«Мощные радиочастотные транзисторы и ...joint stock company...

Докладчик: Грищенко Сергей Викторович

Воронеж 2018

«Мощные радиочастотные транзисторы и усилительные модули на их основе»

2 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

Радиочастотное направление АО «НИИЭТ»

Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы

Кремниевые биполярные

Кремниевые полевые

DMOS и LDMOS

GaN HEMT

(ТВПЭ)

Усилительные модули

В миниатюрном корпусе

Типа «Pallet»

В металлическом экранированном

корпусе

МИС СВЧ

3 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

0

5

10

15

20

25

30

БТ DMOS LDMOS GaN

Ко

эф

фи

ци

ент

уси

ле

ни

я,

дБ

Данные для частоты 500 МГц

4 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ПОЛОСА СОГЛАСОВАНИЯ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

0

1

2

3

4

5

6

7

БТ DMOS LDMOS GaN

Пол

оса

со

гла

со

ва

ни

я, ГГц

При допустимом уровне рассогласования с КСВН = 2

5 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

КРЕМНИЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

- Диапазон частот 200 – 1150 МГц

- Выходная мощность 0,5 – 500 Вт

- Коэффициент усиления 3 – 10 дБ

- КПД стока 35 – 60 %

- Напряжение питания 7,5; 12,5; 28; 50 В

6 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

- Диапазон частот 0 – 1600 МГц

- Выходная мощность 0,5 – 1200 Вт

- Коэффициент усиления 8,5 – 19 дБ

- КПД стока 40 – 65 %

- Напряжение питания 12,5; 28; 50 В

- Технология DMOS, LDMOS

7 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

МУ-200

высоковольтный n-канальный полевой транзистор

- Максимально допустимое

постоянное напряжение сток-исток 800 В

- Импульсный ток стока 30 А

- Сопротивление сток-исток в

открытом состоянии 0,8 Ом

УМ в диапазоне до 1МГц

СДВ системы связи

8 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

2П9111 - LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ

- Диапазон частот 0 – 500 МГц

- Выходная мощность 80; 150; 250 Вт

- Коэффициент усиления 17; 16; 15 дБ

- КПД стока 65 %

- Напряжение питания 28 В

- Режим работы непрерывный

Аналог: BLF546, BLF647,

ф. AMPLEON, NXP

9 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

2П9120 – СЕРИЯ СВЕРХМОЩНЫХ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ

- Диапазон частот 0 – 500 МГц

- Выходная мощность 500; 1000; 1200 Вт

- Коэффициент усиления 21; 18; 16 дБ

- КПД стока 45 %

- Напряжение питания 50 В

- Режим работы импульсный

Аналоги: BLF574, BLF578,

ф. AMPLEON, NXP

10 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

2П9103 - LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ

- Диапазон частот 0 – 860 МГц

- Выходная мощность (ПО) 10; 45; 75; 150; 300 Вт

- Коэффициент усиления 16 дБ

- КПД стока 40 %

- Напряжение питания 32 В

- Режим работы непрерывный

- Уровень комбинационных

составляющих ≤ - 25 дБ

Аналог: BLF2045, BLF861, BLF872,

ф. AMPLEON, NXP

11 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

2П9123 ЛИНЕЙНЫЕ LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ УВЧ-ДИАПАЗОНА

- Диапазон частот 0 – 860 МГц

- Выходная мощность (ПО) 0,5, 15, 100 Вт

- Коэффициент усиления 18; 15; 16 дБ

- Коэффициент полезного

действия 40 %

- Напряжение питания 28; 50 В

- Уровень комбинационных

составляющих ≤ - 30 дБ

- Режим работы двухтоновый

Аналог:BLF871, ф. NXP

12 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

2П9133 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ

L-ДИАПАЗОНА

Тип

транзистора

РВЫХ И,

Вт

fmin,

МГц

fmax,

МГц

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

2П9133А 25 1200 1400 17 43 50 КТ-55С-1

2П9133Б 35 1200 1400 16 43 36 КТ-55С-1

2П9133В 50 1200 1400 16 43 50 КТ-55С-1

2П9133Г1 350 1200 1400 16 43 50 КТ-81B-1

2П9133ДС 500 1200 1400 16 43 50 КТ-103A-2

Режим работы импульсный (τи = 1 мс, Q = 10)

