desarrollo del cuestionario teorico de diodos

FACULTAD DE ING. ELECTRONICA Y ELECTRICA

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOSFundada en 1551


ALUMNO: PALOMINO HUACCAMAYTA ZOSIMOCURSO: CIRCUITOS ELECTRONICO 1

TRABAJO: DESARROLLO DEL CUESTIONARIO DE DIODOS

Lima - Perú2016

CIRCUITOS ELECTRONICOS 1 Página 1


DESARROLLO DEL CUESTIONARIO TEORICO DE DIODOS

1. En un diodo polarizador, casi toda la tensión externa aplicada aparece en.

a) Únicamente en los contactos metálico.b) En los contactos metálicos y en la zona p y n.c) La zona de vaciamiento o deflexión.

RESPUESTA: cAl estar polarizado de forma inversa la “zona de deplexión” se amplía.esto impide que la corriente eléctrica fluya a través del diodo así formado un circuito abierto.

2. En los diodos LED.

a) Se convierte la energía luminosa en energía eléctrica.b) Se genera radiación electromagnética visible debida las

recombinaciones de los pares de electrones/huecos.c) Se produce radiación electromagnética cuando se supera la

tensión inversa.

RESPUESTA: bEl LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero que al ser atravesado por la corriente eléctrica emite luz. Existen diodos LED de varios colores y dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, ámbar, infrarrojo. Eléctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio.Si se pasa una corriente a través del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las regiones P y N, respectivamente.Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinación de los portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aquí la emisión de luz). La relación entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP)Dependiendo del material de que está hecho el LED, será la emisión de la longitud de onda y por ende el color



3. En un diodo con polarización inversa

a) no existe barrera de potencial en la zona de deplexión .b) existe una corriente inversa de saturación (Is) debida a la

inyección de portadores mayoritarios.c) existe una corriente inversa de saturación (Is) dependiente de la

temperatura.

RESPUESTA: cEn polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón libre tiene que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no hay conducción de electrones libres o huecos, no hay corriente.En esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de pares electrón-hueco. Los pocos electrones generados térmicamente pierden energía y bajan de p a n, es la "Corriente Inversa de Saturación" (IS) que es muy pequeña.Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n. Entonces sería negativa en este caso.Además de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina "Corriente de Fugas" (If).

4. Los diodos zener

a) no conducen con polarización directa. b) presentan una resistencia muy baja en la región de conducción

inversa.c) pueden regular la tensión sin consumir energía.

RESPUESTA: bCuando el zener está polarizado inversamente con pequeños valores de tensión se alcanza la corriente inversa de saturación prácticamente estable y de magnitudes despreciables a efectos prácticos.Si sigue aumentando la tensión de codo o de giro, donde los aumentos de corriente son considerables frente a los aumentos de tensión (apréciese en torno a esta tensión la curvatura de la gráfica). Sobrepasada esta zona a pequeños incrementos de tensión corresponden aumentos elevados de la corriente Iz

5. En una unión p n, el equivalente de circuito abierto en la región de polarización inversa, se logra mejor.


http://www.monografias.com/trabajos14/frenos/frenos.shtml

http://www.monografias.com/trabajos14/nuevmicro/nuevmicro.shtml


a) a altas temperaturas.b) a bajas temperaturas. c) a temperaturas intermedias.

RESPUESTA: b

6. La zona de carga de espacio

a) su anchura depende del dopaje del semiconductor. b) está constituida por portadores de electricidad. c) en directa disminuye hasta desaparecer y quemarse.

RESPUESTA: aLa zona de deplexión puede variar según la cantidad de impurezas añadidas al material semiconductor

7. En una unión pn sin polarizar y en equilibrio termodinámico.

a) aparece una zona de deplexión en donde la concentración de cargas libres (e- y h+) es muy alta

b) la suma de corrientes de difusión y arrastre es cero tanto para e- como para h+

c) la concentración de e- y h+ es constante en todo el volumen

RESPUESTA: b

Consideremos, entonces, dos muestras de material semiconductor, una de tipo p y otra de tipo n caracterizadas por contener una gran concentración de h+ y de erespectivamente (Figuras 5.3b y 5.3c). En la unión abrupta o unión escalón que estamos considerando, las regiones p y n son homogéneas. Al poner en contacto estas dos muestras, aparecerán enseguida flujos por difusión de e- y de h+ tendentes a eliminar los grandes gradientes de concentración de portadores existentes en la Unión Metalúrgica.

8. Si comparamos las características de los semiconductores Si y Ge a temperatura ambiente.

a) en el Ge la concentración intrínseca (ni) y la corriente inversa de saturación (Is) son menores que en el Si.

b) en el Ge la tensión umbral de conducción (Vϒ) es mayor que en el Si.



c) en el Ge la concentración intrínseca (ni) y la corriente inversa de saturación (Is) son mayores que en el Si.

