferentes a las dems. La informacin almacenada puede perdurar aproximadamente 100 aos y puede soportar hasta 100.000 ciclos de grabado y borrado.

A0- A12: Direccin de entrada NC: Sin conexin; Sin conexin interna D0 D7: Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. WE: Habilitacin de escritura. OE: Habilitacin de salida CE: Chip de habilitacin

Figura3. Integrado 28C64A (Colombia, 2014)

Caractersticas Tcnicas

Rango de Temperatura

0 - 70C

Voltaje

5V 10%

Capacidad(bits)

8192 x 8

Voltaje de salida

5V

Tiempos de acceso

12/15/20/25/30 ns

Encapsulado

DIL-28 y PLCC-32

Corriente Mxima

30mA

Tabla3. Caractersticas tcnicas del 28C64A (Microchip, 2014)

MEMORIA FLASH - 27F256

La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la caracterstica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de programacin por byte es de 100 ms y el tiempo de retencin de la informacin es de aproximadamente 10 aos.

A0-A13: direcciones de entrada D0 D7: Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. Vpp: Borrar/ Programa el suministro de energa A14/W: Direccin y escritura de habilitacin OE: Habilitacin de salida. CE: Chip de habilitacin.

Figura 4. Memoria Flash 27F256 (Colombia, 2014)

Caractersticas Tcnicas

Referencia

28F256

Tipo

Flash EEPROM

Capacidad(bits)

32768 x 8

Tipo de salida

5V (Vp= 12.5V)

Tiempos de acceso

90/100/120/150 ns

Encapsulado

DIL-28

Tabla 4. Caractersticas tcnicas del 27F256 (INTEL, 2014)

Conclusiones

Referencias

Bibliografa

Colombia, U. N. (2014). DIreccion nacional de Innovacion. Obtenido de http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100501.htmINTEL. (2014). Datasheet 27F256. Obtenido de http://www.datasheet4u.com/datasheet/2/7/F/27F256_Intel.pdf.htmlMicrochip. (2014). CMOS EEPROM. Obtenido de http://www.datasheet4u.com/datasheet/2/7/F/27F256_Intel.pdf.htmlSemiconductor. (2014). Datasheet. Obtenido de http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheet/nationalsemiconductor/DS009715.PDF