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COMPETENCIAS PARTICULARES

Gua de AprendizajeELECTRONICA DE POTENCIA

COMPETENCIA GENERAL instala sistemas de potencia,utilizando material y equipo de acuerdo a los requerimientosdel sector industrial

Competencia particular 1 emplea el diodo semiconductor encircuitos electrnicos utilizados en sector industrialsocial

PLAN2

008

COMPETENCIA GENERAL

Competencia particular 2 aplica lascaractersticas elctricas del principio defuncionamiento y operacin de lostransistores bipolares utilizando losmanuales del fabricante.

Competencia particular 1 emplea eldiodo semiconductor en circuitoselectrnicos utilizados en sectorindustrial

Competencia particular 3 emplearlos semiconductores SRC DIACTRIAC para el control de potenciaelctrica.

RAP 2: utiliza las diferentes opciones desalida de la interface con transistores ytransistores as como relevadores en lossistemas.

RAP 2: realiza pruebas y clculos a partir delas caractersticas de operacin de transistorconmutable

RAP 2:utilizar el diodo semiconductor comorectificador en sus tipos monofsicos ytrifsicos para amplificarlos en una fuente de

alimentacin

RAP 1: interpreta la polarizacin directa e

inversa del diodo semiconductor a partir dela estructura atmica RAP 1: maneja la constitucin operacin yfuncionamiento de los transistores bipolares

RAP 1: identifica las caractersticas de

funcionamiento de los transistores as comolas aplicaciones de los mismos


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ELECTRONICA DE POTENCIA PLAN 2008

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UNIDADES 1 y 2

ELECTRONICA I

GUIA PARA EL 1 EXAMEN DEPARTAMENTAL

1) Que son las capas orbitales2) Segn el tomo de Bohor donde est la valencia3) Cuantos tomos tiene en su ltima orbita los conductores4) Cuantos tomos tiene en su ltima orbita los aisladores5) Cuantos tomos tiene en su ltima orbita los semiconductores6) Con que elementos se contamina el Si y Ge para tener un semiconductor tipo P 7) Con que elementos se contamina el Si y Ge para tener un semiconductor tipo N 8) Que es un semiconductor Intrnsecos9) Que es un semiconductor Extrnsecos10)Dibuje el smbolo del diodo11)Cul es el voltaje de polarizacin de un diodo Si para conducir12)Cul es el voltaje de polarizacin de un diodo Ge para conducir13)Dibujar la barrera de potencial en polarizacin Directa14)Dibujar la barrera de potencial en polarizacin Inversa15)Como se comporta como contacto un diodo con polaridad directa.16)Como se comporta como contacto un diodo con polaridad inversa.

UNIDAD 1 DELPROGRAMA: ELECTRONICA DE POTENCIA

Competencia particular 1 emplea el diodo semiconductor en

circuitos electrnicos utilizados en sector industrial

RAP 1: interpreta la polarizacin directa e inversa del diodo

semiconductor a partir de la estructura atmicaRAP 2:utilizar el diodo semiconductor como rectificador en sustipos monofsicos y trifsicos para amplificarlos en unafuente de alimentacin


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17)Con polaridad inversa un diodo de que orden de corriente es. Amp, mA A.18)Como afecta el efecto Joule en un diodo.19)Con el ohmetro (milmetro) como se prueba un diodo.

20)Dibujar el smbolo del LED.21)Cul es el voltaje de polarizacin de un LED.22)Cul es el rango de corriente necesaria para emitir luz. 23)Como se pueden distinguir las terminales de un LED.24)Cuantas configuraciones existen para un display de 7 segmentos.25)Dibujar un rectificador de onda.26)Dibujar la seal de salida de un rectificador onda.27)Dibujar un rectificador de onda completa Tap central. 28)Dibujar la seal de salida de un rectificador onda completa Tap central. 29)Dibujar un rectificador de onda completa tipo puente.

30)Dibujar la seal de salida de un rectificador onda completa tipo puente.

Semiconductor


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Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura delambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tablasiguiente.

