electrÓnica de potencia

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ELECTRÓNICA DE POTENCIA Presentación del F10

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ELECTRÓNICA DE POTENCIA. Presentación del F10. La electrónica de potencia esta situada en la frontera o unión entre la electrónica (corrientes débiles) y la electricidad (corrientes fuertes o altas) y fue la aparición de los semiconductores de potencia que permitió su desarrollo. - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: ELECTRÓNICA DE POTENCIA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Presentación del F10

Page 2: ELECTRÓNICA DE POTENCIA

La electrónica de potencia esta situada en la frontera o unión entre la electrónica (corrientes débiles) y la electricidad (corrientes fuertes o altas) y fue la aparición de los semiconductores de potencia que permitió su desarrollo.

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Electrónica de potencia

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Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos, el tiristor y transistores de potencia.

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De los anteriores dispositivos se derivaron otros como: los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor unión o UJT, el transistor unión programable o PUT y el diodo Shockley, fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO)

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Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

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El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:1. Tener dos estados claramente definidos, uno

de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción).

2. Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.

3. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.

4. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro

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La impedancia es una magnitud que establece la relación (cociente) entre la tensión y la intensidad de corriente

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El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

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bloques básicos de semiconductores de

potencia y sus aplicaciones

fundamentales

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Semiconductores de alta potencia

Modulos de potencia

Semiconductores de baja potencia

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Aplicaciones : Tracción eléctrica: troceadores y convertidores. Industria:

Control de motores asíncronos. Inversores. Rectificadores. Etc.

Page 14: ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Aplicaciones : Soldadura al arco. Sistema de alimentación interrumpida (SAI). Control de motores. Tracción eléctrica

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Aplicaciones : Control de motores. aplicaciones domésticas. Cargadores de baterías. Control de iluminación. Control numérico. Ordenadores, etc.

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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE

POTENCIA

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Diodos de potencia

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Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

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Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

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características más importantes del diodo

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Características estáticas

Características dinámicas:

Potencias

Características térmicas

Protección contra intensidades

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Potencia máxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo.

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Parámetros en conducción. Parámetros en bloqueo (paralización inversa)

Modelo estático

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Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.

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Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo. Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

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Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del programa

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◦Tiempo de recuperación inverso (trr).

◦Influencia del trr

en la conmutación. ◦Tiempo de recuperación directo.

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Temperatura de la unión (Tjmáx)Temperatura de almacenamiento (Tstg)Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

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Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores, carga de condesadores, utilización en régimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica).

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Órganos de protección Los dispositivos de protección queaseguran una eficacia elevada ototal son poco numerosos y poresolos más empleados actualmentesiguen siendo los fusibles, del tipo"ultrarrápidos" en la mayoría delos casos.

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Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensión.

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Video 1.

Video 2