1. UNIVERSIDADPOLITECNICA SALESIANA
ELECTRONICADEPOTENCIA
APLICACIONESDELTBJ Y FET
PAULINAARGELLO O.

2. TRANSISTORES
El transistor es un dispositivoque cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente
se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores,
grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras,
automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores,
calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores
mp3, telfonosmviles, etc.
3. TRANSISTOR BJT
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas eningls, se fabrica
bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
4. Los transistores son utilizados como interruptores en los circuitos de
potencia. Los circuitos de polarizacin estn diseados para que estos
estn completamente saturados (activados) o en corte (desactivados).
El estado de conduccin se consigue proporcionando suficiente
corriente de base para llevar el BJT a saturacin. La tensin de
saturacin colector-emisor tpica es de 1V a 2V para un BJT de potencia.
Una corriente de base nula hace que el transistor se polarice en corte.
5. El transistor bipolar como amplificador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos
(Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en
directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso.
Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin
igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el
colector tendremos una corriente proporcional
a la corriente de base: IC = IB, es decir,
ganancia de corriente cuando >1. Para
transistores normales de seal, vara entre
100 y300.
6. Tenemos tres configuraciones diferentes parala aplicacin de los
transistoresen los Amplificadores
EMISOR COMUNBASE COMUN
COLECTOR COMUN
7. Bsicamente un transistor es un semiconductor que puede ser utilizado como amplificador oscilador conmutador o rectificador,igual que los diodos que se basan en conduccin se utilizan bsicamente para amplificar o bien
tambin puede utilizarse como
oscilador, prcticamente un
transistor esta en todos los
electrodomsticos de hoy en da.
Me refiero al transistor de unin bipolar EL BJT(transistor de unin bipolar)
8. TRANSISTORES FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico
para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y
fuente (source). La puerta es el terminal
quivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensin, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre el drenador y la
fuente.
9. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de
efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p,
dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta
pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente.
10. TIPOS DE FET
Se consideran tres tipos principales de FET:
FET de unin (JFET)
FET metal xido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)
FET metal xido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET
de enriquecimiento). Con frecuencia el
MOSFET se denomina FET de compuerta
aislada (IGFET, insulated-gate FET).
11. PRINCIPALES APLICACIONES DEL FET EN LA ELECTRONICA, TELECOMUNICACIONES Y OTRAS RAMAS
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo tenemos:
12. 13. PRINCIPALES VENTAJAS
Estos dispositivos son sensibles a la tensin con alta impedancia de
entrada (del orden de 107 W). Como esta impedancia de entrada es
considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT
para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
* Los FET generan un nivel de ruido menor que los
BJT.
* Los FET se comportan como resistores
variables controlados por tensin para valores
pequeos de tensin de drenaje a fuente.
* Los FET so ms estables con la temperatura
que los BJT.
14. * Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).
* La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como
elementos de almacenamiento.
* Los FET de potencia pueden disipar una
potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
15. DESVENTAJAS
* Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
* Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
* Los FET se pueden daar al
manejarlos debido a
la electricidad esttica.
16. BIBLIOGRAFIA
http://metis.umh.es/jacarrasco/docencia/ep/Tema2/Tema2.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.buenastareas.com/ensayos/Amplificadores-Fet-y- Mosfet/1506637.html
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php