curriculum · 2020-03-02 · 2 becas: 1974/1975 beca del consejo nacional de ciencia y tecnología,...
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CURRICULUM VITAE
Nombre: Julio Gregorio Mendoza Alvarez
Lugar y Fecha de Nacimiento: Puebla, Pue. Marzo 12, 1952.
Adscripción: Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios
Avanzados del Instituto Politécnico Nacional
Apdo. Postal 14-740, México, D. F. 07000. MEXICO.
Tels.: 5747-3800 ext.6167 ; Directo: 5747-3832
Nombramiento: Investigador Cinvestav 3E
Domicilio Particular: Blvd. Fray Antonio de Monroy e Híjar No. 117. Juriquilla Sec.
Tolimán. 76230 Querétaro, Qro.
Tel. 442-2342750. Correo electrónico: [email protected]
Nacionalidad: Mexicana
Máximo Grado de Estudios: Doctor en Ciencias. Especialidad en Física.
Idiomas: Inglés, Portugués y Español.
EDUCACION:
II/59 - VII/64 Esc. Himno Nacional. Puebla, Pue. México. (Primaria).
IX/64 - VII/67 Instituto Normal del Estado. Puebla, Pue. México. (Secundaria).
IX/67 - X/69 Escuela Vocacional No. 3 del Instituto Politécnico Nacional (IPN).
México. Bachillerato en Física y Matemáticas.
I/70 -I/74 Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN. México.
Licenciatura en Física y Matemáticas.
II/74 - XII/75 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN. México.
Maestría en Ciencias. Especialidad en Física.
Tesis: "Descarga Xerográfica en Monocristales de Azufre
Ortorrombico".
II/76 - XI/79 Instituto de Física. Universidade Estadual de Campinas. São Paulo.
Brasil. Doctor en Ciencias. Especialidad en Física.
Tesis: "Indice de Refracción y Guías de Ondas en Láser de GaAs".
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BECAS:
1974/1975 Beca del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, para estudios de
Maestría.
1976/1979 Beca del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, para estudios de
Doctorado en la Universidad Estatal de Campinas, Brasil.
1976/1979 Complemento de Beca por el Centro de Investigación y de Estudios
Avanzados del I.P.N., para estudios de Doctorado.
1977/1978 Beca del "Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento
(CNPq)" del Brasil.
DISTINCIONES:
Mejor estudiante de la Generación 70/74 de la Escuela Superior de
Física y Matemáticas del I.P.N.
Promedio más alto en la historia de la Escuela Superior de Física y
Matemáticas del I.P.N. en el período 61/77.
Investigador Nacional Nivel III. Miembro del Sistema Nacional de
Investigadores desde 1984.
Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias desde 1985.
Miembro del "Electronic Materials Committee" de la
"International Union for Vacuum Science Technique and
Applications" (IUVSTA) 1990-1992.
Premio 1991 de la Academia de la Investigación Científica en el
Area de Ciencias Exactas.
Arbitro Regular de las revistas: Applied Physics Letters, Journal
of Applied Physics, Revista Mexicana de Física.
Miembro del Jurado del "Premio México" de Ciencia y Tecnología
1992.
Chairman en el Simposio “Optoelectronic Materials and
Conjugated Polymers” de la IV International Conference on
Advanced Materials. Cancun, Q.R. Agosto 27- Septiembre 1, 1995.
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Premio de Investigación “Francisco Mejía Lira” de la Sociedad
Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío, A.C. Sept. 2001.
MEMBRESIA EN ORGANIZACIONES PROFESIONALES:
Sociedad Mexicana de Física.
American Physical Society
Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y Vacío
American Association for the Advancement of Science.
ACTIVIDADES DIDACTICAS:
1973.- Laboratorio de Electricidad y Magnetismo. ESFM del IPN. México.
1975.- Cálculo II. Fac. de Química, UAP. Puebla, México.
1975.- Seminario de Física Moderna. Fac. de Ingeniería, UAP. México.
1979.- Curso de Física General y Experimental II (1er. Sem.). Inst. de Física. UNICAMP.
Campinas, SP. Brasil.
1979.- Curso de Física General y Experimental II (2do. Sem.). Inst. de Física. UNICAMP.
Campinas, S.P. Brasil.
1980.- Curso de Física General y Experimental III, Inst. de Física. UNICAMP. Campinas, SP.
Brasil.
1980.- Física Moderna. Maestría. Departamento de Física. Centro de Investigación y de Estudios
Avanzados del IPN (Cinvestav-IPN). México.
1980.- Intr. a Métodos Matemáticos. Licenciatura. ESFM/IPN. México.
1981.- Teoría de Sólidos. Maestría. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México.
1981.- Celdas Solares I. Maestría. ESFM/IPN. México.
1981.- Intr. a Métodos Matemáticos. Licenciatura. ESFM/IPN. México.
1981.- Intr. a Celdas Solares. Licenciatura. ESFM/IPN. México.
1982.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
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1982.- Celdas Solares, Maestría. ESFM/IPN. México.
1982.- Física Estadística. Maestría. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1983.- Introducción a Métodos Matemáticos. Licenciatura. ESFM/IPN. México.
1983.- Física Estadística. Maestría. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1984.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1985.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1986.- Electromagnetismo. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1988.- Electromagnetismo. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1989.- Seminario de Física. ECFM. Universidad Autónoma de Puebla. México.
1990.- Estado Sólido I. ECFM. Universidad Autónoma de Puebla. México.
1990.- Estado Sólido I. Maestría. Depto. de Física- ICUAP. Universidad Autónoma de Puebla.
México
1991.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1996.- Termodinámica. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
1998.- Termodinámica. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.
2008.- Termodinámica. Licenciatura en Tecnología Avanzada. CFATA-UNAM. México
2008.- Dispositivos Electrónicos. Maestría en Materiales. CFATA-UNAM. México
EXPERIENCIA PROFESIONAL:
--- Asistente de Investigador. Escuela Superior de Física y Matemáticas (ESFM) del IPN.
MEXICO. 1973/1974. Investigación Básica en Física del Estado Sólido.
--- Profesor en Tiempo Parcial. ESFM del IPN. MEXICO. 1974/1975. Enseñanza en el
Laboratorio de Electromagnetismo.
--- Profesor de Medio Tiempo. Facultad de Química de la Universidad Autónoma de Puebla (UAP).
MEXICO. 1975/1976. Enseñanza en Física Básica y Matemáticas.
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--- Profesor Visitante. Facultad de Ingeniería de la UAP. MEXICO. 75/76. Seminario en Física
Moderna.
--- Professor Assistente. Instituto de Física. Universidad Estatal de Campinas. BRASIL. 78/79.
Investigación básica en dispositivos semiconductores. Estudios teóricos en láseres de GaAs.
Enseñanza en Física Experimental.
--- Professor Assistente-Doutor. Instituto de Física. Univ. Estatal de Campinas. BRASIL. 79/80.
Láseres semiconductores. Investigación en Fotodetectores rápidos para sistemas de
comunicaciones ópticas. Enseñanza en Física Básica
--- Profesor Titular en tiempo parcial. ESFM del IPN. MEXICO. 80/83; 85/89. Investigación
básica en Física de Semiconductores. Enseñanza en cursos de licenciatura y posgrado.
--- Investigador Cinvestav 3E. Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios
Avanzados del IPN. MEXICO. 80/ . Caracterización óptica y eléctrica de semiconductores:
Fotoluminiscencia, Conductividad, Absorción Optica, Espectroscopía de Desviación
Fototérmica, Fotoacústica. Crecimiento de Películas de CdTe por CSVT y de Cd(Fe,In,Sb,Ni)Te
por Sputtering. Crecimiento de películas delgadas de GaAs, AlGaAs y GaInAsSb por Epitaxia en
Fase Líquida. Investigación en dispositivos optoelectrónicos: Láseres Semiconductores y
Moduladores Opticos. Enseñanza en cursos de posgrado.
--- Visiting Fellow. Applied Physics and Materials Laboratory. Princeton University. USA. Junio-
Julio 1982. Sept.-Octubre 1983.
--- Professor Visitante. Instituto de Física. Universidade Estadual de Campinas. Sao Paulo.
BRASIL. Julio-Agosto 1984.
--- Scientific Consultor. Energy Conversión Devices. Troy, Mich. USA. 1984
--- Coordinador Académico del Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios
Avanzados del IPN. MEXICO. 1984-1985.
--- Miembro del Comité de Becas del CONACYT . 1985.
--- Visiting Research Associate. Electrical and Computer Engineering Department. University of
California, Santa Barbara. USA. Sept.86-Ago.87.
--- Coordinador de Admisión del Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios
Avanzados del IPN. MEXICO. 1988-1989.
--- Miembro de la Comisión del Promoción y Becas de Exclusividad y Productividad (COPBEP)
del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN. MEXICO. 1988-1989.
--- Secretario de la Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío, A.C. de México para
el bienio 1988-1990.
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--- Investigador Tiempo Completo E (Profesor Titular). Departamento de Física del Instituto de
Ciencias de la Universidad Autónoma de Puebla. 1989/1990. Caracterización óptica de
Semiconductores: Fotoluminiscencia. Raman, Fotoconductividad. Crecimiento de Películas
Semiconductoras III-V. Enseñanza en cursos de Licenciatura y Posgrado.
--- Miembro del Comité Organizador del IX y X Congreso Nacional de Física de Superficies e
Interfaces. Zacatecas, Zac. MEXICO. Agosto 1989; Jalapa, Ver. MEXICO. Agosto 1990.
--- Consultor Científico. Laboratorio de Pesquisa e Desenvolvimento - TELEBRAS. Campinas, S.P.
BRASIL. Nov. 1990.
--- Miembro de la Comisión Dictaminadora del Instituto de Física de la Universidad Nacional
Autónoma de México . MEXICO. 1991- 1993.
--- Miembro del Comité Organizador del VI Simposio Nacional de Estado Sólido. Tequisquiapan,
Qro. MEXICO. Julio 8-11, 1991.
--- Miembro del Comité Organizador de la II Escuela Latinoamericana de Física Aplicada.
Cancún, Q.R. MEXICO. Julio 28-Agosto 2, 1991.
--- Secretario Académico del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto
Politécnico Nacional. MEXICO. 1991- 1994.
--- Miembro del Consejo Directivo del Centro Latinoamericano de Física (CLAF). Río de Janeiro,
RJ. BRASIL. 1994 – 1996.
--- Presidente de la Sociedad Científica del Cinvestav, A.C. MÉXICO. 1998-
--- Coordinador de Investigación y Planeación del Instituto Politécnico Nacional. MEXICO.
1999-2000.
--- Miembro del Comité Evaluador de Ciencias Exactas del Conacyt. MEXICO. 1999-2002.
--- Professor Visitante, Laboratorio de Semicondutores da CETUC, Pontificia Universidade
Católica do Río de Janeiro. BRASIL. Octubre-Noviembre 2004; Marzo-Abril 2005.
--- Miembro del Comité de Evaluación del SNI, Área I. 2007-2009.
--- Miembro del Consejo Consultivo del SNI. 2008-2009.
--- Presidente del Comité de Evaluación del SNI, Área I. 2009.
--- Director General del Instituto de Ciencia y Tecnología del Distrito Federal. 2010-2012.
--- Presidente del Comité de Reconsideración del Area 1 del SNI. 2013.
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A. PUBLICACIONES INDEXADAS (CITATION INDEX):
1.- "Photoinduced Discharge in Sulfur Crystals using Strongly and Weakly Absorbed Light". C.
Falcony, J. Mendoza, F.Sánchez-Sinencio, A. Many, and J.S. Helman, Journal of Applied
Physics, Vol. 47, p.4381 (1976).
2.- "Refractive Index Profile and Resonant Modes in GaAs Lasers". F.D. Nunes, N.B. Patel, J.G.
Mendoza-Alvarez, and J.E. Ripper. Journal of Applied Physics, Vol. 50, p. 3852 (1979).
3.- "Refractive Index Dependence on Free Carriers for GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez, F.D.
Nunes, N.B. Patel, Journal of Applied Physics, Vol. 51, p. 4365 (1980).
4.- "Optical Properties of CdTe Thin Films Studied by Photothermal Deflection Spectroscopy".
J.G. Mendoza-Alvarez, B.S.H. Royce, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, C. Menezes, R.
Triboulet, Thin Solid Films, Vol. 102, p. 259 (1983).
5.- "Photoluminiscent Properties of Films of CdTe on Glass Grown by a Hotwall-Close Space
Vapour Transport Method". M. Cardenas, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O.
Zelaya, C. Menezes. Journal of Applied Physics, Vol. 56, p. 2977 (1984).
6.- "Influence of Cd-Vacancies on the Photoluminescence of CdTe". Juan M. Figueroa, F.Sánchez-
Sinencio, J.G.Mendoza-Alvarez, O.Zelaya, C.Vázquez-López, J.S.Helman, Journal of
Applied Physics, Vol. 60, p. 452 (1986).
7.- "Thermal Annealing Effects on Amorphous Radio Frequency Sputtered Cd0.95Fe0.05Te Thin
Films". O. Alvarez-F., J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, Saul Romero, M.A.
Vidal, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol. 5 (4), p. 1798 (1987).
8.- "Design of Optimized High-Speed Depletion-Edge-Translation Optical Waveguide Modulators
in III-V Semiconductors". L.A. Coldren, J.G. Mendoza-Alvarez, R.H. Yan, Applied Physics
Letters, Vol. 51, p. 792 (1987).
9.- "Contribution of the Band-Filling Effect to the Effective Refractive Index Change in Double
Heterostructure GaAs/AlGaAs Phase Modulators". J.G. Mendoza-Alvarez, R.H. Yan, L.A.
Coldren, Journal of Applied Physics, Vol 62, p. 4548 (1987).
10.- "Optical Waveguide Phase Modulators in AlGaAs/GaAs with Very High Figures-of-Merit".
T.R. Hausken, K. Lee, R. Simes, R. Yan, J. Mendoza-Alvarez, N.Dagli, L.A. Coldren, K.
Pedrotti, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. Ed-34, p. 2363 (1987).
11.- "Microcrystalline Grain Size Growth in Cd0.95Fe0.25Te Thin Films" Octavio Alvarez-
Fregoso, A. Huanosta, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, Journal of Crystal
Growth, Vol. 86, p. 401 (1988).
9
12.- "Luminescence and Particle Size in Microcrystalline CdTe Thin Films". J.G. Mendoza-
Alvarez, J. González-Hernández, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, S.S. Chao, Journal of
Crystal Growth, Vol. 86, p. 391 (1988).
13.- "Large Grain Size CdTe Films Grown on Glass Substrates". O. Zelaya, F. Sánchez-Sinencio,
J.G. Mendoza-Alvarez, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, G.Hirata-Flores, Journal of Applied
Physics, Vol. 63, p. 410 (1988).
14.- "Analysis of Depletion Edge Translation Lightwave Modulators", J.G. Mendoza-Alvarez, L.A.
Coldren, A. Alping, R.H. Yan, T. Hausken, K. Lee, K, Pedrotti, Special Issue on Integrated
optics, IEEE Journal of Lightwave Technology, Vol. 6, p. 793 (1988).