Elemento Grupo Electrones enla ltima capa

Cd II B 2 e-

Al,Ga, B, In III A 3 e-

Si, C, Ge IV A 4 e-

P, As, Sb V A 5 e-

Se, Te, (S) VI A 6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones deelementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes,teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Conduccin elctrica

Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones que no estn ligados a un enlacedeterminado (banda de valencia), sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conduccin). La separacinentre la banda de valencia y la de conduccin se llama banda prohibida, porque en ella no puede haber portadores de corriente.As podemos considerar tres situaciones:Los metales, en los que ambas bandas de energa se superponen, son conductores.Los aislantes (o dielctricos), en los que la diferencia existente entre las bandas de energa, del orden de 6 eV impide, encondiciones normales el salto de los electrones.Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1 eV, por lo que suministrando energa puedenconducir la electricidad; pero adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la energa aportada
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para que sea menor el nmero de electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales,cuya conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la temperatura.

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecosUn cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, enla figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electronespueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda devalencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germaniorespectivamente.Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energticocorrespondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le

denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y derecombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" laconcentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:ni = n = psiendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a unadiferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de labanda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar alos huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad ymagnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
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una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente laexcitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son losportadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un

ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

UNIDADES 3ELECTRONICA I


1) Que significa transistor2) Que elementos componen un transistor3) En el smbolo de transistor elemento que se representa por medio de una flecha4) Cuantos tipos de transistores BJT existen y dibuje su diagrama5) Mencione 3 formas de polarizar un transistor6) En la polarizacin de transistores como debe ser en el circuito de entrada y la polarizacin del circuito de salida.7) Si usamos un transistor como amplificador de corriente cual polarizacin es ms deficiente.


Competencia particular 2 aplica las caractersticas elctricasdel principio de funcionamiento y operacin de lostransistores bipolares utilizando los manuales del

fabricante.

RAP 1: maneja la constitucin operacin y funcionamiento delos transistores bipolaresRAP 2: realiza pruebas y clculos a partir de las caractersticas

de operacin de transistor conmutable


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8) Si usamos el transistor como amplificador de corriente cual polarizacin es la ms eficiente.9) Dibujar la polarizacin de base comn para un transistor NPN10)Dibujar la polarizacin de base comn para un transistor PNP

11)Porque se llama polarizacin base comn12)La ganancia de corriente en configuracin base comn con que letra griega se representa.13)Cul es la relacin de corrientes para la ganancia de corrientes con 14)Cul es la relacin de corriente para

15)Un transistor configuracin base comn con una =0.99 y una resistencia de salida de 20 K, calcular:

La ganancia de corrienteLa ganancia de voltaje

La ganancia de potencia

16)Dibujar el diagrama de un transistor emisor comn NPN17)Dibujar el diagrama de un transistor emisor comn PNP

18)La ganancia de corriente configuracin emisor comn con que letra griega se representa.19)Cul es la relacin de corriente para 20)Si tenemos una IE= 50 mA y Ic= 46 mA cuanto vale IB21)Cuale es la IC teniendo IB= 48 A y una IE= 250 mA22)Suponga que un transistor tiene una =120 con una R ENTRADA de 800 y una RSALIDADE 90 K calcular:

RganEganPgan

23)Si tenemos un transistor con colector comn tenemos una ganancia de corriente (+1)=40 con una RENT= 400 Kmientras RSAL=450 CALCUAR:


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RganEganPgan

Unin PN

Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominadossemiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales,generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican deGermanio(Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivelatmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmentecon algn otro metal o compuesto qumico.

Silicio puro o "intrnseco"

Malla cristalina del Silicio puro.

Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina basada en enlaces covalentes que se producengracias a los 4 electrones de valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco.Los huecos , como su nombre indica, son el lugar que deja un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en unelectrn libre. Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se debe a la temperatura (como una
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valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la redcristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera

ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadoresminoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamadostomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y elmaterial dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Barrera interna de potencial

Formacin de la zona de la barrera interna de potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentesdenominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin,de vaciado, etc.
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A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en loscristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zonap, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de

desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia depotencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son degermanio.La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno delos cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Polarizacin directa de la unin P - N

Polarizacin directa del diodo p-n.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente deelectrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y elpolo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecoshacia la unin p-n.
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Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de cargaespacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cualespreviamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltipleshuecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo dela batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor yllega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece atravs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. Polarizacin directa: se produce cuando se conecta el polopositivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa a la N.

Polarizacin inversa de la unin P - N

Polarizacin inversa del diodo pn.
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En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona decarga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica acontinuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en elconductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, lostomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquierenestabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que seconvierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slotienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienensolamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electroneslibres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren

estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pareselectrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomosde silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtenerestabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital devalencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa desaturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.
http://es.wikipedia.org/wiki/Amperiohttp://es.wikipedia.org/wiki/Amperio


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UNIDADES 4 y 5ELECTRONICA I


1) Mencione los tipos de tiristores que conozca2) Que terminales componen un SCR3) Que rango de corriente circula por la puerta (G) de un SCR4) Cuando se utiliza un SCR en CD a que se le llama cebado5) Utilizando un SCR para control de potencia elctrica a que se le denomina ngulo de disparo y ngulo de conduccin.6) Utilizando un SCR para control de potencia elctrica cuantos grados elctricos puede controlar.7) Si tenemos una resistencia conectada a la compuerta cuantos grados elctricos se pueden controlar.

8) Si tenemos una resistencia y condensadores conectada a la compuerta cuantos grados elctricos se puedencontrolar.9) Dibujar el ngulo de disparo para 60 en un tiristor10)Dibujar el ngulo de disparo para 120 en un tiristor11)Dibujar el ngulo de conduccin para 60 en un tiristor12)Dibujar el ngulo de conduccin para 45 en un tiristor13)Cul es la finalidad de usar una resistencia (R1) y un potencimetro (R2) en serie en la compuerta.


Competencia particular 3 emplear los semiconductores SRCDIAC TRIAC para el control de potencia elctrica

RAP 1: identifica las caractersticas de funcionamiento de lostransistores as como las aplicaciones de los mismosRAP 2: utiliza las diferentes opciones de salida de la interfacecon transistores y trinsistores as como relevadores en lossistemas


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14)En el siguiente diagrama que nivel de voltaje se necesita en el punto X para cebar el SCR, la corriente necesaria paracebar el SCR es de 20 Ma

15)Dibujar un circuito tpico de control de potencia con un SCR16)En la figura de control tenemos un voltaje de la fuente de 115 Vrms, IG=15 mA y R1= 3 K se desea un ngulo de

disparo de 90 A qu valor se debe ajustar R217)En la figura de control tenemos un voltaje de la fuente de 127 Vrms, IG=20 mA y R1= 2 K se desea un ngulo de

disparo de 90 A qu valor se debe ajustar R218)Si el voltaje del condensador conectado en la compuerta est por debajo de su valor de disparo de que tiristor

podemos auxiliarnos19)Dibujar el smbolo del triac indicando cada uno de sus componentes20)Teniendo un triac para control de potencia cuantos grados elctricos se pueden controlar

10) GLOSARIO DE CONCEPTOS Y PRINCIPIOSCLAVES

1) Electrn libre.- Son aquellos electrones en un material que no estn unidos fuertemente a los tomos o molculasde ste y pueden desprenderse fcilmente de la estructura.

2) Un hueco.- Es la ausencia de un electrn en la banda de valencia


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3) La corriente que fluye en un semiconductor.- Escuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de laflecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidadcomportndose prcticamente como un corto circuito.

4) Se agregan impurezas a los semiconductores puros.- Con el fin de cambiar sus propiedades elctricas

5) Un material semiconductor tipo n a pesar de que tiene un exceso de electrones libres se considera elctricamenteneutro.- Se llama material tipo N es el que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electronessin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan

electrones y sern devalenciacinco como elArsnicoy elFsforo. De esta forma no se ha desbalanceado laneutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro; pero, a diferencia de los tomosque conforman la estructura original, posee un electrn no ligado, por lo tanto la energa necesaria parasepararlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio(o delsemiconductor original). Finalmente tendremos ms electrones que huecos por lo que los primeros sern losportadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcindirecta de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