RESPUESTA: cEn semiconductores de Ge es mayor la cantidad pura de dicho material de ahí su alto costo

9. En una unión p n, el efecto de la tensión inversa de ruptura debida al efecto zener.

a) aparece únicamente en diodos con zonas p y n muy poco dopadas.

b) se debe a la ionización de átomos, causada por los choques entre los portadores que se mueven a alta velocidad y los átomos.

c) se puede utilizar para regular o estabilizar tensiones.

RESPUESTA: cEl diodo zener puede usarse como un diodo normal pero donde se le saca más provecho es al regular una tensión mayor o con mucho rizado.

10.En una unión pn en régimen permanente.

a) Existe una zona intermedia de portadores eléctricos b) Aparecen unas corrientes de difusión c) Existe una zona de carga descubierta d) Aparece un campo eléctrico creciente.

RESPUESTA: dEl diodo zener puede usarse como un diodo normal pero donde se le saca más provecho es al regular una tensión mayor o con mucho rizado.

11.Si en un diodo el voltaje inverso aumenta de 5 a 10 V, la zona de carga de espacio.

a) se hace más pequeña.b) se hace más grande.c) no le pasa nada.d) se rompe.

RESPUESTA: b



12.Cuando un diodo tiene polarización directa, la recombinación de electrones libres y huecos puede producir.

a) Calor. b) Luz.c) Radiación. d) todas las anteriores.

RESPUESTA: dSe produce calor cuando por el circuito pasa demasiada corriente como para que el diodo lo disipe por su cuenta, se genera fotones en la unión de los materiales en un diodo led y radiación en forma de calor o luz

13.El voltaje de codo de un diodo es aproximadamente igual a.

a) el voltaje aplicado.b) la barrera de potencial. c) el voltaje de ruptura.d) el voltaje de polarización directa.

RESPUESTA: bAl pasar la barrera de potencial el diodo polarizado directamente se dispara y conduce.

14.¿Cuál de las siguientes afirmaciones es cierta con respecto a la tensión de ruptura de un diodo Zener?

a) disminuye al aumentar la corriente. b) destruye el diodo. c) es igual a la corriente por la resistencia. d) es aproximadamente constante.

RESPUESTA: dLos diodos zener traban en la región de ruptura o avalancha regulando la tension en ese punto

15.El diodo bajo polarización inversa:

a) Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los portadores mayoritarios no consiguen superarla y pasar a la otra región. Por tanto, solamente tendremos la corriente de minoritarios.



b) Crece la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y solamente los portadores mayoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos una corriente baja, la corriente de saturación.

c) Disminuye la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, y los portadores minoritarios consiguen superarla. Por tanto tendremos una corriente baja, la corriente de saturación.

d) Ninguna afirmación es válida.

RESPUESTA: a

16.En la zona de carga de espacio de una unión pn:

a) A mayor polarización inversa, más iones. b) Los iones originados en ausencia de polarización no se pueden

mover. c) A mayor polarización directa, menos iones. d) Todas las anteriores son ciertas.

RESPUESTA: dZona de agotamiento” o “zona de vaciado” impide que la corriente eléctrica fluya a través del diodo inversamente polarizado pero cuando está directamente polarizado esta zona se reduce

17.El efecto Zener en un diodo:

a) Se produce por las grandes velocidades de los portadores minoritarios.

b) Requiere polarización inversa superior a las del efecto avalancha. c) Se produce en diodos muy dopados. d) Se produce debido a campos eléctricos muy débiles.

RESPUESTA: cEfecto Zener se suele dar en diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas

18.En la zona de carga espacial que aparece en una unión pn sin polarizar.

a) Los electrones que provienen de la zona n (mayoritarios) se recombinan con los huecos que provienen de la zona p (mayoritarios).

b) Los electrones que provienen de la zona p (minoritarios) se recombinan con los huecos que provienen de la zona n (minoritarios).



c) No existen cargas libres.

RESPUESTA: cEfecto Zener se suele dar en diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas

19.Si una unión p n se polariza en directa:

a) Los huecos de la zona n (minoritarios) desaparecen por completo debido al arrastre del campo eléctrico que los lleva hacia la zona p (su lugar natural).

b) Aparece una corriente eléctrica en el sentido de la zona n a la zona p debida al movimiento de los electrones.

c) Aparece una corriente eléctrica en el mismo sentido que el campo eléctrico aplicado.

RESPUESTA: cAl polarizar una unión directamente los huecos fluyen en dirección opuesta a la de los electrones esto genera una corriente en ese sentido.

20.En un diodo polarizado en inversa:

a) Los electrones de la zona n tienden a acercarse a la zona de la unión.

b) Aparece una corriente tan pequeña que es despreciable a efectos prácticos y que depende de la concentración de los mayoritarios de cada una de las zonas.

c) Si la tensión aplicada es lo suficientemente grande la corriente puede ser tan intensa que se queme el dispositivo.

RESPUESTA: cSi a un diodo comun se le aplica una tensión mayor a la de tensión de ruptura este dispositivo se dañara.

21.En la zona de deplexión o vaciamiento de una unión pn:a) A mayor polarización inversa aparece más carga.b) A mayor polarización directa aparece más carga.c) La zona no tiene carga, o lo que es lo mismo, es eléctricamente

neutra.

RESPUESTA: a



En un diodo cuando se le aumenta la polaridad inversa la zona de deplexión crece y se genera más carga entre sus terminales

22.En un diodo en polarización inversa la ruptura por efecto zener.a) Se debe a la alta energía que tienen los electrones, parte de esta

energía se transforma en calor produciendo la ruptura del dispositivo.

b) El campo eléctrico es tan intenso que es capaz de arrancar electrones de sus enlaces de forma que cada vez hay más corriente.

c) Los electrones en su movimiento chocan contra otros fijos en sus enlaces arrancándolos de los mismos, así, cada vez hay más electrones libres y, por tanto, mayor corriente.

RESPUESTA: bAl dispararse el diodo inversamente polarizado es probable que este cruzados es decir deja pasar mayor corriente que si estuviese en buen estado

23.En una unión pn sin polarizar.a) Aparece una zona de carga espacial con cargas positivas en el

lado de la zona p y cargas negativas en el lado de la zona n.b) La zona de carga que aparece no tiene cargas eléctricas, por eso

se la llama también de vaciamiento.c) Aparece una barrera de potencial que se opone al flujo de

electrones de la zona n hacia la zona p.

RESPUESTA: cEl voltaje de codo es una especia de barrera que de no ser igualada o superada no deja fluir la corriente a través del dispositivo

24.En una unión pn polarizada en directa, cada zona semiconductora se comporta como:

a) Sumidero de sus portadores minoritarios.b) Inyector de sus portadores mayoritarios.c) Inyector de sus portadores minoritarios.

RESPUESTA: bCada zona tiene mayoritariamente huecos o electrones según sea N o P, los huecos se desplazan hacia en dirección de la



corriente convencional y los electrones en dirección contraria a estos

25.Sean las curvas A y B de la figura 2.1 pertenecientes a un mismo diodo a.

a) La curva A corresponde a la temperatura más alta, porque la recombinación de portadores es menor y se puede extraer mayor corriente a la misma tensión.

b) La curva A corresponde a la temperatura más alta, porque la densidad de corriente de saturación del diodo aumenta con la temperatura.

c) La curva B corresponde a la temperatura más alta, porque la densidad de corriente de saturación del diodo disminuye con la temperatura

RESPUESTA: bLas temperaturas altas mejoran la conducción de los semiconductores.

26.El efecto zener en la zona de ruptura de una unión pn.a) Se da cuando la zona p está mucho más dopada que la zona n.b) Se debe a la alta energía cinética que adquieren los electrones

libres.c) Se origina cuando hay campos eléctricos muy intensos en la zona

de carga espacial.

RESPUESTA: c

27.En una unión pn polarizada en inversa.a) Si aumentamos la temperatura aumentará la corriente eléctrica.b) Si aumentamos la temperatura la unión se calentará, pero la

corriente sólo aumentará si aumentamos la tensión.c) La barrera de potencial que aparece en la zona de carga de

espacio impide el paso de cualquier tipo de portador a su travésRESPUESTA: a



Las temperaturas altas mejoran la conducción de los semiconductores, por ende puede pasar más corriente por el dispositivo

28.En una unión pn polarizada en directa.a) Si no ponemos una resistencia exterior para limitar la corriente la

unión se quemará. b) Podemos tener corrientes prácticamente nulas. c) El sentido de la corriente dependerá de cuál de las dos zonas es

la que está más dopada, es decir, de si los mayoritarios son los huecos o los electrones.

RESPUESTA: bSi no se alcanza o supera el voltaje de codo no se consigue corrientes verdaderamente notables que pasan a través del diodo

29.En una unión pn polarizada en directa, la corriente.a) es debida al arrastre de los portadores minoritarios a lo largo de

las zonas neutras.b) La corriente se puede calcular como corriente de recombinación

de los portadores minoritarios en cada una de las zonas neutras.c) Se debe únicamente a la difusión de los portadores minoritarios

de cada una de las zonas neutras a través de la unión.

RESPUESTA: b

Ya que el desplazamiento de huecos y electrones en sus respectivas direcciones hace que en las zonas neutras exista un flujo de electrones (corriente)

30.La corriente inversa de saturación en un diodo polarizado en inversa.

a) Aumenta al aumentar la polarización inversa.b) Disminuye, ya con la polarización inversa aumenta la zona de

carga de espacio.c) Es constante.

RESPUESTA: cSi se polariza inversamente un diodo la corriente seguirá siendo insignificante al aumentar la tensión siempre que no se llegue a la tensión de ruptura donde el diodo se destruirá Las temperaturas altas mejoran la conducción de los semiconductores.



31.El tiempo de recuperación en el diodoa) es despreciable en circuitos que conmutan a alta frecuencia.b) limita la frecuencia de trabajo en circuitos digitales.c) es instantáneo cuando se pasa del estado de conducción al

estado de corte.

RESPUESTA: b


desarrollo del cuestionario teorico de diodos

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