I. DISEÑO DE LA RED SNUBBER

El diseño de la red snubber es un circuito de amortiguamiento de sobre picos,ya que a veces dichos sobre picos son capaces de generar rupturas en el semiconductor, dejándolo fuera de funcionamiento, para el diseño de la red de protección del semiconductor se procede a observar los datos arrojados por el fabricante del dispositivo. En la siguiente tabla se muestran las limitaciones del dispositivo.

Tabla 1 limitaciones del dispositivo [2]

La tabla 1 permite la visualización de los limitantes del dispositivo que se emplea para la función de switch.Máxima tensión que soporta (200v) y una corriente máxima (9 A). Es por ello que el transistor IRF630cuenta con las condiciones optimas para la conmutación del circuito.

La tabla 2 presenta las características inherentes del funcionamiento del transistor Mosfet IRF 630, entre las cuales se encuentran los siguientes parámetros:

Ls= internal source inductance. Cp= output capacitance. ID= continuous drain current tr= tum-on rise time. tf= tum-off fall time. VDSS= drain-sourcevoltage

Tabla 2 características eléctricas [2]

Ls=7.5 nH Cp=93 pf ID=9 A tr=19 ns tf =15 ns VDSS=200 v

A través de la información anterior se procede a hallar el circuito snubber [3] de protección para el transistor IRF-630.

R=√ LsCp

Ecuación (11)

¿√ 7.5 nf93 pf

=8.98Ω

C=ID (tr+tf )

vdssEcuación (12)

¿9(19 ns+15 ns)

200=1.53 nf