6) El funcionamiento de un rectificador de media onda.- Circuito empleado para convertir una seal de corrientealterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda,

en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertiren negativa

7) Como se forma un rectificador de onda completa con elementos conductores
http://es.wikipedia.org/wiki/Valencia_at%C3%B3micahttp://es.wikipedia.org/wiki/Valencia_at%C3%B3micahttp://es.wikipedia.org/wiki/Valencia_at%C3%B3micahttp://es.wikipedia.org/wiki/Ars%C3%A9nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/Ars%C3%A9nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/Ars%C3%A9nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%B3sforohttp://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%B3sforohttp://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%B3sforohttp://es.wikipedia.org/wiki/Siliciohttp://es.wikipedia.org/wiki/Siliciohttp://es.wikipedia.org/wiki/Siliciohttp://es.wikipedia.org/wiki/Siliciohttp://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%B3sforohttp://es.wikipedia.org/wiki/Ars%C3%A9nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/Valencia_at%C3%B3mica


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La polaridad del voltaje aplicado Vrms es igual a la que contiene el diodo cuando s esta polarizado directamente,por lo que conduce el diodo y permite el pico positivo, pero cuando T/2 -> T, la polarizacin de la entrada seinvierte y el diodo no conduce.

La polaridad del voltaje aplicado Vrms es inverso a la que contiene el diodo cuando s esta polarizadodirectamente, por lo que el diodo no conduce en el primer semiciclo, pero cuando T/2 -> T, la polarizacin de laentrada cambia el diodo conduce.

12) La ventaja tiene el rectificador de media onda sobre el rectificador tipo puente.-

El rectificador de media onda generalmente se usa slo para aplicaciones de baja corriente, o de alta frecuencia, ya que requiereuna capacitancia de filtrado mayor para mantener el mismo voltaje de rizado que un rectificador de onda completa.

13) Para activar un diodo de cuatro capas se necesita.-

Se necesita energizar la puerta y el dispositivo tendr conduccin bidireccional

14) Dibuje un interruptor SCR bsico. Cul es la teora de funcionamiento de este circuito? En otras palabras dgametodos los detalles de cmo funciona.

Al aplicarse una tensin a la G que es la puerta, existe conduccin entre nodo A y ctodo K

15) Describa como se puede activar un tiristor (que condiciones son necesarias)

El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo decorriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre


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1) PROBLEMAS DE APLICACIN Y SUGERENCIA

METODOLOGIAS

UNIDADES 1 y 2

1) Calcular el voltaje de salida en los siguientes rectificadores de onda.


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2) Calcular el voltaje de salida de un rectificador de onda completa tap central.


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3) Calcular el voltaje de salida del rectificador de onda completa


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4) Calcular el voltaje de primario del transformador de los siguientes circuitos.


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UNIDADES 3

5) Calcular los parmetros en cada uno de los siguientes circuitos


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CalcularIB=IC=IE=VCE=

6) Calcule la resistencia de base de los siguientes circuitos.


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12 V

= 40

40 mA

10 V

= 50

100 mA

UNIDADES 4 y 5

7) Supongamos el siguiente circuito se ha decidido utilizar condensadores C1=0.068 F y C2=0.033F


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a) Determine los valores de R1,R2 y R3 para tener un ngulo de cebado.b) Una vez construido el circuito se encuentra que no se puede ajustar el ngulo de disparo a un valor menor de 40

que resistencias se deben cambiar para tener un ajuste por debajo de 40

8) Calcular el valor de las resistencias R1, R2 y R3 para el dimer siguiente.


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CARGA

R2=

C1

0.22 F

R3 =

R1=

C2

0.22 F

120 V

60 Hz

Mt2

Mt1G

2N6073A

BIBLIOGRAFIA1) Principios de Electrnica A.P. MALVINO Ed. McGRAW-HILL2) Circuitos Electrnicos D. L. SCHILLING y C. BELOVE Ed. MARCOMBO3) Electrnica Integrada J. MILLMAN y C. C. HALKIAS Ed. HISPANO EUROPEA4) Electrnica Analgica L. CUESTA, A. GIL PADILLA y F. REMIRO Ed. McGRAW-HILL (Coleccin SCHAUM)5) Dispositivos Electrnicos y Circuitos JIMMIE J. CATHEY Ed. McGRAW-HILL (SCHAUM)

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