15.- "The Growth and Structure of Cd0.95Fe0.05Te Thin Films Grown by Radio Frecuency
Sputtering". O. Alvarez-Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, A. Huanosta,
Journal of Applied Physics Vol. 64, p. 3928 (1988).
16.- "Photoreflectance of r.f. Sputtered Cd1-xFexTe Thin Films". C. Vázquez-López, F. Cerdeira,
F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, Octavio Alvarez-Fregoso, Journal of Materials
Science, Vol. 24, p. 1053 (1989).
17.- "Amorphous and Polycrystalline Cd0.95Fe0.05Te Thin Films Studied by Conversion Electron
Mossbauer Spectroscopy". E. Galvão da Silva, R.B. Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, Octavio
Alvarez-F., and J.G. Mendoza-Alvarez, Solid State Communications, Vol. 72, p. 1059
(1989).
18.- " Analysis of Growth Inhomogeneities in CdTe Films by SEM and Photoluminescence
Studies". J. Landa-García, M. Cárdenas, G. Contreras-Puente, J.G. Mendoza-Alvarez, F.
Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, Journal of Vacuum Science & Technology, Vol. A8, p. 79
(1990).
19.- "Photoluminescence Characterization of the Surface Layer of Chemically Etched CdTe". J.
García-García, J. González-Hernández, J.G. Mendoza-Alvarez, Elías López-Cruz, Gerardo
Contreras-Puente, Journal of Applied Physics, Vol. 67, p. 3810 (1990).
20.- “Conversión Electrón Mossbauer-Spectroscopy of rf-Sputtered Cd0.95Fe0.05Te Thin Films”.
E.G. da Silva, R.B. Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, O.A. Alvarez-Fregoso, and J.G. Mendoza-
Alvarez, Hyperfine Interactions, Vol. 57, p. 1839 (1990)
21.- "CdTe and CdMTe (M=Fe, In, Sb) Thin Films Studied by Mossbauer Spectroscopy and Other
Techniques" Feliciano Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, A. Herrera, F.
Larios, O. Alvarez-Fregoso, J.M. Figueroa, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, E. Galvão
da Silva, R.B. Scorzelli, M.H. Farias, L. Cota-Araiza, G. Soto, Thin Solid Films, Vol.
193/194, p. 382 (1990).
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22.- "Photoluminescence Spectra and Carrier Mobilities in Polycrystalline Films of CdTe". J. M.
Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A.
Díaz-Góngora, Journal of Crystal Growth, Vol. 106, p. 651 (1990).
23.- "AC Impedance Analysis on Crystalline Layered and Polycrystalline Bismuth Titanate". A.
Huanosta, O. Alvarez-Fregoso, E. Amano, C. Tabares-Muñoz, M.E. Mendoza-Alvarez, J.G.
Mendoza-Alvarez. Journal of Applied Physics, Vol. 69, p. 404 (1991).
24.- "Variable Energy Gap in Oxigenated Amorphous Cadmium Telluride". F.J. Espinoza-Beltrán,
F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, C. Alejo-Armenta, C. Vázquez-
López, M. Farias, L. Cota-Araiza, J. L. Peña, L. Baños, Japanese Journal of Applied
Physics, Vol. 30, No. 10A, p. L1715 (1991).
25.- "Structure and Optical Properties of ZnxCd1-xTe Thin Films Prepared by the Close Spaced
Vapor Transport Method". J. González-Hernández, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, E.
López-Cruz, D.A. Pawlik, D.D. Allred, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.
9, p. 550 (1991).
26.- "Characterization of the a-CdTe:O Ternary Compound Grown by r.f. Sputtering". F.J.
Espinoza-Beltrán, R. Ramírez-Bon, J. González-Hernández, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-
Angel, J. G. Mendoza-Alvarez and G. Torres-Delgado, Journal of Physics: Condensed
Matter, Vol. 5, p. A345 (1993).
27.- "Thermoreflectance Studies in Cd1-xFexTe Thin Films". H. Ariza-Calderón, J. G. Mendoza-
Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Alvarez-Fregoso, A. Lastras-Martínez, G. Ramírez-Flores,
Journal of Applied Physics, Vol. 74, p. 5154 (1993)
28.- "Photoreflectance of Intrinsic GaAs Epitaxial Layers Grown by LPE with Supercooling". C.
Alejo-Armenta, C. Vázquez-López, G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez and J.J.
Alvarado-Gil, Revista Mexicana de Física, Vol. 39, p. 924 (1993).
29.- "Structural and Optical Studies in Oxygenated Amorphous CdTe Films" F.J. Espinoza-
Beltrán, O. Zelaya-Angel, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, M.H. Farias, L.
Baños, Journal of Vacuum Science & Technolgy A, Vol. 11, p. 3062 (1993).
30.- "YBa2Cu3O7- Films Grown on Ferroelectric Bi4Ti3O12 Crystals by radio frequency
Sputtering". M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Munoz, O. Alvarez-Fregoso, and J. G.
Mendoza-Alvarez, Applied Physics Letters, Vol. 64, p. 1433 (1994).
31.- "Structure and composition of CdSbTe Thin Films Grown by Radio Frequency Sputtering". O.
Alvarez-Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, J. G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, M.H. Farías, L.
Cota-Araiza, G. Soto, Revista Mexicana de Física, Vol. 40, p. 1152 (1994).
32.- "Thermal Annealing in a-CdTe:O Films". F.J. Espinoza-Beltrán, R. Ramírez-Bon, F. Sánchez-
Sinencio, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, J. González-
Hernández, M.H. Farías, and L. Baños, Brazilian Journal of Physics, Vol. 24, p.1 (1994).
11
33.- "Structural, Optical and Electrical Properties Characterization of CdSbTe Thin Films Grown
by Radio Frequency Sputtering". O. Alvarez-Fregoso, O. Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-
Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, Journal of Physics and
Chemistry of Solids, Vol. 56, p. 117 (1995).
34.- "Low Temperature Photoluminescence Study in AlxGa1-xAs Alloys in the Indirect Band Gap
Region (x>0.4)". G. Torres-Delgado, R. Castanedo-Perez, P. Díaz-Arencibia, J.G. Mendoza-
Alvarez, J. L. Orozco-Vilchis, M. Murillo-Lara, A. Serra-Jones, Journal of Applied Physics,
Vol. 78, p. 5090 (1995).
35.- “Thermally Stimulated Currents in CdTe Polycrystalline Films”. R. Ramirez-Bon, F.J.
Espinoza-Beltran, O. Vigil, O. Zelaya-Angel, F. Sanchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, D.
Stolik, Journal of Applied Physics, Vol. 78, p. 3908 (1995)
36.- “On the Thermal Characterization of Two-Layer Systems by means of the Photoacoustic
Effect”. E. Marin, J.L. Pichardo, A. Cruz-Orea, P. Diaz, G. Torres-Delgado, I. Delgadillo, J.J.
Alvarado-Gil, J.G. Mendoza-Alvarez, H. Vargas, Journal of Physics D, Vol. 29, p.981 (1996)
37.- “Photoluminescence Measurements in the Phase Transition Region on CdS Thin Films”. H.
Ariza-Calderon, R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez, L. Baños,
Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol. 14, p. 2480 (1996)
38.-“Structure and Electrical Properties of CdNiTe Nanostructured Thin Films”. O. Alvarez-
Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, F. Morales, Journal of Applied Physics,
Vol. 80, p. 2833 (1996)
39.- “Physical Properties of CdTe-Sb Thin Films”. A. Picos-Vega, R. Ramirez-Bon, F.J. Espinoza-
Beltran, O. Zelaya-Angel, O. Alvarez-Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez, Thin Solid Films, Vol.
290-291, p. 395 (1996)
40.- “Influence of the Substrate Temperature on the Structure and Surface Roughness of
Cd0.18Sb0.64Te0.18 Films”. F.J. Espinoza-Beltran, R. Ramirez-Bon, A. Picos-Vega, J. Gonzalez-
Hernandez, O. Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez, M. Farias, O. Alvarez-Fregoso, L.
Baños, Journal of Materials Science, Vol. 32, p. 3201 (1997)
41.- “Quantum Confinement in Nanostructured CdNiTe Composite Thin Films”. O. Alvarez-
Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, Journal of Applied Physics, Vol. 82, p.
708 (1997)
42.- “Photoacoustic Measurements of the Thermal Properties of AlyGa1-yAs Alloys in the Region
0y0.5”. J.L. Pichardo, E. Marin, J.J. Alvarado-Gil, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, I.
Delgadillo, H. Vargas, G. Torres-Delgado, Applied Physics A, Vol. 65, p. 69 (1997)
43.- “Photoluminescence and Photoreflectance Studies of Defects in GaAs Epitaxial Layers grown
by LPE with Different Supercooling Temperatures”. G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-
12
Alvarez, C. Vazquez-Lopez, C. Alejo-Armenta, Journal of Vacuum Science & Technology
A, Vol. 15, p. 971 (1997)
44.- “Photoacoustic Determination of non-Radiative Carrier Lifetimes”. E. Marin, I. Riech, P.
Diaz, J.J. Alvarado-Gil, R. Baquero, J.G. Mendoza-Alvarez, H. Vargas, A. Cruz-Orea, M.
Vargas, Journal of Applied Physics, Vol. 83, p. 2604 (1998)
45.- “Optical Properties of Semimagnetic Semiconductors Studied by Thermoreflectance
Spectroscopy”. H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-
Fregoso, O. Zelaya-Angel, S.A. Lopez-Rivera, Applied Surface Science, Vol. 123/124, p. 261
(1998)
46.- “Direct Band Gap Determination in AlxGa1-xAs Epitaxial Layers in the Indirect Gap Region
0.4x0.9”. H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-Delgado,
Applied Surface Science, Vol. 123/124, p. 513 (1998)
47.- “Quantum Confinement Effects on Cd1-xNixTe Sputtered Films”. O. Alvarez-Fregoso, O.
Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez, Thin Solid Films, Vol. 317 , p. 330 (1998)
48.- “Photoluminescence and Photoreflectance Studies in GaAs/AlxGa1-xAs Heterojunctions in the
Low Al Concentration Range”. L. Gomez-Herrera, L. Tirado-Mejia, H. Ariza-Calderon, J.G.
Mendoza-Alvarez, M. Muñoz-Uribe, J.L. Herrera-Perez, Revista Mexicana de Física, Vol. 44
, p. 236 (1998)
49.- “Generación de Segundo Armónico en Guías de Onda de Semiconductores Mediante la
Optimización del Factor de Traslape”. M. Muñoz-Uribe, N.B. Patel, J.G. Mendoza-Alvarez,
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126.- CdTe Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition Using Powder as Target: Effect of
Substrate Temperature”, F. de Moure-Flores, J.G. Quiñones-Galvan, A. Guillen-Cervantes,
J.S. Arias-Ceron, A. Hernandez-Hernandez, J. Santoyo-Salazar, J. Santos-Cruz, S.A. Mayen-
Hernandez, M. de la L. Olvera, J.G.Mendoza-Alvarez, M. Melendez-Lira, G. Contreras-
Puente, Journal of Crystal Growth, Vol. 386, 27-31 (2014).
21
B. PUBLICACIONES EN REVISTAS INTERNACIONALES CON REFEREO:
1.- "Optical Characterization of Doped CdTe Films for Photovoltaic Devices". J.G.Mendoza-
Alvarez, F.Sánchez-Sinencio, M.Cárdenas, O.Zelaya, B.S.H.Royce, Technical Digest of the
International PVSEC-1, Kobe, Japan, p.249 (1984).
2.- "Caracterization of CdTe Films, Useful in All Thin-Films Solar Cells. I. Cd Vacancies and
Photoluminiscent Spectra". J.M.Figueroa, C.Vázquez-López, F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-
Alvarez, O.Zelaya, Thin Films-Interfaces and Phenomena, (MRS Vol. 54), Eds. R.J. Nemanich,
P.S. Ho and S.S. Lau. Elsevier Science Publish. Co., New York 1986, p.379.
3.- "Photoluminescence and Photoconductivity Studies on a-Si:H". J.G. Mendoza-Alvarez, G.
Torres, J.González-Hernández, Semiconductor-on-Insulator and Thin Film Transistor
Technology (MRS Vol. 53), Eds. A. Chiang, M.W.Geis and L.Pfeiffer. Elsevier Science Publish.
Co. New York 1986, p.465.
4.- "Structure and Electrical Properties of r.f. Sputtered Cd1-xFexTe Thin Films". O.A. Fregoso,
J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio, Lectures on Surface Science, Eds. M. Cardona, G.R.
Castro (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 1987), p. 52.
5.- "Growth of Polycrystalline CdTe Films by Hot Walls Close-Spaced Vapor Transport Technique".
O.Zelaya, F.Sánchez-Sinencio, J.G.Mendoza-Alvarez, J.L.Peña, Lectures on Surface Science, Eds.
M. Cardona, G.R. Castro (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 1987), p. 60.
6.- "Use of Photoluminescence Spectroscopy to Characterize the Crystalline Quality of CdTe Films
Grown by a Modified CSVT Technique". J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio, O.Zelaya,
J.González-Hernández, M. Cárdenas, S.S.Chao, Modern Optical Characterization Techniques
for Semiconductors and Semiconductor Devices, Eds. O.J. Glembocki, Fred H. Pollak, J.J. Song,
Proc. of the SPIE, Vol. 794, p. 38 (1987).
7.- "Photoluminescence Spectra and Carrier Mobilities in Polycrystalline Films of CdTe". J.M.
Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A. Díaz-
Góngora, Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, Belo Horizonte, MG (Brazil).
Jan23-Feb.4, 1989. Eds. A.S. Chaves, A.G. de Oliveira, C.T.E. Goncalves da Silva. World Scientific
Publish., p. 244.
8.-"AES Analysis of CdTe:In and CdTe:Sb" O. Alvarez-Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya,
J.G. Mendoza-Alvarez, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, G. Soto, Fourth Brazilian School of
Semiconductor Physics, Belo Horizonte, MG (Brazil). Jan.23-Feb.3 1989. Eds. A.S. Chaves, A.G.
deOliveira, C.E.T. Goncalves da Silva. World Scientific Publish., p. 252.
9.- "R.F. Sputtering Growth and Characterization of CdTe:In Thin Films". Alberto Herrera,
Francisco Larios, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, O. Alvarez-F., M.H.
Farias, L. Cota-Araiza, G. Soto. Proc. of the 9th European Photovoltaic Solar Energy
22
Conference, Freiburg, RFA. Sept. 25-29, 1989. Eds. W. Palz, G.T. Wrixon and P. Helm. Kluwer
Academic Publish. Dordrecht/Boston/London 1989. p.490.
10.- "Photoluminescence Characterization of the Crystalline Quality in Intrinsic GaAs Epitaxial
Layers". G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, B.E. Zendejas, Springer Proceedings in
Physics, Vol. 62, Surface Science. Eds. F.A. Ponce, M. Cardona (Springer-Verlag, Berlin, Heidelber
1992), p. 275.
11.- "Dispersive Transient Charge Carrier Transport in Polycrystalline Films of CdTe" F. Sánchez-
Sinencio, J.M. Figueroa, R. Ramírez-Bon, O. Zelaya, G. González de la Cruz, J.G. Mendoza-
Alvarez, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, Springer Proceedings in Physics, Vol. 62,
Surface Sci. Eds. F.A. Ponce, M. Cardona (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg 1992), p. 345.
12.- "Electrical and Optical Studies in a-CdTe:O Films". F.J. Espinoza-Beltran, F. Sanchez-
Sinencio, O. Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez, Optoelectronic Materials and Their
Applications, Eds. F.Leccabue, O. de Melo Pereira, I. Hernandez Calderon, 1993, Edizioni ETS,
Pisa, p. 185.
13.- “Raman and Double Crystal Diffractometry Rocking Curves Study of Al1-xGaxAs Alloys in the
Indirect Band Gap Region (x0.4)”. G. Torres-Delgado, P. Diaz-Arencibia, J.G. Mendoza-Alvarez,
R. Castanedo, J.L. Orozco-Vilchis, M. Murillo-Lara, A. Serra-Jones, Surface Vacuum and their
Applications, AIP Proc., Vol. 378, p.239 (1996)
14.- “Future of Photovoltaic Materials and All-Thin-Films Devices”. D. Stolik, O. Vigil, O. Zelaya,
and J.G. Mendoza-Alvarez, Surface Vacuum and their Applications, AIP Proc., Vol. 378, p.363
(1996)
15.- “AlGaAs/GaAs Quantum Well Heterostructures Grown by the Low Temperature LPE
Technique”. P. Diaz-Arencibia, G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, T. Prutskij, F. Chavez-
Ramirez, E. Silva-Andrade, Surface Vacuum and their Applications, AIP Proc., Vol. 378, p.151
(1996)
16.- “Thermally Stimulated Current Studies on CdS Polycrystalline Thin Films”. O. Vigil, D. Stolik,
R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez, Surface Vacuum and their
Applications, AIP Proc., Vol. 378, p. 193 (1996)
17.- “Biochips: A Fruitful Product of Solid State Physics and Molecular Biology”. J.G. Mendoza-
Alvarez, AIP Conference Proceedings, Vol. 440, p. 189 (1998)
18.- “Band Gap Determination of Crystalline CdTe as a Function of Temperature”. G. Fonthal, L.
Tirado-Mejía, H. Ariza-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez, and F.V. Pérez, II International
Workshop on Optoelectronic Materials and their Applications, Eds. F. Leccabue, M. Sanchez,
A. Escobosa. Edizioni ETS, p. 157 (1999)
19.- “Analysis of the Exciton Band in the Photoluminescence Spectra of CdTe Single Crystals”. G.
Fonthal, L. Tirado-Mejia, H. Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez, II International
23
Workshop on Optoelectronic Materials and their Applications, Eds. F. Leccabue, M. Sanchez,
A. Escobosa. Edizioni ETS, p. 160 (1999)
20.- “Determination of Interfacial Recombination Velocity in AlGaAs/GaAs Heterostructure by
Photoacoustic Technique”. I. Riech, P. Diaz, T. Prutskij, E. Marin, J. Mendoza, H. Vargas, II
International Workshop on Optoelectronic Materials and their Applications, Eds. F. Leccabue,
M. Sanchez, A. Escobosa. Edizioni ETS, p. 216 (1999)
21.- “Photoluminescence Studies on Sn-Doped GaAs Epitaxial Layers for Impurity Concentration
Near Mott Transition”. G. Fonthal, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez, II
International Workshop on Optoelectronic and their Applications, Eds. F. Leccabue, M.
Sanchez, A. Escobosa. Edizioni ETS, p. 219 (1999)
22.-“Construction and Characterization of a CO2 Waveguide Laser with a Special Electrode Design
for Materials Processing”, J.L. Jimenez-Perez, M.A. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea,
Laser Optics 2000, Proc. Of the SPIE, Vol. 4351, p. 117 (2001)
23.- “Optical Properties of InAs Quantum Dots Grown on Variable Stoichiometry InxGa1-xAs and
In0.53GayAl0.43-yAs Layers”, Julio G. Mendoza-Alvarez, Mauricio P. Pires, Sandra M. Landi, Patricia
L. Souza, Jose M. Villas-Boas, Nelson Studart, AIP Conference Proceedings, Vol. 885, 240-254
(2007)
24.- “Photoluminescent Properties of InAs Quantum Dots Grown by MOVPE on an InxAlyGa1-x-yAs
Layer and their Dependence on the Layer Stoichiometry”, Julio G. Mendoza-Alvarez, Mauricio P.
Pires, Sandra M. Landi, Patricia L. Souza, Jose M. Villas-Boas, and Nelson Studart, AIP
Conference Proceedings, Vol. 893, 943-944 (2007)
25.- “InGaAsSb p-n Heterojunctions Studied by Photoluminescence and Photoacoustic
Spectroscopies for Photovoltaic Applications”, M.L. Gomez-Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez, I.
Riech, P. Rodriguez-Fregoso, and J.L. Herrera-Perez, AIP Conference Proceedings, Vol. 893, 177-
178 (2007)
24
C. PUBLICACIONES EN REVISTAS NACIONALES CON REFEREO:
1.- "Laseres de Semiconductor: Características y Funcionamiento". J.G. Mendoza-Alvarez, Física y
Tecnología de Semiconductores, Vol. 1, p. 11 (1982).
2.- "Optimización de Moduladores Opticos de tipo GaAs/AlGaAs" G. González de la Cruz, J.G.
Mendoza-Alvarez, Superficies y Vacío, Vol. 1, p 118 (1989).
3.- "Conductividad Electrica, Estructura y Composición de Películas Delgadas de CdSbTe". O.
Alvarez-Fregoso, F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, M.H. Farías, L. Cota-
Araiza, Superficies y Vacío, Vol. 1, p. 77 (1989).
4.- "The Photoreflectance Spectra of AlxGa1-xAs/GaAs Junctions". M. Meléndez-Lira, I. Hernández-
Calderón, G.Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, Superficies y Vacío, Vol. 1, p. 66 (1989).
5.- "Efecto de la Temperatura de Substrato sobre la Estructura de Cd1-xFexTe en Película Delgada".
Octavio Alvarez-F., Alfonso Huanosta, J.G.Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, Revista
Cubana de Fisica, Vol. IX, p. 169 (1989).
6.- "Películas de CdTe Crecidas por Erosión por Radio Frecuencia en Atmósfera de Ar-N". F.J.
Espinoza-Beltrán, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez, C. Vázquez-
López, C. Alejo-Armenta, M. Farías, L. Cota-Araiza, Superficies y Vacío, Vol. 2, p. 22 (1990).
7.- “Mediciones de Fotoluminiscencia en CdS Crecidas por Baño Químico y Recocidas hasta 430 oC”. H. Ariza, J. Mendoza y O. Zelaya, Revista Colombiana de Física, Vol. 27, p. 443 (1995)
8.- “Caracterización Optica de Soluciones Sólidas Semiconductoras de GaAs:Ge”. H. Ariza, M.
Montejano y J. Mendoza, Revista Colombiana de Física, Vol. 27, p.487 (1995)
9.- “Mediciones Opticas de Termorreflectancia en Semiconductores de GaAs Dopados con Si”. H.
Ariza, M. Montejano y J. Mendoza, Revista Colombiana de Física, Vol. 27, p. 551 (1995)
10.- “Estudio de Películas Delgadas de Cd1-xZnxTe por medio de Difracción de Rayos X”. L. Tirado-
Mejia, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, Revista Colombiana de Física,
Vol. 29, p. 159 (1997)
11.- “Cálculo de los Coeficientes de Seraphin y de Semiconductores de tipo Cúbico y
Hexagonal”. L. Tirado-Mejia, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez, Revista Colombiana de
Física, Vol. 29, p. 211 (1997)
12.- “Caracterización Térmica de Capas Semiconductoras de AlxGa1-xAs en la Región de
0.5<x<0.87”. J.L. Pichardo, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, J.J. Alvarado-Gil, G. Torres-
Delgado, Superficies y Vacío, Vol. 8, p. 116 (1999)
25
13.- “Three Dimensional Model for Oxide Thin Film Growth Induced by Laser Heating of Metallic
Surfaces”. J.L. Jiménez-Pérez, P.H. Sakanaka, M.A. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea,
Superficies y Vacío, Vol. 9, p. 286 (1999)
14.- “Estudio de Portadores Calientes en Capas Epitaxiales de GaAs Tipos p y n por Medio de la
Espectroscopia de Fotoluminiscencia”. G. Fonthal, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, y
J.G. Mendoza-Alvarez, Revista Colombiana de Física, Vol. 31, p. 204 (1999)
15.- “Deconvolución del Espectro de Fotoluminiscencia en Películas de GaAs:Sn Altamente
Dopadas”. G. Fonthal, L.E. Tobon, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, y J.G. Mendoza-
Alvarez, Revista Colombiana de Física, Vol. 31, p. 209 (1999)
16.- “Análisis de la Banda de 1.38eV Asociada a Defectos en la Fotoluminiscencia de Películas de
GaAs:Ge”. G. Fonthal, M. de los Ríos, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, y J.G.
Mendoza-Alvarez, Revista Colombiana de Física, Vol. 32, p. 104 (2000)
17.- “Design and Construction of a Compact Monoblock for Gas Phase Mirage Effect
Spectroscopy”, J.L. Jimenez-Perez, A. Cruz-Orea, J.G. Mendoza-Alvarez, F.S. Sinencio, S.A.
Tomas, Superficies y Vacio, Vol. 13, p.50 (2001)
18.- “Photoluminescence Response of Nanocrystalline GaAs Thin Films Grown by r. f. Magnetron
Sputtering in the Blue-Violet Region”, F. Gordillo-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-
Angel, Revista Colombiana de Física, Vol. 37, 241-245 (2005)
19.- “Optical characterization of Te-doped GaxIn1-xAsySb1-y epitaxial layers grown by liquid phase
epitaxy”, Y.E. Bravo-García, P. Rodríguez-Fragoso, J.L. Herrera-Pérez, M. Zapata-Torres, J.A.
Cardona-Bedoya, M.L. Gomez-Herrera, and J.G. Mendoza-Alvarez, Superficies y Vacio, Vol. ,
(2012).
20.- “Semiconductor Nanocrystallites Type InP@ZnS: Synthesis and Characterization”, J.S. Arias-
Cerón, M.P. González-Araoz, J.F. Sánchez Ramírez, J.L. Herrera-Pérez, A. Bautista-Hernández, and
J.G. Mendoza-Álvarez, Superficies y Vacío, Vol. , (2012).
26
D. PROCEEDINGS EN CONGRESOS INTERNACIONALES Y NACIONALES:
1.- "Xerographic Discharge of Orthorhombic Sulfur Single Crystals". C. Falcony, J. Mendoza,
F.Sánchez-Sinencio, A. Many, J.S.Helman, Proc. of the International Symposium on Electrets
and Dielectrics, Sao Carlos, (SP), Brasil. Sept. 1-6, 1975, p. A17.
2.- "Influencia del Recocido Térmico en la Fotoluminiscencia de Películas de a-Si:H:F". Julio G.
Mendoza-Alvarez, Gerardo Torres D.,Jesús González H., Anais do Simposo Latininoamericano
de Fisica dos Sistemas Amorfos, Niteroi (RJ), Brasil, Feb. 27-Marzo 2, 1984, p.377.
3.- "Propiedades Fotoluminiscentes de Películas Delgadas Semiconductoras". Julio G. Mendoza
Alvarez. Trabajo Invitado. Memorias del Tercer Taller de Física de Superficies, Eds. R. G.
Barrera, W. L. Mochan y L.E. Regalado. México, D.F. 1986, p.129.
4.- "Estudio de Problemas de Homogeneidad en el Crecimento de Películas Delgadas de CdTe por la
Técnica GREG", J. Landa García, M. Cárdenas García, G. Contreras Puente, A. Díaz Góngora, J.G.
Mendoza Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, Memorias del VII Congreso Nacional de
Física de Superficies e Interfaces, Morelia, Mich. México, Sept. 1987, p. 91.
5.- "Influencia de la Temperatura de Crecimiento y de Tratamientos Térmicos en las Propiedades
Opticas de Películas Delgadas de CdTe". S.Jiménez-Sandoval, M.Meléndez-Lira, I.Hernández-
Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez, Memorias del VII Congreso Nacional de Física de Superficies
e Interfaces, Morelia, Mich., México, Sept. 1987, p. 166.
6.- "Moduladores de Radiación Optica de GaAs/AlGaAs basados en la Traslación de la Región de
Agotamiento". J.G. Mendoza-Alvarez, L.A. Coldren, T. Hausken, R. H. Yan, K. Lee, Memorias del
VII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces, Morelia, Mich. México, Sept. 1987,
p. 55.
7.- "Estudio de la Reflectividad en Películas de GaAs Crecidas por la Técnica LPE en el Rango de
2.4 a 6.2 eV". C. Mejía García, G. Contreras Puente, M. Cárdenas García, J.A. Díaz Góngora, G.
Torres Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, Memorias del VIII Congreso Nacional de Fisica de
Superficies e Interfaces, Guanajuato, Gto. Agosto 1988, p. 47.
8.- "Propiedades Eléctricas de Capas Cristalinas del Ferroeléctrico Bi4Ti3O12". A. Huanosta, O.
Alvarez-Fregoso, M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Muñoz, J.G. Mendoza-Alvarez, Memorias
del VIII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces, Guanajuato, Gto., Agosto
1988, p. 154-158.
9.- “Influence of stoichiometry on the luminescent properties of InAs quantum dots grown on a
InxGa1-xAs/InP heterostructure”. J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S.M. Landi, A.S. Lopes, P.L.
Souza, J.M. Villas-Boas and N. Studart, 11th European Workshop on MOVPE, Laussane,
Switzerland, June 5-8, 2005, p. 51-53.
27
10.- “Puntos Cuánticos Semiconductores: Aplicaciones en Dispositivos Optoelectrónicos”. Julio G.
Mendoza Álvarez, II Escuela de Ciencia de Materiales y Nanotecnología (ECMyN), Morelia,
Mich. Agosto 7-11, 2006, p. 141-191.
E. REPORTES DE DESARROLLO TECNOLOGICO:
1.- "Use of Depletion-Edge-Translation for High Speed Modulation and Switching of Lightwaves".
L.A. Coldren, J.G. Mendoza-Alvarez, T.C. Huang, T.R. Hausken, K.W. Lee, R.H. Yan, Interim
Report of the Air Force Office for Scientific Research, Contract #85-0323, 8/86-2/87, May 1987.
2.- "Optical Waveguide Phase-Shifters for High-speed Signal Processing." L.A. Coldren, J.G.
Mendoza-Alvarez, T. R. Hausken, K.W. Lee, T.C. Huang and R. H. Yan, Annual Report to
Rockwell International Science Center, Jan. 1988.
3.- "Use of Depletion Edge Translation for High-Speed Modulation and Switching of Lightwaves".
L.A. Coldren, J.G. Mendoza, T.R. Hausken, K.W.Lee, R.J. Simes, and R.H. Yan, AFOSR #85-0323
INTERIM REPORT, 3/1/87-2/29/88, UCSB, May 1988.
4.- "High Speed Quantum-Well Optoelectronic Devices by MBE", L.A. Coldren, H.Kroemer, J.L.
Merz, I. Suemune, J.G. Mendoza-Alvarez, R.J. Simes R.S. Geels, R.H. Yan, Progress Report to
the Air Force Research Office-SDIO Program, May 1988.
28
F. ARTICULOS DE DIFUSIÓN:
1.- "Concepto Básicos, Funcionamiento y Aplicaciones de los láseres". Julio G. Mendoza Alvarez,
Elementos, Vol. 1, No. 3, p.3 (1985).
2.- "Sugerencias sobre los Criterios de Evaluación del SNI". Ciro Falcony Guajardo, Gerardo
González de la Cruz, Isaac Hernández-Calderón, Julio Mendoza-Alvarez, Juan Luis Peña-Chapa y
Feliciano Sánchez-Sinencio, Ciencia, Vol. 37, p.3 (1986).
3.- "La Microelectrónica Optica", Julio G. Mendoza Alvarez, Avance y Perspectiva, Vol. 8, Num.
37, p. 15, Mayo 1989.
29
TESIS DIRIGIDAS:
1.-- "Estudo com Aproximação Analitica para Guias de Onda Ativos" Tesis de Maestría en Física.
Co-Director. Deisy P. Munhoz Fisher. Instituto de Física. Universidade Estadual de Campinas.
Campinas, S.P. Brasil, 1981.
2.-- "Modos Transversales en la Cavidad Fabri-Perot de un Laser Semiconductor de GaAs/GaAlAs
de Heteroestructura Doble". Tesis de Licenciatura en Física. Director. Sergio J. Jiménez
Sandoval. Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN. México, D.F. México. Enero de
1982.
3.-- "Evolución de las Propiedades Opticas de Películas de a-Si:H:F con el Tratamiento Térmico".
Tesis de Maestría en Física. Director. Gerardo Torres Delgado. Departamento de Física,
Cinvestav-IPN. Mexico, D.F., México. Febrero de 1983.
4.-- "Propiedades Opticas y Estructurales de Películas Delgadas de CdTe Crecidas por el Método
GREG". Tesis de Maestría en Física. Director. Modesto Cárdenas García. Departamento de
Física, Cinvestav-IPN . México, D. F., México. Abril de 1984.
5.-- "Caracterización de Películas Policristalinas de CdTe Crecidas por la Técnica de Transporte de
Vapor en Espacio Cerrado con Paredes Calientes". Tesis de Doctorado en Física. Co-
Director. Orlando Zelaya Angel. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México, D. F.
México. Noviembre de 1985.
6.-- "Estudio de la Implantación Ionica en Películas de CdTe". Tesis de Maestría en Física.
Director. Raúl E. Gómez Barengo. Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN.
México, D. F. México. Diciembre de 1986.
7.-- "Crecimiento y Caracterización de Películas de GaAs y AlxGa1-xAs Crecidas por Epitaxia en
Fase Liquida". Tesis de Doctorado en Física. Director. Gerardo Torres Delgado.
Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México, D. F., México. Julio de 1989.
8.-- "Fotorreflectancia en Semiconductores Defectuosos". Tesis de Doctorado en Física. Co-
Director. Castulo Anselmo Alejo Armenta. Instituto de Física de la Universidad Autónoma de
Puebla, Puebla, Pue., Mexico. Marzo de 1993.
9.-- "Fotoluminiscencia de Películas Delgadas de CdTe Crecidas por CSVT y MBE". Tesis de
Maestría en Física. Director. José Luciano Moyotl Coyomani. Instituto de Física de la
Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico. Marzo de 1995.
10.- “Estudio mediante Fotorreflectancia del Arsenuro de Galio Epitaxial con Impurezas de
Estaño”. Tesis de Licenciatura en Física. Co-Director. Ana María López Beltrán. Escuela de
Ciencias Físico-Matemáticas de la Universidad Autónoma de Sinaloa. Culiacán, Sin.
Septiembre de 1996.
30
11.- “Niveles Donadores de Estaño en GaAs Estudiados por Fotorreflectancia”. Tesis de Maestría
en Física. Co-Director. Ana María López Beltrán. Escuela de Ciencias Físico-Matemáticas de
la Universidad Autónoma de Sinaloa. Culiacán, Sin. Enero del 2000.
12.- “Aplicación de la Técnica Fotoacústica al Estudio de Procesos de Recombinación en
Semiconductores”. Tesis de Doctorado en Física. Co-Director. Ines Reich. Facultad de Física
de la Universidad de La Habana. La Habana, Cuba. Febrero del 2000.
13.- “Crecimiento de Películas Semiconductoras Nanocristalinas de GaAs”. Tesis de Maestría en
Física. Director. Fernando Gordillo Delgado. Departamento de Física, CINVESTAV-IPN.
México. Diciembre del 2000.
14.- “Caracterización Optica y Estructural de Películas de GaInNAs Crecidas por Sputtering de
Radio Frecuencia”. Tesis de Maestría en Física. Director. Jairo Armando Cardona Bedoya.
Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México. Diciembre del 2000.
15.- “Desarrollo de Películas Semiconductoras de GaNxAs1-x con Banda Prohibida Variable en
Todo el Rango Visible”. Tesis de Doctorado en Física. Director. Jairo Armando Cardona
Bedoya. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México, D.F. México. Marzo de 2004.
16.- “Estudio de Heteroestructuras de InxGa1-xAsySb1-y/GaSb para Usarse en la Fabricación de
Fotodetectores en el Infrarrojo Medio”. Tesis de Maestría en Tecnología Avanzada. Director.
María Lucero Gómez Herrera. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología
Avanzada del IPN. México. 4 de Febrero de 2004.
17.- “Propiedades Fotoluminiscentes de GaNxAs1-x”. Tesis de Maestría en Tecnología Avanzada.
Director. José Saúl Arias Cerón. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología
Avanzada del IPN. México. Agosto de 2007.
18.- “Estudio de Celdas Solares Tándem de Alta Eficiencia de Semiconductores III-V en Base a la
Técnica de Fusión”. Tesis de Doctorado en Tecnología Avanzada. Director. María Lucero
Gómez Herrera. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN.
México. Enero de 2009.
19.- “Estudio de las propiedades ópticas y estructurales de aleaciones semiconductoras de
In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y)”. Tesis de Maestría en Física. Director. Angel Adalberto Duran
Ledezma. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México. Enero de 2011.
20.- “Crecimiento por Epitaxia en Fase Líquida y Caracterización Estructural de Capas
Semiconductoras de InAsSb para Aplicaciones en Dispositivos Infrarrojos”. Tesis de
Doctorado en Tecnología Avanzada. Director. Yolanda Elinor Bravo García. Centro de
Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN. México. Junio de 2012.
21.- “Síntesis y Caracterización de Nanopartículas Semiconductoras de InP@ZnS”. Tesis de
Doctorado en Tecnología Avanzada. Director. José Saúl Arias Cerón. Centro de
Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN. México. Agosto de 2012.
31
32
TRABAJOS PRESENTADOS EN CONGRESOS INTERNACIONALES:
1.-- "Xerographic Discharge of Orthorhombic Sulfur Single Crystals". C. Falcony, J. Mendoza, F.
Sánchez-Sinencio, A. Many, J. S. Helman. International Simposium on Electrets and
Dielectrics. São Carlos, SP. Brasil. Sept. 1975.
2.-- "Calculos do Indice de Refreção para a Regiao Ativa de um Laser de GaAs". J.G. Mendoza-
Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 30a. Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o
Progresso da Ciencia (SBPC). São Paulo (SP), Brasil. Julio 1978.
3.-- "Dependencia da Densidade de Estados com a Injeção e Temperatua\ra de GaAs Altamente
Dopado". J.G. Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 31a. Reunião Anual da SBPC.
Fortaleza (CE). Brasil. Julio 1979.
4.-- "Influencia dos Portadores Livres no Indice de Refraçäo do GaAs Altamente Dopado". J.G.
Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel, Idem.
5.-- "Estudo de Modos näo-Gaussianos para Laseres de Semicondutor". F.D. Nunes, J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
6.-- "Perfil do Indice de Refração para Laseres de Heteroetructura Dupla de GaAs". J.G. Mendoza-
Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 32a. Reunião Anual da SBPC. Rio de Janeiro (RJ). Brasil.
Julio 1980.
7.-- "Refractive Index Variation with Injected Carrier Density in Stripe GaAs Lasers". J.G.
Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 1981 March Meeting of the American Physical
Society (APS). Phoenix, AR. USA. Marzo 1981.
8.-- "Non-Parabolicity Band Effects on the Absorption Coefficient of Gaas". J.G. Mendoza-
Alvarez, 1982 March Meeting of the APS, Dallas, Tx. Marzo 1981.
9.-- "Non-Stoichiometry Detection in CdTe Thin Films by using Photothermal Deflection
Spectroscopy". J.G. Mendoza-Alvarez, B.S.H. Royce, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel,
C. Menezes, R. Triboulet. 1983 March Meeting of the APS. Los Angeles, CA. USA. Marzo
1983.
10.-- "Fotoluminiscencia de Películas Delgadas de CdTe Crecidas por la Técnica GREG". J.G.
Mendoza-Alvarez, M. Cárdenas, O. Zelaya-Angel, C. Menezes. VIII Simposio
Latinoamericano de Física del Estado Sólido. Oaxtepec, Mor. México. Julio 1983.
11.-- "Caracterización de Películas Delgadas de CTe". O. Zelaya, C. Menezes, F. Sánchez-
Sinencio, Julio Mendoza-Alvarez, Idem.
12.-- "Estudios de Fotoluminiescencia en Películas Delgadas de a-Si:H:F". Gerardo Torres, Julio
G. Mendoza-Alvarez, Jesús González H., Idem.
33
13.-- "Influencia del Tratamiento Térmico en la Fotoluminiscencia de a-Si:H:F". Julio G.
Mendoza-Alvarez, Gerardo Torres D., Jesús González. 1er. Simposio Latinoamericano de
Física dos Sistemas Amorfos, Niteroi, RJ., Brasil. Febrero 1984.
14.-- "Electroluminescent Device ZnSe-Electrolyte". J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio,
W.M. Yim. 1984 March Meeting of the APS. Detroit MI. USA. Marzo 1984.
15.-- "Optical and Electrical Properties of Doped CdTe Films", J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-
Sinencio, O. Zelaya-Angel, M. Cárdenas, C. Menezes, B.S.H. Royce. Idem.
16.-- "Influencia de la Temperatura de Substrato en Películas Evaporadas de CdTe". Ethelvina
Murillo de Escobar, Orlando Zelaya, Julio Mendoza. III Simposio Latinoamericano de Física
de Superficies, Pequeñas Partículas y Películas Delgadas. San José, Costa Rica. Sept. 1984.
17.-- "Effect of Grain Size on the Photoluminescence of CdTe Films". J.G. Mendoza-Alvarez, M.
Cárdenas, O.Zelaya, F. Sánchez-Sinencio, J. González-Hernández, S.S. Chao. 1985 March
Meeting of the APS. Baltimore, ML. USA. Marzo 1985.
18.-- "Controlled Production of Cd Vacancies in CdTe Thin Films and its Influence on
Photoluminescente Spectra". J.M. Figueroa, C.Vázquez-López, F. Sánchez-Sinencio, J.G.
Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Idem.
19.-- "Characterization of CdTe Films. Useful in All-Thin-Film Solar Cells. I. Cd Vacancies and
Photoluminescent Spectra". J.M. Figueroa, C. Vázquez-López, F. Sánchez-Sinencio, J.G.
Mendoza-Alvarez, O.Zelaya. 1985 Fall Meeting of the Materials Research Society. Boston,
Mass. USA. Dic. 1985.
20.-- "Photoluminescence and Photoconductivity Studies on a-Si:H". J.G. Mendoza-Alvarez, G.
Torres, J. González-Hernández. Idem.
21.-- "Characterization of Doped HW-CSVT-Grown CdTe Thin Films". J.M. Figueroa, F.
Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, A. Díaz-Góngora. 1986 March Meeting
of the APS. Las Vegas, Nev. USA. Marzo 1986.
22.-- "CdFeTe Thin Films: Amorphous and Polycrystalline Characteristics". Octavio Alvarez F.,
J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, J.L. Peña, Idem.
23.-- "Grain Size Characterization in CdTe Films Grown by Close-Spaced-Vapour Transport with
Hot Walls". O.Zelaya, J.G. Mendoza-Alvaez, F.Sánchez-Sinencio, M. Cárdenas, M.Farias.
Idem.
24.-- "Characterization of CdTe Thin Films Deposited by r.f. Sputtering" I. Hernández-Calderón,
J.Mendoza-Alvarez, J.L. Peña, S. Jiménez-Sandoval, F. Sánchez-Sinencio. Idem.
25.-- "Efectos de la Degradación Inducida por la luz de Películas de Silicio Amorfo Hidrogenado"
Julio G. Mendoza-Alvarez, Gerardo Torres D., Jesús González. (Conferencia invitada). II
34
Simposio Latinoamericano de Física de Sistemas Desordenados y Amorfos. San Luis Potosí,
S.L.P. México. Mayo 1986.
26.- "Transición Amorfo-Policristalino en Películas de CdFeTe Crecicas por r.f. Sputtering"
Octavio Alvarez, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, Miguel Angel Vidal B. Idem.
27.-- "Propiedades Estructurales y Eléctricas de Películas Delgadas de Cd1-xFexTe Depositadas
por r.f. Sputtering". Octavio Alvarez Fregoso, J.G. Mendoza Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, S.
Romero, J.L. Peña. IV Simposio Latinoamericano de Física de Superficies. Caracas,
Venezuela. Julio 1986.
28.-- "Crecimiento de Películas Delgadas de CdTe Mediante la Técnica Transporte de Vapor en
Espacio Reducido con Paredes Calientes". O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-
Sinencio. Idem.
29.- "Thermal Annealing Effects on Amorphous r.f. Sputtered CdFeTe Thin Films". O. Alvarez,
J.G. Mendoza Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, M.A. Vidal. 6th International Conference on
Solid Surface and 10th International Vacuum Congress. Baltimore, Maryland, USA.
Octubre 1986.
30.- "Mossbauer Study of r.f. Sputtered Cd(0.95)Fe(0.05)Te Thin Films". E.G. da Silva, R.B.
Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, O. Alvarez-F., J.G. Mendoza-Alvarez. III Escola Brasileira
de Física de Semiconductores. Campinas. SP. Brasil. Febrero 1987.
31.- "Crecimiento de Grano en Películas Delgadas de Cd(1-x)Fe(x)Te". O. Alvarez-F., Alfonso
Huanosta, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
32.- "Use of Photoluminescence Spectroscopy to Chracterize the Crystalline Quality of CdTe Films
Grown by a Modified CSVT Technique". J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O.
Zelaya, J. González-Hernández, M. Cárdenas, S.S. Chao, First Symposium on
Semiconductors and Semiconductor Structures SPIE. Panama City. Fla. USA. Marzo 1987.
33.- "Optical Waveguide Phase Modulators in AlGaAs/GaAs with Very High Figures-of-Merit".
T.R. Hausken, K. Lee, . Simes. R. Yan, J. Mendoza-Alvarez, N. Dagli and L.A. Coldren. 45th
Annual Device Research Conference. Santa Barbara, CA. USA. Junio 1987.
34.- "La Microelectrónica Optica y su Aplicación a Comunicaciones, Circuitos Integrados y
Computadores Opticos" Julio G. Mendoza-Alvarez. (Conferencia Invitada). I Escuela
Latinoamericana de Física Aplicada. Cancún, Q. Roo México Julio 1987.
35.- "Luminescence and Particle Size in Microcrystalline CdTe Thin Films". J.G. Mendoza-
Alvarez, J. González-Hernández, F.Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, M. Cárdenas, S.S. Chao,
Third International Conference on II-VI Compounds. Monterey, CA. USA. Julio 1987.
36.- "Growing of the Microcrystalline Grain Size in Cd0.95Fe0.05Te Thin Films". O. Alvarez-F., A.
Huanosta, F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
35
37.- "Efecto de la Temperatura de Substrato sobre la Estructura de Cd1-xFexTe en Película Delgada"
Octavio Alvarez-F., Alfonso Huanosta, J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio. X
Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido. La Habana, Cuba. Dic. 1987.
38.- "Mechanisms Responsible for Phase Variation in n-GaAs/p-AlGaAs Waveguide Phase
Modulators". Julio G. Mendoza-Alvarez, Winter College on Laser Physics: Semiconductor
Lasers and Integrated Optics. International Centre of Theoretical Physics. Trieste, Italy. Feb.
22-March 11, 1988.
39.- "Photoluminescence Spectra and Charge Carrier Mobility in CdTe Polycrystalline Films". J.M.
Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A.
Díaz-Góngora. 1988 March Meeting of the APS. New Orleans, Louisiana. USA. Marzo 1988.
40.- "Photoluminescence and SEM Studies of Growth Inhomogeneities in CdTe Films". J. Landa-
García, M.Cárdenas, G.Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, J.G. Mendoza-Alvarez,
F.Sánchez-Sinencio, O. Zelaya. Idem.
41.- "Fotoreflectãncia em Filmes de Cd(1-x)Fe(x)Te". C. Vázquez-López, F. Cerdeira, F. Sánchez-
Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez e O. Alvarez-Fregoso. XI Encontro Nacional de Física da
Materia Condensada. Caxambu, MG, Brasil. 9-13 Maio 1988.
42.- "Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy Study of r.f. Sputtered Cd(0.95)Fe(0.05)Te
Thin Films". E. Galvão da Silva. R.B. Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, Octavio Alvarez-F., J.G.
Mendoza-Alvarez, Latin American Conference on the Applications of the Mossbauer Effect.
Río de Janeiro, RJ, Brasil. 31 Oct.-4 Nov., 1988.
43.- "AES Analysis of CdTe:In and CdTe:Sb". A. Herrera, F. Larios, F. Sánchez-Sinencio, O.
Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-Fregoso, M. Farías, L. Cota-Araiza. 4a. Escola
Brasileira de Fisica de Semiconductores. 23/01-03/02, 1989. UFMG. Belo Horizonte, Minas
Gerais. Brasil.
44.- "Espectro de Fotoluminiscencia y Movilidad de Portadores en Películas Policristalinas de
CdTe". J.M. Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-
Puente, A. Díaz-Góngora. Idem.
45.- "GaAs/AlGaAs Optical Waveguide Phase Modulators: Optimization of Guiding Layer
Doping". Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem.
46.- "Optical Characterization of the Ferroelectric Ferroelastic Perovskite BiFeO3". C. Tabares-
Muñoz, M.E. Mendoza-Alvarez, I. Hernández-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez, 1989 March
Meeting of the APS. Marzo 1989. New Orleans, LO. USA.
47.- "Study of Grain Size Growth in CdTe Films". J.G. Mendoza-Alvarez. Workshop on Materials
Science and Physics of Non-Conventional Energy Sources. 11-29 September, 1989. ICTP
Trieste, Italy.
36
48.- "Charge Carrier Transport and Photoluminescence Spectra in CdTe Polycristalline Thin
Films". J.M. Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Fourth
International Conference on II-VI Compounds. 17-22 September, 1989. Berlin, Federal
Republic of Germany .
49.- "R.F. Sputtering Growth and Characterization of CdTe:In Thin Films". A. Herrera, F. Larios,
F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, O. Alvarez, M.H.Farías, L. Cota-
Araiza, G. Soto. 9th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 25-29 September,
1989. Freiburg, Federal Republic of Germany.
50.- "Optical and Structural Properties of CdTe Films Grown on GaAs and Si Substrates". J.G.
Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Torres-Delgado, F. Sánchez-Sinencio, 11th International
Vacuum Congress. 25-29 September, 1989. Cologne, Federal Republic of Germany.
51.- "Thermoreflectance Studies of Cd1-xFexTe Thin Films". J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-
Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, H. Ariza-Calderón, A. Lastras-Martínez. Idem.
52.- "Photoreflectance Study of AlxGa1-xAs/GaAs(100) Heterojunctions". M. Meléndez-Lira, G.
Torres-Delgado, I. Hernández-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez. 36th National Symposium of
the American Vacuum Society. October 23-27, 1989. Boston, Mass. USA.
53.- "Substrate Influence on the Optical Properties of Undoped GaAs Epilayers Grown by LPE". G.
Torres-Delgado, J.A. Díaz-Góngora, G. Contreras-Puente, J.G. Mendoza-Alvarez, 1990
March Meeting of the APS. March 12-16, 1990. Anaheim, CA. USA.
54.- "Efecto de la Temperatura de substrato sobre la Cristalinidad y Conductividad de Películas
Delgadas de Cd3Sb2Te3 "Octavio Alvarez-Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-
Alvarez, O. Zelaya, XI Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido. Marzo 19-23,
1990. Caracas, Venezuela.
55.- "Caracterización de Películas Delgadas de CdxSbyTez Elaboradas por r.f. Sputtering" O.
Alvarez-Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, M. Farías, L. Cota-
Araiza, Idem.
56.- "Photoluminescence Characterization of the Crystalline Quality in Intrinsic GaAs Epitaxial
Layers". G. Torres-Delgado, B.E. Zendejas, J.G. Mendoza-Alvarez, (Conferencia Invitada).
Sexto Simposio Latinoamericano de Física de Superficies, Cusco, Perú, 3-7 Septiembre
1990.
57.- "Dispersive Transient Chrge Carrier Transport in Polycrystalline Films of CdTe". F Sánchez-
Sinencio, J.M. Figueroa, R. Ramírez-Bon, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, G. Contreras-
Puente, A. Díaz-Góngora. Idem.
58.- "Structure and Optical Characterization of ZnxCd1-xTe Thin Films Prepared by the Close
Spaced Vapor Transport Method". J. González-Hernández, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez,
37
E. López-Cruz, D.A. Pawlik, D.D. Allred. 37th National Symposium of the American
Vacuum Society, October 8-12, 1990. Toronto, Canadá.
59.- "Oxigenated Amorphous Cadmium Telluride Thin films Grown by r.f. Sputtering". F.J.
Espinoza-B., F. Sánchez-S., O. Zelaya, J. Mendoza-A., C. Vázquez-L., C. Alejo-A., M.H.
Farías, L. Cota, G. Soto, J.L. Peña, J.A. Azamar, L. Baños. 5th Brazilian School on
Semiconductor Physics, Feb. 4-8, 1990. Sao Paulo, Brasil.
60.- "Characterization of Zn(x)Cd1-x)Te Films Grown by Close Spaced Transport Technique". J.
González-Hernández, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
61.- "Photoluminescence Characterization of CdTe Layers Grown on (211) GaAs Substrates by
MBE" J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-Delgado, J.M. Arias. Idem.
62.- "Sn and Ge Low Doping Effects on the Crystalline Quality of GaAs Layers Grown by LPE".
G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, B.E. Zendejas. Idem.
63.- “Characterization of the a-CdTe:O Ternary Compound Growth by rf Sputtering”. F.J.
Espinoza-Beltran, F. Sanchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez, Seventh
Latin-American Symposium on Surface Physics (SLAFS 7), Nov. 15-20, 1992. Bariloche,
Argentina.
64.- “Energy Band Gap Temperature Dependence of CdTe:O”. O. Zelaya, F.J. Espinoza-Beltran,
R. Ramirez-Bon, E. Lopez-Cruz, G. Torres-Delgado, F. Sanchez-Sinencio, and J. Mendoza-
Alvarez. Idem.
65.- “Study of Ge-related Impurity Levels in AlxGa1-xAs Epilayers by Photoluminescence”. G.
Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, M. Cardenas-Garcia, G. Contreras-Puente and C.
Mejia-Garcia. Idem.
66.- “Thermoreflectance Studies in Cd1-xFexTe Thin Films”. H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-
Alvarez, O. Alvarez-Fregoso, F. Sanchez-Sinencio, Frontiers in Information Optics, April 4-
8, 1994. Kyoto, Japan.
67.- “Characterization of GaAs and GaAs:Si Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy”. J.
Fuentes, R. Leon, A. Montaigne, I. Riech, A. Serra, J.A. Rodríguez, J.L. Peña, P. Bartolo-
Pérez, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Egorov, VIII Congreso Latinoamericano de Ciencias de
Superficies y sus Aplicaciones, Sept. 19-23, 1994. Cancún, QR, México.
68.- “Future of Photovoltaic Materials and All-Thin-Film Devices”. D. Stolik, O. Vigil, O. Zelaya-
Angel, J. Mendoza, Idem.
69.- “Photoluminescence Measurements in CdS Thin Films under Phase Transformations”. H.
Ariza-Calderon, R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, J. Mendoza-
Alvarez. Idem.
38
70.- “Thermally Stimulated Current Studies in CBD CdS Thin Films”. O. Vigil, D. Stolik, R.
Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, J. Mendoza. Idem.
71.- “Quantum Well AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by the Low Temperature LPE
Technique”. P. Diaz-Arencibia, G. Torres-Delgado, J. Mendoza-Alvarez, T. Prutskij, F.
Chavez, F. Silva de Andrade. Idem.
72.- “Raman Spectra of YBa2Cu3O7-x Thin Films Grown on Bi4Ti3O12 Layered Crystals”. M.E.
Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Muñoz, G. Torres-Delgado, O. Alvarez-Fregoso, O. Zelaya-
Angel, R. Silva-González, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
73.- “Substrate Influence on Structure and Morphology of YBCO Films”. O. Alvarez-Fregoso, A.
Leyva, M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Muñoz, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Idem.
74.- “Three Wavelength Emitter and Detecting Sensor”. J. Mendoza, P. Rodriguez, G. Torres, B.
Gonzalez, M. Hernandez, A. Iribarren, M.V. Mederos, E. Puron, A. Ramirez, I. Riech, G.
Santana, E. Vega, E. Vigil, V Encuentro Latinoamericano sobre Optica, Láseres y sus
Aplicaciones, Nov. 20-25, 1995. La Habana, Cuba.
75.- “Thermal Characterization of AlxGa1-xAs Alloys by Means of the PA Technique”. A. Cruz-
Orea, E. Marin, J.L. Pichardo, J.J. Alvarado-Gil, H. Vargas, G. Torres-Delgado, J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
76.-“Structural, Optical and Electrical Properties of the CdSbTe Compound”. F.J. Espinoza-
Beltran, R. Ramirez-Bon, A. Picos-Vega, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-Fregoso, O.
Zelaya-Angel, M. Farigs, International Conference on Metallurgical Coatings and Thin
Films, April 22-26, 1996. San Diego, California, USA.
77.- “Photoluminescent Properties of Indium Doped CdTe Films Grown by CSVT-FE Technique”.
J.L. Peña, C. Trallero, R. Castro-Rodríguez, I. Reich, J.G. Mendoza-Alvarez. IV International
Conference on Advanced Materials, Aug. 27- Sept. 1st, 1995. Cancún, QR. México
78.- “Photoacoustic Analysis of Heat Sources in GaAs”. I. Reich, I. Delgadillo, M.E. Rodríguez,
J.J. Alvarado-Gil, C. Vázquez-López, J. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, P. Diaz, H. Vargas.
Idem.
79.- “Distribution of Localized Levels in Chemical Bath Deposition CdS: Influence of Thermal
Annealing”. O. Vigil, E. Vasco, J. Mendoza, O. Zelaya. Idem.
80.- “Quantum Confinement Effects of CdxNi1-xTe Sputtered Thin Films”. O. Alvarez-Fregoso,
J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel. 10th International Conference on Thin Films, Sept.
23-27, 1996. Salamanca, España.
81.- “LO-Phonon Energy Dependence on Al Concentration in AlxGa1-xAs Epitaxial Layers for
x>0.4”. G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, P. Diaz-Arencibia, A. Serra-Jones. Idem.
39
82.- “Direct Bandgap (E0) Determination in AlxGa1-xAs Epitaxial Layers in the Indirect Band
Range 0.4<x<0.9”. H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-
Delgado. Sixth International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces,
June 23-27, 1997. Cardiff, Wales, England.
83.- “Optical Properties of Semimagnetic Semiconductors Studied by Thermoreflectance
Spectroscopy”. H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-
Fregoso, L. Baños. Idem.
84.- “Estudios de Fotorreflectancia y Fotoluminiscencia en Heterouniones de GaAs/AlxGa1-xAs en
el Rango de Bajas Concentraciones de Al”. L. Gómez-Herrera, L. Tirado-Mejía, H. Ariza-
Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez, J.L. Herrera-Pérez. XIV Simposio Latinoamericano de
Física del Estado Sólido, Enero 11-16, 1998. Oaxaca, Oax. México.
85.- “Optical Characterization of Cd1-xMnxTe Crystals by Photoreflectance and Photoluminescence
Spectroscopies”. L. Gómez-Herrera, H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-
Alvarez, A. López-Rivera. 1998 March Meeting of the APS, Marzo 16-20, 1998. Los
Angeles, CA, USA.
86.- “Variation of the CdTe Band Gap as a Function of Temperature”. G. Fonthal, L. Tirado-Mejia,
J.I. Marin-Hurtado, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. 1999 March Meeting of the
APS, Marzo 21-26, 1999. Atlanta, GA, USA.
87.- “Optical Analysis of the Mott Transition in Sn-doped GaAs Epitaxial Layers”. G. Fonthal, N.
Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
88.- “Three Dimensional Model for Oxide Thin Film Growth Induced by Laser Heating of Metallic
Surfaces”. J.L. Jimenez-Perez, P.H. Sakanaka, Mauricio Antonio Algatti, J.G. Mendoza-
Alvarez, A. Cruz-Orea. 11th International Conference on Thin Films, Agosto 30-Sept. 3,
1999. Cancún, QR, México.
89.- “Photoreflectance of Epitaxial Layers of GaInAsSb Lattice-Matched to GaSb Substrates”.
M.C. Rivera-Morales, J.G. Mendoza-Alvarez, M.B. Zakia, J.L. Herrera-Perez. Idem.
90.- “Lattice-Mismatch Defects in Ga0.18In0.82AsySb1-y Films Studied by Photoacostic Techniques”.
I. Riech, P. Diaz, J.G. Mendoza-Alvarez, L. Gómez-Herrera, J.L. Herrera-Perez, M.A. Vidal.
Idem.
91.- “Study of Defect-Related Emisión Bands in the Photoluminescence Spectra of Ge-Doped
GaAs”. G. Fonthal, M. de los Ríos, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
92.- “Study of AlxGa1-xAs Epitaxial Layers Doped with Ge by Means of the Low Temperature
Photoluminescence”. F. Gordillo-Delgado, J.A. Cardona-Bedoya, J. Diaz-Reyes, L. Gomez-
Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
40
93.- “Nanostructured GaAs(N) Thin Films Prepared by r.f. Sputtering”. O. Zelaya-Angel, O.
Alvarez-Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez. 15th Latin American Symposium on Solid State
Physics, Noviembre 1-5, 1999. Cartagena de Indias, Colombia.
94.- “Theoretical Modelling of Oxide Thin Film Growth by Pulsed Laser Sources”. J.L. Jimenez-
Perez, P.A. Sakanaka, M.A. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem.
95.- “Study of Hot Carriers in p and n-type GaAs Thin Films by Photoluminescence
Spectroscopy”. G. Fonthal, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-
Alvarez. Idem.
96.- “Deconvolution of the Photoluminescence Spectra inHeavy Doped GaAs:Sn Thin Films”. G.
Fonthal, L.E. Tobon, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez.
Idem.
97.- “Análisis of the 1.38 eV Photoluminescence Band Associated with Defects inGaAs:Ge Thin
Films”. G. Fonthal, M. de los Rios, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
98.- “Inhomogeneous Distribution of the Impurity in Samples of GaAs:Sn and GaAs:Ge Observed
by Photoluminescence”. G. Fonthal, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez.
Idem.
99.- “Band Gap Energy of n Type InGaAsSb Epitaxial Layers”. J.L. Herrera-Perez, M.C. Rivera-
Morales, L. Gomez-Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez, M.B. Zakia. Idem.
100.- “Non-Radiative Lifetimes in GaSb/InGaAsSb Heterostructures Studied by Photoacoustic
Techniques”. I. Riech, P. Diaz, J.G. Mendoza-Alvarez, J.L. Herrera-Perez, A. Cruz-Orea, L.
Gomez-Herrera, P. Rodríguez-Fregoso, M.A. Vidal. Idem.
101.- “Auger Contribution for T0 in InGaAsSb/GaAlAsSb Double Heterostructure Lasers”. J.L.
Herrera-Perez, M.B. Zakia, N.B. Patel, J.G. Mendoza-Alvarez. X Conference on Laser
Optics, Junio 26-30, 2000. San Petesburgo, Rusia.
102.- “Construction and Characterization of a CO2 Wave Guide Laser with a Special Electrode
Design for Materials Processing”. J.L. Jiménez Pérez, M.A. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A.
Cruz Orea. Idem.
103.- “Determination of Non-Radiative Lifetimes in InGaAsSb Epitaxial Layers Using
Photoacoustic Techniques”. I. Riech, P. Diaz, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, J.L.
Herrera-Perez, L. Gomez-Herrera. Tenth International Conference on Solid Films and
Surfaces, Julio 9-13, 2000. Princeton University, USA.
104.- “Low Temperature Photoreflectance Studies of AlGaAsSb/GaSb Heterostructures”. J.L.
Herrera-Perez, R.B. Perez-Sicairos, B. Felix-Franco, L.N. Alejo-Armenta, M.C. Rivera-
Morales, C.A. Alejo-Armenta, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
41
105.- “Neutralization of Native Ga(As) Antisite Defects by Sn Doping in LPE-Grown GaAs
Layers”. J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-Delgado, A.M. Lopez-Beltran, C.A. Alejo-
Armenta. Idem.
106.- “A Model for Moving Pulsed Laser Sources-Induced Oxidation in Air of Thin Films”. J.L.
Jimenez-Perez, P.H. Sakanaka, M. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem.
107.-“Analytical Model for Oxide Thin Film Growth on Ti During Laser Heating in Air”. J.L.
Jiménez-Perez, P.H. Sakanaka M. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, Idem.
108.- “Optical and Structural Properties of Highly Te-Doped InGaAsSb Epitaxial Layers”. C.
Rivera-Morales, M. Rojas-Lopez, P. Rodríguez-Fregoso, M.A. Vidal, J.L. Herrera-Perez, and
J.G. Mendoza-Alvarez. III Workshop on Optoelectronic Materials and Their Applications.
Invited Speaker. Agosto 28-Sept. 1, 2000. Oaxaca, Oax. México.
109.- “Estudio del Cocimiento de Cerámicas Prehispánicas y Coloniales de México”. J.L. Jiménez-
Perez, C. Ponce-Parra, J. Jiménez-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, A. Gordillo-
Sol, H. Yee. Idem.
110.- “Estudio de Películas de TiO2 Procesadas por Láser de Nd:YAG”. J.L. Jiménez-Perez, C.
Ponce-Parra, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem.
111.- “Determination of the Interfacial Non-Radiative Recombination Lifetime in n- and p-type
InGaAsSb Epitaxial Layers by Photoacoustic Spectroscopy”. L. Gomez-Herrera, I. Riech, J.L.
Herrera-Perez, P. Rodríguez-Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
112.- “New (Ga,In)(As,N) Semiconductor Quaternary Alloys with a Variable Band Gap Energy in
the Red-Green Visible Spectrum”. J.A. Cardona-Bedoya, F. Gordillo-Delgado, J.G. Mendoza-
Alvarez, O. Zelaya-Angel, A. Cruz-Orea. Idem.
113.- “Activación de Soportes de Vidrio para la Construcción de Microarreglos de ADN”. V.
Lopez Gayou, F. Ortiz-Rodriguez, J. Alonso-Avelino, M. Rojas-Lopez, L. Marquez-Morales,
J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
114.- “Blue Photoluminescence in GaAs(N) Nanowhiskers”. Adrian Canales Pozos, David Ríos
Jara, Octavio Álvarez Fregoso, M.A. Alvarez-Pérez, Manuel García, Enrique Martínez
Sánchez, Julio A. Juárez-Islas, Orlando Zelaya, Julio G. Mendoza-Alvarez, C. Falcony. Idem.
115.- “Passivation of GaSb Single Cristal Surfaces Studied by Photoluminescence”. J. Díaz-Reyes,
O. Zárate-Corona, E. Corona-Organiche, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
116.- “Temperature Dependence of Threshold Current Density for GaInAsSb/GaAlAsSb Double
Heterostructure Lasers”. J.L. Herrera-Perez, M.B. Zakia, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
42
117.- “Quantum Confinement Effects in Nanocrystalline GaAs Films Grown by r.f. Sputtering”. F.
Gordillo-Delgado, J.A. Cardona-Bedoya, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, A. Cruz-
Orea. Idem.
118.- “Growth of Nanocrystalline GaAs Semiconductor Thin Films by r. f. Sputtering”. F.
Gordillo-Delgado, J.A. Cardona-Bedoya, M.L. Gomez-Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez, O.
Zelaya-Angel, A. Cruz-Orea. Inter-American Workshop on the Use of Synchrotron
Radiation for Research and Symposium on Nanotechnologies. Febrero 11-13, 2001.
Campinas, Sao Paulo, Brasil.
119.- “Novel GaInNAs Alloys with Variable Bandgap Energy in the Red-Green Spectrum”. Jairo
Cardona-Bedoya, Fernando Gordillo-Delgado, Julio Mendoza-Alvarez, Orlando Zelaya-Angel,
Alfredo Cruz-Orea. 2001 March Meeting of the American Physical Society. Marzo 12-16,
2001. Seattle, WA, USA.
120.- “Growth of Nanocrystalline GaAs Semiconductor Thin Films by r.f. Sputtering”. Fernando
Gordillo-Delgado, Jairo Cardona-Bedoya, Julio Mendoza-Alvarez, Orlando Zelaya-Angel.
Idem.
121.- “Growth and Characterization of GaNyAs1-y Films with High Nitrogen Concentration and
Variable Band Gap Energy in the Visible Spectrum”. Julio G. Mendoza-Alvarez, J.A.
Cardona-Bedoya, O. Zelaya-Angel, M.L. Gomez-Herrera, J. Diaz-Reyes, J.L. Herrera-Perez. X
Latin American Congress on Surface Science and Its Applications. Invited Speaker. Julio 3-
7, 2001. San Jose, Costa Rica.
122.- “Low Temperature Photoreflectance Análisis of an Aging Process in GaAs:Ge
Semiconductor Epitaxial Layers”. D.G. Espinoza-Arbelaez, J.I. Martin-Hurtado, J.J. Prias-
Barragan, G. Fonthal, J.G. Mendoza-Alvarez, H. Ariza-Calderon. Idem.
123.- “Modeling of the Dependence of the Scattering Proceses with Temperature Through
GaAs:Ge Photoreflectance Spectra”. J.J. Prias-Barragan, J.I. Marin-Hurtado, D.G. Espinosa-
Arbelaez, G. Fonthal, J.G. Mendoza-Alvarez, H. Ariza-Calderon. Idem.
124.- “Optical Properties of GaInNAs Semiconductor Films with High Nitrogen Concentrations”.
J.A. Cardona-Bedoya, F. Gordilli-Delgado, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez.
Idem.
125.- “Dependence of the Donor Ionization Energy and Bandtail on the Impurity Concentration and
Al Content in AlxGa1-xAs:Sn Epitaxial Layers”. G. Fonthal, M. de los Rios, N. Piraquive, H.
Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
126.- “Study of Non-Radiative Recombination Proceses in GaSb/InxGa1-xAsySb1-y
Heterostructures”. M.L. Gomez-Herrera, I.Riech, J.L. Herrera-Perez, and J.G. Mendoza-
Alvarez. Idem.
43
127.- “Photoluminescence Studies of GaInAsSb Highly Doped with Tellurium Grown by Liquid
Phase Epitaxy on (100) GaSb”. J. Diaz-Reyes, J.L. Herrera-Perez, M. Rojas-Lopez, E. Corona-
Organiche, and J. Mendoza-Alvarez. Idem.
128.- “Bandtail Análisis and its Doping Dependence in the Photoluminescence Spectra of p-Type
GaAs:Ge Epitaxial Layers”. G. Fonthal, L.E. Tobon, M. de los Rios, J. Quintero, N. Piraquive,
H. Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
129.- “LO-Phonon Participation in the Thermalization of Hot Carriers in n- and p-Type GaAs
Epitaxial Layers”. G. Fonthal, J. Quintero, M. de los Rios, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon,
and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
130.- “Surface Roughness and Morphology of GaNxAs1-x Nanowhiskers by Atomic Force
Microscopy”. S.A. Canales-Pozos, D. Rios-Jara, O. Alvarez-Fregoso, M.A. Alvarez-Perez, M.
Garcia-H, E. Martinez, J.A. Juárez-Islas, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez. VI
Congreso Interamericano de Microscopia Electrónica, Octubre 7-11, 2001. Veracruz,
México.
131.- “Biochips Based on Microarrays of Oligonucleotides Fabricated by Photolitography”. J.G.
Mendoza-Alvarez, J.L. Herrera-Perez, F. Sánchez-Sinencio, P. Gariglio, J.P. Luna-Arias.
Fotociencias 2002. Simposio de Fotofísica, Fotoquímica y Fotobiología. Enero 28-Febrero
2, 2002. La Habana, Cuba.
132.- “Quantum Confinement Effects in Variable Band-gap GaNxAs1-x Thin Films Studied by
Photoacoustic Spectroscopy”. J.A. cardona-Bedoya, A. Cruz-Orea, S.A. Tomas-Velazquez, O.
Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez. 12th International Conference on Photoacoustic and
Photothermal Phenomena. Junio 23-27, 2002. Toronto, Canada.
133.- “Photoacoustic and micro-Raman Análisis of TiO2 Thin Films”. J.L. Jiménez-Perez, C.
Ponce-Parra, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem.
134.- “Characterization of Nanocrystalline GaNxAs1-x Films Grown by Radio Frequency
Sputtering”, J.A. Cardona-Bedoya, A. Cruz-Orea, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-
Alvarez. 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices.
Diciembre 8-13, 2002. Fortaleza-Ceará, Brasil.
135.- “Photoluminescence Studies in Highly Te-Doped InxGa1-xAsySb1-y Epitaxial Layers Grown
on GaSb by Liquid Phase Epitaxy”, J. Diaz-Reyes, J.L. Herrera-Perez, M.L. Gomez-Herrera,
J.A. Cardona-Bedoya, and J.G. Mendoza-Alvarez. International Meeting on Applied Physics.
Octubre 14-18, 2003. Badajoz, España.
136.- “Study of GaNxAs1-x Semiconducting Films Grown by Laser-Pulsed Deposition on
Crystalline and Amorphous Substrates”, J.A. Cardona-Bedoya, A. Cruz-Orea, and J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
44
137.- “Experimental and Numerical Study of Thin Film Growth by Laser-Induced Oxidation”, J.L.
Jimenez-Perez, P.H. Sakanaka, M.A. Algatti, A. Cruz-Orea, J.G. Mendoza-Alvarez, N.
Muñoz-Aguirre. Idem.
138.- “Structural and Optical Properties of GaNAs Alloys with High N Concentrations Grown by
Laser Ablation”, Julio G. Mendoza-Alvarez, Jairo A. Cardona-Bedoya, Lucero Gomez-
Herrera, Mario H. Farias, J.A. Diaz. 2003 Fall Meeting of the Materials Research Society.
Diciembre 1-5, 2003. Boston, MA, USA.
138.- “Characterization of TiO2 Thin Films for Photocatalysis Applications Using Photoacoustic
Spectroscopy”, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, R.
Castanedo-Perez, S.A. Mayen Hernandez, J. Marquiz-Marin. 13th International Conference
on Photoacoustic and Photothermal Processes. Julio 5-8, 2004. Río de Janeiro, Brasil.
139.- “Influence of Te Doping in InGaAsSb Epilayers on the Non-Radiative Recombination Time
Studied by the Photoacoustic Technique”, M.L. Gomez-Herrera, I. Riech, P. Rodriguez-
Fragoso, A. Cruz-Orea, F. Sanchez-Sinencio, J.L. Herrera-Perez, J. Diaz-Reyes, and J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
140.- “Optical characterization of TiO2 thin films grown by sol-gel and r. f. sputtering methods for
photocatalysis applications”, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, R.
Castanedo-Perez, S.A. Mayen-Hernandez, J. Marquez-Marin, A. Florido-Cuellar. 2005 March
Meeting of the American Physical Society. Marzo 21-25, 2005. Los Angeles, CA. USA
141.- “Photoluminescence characterization of InAs quantum dots grown on variable stoichiometry
InxAlyGa1-x-yAs layers lattice-matched to InP”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S.M. Landi,
A.S. Lopes, P.L. Souza. Idem
142.- “Effect of the alloy composition on the properties of InAs quantum dots grown on a InxGa1-x
As/InP heterostructure for mid-infrared detection”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S.