Аналоги: ф. NXP, AMPLEON, INTEGRA

13 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ОКР «ВОЛЬТ-И10»

«Комплект мощных ВЧ DMOS транзисторов непрерывного режима для работы

в ОВЧ диапазоне частот»

Тип

транзистора

РВЫХ,

Вт

Fтест,

МГц

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В UСИ

max, В

Тип корпуса

2ПЕ226А 30 30 18 50 50 125 КТ-31А

2ПЕ310А 150 108 18 50 50 170 КТ-31В

2ПЕ311А 300 30 20 50 50 170 КТ-31С

2ПЕ311Б 400 30 19 50 50 170 КТ-31С

2ПЕ310Б 150 150 18 50 100 250 КТ-31В

Аналоги: ф. NXP, ST

14 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

МОЩНЫЕ СВЧ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Мощные импульсные GaN транзисторы

Тип

транзистора

РВЫХ,

Вт

fТЕСТ,

МГц

fmax,

МГц

КУР,

дБ

ηC, % UПИТ,

В

Тип корпуса

ТНГ270100-28 100 2700 3500 9 60 28 КТ-55C-1

ТНГ310100-50 100 3100 3500 11 50 50 КТ-55C-1

ТНГ400100-50 100 4000 4500 12 50 50 КТ-55C-1

Параметры радиоимпульса: (τи = 300 мкс, Q = 10)

15 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

МОЩНЫЕ СВЧ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Серия мощныx 28 В GaN транзисторов для непрерывного режима

Тип

транзистора

РВЫХ,

Вт

fТЕСТ,

МГц

fmax,

МГц

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

ПП9136А 5 4000 6000 17,5 55 28 КТ-81С-1

ПП9137А 10 4000 6000 14 60 28 КТ-81С-1

ПП9138А 15 4000 6000 13 55 28 КТ-81С-1

ПП9138Б 25 4000 6000 11 52 28 КТ-81С-1

ПП9139А1 50 2900 4000 14 60 28 КТ-55C-1

16 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ОКР «Дискрет-39-Т»,

GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (1)

Тип транзистора РВЫХ ,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц

(fтест, ГГц)

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

Тип 1 400* 0,5 1,6

(1,6) 12 60 50 КТ-81B-1

Тип 2-1 80 0,03 1,8

(1,7) 17 65 28 КТ-55С-1

Тип 2-2 60 0,03 3,1

(2,5) 15 65 28 КТ-55С-1

Тип 3-1 20 0,03 4,2

(4) 13 45 28 КТ-81С-1

Тип 3-2 2 0,03 4,2

(4) 13,5 45 28 КТ-81С-1

*Режим работы импульсный (τи = 1 мс, Q = 10)

Аналоги: ф. CREE, SUMITOMO, FUJITSU, INTEGRA, MICROSEMI

17 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ОКР «Дискрет-39-Т»,

GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (2)

Тип транзистора РВЫХ ,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц

(fтест, ГГц)

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

Тип 4-1 5 7,7 8,7

(7,7 - 8,7) 13 30 28 КТ-81С-1

Тип 4-2 30 7,7 8,7

(7,7 - 8,7) 12 30 28 QF253

Тип 5-1 0,5 0,03 12

(12) 6 20 28 QF062

Тип 5-2 0,12 0,03 12

(12) 7 20 28 QF062

18 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ОКР «Дискрет-39-Т»,

GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (3)

Тип транзистора РВЫХ,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц

(fтест, ГГц)

КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

Тип 6 5 0,03 6

(4) 13 45 28 КТ-81С-1

Тип 7 10 0,03 6

(4) 10 45 28 КТ-81С-1

Тип 8 15 0,03 6

(4) 10 45 28 КТ-81С-1

Тип 9 25 0,03 6

(4) 9 45 28 КТ-81С-1

Тип 10 100 0,03 2,5

(1,5) 13 45 28 КТ-55С-1

Аналоги: ф. CREE, SUMITOMO, FUJITSU, INTEGRA, MICROSEMI

19 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ОКР «Дискрет-40»,

Импульсные биполярные СВЧ транзисторы L- диапазона частот

Тип транзистора РВЫХ И,

Вт

fmin,

ГГц

fmax, ГГц КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса

Тип 1 15 1,45 1,55 10 35 50 Тип 1

Тип 2 110 1,45 1,55 9 45 50 Тип 2

Тип 3 650 1,45 1,55 8 40 50 Тип 3

Тип 4 20 1,03 1,09 12 45 50 Тип 1

Тип 5 140 1,03 1,09 10 50 50 Тип 2

Тип 6

800 1,03 1,09 8 50 50 Тип 3

Аналоги: ф. INTEGRA

20 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

СТЕНД ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ S-ПАРАМЕТРОВ И ОПТИМАЛЬНЫХ

ИМПЕДАНСОВ

ИСТОЧНИКА И НАГРУЗКИ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

- Диапазон частот 230 – 6000 МГц

- Выходная мощность ≤ 400Вт

- КСВН 1:25

- Режим работы импульсный

непрерывный

21 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УНГ20С2560 – Интегральный усилительный модуль на базе МИС СВЧ

22 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УСИЛИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ

УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ В МИНИАТЮРНОМ КОРПУСЕ

- Диапазон частот 1,5 – 1215 МГц

- Выходная мощность 1 – 100 Вт

- Входная мощность 1 – 100 мВт

- Напряжение питания 7,5; 12,5; 28; 50 В

- Корпуса К-1 - 14×42×6 мм

К-2 - 20×67×9 мм

23 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УМ135-3 - СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ МОДУЛЬ УМ

- Рабочий диапазон частот 1,5 – 520 МГц

- Выходная мощность 5 Вт

- Входная мощность 20 мВт

- Напряжение питания 28 В

- Уровень комбинационных

составляющих ≤ - 30 дБ

- Корпус К2 - 20×67×9

мм

24 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ В МИНИАТЮРНОМ КОРПУСЕ

на

GaN транзисторах

УМ140-12

- Диапазон частот 960 – 1215 МГц

- Импульсная выходная мощность 100 Вт

- τи=10мкс, Q=10

- Коэффициент усиления 30дБ

- Напряжение питания 50 В

- Корпус К-2В - 20×67×9 мм

25 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

М44265, М44266 - ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ)

S-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 2,7 – 3,1 ГГц

- Выходная мощность 300; 80 Вт

- Коэффициент усиления 8;10 дБ

- Напряжение питания 35 В

- Коэффициент полезного

действия 30 %

- Режим работы импульсный

τи = 500мкс

Q = 10

26 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

М421354 - УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО РЕЖИМА

ВЧ-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 1,5 – 30 МГц

- Выходная мощность 1000 Вт

- Коэффициент усиления 20 дБ

- Напряжение питания 50 В

- Коэффициент полезного

действия 50 %

- Уровень комбинационных

составляющих ≤ - 25 дБ

- Режим работы непрерывный

27 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УМП00130-300 - УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО

РЕЖИМА

ВЧ-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 1,5 – 30 МГц

- Выходная мощность 300 Вт

- Коэффициент усиления 27 дБ

- Напряжение питания 50 В

- Коэффициент полезного

действия 50 %

- Уровень комбинационных

составляющих ≤ - 25 дБ

- Режим работы непрерывный

28 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УМП3570-130 – УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО

РЕЖИМА ОВЧ-ДИАПАЗОНА

- Полоса частот 35 – 70 МГц

- Выходная мощность 130 Вт

- Входная мощность 20 мВт

- Напряжение питания 28 В

- Коэффициент полезного

действия 50 %

- Режим работы непрерывный

29 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

УМП148-2к – ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ)

ОВЧ-ДИАПАЗОНА

- Рабочая частота 148,5 МГц

- Выходная мощность 2000 Вт

- Коэффициент усиления 20 дБ

- Напряжение питания 50 В

- Коэффициент полезного

действия 40 %

- Режим работы импульсный

τ =120мкс,

Q =500

30 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ УМ-15К

- Рабочая частота 148,5 МГц

- