lab de trasnsistor
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UNIVERSIDAD PRIVADA DEL NORTE
Laureate Internacional Universities®
FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA
Curso: Circuitos Electrónicos
Laboratorio de transistores bipolares
DOCENTE:
Solís Tipian Martin Albino
PARTICIPANTE:
Cruz Ccollcca Alfonso
Lima – Perú
2013
LABORATORIO DE TRANSISTORES BIPOLARES
Objetivo: El objetivo del laboratorio es que el alumno obtenga las curvas de salida de un transistor bipolar. Además , se busca que entre en contacto con el modelo de pequeña señal y calcule los para´metros de dicho modelo a partir de medici´ones experimentales
Ejercicio 1: Curvas Características.
Utilizando el trazador de curvas, obtenga las curvas de salida (Ic –Vce )en directa. Tome los datos necesarios para representar curvas con distintas corrientes de colector teniendo en cuenta Icm´ax = 5 mA. A partir de estas curvas, estime βF y VAF (tensio´n de Early directa).
Obtenga tambi´en las curvas de salida en inversa. Para esto, intercambie colector y emisor (utilice tensiones Vce menores que 3 V). Estime βR y VAR . Realice el procedimiento anterior para los transistores NPN y PNP.
Con los datos obtenidos, simule ambos transistores en LTSpice y compare los resultados. Para esto,utilice los circuitos que se muestran a continuación y la definición del modelo del transistor:
.MODEL transistor NPN (VAF=. VAR=. BR=. BF=.)
CIRCUITO DEL TRANSISTOR NPN
CURVAS CARACTERISITICAS DEL TRASNSISTOR
ZONA DE SATURACION ZONA ACTIVA
CUADRO DE GANANCIA DEL TRANSISTOR
VALORE S DE ENTRADA VALORES DE SALIDA Ganancia
Vol. Entrada Ib(uA) V EC Ic(mA) β=Ic/Ib0 0 0 0 01 100 1 18.2 182
1.1 100 1.1 18.2 1821.2 100 1.2 18.3 1831.3 100 1.3 18.3 1831.4 100 1.4 18.3 1831.5 100 1.5 18.4 1841.7 100 1.7 18.4 1841.8 100 1.8 18.5 1852 100 2 18.6 186
2.1 100 2.1 18.6 1862.2 100 2.2 18.6 1862.3 100 2.3 18.7 1872.4 100 2.4 18.7 1872.5 100 2.5 18.7 1872.7 100 2.7 18.8 1882.8 100 2.8 18.8 1882.9 100 2.9 18.9 1893 100 3 18.9 189
PROMEDIO DE LA GANANCIA DEL TRANSISTOR 185.5
TENSION EARLY
TENSION BASE COLECTOR
CIRCUITO DEL TRANSISITOR PNP
CUADRO DE GANANCIA DEL TRANSISTOR
VALORE S DE ENTRADA VALORES DE SALIDA GananciaVol. Entrada I(uA) V EC (ImA) β=Ic/Ib
0 0 0 0 01 100 1 13.7 137
1.1 100 1.1 13.7 1371.2 100 1.2 13.7 1371.3 100 1.3 13.7 1371.4 100 1.4 13.8 1381.5 100 1.5 13.8 1381.7 100 1.7 13.8 1381.8 100 1.8 13.8 1382 100 2 13.9 139
2.1 100 2.1 13.9 1392.2 100 2.2 13.9 1392.3 100 2.3 13.9 1392.4 100 2.4 13.9 1392.5 100 2.5 13.9 1392.7 100 2.7 14 1402.8 100 2.8 14 1402.9 100 2.9 14 1403 100 3 14 140
PROMEDIO DE LA GANANCIA DEL TRANSISTOR 138.5555556
TENSION EARLY
TENSION BASE COLECTOR
ZONA DE SATURACION ZONA ACTIVA
Ejercicio 2: Medición de los parámetros H.
Armar el circuito de que se muestra en la Fig. 1. Antes de comenzar, mida con el multímetro el valor de Rc y Rm.
Ajustar Vbb (offset del generador) para obtener VceQ = 10 V. Calcule la corriente IcQ resultante. Sobre las curvas obtenidas anteriormente, trazar la recta de carga y marcar el punto de polarización
Obtenido.
Medición de hie: En el circuito, sin el capacitor y el potenciómetro de salida, coloque señal de forma que la etapa no recorte a la salida. Mida el corriente Ib de señal sobre Rm y la tensión Vbe. La impedancia de entrada del transistor es aproximadamente:
Medición de hoe: Medir en señal la tensión de salida. Colocar el capacitor y el potenciómetro y ajustar el potenciómetro hasta que la señal a la salida se reduzca a la mitad. Medir con el tester
Fig. 1: Circuito para obtener los parámetros H
El valor del potenciómetro, despejar el valor de hoe de la ecuación:
VALORES DE RC Y RM
RC
RM
CIRCUITO DE LA Fig. 1
VOLATAJE AJUSTADO VceQ = 10 V
I resultante del colector
ICR = 0.4 mA
PUNTO DE CARGA DEL TRANSISTOR
Ic =0.4 mA
VCE=10 V
MEDICION DEL hie:
VOLTAJE BE:
PUNTO DE CARGA O PUNTO DE POLARIZACION RECTA DE LA CARGA
hie :VBEIB
= 2.53
(0.11∗10−3 )
hie=23kΩ
Corriente B:
MEDICION DEL hoe:
Voltaje de salida regulada ala mitad
IC = 1.428mA
VEC =5.01815
MEDICION DEL hfe:
Ic=0.4 mA
Ib=0.011 mA
hoe= Ic
¿=1.428∗10−3
5.01815¿
hoe=284.6mΩ
hfe= IcIb
= 0.40.011
hfe=¿36,36 Ω