Landi, A.J. Lopes, P.L. Souza, J.M. Villas-Boas, N. Studart. 12th International Conference
on Modulated Semiconductor Structures, 2005, Albuquerque, AR. USA
143.- “Influence of stoichiometry on the luminescent properties of InAs quantum dots grown on a
InxGa1-xAs/InP heterostructure”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S. Landi, A.J. Lopes, P.L.
Souza. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Abril 4-8, 2005. Sao Jose dos
Campos, SP, Brasil.
144.- “Influence of stoichiometry on the luminescent properties of InAs quantum dots grown on a
InxGa1-xAs/InP heterostructure”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S. Landi, A.J. Lopes,
P.L. Souza, J.M. Villas-Boas, N. Studart, In: European Workshop on Metalorganic vapor
Phase Epitaxy, 2005, Lausanne. Proceedings of EWMOVPE 2005, 2005. v. 1. p. 51-53.
145.- “InGaAsSb p-n heterojunctions studied by photoluminescence and photoacoustic
spectroscopies for photovoltaic applications”, M.L. Herrera-Gomez, J.G. Mendoza-Alvarez, I.
45
Riech, P. Rodriguez-Fragoso, J.L. Herrera-Perez, 28th International Conference on the
Physics of Semiconductors, Julio 24-28, 2006. Viena, Austria.
146.- “Photoluminescent properties of InAs quantum dots grown by MOVPE on an InxAlyGa1-x-yAs
layer and their dependence on the layer stoichiometry”, Julio G. Mendoza-Alvarez, Mauricio
P. Pires, Sandra M. Landi, Patricia L. Souza, Jose M. Villas-Boas, Nelson Studart. Idem
147.- “Photoluminescence studies of GaNxAs1-x thin films grown by the r.f. magnetron sputtering
deposition technique”, J.A. Cardona-Bedoya, J.S. Arias-Ceron, O. Zelaya-Angel, and J.G.
Mendoza-Alvarez, XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics (Invited
Speaker). Noviembre 20-24, 2006. Puebla, Pue. México.
148.- “Study of aminosilanized layers deposited on glass substrates for the fabrication of DNA
microarrays”, J.L. Herrera-Perez, A. Tinoco, M.L. Gomez-Herrera, J.F. Sanchez-Ramirez, J.G.
Mendoza-Alvarez, F. Sanchez-Sinencio, A. Diaz-Badillo, L. Muñoz, J.P. Luna, P. Gariglio,
M.E. Orozco, Idem
149.- “Photoacoustic and photoluminescence studies of polycrystalline CdS/CdTe thin film solar
cells”, J.L. Peña, I. Riech, J.G. Mendoza-Alvarez, and R. Castro-Rodriguez, Idem
150.- “Growth and characterization of rutile and anatase phases of TiO2 thin films grown by r.f.
sputtering”, A. Florido-Cuellar, J.A. Cardona-Bedoya, O. Zelaya-Angel, M. Becerril, A.
Calderon-Arenas, and J.G. Mendoza-Alvarez, Idem
151.- “Thermal annealing effects on nanocrystalline GaNxAs1-x thin films grown by r.f. sputtering”,
Jairo A. Cardona-Bedoya, Orlando Zelaya-Angel, Alfredo Cruz-Orea, and Julio G. Mendoza-
Alvarez, Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Abril
15-20, 2007. San Andres, Colombia.
152.- “Low temperature photoluminescence characterization of Zn-doped InxGa1-xAsySb1-y
epitaxial layers for photovoltaic applications”, M.L. Gomez-Herrera, J.L. Herrera-Perez, P.
Rodriguez-Fragoso, and J.G. Mendoza-Alvarez 11th International Conference on the
Formation of Semiconductor Interfaces. Agosto 19-24, 2007. Manaus, Brasil.
153.-“Monitoring the nonradiative relaxation time of PpIX solutions with Au nanoparticles by
using photoacoustic spectroscopy”, J.L.J. Perez, A.C. Orea, F.S. Ramirez, E.R. Gallegos, and
J.G.M. Alvarez, Idem
46
TRABAJOS PRESENTADOS EN CONGRESOS NACIONALES:
1.-- " Estudio de las Propiedades Aislantes de TiO2 Puro e Impurificado con Cr usando la
relajación de Carga Eléctrica Superficial". J. Mendoza, C. Falcony, F. Sánchez-Sinencio, J.S.
Helman. XVI Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Física (SMF). Oaxaca, Oax.
México. Nov. 1973.
2.-- "Estados Extrínsecos de Superficie en Monocristales de Azufre Ortorrómbico Puro e
Impurificado con Selenio". C. Falcony, J. Mendoza, F. Sánchez-Sinencio, J.S. Helman. Idem.
3.-- "Descarga Xerográfica en Monocristales de Azufre Ortorrómbico". C. Falcony, J. Mendoza, F.
Sánchez-Sinencio, A. Many, J.S. Helman. XVIII Congreso Nacional de la SMF. Veracruz,
Ver. México./ Dic. 1975.
4.-- "Formación del Guía de Ondas en Láseres de GaAs con Contacto de Franja". J. G. Mendoza-
Alvarez, II Seminario Nacional de Física Electrónica. Puebla, Pue. México. Sept. 1980.
5.-- " Influencia de las Camadas de AlGaAs en el Pefil de Indice de Refracción de la Región
Activa de un Láser de GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes. XXIII Congreso Nacional
de la SMF. Guadalajara, Jal. México. Nov. 1980.
6.-- "Dielectric Function in Highly Doped GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez. Simposio sobre las
Propiedades Opticas y Electrónicas de Aislantes y Semiconductores. Cocoyoc, Mor. México.
Agosto 1981.
7.-- "Estudio de la Fotoluminiscencia en Cristales de GaAs y GaAlAs" Julio G. Mendoza-Alvarez,
G. Torres D. XXIV Congreso Nacional de la SMF. Morelia, Mich. México. Nov. 1981.
8.-- "Espectroscopía de Desviación Fototérmica (PDS). Aplicación en el Análisis de Películas
Delgadas de CdTe". J.G. Mendoza-Alvarez, B.S.H. Royce, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-
Angel, C. Menezes, R. Triboulet. XXV Congreso Nacional de de la SMF. Jalapa, Ver.
México. Nov. 1982.
9.-- " Evolución de las Propiedades Opticas de Películas de Silicio Amorfo con el Tratamiento
Térmico". G. Torres Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, J. González-Hernández. Idem.
10.-- "Efecto de la Desviación de la Parabolicidad de la Banda de Conducción sobre el Coeficiente
de Absorción del GaAs". Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem.
11.-- "Caracterización de la Cristalinidad en Películas de Teluro de Cadmio usando
Fotoluminiscencia". M. Cárdenas, J.G.Mendoza-Alvrez, O.Zelaya, C. Menezes. III Congreso
Nacional de Superficies e Interfaces. Oaxtepec, Mor. México, Oct. 1983.
12.-- "Dispositivos Electrom\luminiscentes ZnSe-Electrolito". Julio G. Mendoza-Alavarez,
Feliciano Sánchez-Sinencio, W.M. Yim. XXVI Congreso Nacional de la SMF. Puebla, Pue.
México. Nov. 1983.
47
13.-- "Análisis de los Espectros de Absorción y Fotoluminiscencia en Películas Delgadas de CdTe
Intrínsecas e Impurificadas". J.G. Mendoza-Alvarez, M. Cárdenas, O. Zelaya, C. Menezes.
Idem.
14.-- "Caracterización de Películas de CdTe". O. Zelaya, C. Menezes, F. Sánchez-Sinencio, J.G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
15.-- "Crecimento de Camadas Epitaxiales de GaAs-GaAlAs". Gerado Torres D., J.G. Mendoza-
Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, IV Congreso Nacional de Superficies e Intefaces. Toluca,
Edo. de Méx. México. Oct. 1984.
16.-- "Caracterización de Impurezas Aceptoras de Ag en Películas Policristalinas de CdTe". M.
Cárdenas, J.G. Mendoza-Alvarez, O.Zelaya, F. Sánchez-Sinencio, J. L. Peña. Idem.
17.-- "Estudio de Camadas Epitaxiales de GaAs-GaAlAs". Gerardo Torres D., J.G. Mendoza-
Alvarez, F. Sánchez-Sinencio. Idem.
18.-- "Producción Controlada de Vacancias de Cd y su Influencia sobre los Espectros de
Fotoluminiscencia de Películas y Monocristales de CdTe". J.M. Figueroa, C. Vázquez-López,
F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O.Zelaya. 1er. Taller sobre las Propiedades
Opticas, Eléctricas, Magnéticas y Mecánicas de Defectos en Sólidos no-Metálicos.
Hermosillo, Son. México. Oct. 1984.
19.-- "Absorción y Fotoluminiscencia en Películas de CdTe tipos p y n útiles en Dispositivos
Fotovoltáicos". J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, M. Cárdenas, O. Zelaya, B.S.H.
Royce. XXVII Congreso Nacional de la SMF. San Luis Potosí, SLP. México. Nov. 1984.
20.-- "Crecimiento y Caracterización de Camadas de GaAlAs". Gerardo Torres D., J.G. Mendoza-
Alvarez, F. Sánchez-Sinencio. Idem.
21.-- "Caracterización Fotoconductiva de Películas de CdTe Crecicas por el Método GREG".
Emiliano López Lozano, Elías López Cruz, Orlando Zelaya, Julio Mendoza. Idem.
22.-- "Producción Controlada de Vacancias de Cd y su influencia sobre los espectros de
fotoluminiscencia en Películas y Monocristales de CdTe". J.M. Figueroa, C. Fázquez-López,
F. Sánchez-Sienncio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Idem.
23.-- "Propiedades Fotoluminiscentes de Películas Delgadas Semiconductoras". Julio G. Mendoza-
Alvarez (Conferencia Invitada). III Taller de Física de Superficies. Bahía Kino, Son. México,
Mayo 1985.
24.-- "Vacancias de Cd en el Volumen y en la Superficie de CdTe y su Influencia sobre los
espectros de Fotoluminisencia y Electroluminiscencia". F. Sánchez, J.Mendoza, O. Zelaya,
J.M. Figueroa, C. Vázquez. Idem.
48
25.-- "Efectos de Gas Ambiental en el Crecimiento de Películas Delgadas de CdTe". G. Hirata, M.
Farías, L. Cota, J.L. Peña, J. Mendoza, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya. Idem.
26.-- "Crecimiento Epitaxial de Películas Delgadas de GaAs y GaAlAs". J. Mendoza, G. Torres.
Idem.
27.-- "Caracterización de Películas Semiconductoras Depositadas por Sputtering". I.Hernández-
Calderón, J. Mendoza-Alvarez, J.L.Peña. Idem.
28.-- "Estudio de Fotoconductividad y Fotoluminiscencia en a-Si:H". Julio G. Mendoza-Alvarez,
Gerardo Torres D., J. González-Hernández. II Taller de Física de Superficies. Mérida, Yuc.
México, Agosto 1985.
29.-- "Caracterización de Películas de CdTe Amorfas y Policristalinas Depositadas por r.f.
Sputtering". Isaac Hernández-Calderón, Julio G. Mendoza Alvarez, Feliciano Sánchez-
Sinencio, Sergio Jiménez-Sandoval. Idem.
30.-- "Incremento de la Absorción por arriba de la banda prohibida debido a la no-parabolicidad en
la banda de conducción del GaAs" Gerardo Torres Delgado, Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem.
31.-- "Semiconductores Magnéticos Diluidos con Compuestos II-VI". Octavio Alvarez, F.
Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza A. Idem.
32.-- "Cuantificación de Vacancias de Cd, Fotodegeneradas en Películas Delgads de CdTe,
Mediante el Análisis del Espectro de Fotoluminiscencia". J.M. Figueroa, F. Sánchez-Sinencio,
Julio G. Mendoza-Alvarez, Orlando Zelaya, C. Vázquez-López. Idem.
33.-- "Estudios de la Difusisión de Sb y Cl en Películas Delgads de CdTe". Orlando Zelaya Angel,
Juan Luis Peña, Feliciano Sánchez-Sinencio, Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem.
34.-- "Estudio del Efecto Staebler-Wronski en Películas de a-Si:H usando la Espectroscopía de
Fotoluminiscencia". J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres, J. González-Hernández. V Congreso
Nacional de Superficies e Interfaces. Monterrey, N.L. México. Octubre 1985.
35.-- "Influencia del Material Impurificador de Películas Conductoras de SnO2 sobre Películas de
CdTe". Orlando Zelaya A., Juan Luis Peña, Julio Mendoza A., Feliciano Sánchez-Sinencio.
Idem.
36.-- "Caracterización Optica de Películas Delgadas de CdTe Depositadas por r.f. Sputtering".
Octavio Alvarez F., S\F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.
37.-- "Incremento de la Absorción por arriba de la Banda Prhobida debido a la no-parabolicidad de
la Banda de Conducción del GaAs" Gerrdo Torres D., Julio G. Mendoza A. Idem.
49
38.-- "Fotoluminiscencia y Absorción de Películas de CdTe en Función de la Temepratura de
Crecimento y d Tramitamientos Térmicos". S. Jiménez S., M.Melénedez L, I. Hernández C., J.
Mendoza A. 1er. Taller Nacional de Optica. Metepec, Puebla, México. Junio 1987.
39.-- "Moduladores de Radiación Optica de GaAs/AlGaAs Basados en la Translación de la Región
de Agotamiento". J.G. Mendoza-Alvarez, L.A. Coldre, T. Hausken. R. H. Yan, K. Lee. VII
Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Morelia. Mich. México. Sept. 1987.
40.-- "Estudio de Problemas de Homogeneidad en el Crecimiento de Películas Delgadas de CdTe
por la Técnica GREG". J. Landa García, M. Cárdenas García, G. Contreras Puente, A. Díaz
Góngora, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio. Idem.
41.-- "Large Grain Size CdTe Films Grown on Glass Substrates". O. Zelaya, F. Sánchez-Sinencio,
J.G. Mendoza-Alvarez, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, G. Hirata-Flores. II Simposio Nacional
de Estado Sólido. Cuernavaca, Mor. México. Octubre 1987.
42.-- "Uso de Heteroestructuras dobles de GaAs/AlGaAs en Moduladores de Fase para Circuitos
Integrados Optoelectrónicos". Julio G. Mendoza-Alvarez, L.A. Coldre, T. R. Hausken, R. Yan.
Idem.
43.-- "Distribución de Defectos en Películas Delgads de CdTe". J. Landa García, M. Cárdenas G.,
Contreras Puente, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya. XXX Congreso
Nacional de la SMF. Mérida, 0.05Yuc. México. Octubre 1987.
44.-- "Moduladores de Fase de Guía de Onda Fabricados con Heteroestructuras de Películas de
GaAsAlGaAs". Julio G. Mendoza Alvarez, L.A. Coldre, T. R. Hausken, R. Yan. Idem.
45.-- "Crecimento del Tamaño de Grano en Películas Delgadas Amorfo-Policristalinas de
Cd0.95Fe0.05Te". Octavio Alvarez F., Alfonso Huanosta, F. Sánchez-Sinencio, J. G.
Mendoza-Alvarez. Idem.
46.-- "Propiedades Fotoluminiscentes de Películas de GaAs Crecidas por la Técnica de LPE con
superenfriamiento". Gerardo Torres Delgado, Julio G. Mendoza Alvarez, B. E. Zendejas. VIII
Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces. Guanajuato, Gto. México. 24-26 de
Agosto, 1988.
47.-- "Estudio de la Reflectividad en Películas de GaAs Crecidas por la Técnica de LPE en el rango
de 2.4 a 6.2 eV". C. Mejía García, G. Contreras Puente, M. Cárdenas García, J. A. Díaz
Góngora, G. Torres Delgado, J. G. Mendoza-Alvarez. Idem.
48.-- "Propiedades Opticas y Estructurales de Películas de Teluro de Cadmio Crecidas sobre
GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Torres Delgado, F. Sánchez-Sinencio. Idem.
49.-- "Movilidad de Portadores y Espectro de Fotoluminiscencia en Películas Policristalinas de
CdTe". Juan Manuel Figueroa, Feliciano Sánchez Siencio, Julio Mendoza Alvarez, Orlando
Zelaya. Idem.
50
50.-- "Propiedades Eléctricas de Capas Cristalinas del Ferroeléctrico Bi4Ti9O12". A. Huanosta, O.
Alvarez-Fregoso, M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares Muñoz, J.G. Mendoza Alvarez. Idem.
51.-- "Estudio de Fotoluminiscencia en Películas Epitaxiales de GaAs Dopadas con Sn en el Rango
1016 -2x1018". Gerardo Torres Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Simposio Nacional de Estado
Sólido. 10-16 Julio, 1989. Tequisquiapan, Qro. México.
52.- "Caracterización Eléctrica de la Perovskita Ferroeléctrica Ferroelástica BiFeO3". C. Tabares
Muñoz, M.E. Mendoza Alvarez, J.G. Mendoza Alvarez, I. Hernández Calderón. Idem.
53.- "Sistema de Crecimiento de Capas Semiconductoras de GaAs y AlGaAs por la técnica de
Epitaxia en Fase Líquida". Gerardo Torre Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Idem.
54.- "Fotorreflectancia de Heterouniones AlxGa1-xAs/GaAs" M. Meléndez Lira, I. Hernández
Calderón, G. Torres Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Idem.
55.- "Espectro de Fotoluminiscencia y Movilidad de Portadores en Películas Policristalinas de
CdTe". J.M. Figueroa, F. Sánchez Sinencio, J. G. Mendoza Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras
Puente, A. Díaz Góngora. Idem.
56.- "Conductividad Eléctrica, Estructura y Composición de Películas Delgadas de CdSbTe". O.
Alvarez Fregoso, F. Sánchez Sinencio, J. G. Mendoza Alvarez, O. Zelaya, M. Farias, L. Cota
Araiza. IX Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces. 21-25 de Agosto. 1989.
Zacatecas . México
57.- Fotorreflectancia de Heterouniones AlxGa1-xAs/GaAs". M. Meléndez Lira, I. Hernández
Calderón, G. Torres Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Idem.
58.- "Optimización de Moduladores del Tipo GaAs?AlGaAs". G. González de la Cruz, J. G.
Mendoza Alvarez. Idem.
59.- "Espectroscopía Auger en CdTe:In y CdTe:Sb". A. Herrera, F. Larios, F. Sánchez Sinencio, O.
Zelaya, J.G. Mendoza Alvarez, O. Alvarez Fregoso, M. H. Farías, L. Cota Araiza. Idem.
60.- "Propiedades Opticas de Películas Epitaxiales de GaAs Intrínsecas y Dopadas Crecidas por
Epitaxia en Fase Líquida". Gerardo Torres Delgado, Juio G. Mendoza Alvarez. Idem.
61.- "Películas de CdTe Crecidas por r. f. Sputtering en Atmósfera de Ar-N". F. J. Espinoza
Beltrán, F. Sánchez-Sinencio, O.Zelaya Angel, J.G. Mendoza Alvarez, C. Vázquez López, C.
Alejo Armenta, M. Farías, L. Cota Araiza. X Congreso Nacional de Física de Superficies e
Intefaces. 27-31 de Agosto, 1990. Jalapa. Ver. México.
62.- "Influencia de la Saturación de As sobre la Calidad Cristalina de Películas Epitaxiales de
GaAs Crecicas por LPE". G. Torres Delgado, B. Zendejas, J. G. Mendoza Alvarez. Idem.
51
63.- "Defectos Polarizables en Películas de CdTe:In y CdTe:Sb" . C. Alejo Armenta, C. Vázquez
López, F. Sánchez Sinencio, J.G. Mendoza Alvrez, F. Larios, A. Herrera, O. Alvarez Fregoso.
Idem.
64.- “Photoluminescence Studies of InxGa1-xAsySb1-y Epitaxial Layers Highly Doped with
Tellurium”. J. Díaz-Reyes, J.L. Herrera-Pérez, M.L. Gómez-Herrera, J.A. Cardona-Bedoya, I.
Riech, P. Rodríguez-Fragoso, and J.G. Mendoza-Alvarez. XXIII Congreso Nacional de
Física de Superficies e Interfaces. Septiembre , 2003. Huatulco, Gro. México.
65.- “Photoluminescence in the Violet Region of the Optical Spectrum of GaAa Nanocrystalline
Thin Films Grown by r.f. Magnetron Sputtering”. F. Gordillo-Delgado, J.G. Mendoza-
Alvarez, O. Zelaya-Angel, A. Cruz-Orea. Idem.
66.-
52
PARTICIPACION EN PROYECTOS:
1.- "Estudio de Semiconductores y de Interfaces Semiconductor-Electrolito Mediante la Técnica de
Desviacion Fototérmica" Proyecto con la Universidad de Princeton. Apoyado dentro del
Convenio CONACYT/NSF. 1983. Investigador Participante.
2.- "Investigación y Desarrollo de Celdas Solares Construidas con Películas Delgadas
Semiconductoras". Proyecto apoyado dentro del convenio CONACYT/Organización de
Estados Americanos. 1984. Investigador Participante.
3.- "Estudio de Celdas Solares de Heterounión GaAs/GaAlAs". Proyecto con el Instituto de Física de
la Universiad Estatal de Campinas, Brasil. Apoyado dentro del Convenio CONACYT/CNPq.
1984. Director del Proyecto.
4.- "Investigación y Desarrollo de Láseres Semiconductores y Fotodetectores para Comunicaciones
Opticas". Proyecto apoyado dentro del Programa Indicativo para el Desarrollo Tecnológico de
la Industria Electrónica auspiciado por el CONACYT. 1985. Director del Proyecto.
5.- "Estudio de Películas de Delgadas de CdTe Impurificadas". Proyecto con el Centro Brasileiro de
Pesquisas Físicas CBPF, Río de Janeiro, Brasil. Apoyado dentro del Convenio
CONACYT/CNPq. 1985. Investigador Participante.
6.- "Crecimiento y Caracterización de Películas de Teloruro de Cadmio Crecidas sobre Cristales de
Silicio y Arsenuro de Galio". Proyecto apoyado por el CONACYT dentro del programa de
Ciencias Básicas. 1989. Director del Proyecto.
7.- “Estudio de las Propiedades Ópticas de Capas Epitaxiales de InGaAsSb por Medio de las
Técnicas de Fotoluminiscencia, Fotorreflectancia y Fotoacústica”. Proyecto apoyado por el
CONACYT. 2000. Director del Proyecto.
8.- “Desarrollo y estudio de las propiedades estructurales y ópticas de películas de GaN(x)As(1-x)
con altas concentraciones de N crecidas por erosión catódica con r.f.”. Proyecto apoyado por el
CONACYT dentro de la Convocatoria de Investigación Científica Básica 2004. Director del
Proyecto.
9.- “Crecimiento y caracterización de semiconductores ternarios de InAs1-xSbx para emisión y
detección en el rango del infrarrojo medio”. Proyecto apoyado por el CONACYT dentro de la
Convocatoria de Investigación Básica 2009. Director del Proyecto.
53
ASISTENCIA A CONGRESOS, REUNIONES Y SIMPOSIOS:
1.-- XV Congreso Nacional de la SMF. Oaxaca, Oax. Mexico. Dic. 1973.
2.-- 30a. Reunion Anual de la SBPC. Sao Paulo, SP. Brasil. Julio 1978.
3.-- 31a. Reunion Anual de la SBPC. Fortaleza, CE. Brasil. Julio 1979.
4.-- 32a. Reunion Anual de la SBPC. Rio de Janeiro, RJ. Brasil. Julio 1980.
5.-- II Seminario Nacional de Fisica Electronica. Puebla, Pue. Mexico. Sept. 1980.
6.-- XXIII Congreso Nacional de la SMF. Guadalajara, Jal. Mexico. Nov. 1980.
7.-- III Reunion de Invierno en Superficies. Cocoyoc, Mor. Mexico. Enero 1981.
8.-- 1981 March Meeting of the APS. Phoenix, Ar. USA. Marzo 1981.
9.-- Fifteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference. Orlando, Fla. USA. Mayo 1981.
10.- Simposio sobre las Propiedades Opticas y Electricas de Aislantes y Semiconductores.
Cocoyoc, Mor. Mexico. Agosto 1981.
11.- VII Simposio Latinoamericano de Fisica del Estado Solido. Gramado, RS. Brasil. Sept. 1981.
12.- XXIV Congreso Nacional de la SMF. Morelia, Mich. Mexico. Nov. 1981.
13.- 1982 March Meeting of the APS. Dallas, Tex. USA. Marzo 1982.
14..-XXV Congreso Nacional de la SMF. Jalapa, Ver. Mexico. Nov. 1982.
15.- 1983 March Meeting of the APS. Los Angeles, Cal. USA. Marzo 1983.
16.- VIII Simposio Latinoamericano de Fisica del Estado Solido. Oaxtepec, Mor. Mexico.
Julio 1983.
17.- XXVI Congreso Nacional de la SMF. Puebla, Pue. Mexico. Nov. 1983.
18.- 1er. Simposio Latinoamericano de Fisica dos Sistemas Amorfos. Niteroi. RJ. Brasil. Feb.
1984.
19.- 1984 March Meeting of the APS. Detroit, Mich. USA. Marzo 1984.
20.- Course on Semiconductor Lasers. Campinas. SP.Brasil. Julio 1984.
54
21.- Ninth IEEE International Semiconductor Laser Conference. Rio de Janeiro, RJ. Brasil.
Agosto 1984.
22.- IV Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Toluca, Edo. de Mex. Mexico. Oct. 1984.
23.- XXVII Congreso Nacional de la SMF. San Luis Potosi, SLP. Mexico. Nov.1984.
24.- 1985 March Meeting of the APS. Baltimore, Mar. USA. Marzo 1985.
25.- III Taller de F¡sica de Superficies. Bahia Kino, Son.México. Mayo 1985. Conferencista
Invitado
26.- IV Taller de Fisica de Superficies. Merida, Yuc. Mexico. Agosto 1985.
27.- V Congreso Nacional de Superficies e Interfaces, Monterrey. N.L. Mexico Oct. 1985.
28.- 1985 Fall Meeting of the Materials Research Society. Boston, Mass. USA. Dic. 1985.
29.- Taller Internacional sobre las Propiedades Magneticas de Sistemas de Baja Dimensionalidad.
Taxco, Gro. Mexico. Enero 1986.
30.- 1986 March Meeting of the APS. Las Vegas, Nev. USA. Marzo 1986.
31.- II Simposio Latinoamericano de F¡sica de Sistemas Desordenados y Amorfos. San Luis
Potos¡. SLP. Mexico. Mayo 1986. Conferencista Invitado.
32.- IV Simposio Latinoamericano de Fisica de Superficies. Caracas, Venezuela. Julio 1986.
33.- 6th International Conference on Solid Surfaces and 10th International Vacuum
Congress. Baltimore, Mar. USA. Oct. 1986.
34.- SPIE Symposium on Semiconductors and Semiconductors Structrures. Panama City, Fla.
Marzo 1987.
35.- 45th Annual Device Research Conference. Santa Barbara, CA. USA. Junio 1987.
36.- 1987 Electronic Materials Conference. Santa Barbara, CA. USA. Junio 1987.
37.- I Escuela Latinoamericana de Fisica Aplicada. Cancun, Q.R. Mexico. Julio 1987. Conferencista
Invitado.
38.- Third International Conference on II-VI Compounds. Monterey, CA. USA. Julio 1987.
39.- VII Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Morelia, Mich. México. Sept. 1987.
40.- II Simposio Nacional de Estado Sólido. Cuernavaca, Mor. México. Oct. 1987.
55
41.- XXX Congreso Nacional de la SMF. Mérida, Yuc. México. Oct. 1987.
42.- IX Winter Meeting on Low Temperature Physics: High Temperature Superconductors.
Tequesquitengo, Mor. México. Enero 1988.
43.- Winter College on Laser Physics: Semiconductor Lasers and Integrated Optics.
International Centre for Theoretical Physics. Trieste, Italia. Feb.-Marzo 1988.
44.- VIII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces.Guanajuato, Gto. México. 24-26
de Agosto, 1988.
45.- Latinoamerican Conference on the Applications of the Mossbauer Effect. Rio de Janeiro, RJ.
Basil. 31. Oct.-4 Nov., 1988.
46.- 4a. Escola Brasileira de Fisica de Semiconductores. Belo Horizonte, MG. Brasil. 23 enero- 3
Feb., 1989.
47.- III Simposio Nacional de Estado Solido. Tequisquiapan, Qro. Mexico. 10-13 de Julio, 1989.
48.- IX Congreso Nacional de Fisica de Superficies e Interfaces. Zacatecas, Zac. Mexico. 21-25 de
Agosto, 1989.
49.- Workshop on Materials Science and the Physics on Non-Conventional Energy Sources. ICTP
Trieste, Italia. Sept. 11-29, 1989.
50.- 11th International Vacuum Congress. Cologne, Federal Republic of Germany. Sept. 25-29,
1989.
51.- 1990 March Meeting of the APS, Anaheim, CA. USA. Marzo 12-16, 1990.
52.- XI Simposio Latinoamericano de Fisica del Estado Solido. Caracas, Venezuela. Marzo 19-23,
1990.
53.- X Congreso Nacional de Fisica de Superficies e Interfaces. Jalapa, Ver. Agosto 29-31, 1990.
54.- Sexto Simposio Latinoamericano de Fisica de Superficies. Cusco, Peru. Septiembre 3-7, 1990.
55.- 37th National Symposium of the American Vacuum Society. Toronto, Canada. Octubre 8-12,
1990.
56.- 5a. Escola Brasileira de Fisica de Semiconductores. Sao Paulo, Brasil. Feb. 4-8, 1991.