Download - Informe final experiencia Nº 4SDSDSD.doc
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO PUNOFACULTAD DE INGENIERIA MECANICA ELECTRICA, ELECTRONICA Y SISTEMASESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA ITEMA:TRANSISTORES BIPOLARESINFORME: FINAL N 04GRUPO: APresentado por:
ANARA CURASI ERICGIACNARLOS 114113
VILCA AYMA JUANCARLOS 114611SEMESTRE: ll
PUNO - PERU 2013
INFORME FINAL
A. PRESENTE RESULTADOS OBTENIDOS EN LA PRACTICA REALIZADA
EXPERIMENTO N 01
En el circuito que se muestra a continuacin podemos observar la seal de entrada con la ayuda de un osciloscopio, debemos especificar que la seal de entrada es de 200mv pp/60hz en el diagrama se ve que la base del transistor est conectada a dos resistencias (r1 = 7k y r2 = 4k). estas dos resistencias forman un divisor de tensin que permite tener en la base del transistor una tensin necesaria para establecer la corriente de polarizacin de la base, mientras que los capacitores se comportan como circuitos abiertos para la corriente continua, y cono corto circuito para la corriente alterna
En el siguiente esquema estamos viendo la seal de salida con la ayuda de un osciloscopio, notamos que la seal esta claramente amplificada hasta un valor de voltaje mucho mayor que el de la entrada
En la siguiente figura vemos las dos seales, tanto de entrada como la de salida, notando que la seal aumenta de amplitud de 200mv pp a 400mv pp aproximadamente ,
EXPERIMENTO N 02
Ajustando el potencimetro a 1kohm y Haciendo uso del multimetro digital medimos la tensin colector-emisor Vce, resultndonos Vce = 92.97mv
Se cumple la condicion de saturacin al aumentar el valor del potencimetro Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y una tensin colector emisor (Vce) casi nula (cero voltios). Luego incrementando el valor del potencimetro cuidadosamente vemos que aproximadamente ajustando a no mas de 1kohm se obtiene Vce casi 0 Vce = 25.95mv, usando el simulador Livewire- Edicin Profesional B. EXPLIQUE LO SIGUIENTE
Analice matemticamente el primer y segundo circuito de esta experiencia, obtenga Ibq, Ieq, Icq, Vceq. Los valores coinciden con los valores prcticos obtenidos en el laboratorio?
CIRCUITO EXPERIMENTO 02
Para efectos de calculo de corrientes continuas, los capacitares se comportan como circuito abierto
De la malla1
De la malla2
A comparacin de los valores obtenidos en el laboratorio Ic=1.89mA, Ie=1.93mA, Ib=40.80uA, Vce=6.69v
hay una ligera desigualdad CIRCUITO EXPERIMENTO 02
De la malla1 (considerando beta igual a 75)
De la malla2
Vemos que las corrientes tericas varan en comparacin de las obtenidas en el laboratorio Ic=43.24mA, Ib=9.15mA, Ie=52.40mA, Vce=56.76Mv
C. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Los valores tericos no siempre son iguales a los valores obtenidos en la practica, podemos considerar entonces que los valores prcticos son los mas exactos, y los valores tericos son solo aproximaciones Los transistores como lo hemos confirmado haciendo esta experiencia pueden entrar tanto a la zona de corte como de saturacion Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente igual a cero) y una tensin colector emisor (Vce) mxima (casi igual a la tensin de alimentacin).Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y una tensin colector emisor (Vce)casi nula(cero voltios). Tambien concluimos que los capacitares tienen mucha importancia en la etapa de amplificacin de seal, como lo vimos en el experimento 01
A si mismo confirmamos que al trabajar con transistores hay que tener cuidado, ya que son fciles de quemar si no tenemos conocimientos sobre stos dispositivos sensibles, Sugerimos el estudio de circuitos de transistores con seales (voltaje alterno) para el entendimiento de esta y prximas experiencias.
A su vez la aplicacin de transistores trabajando en zona de corte y saturacin se da en la electrnica digital.
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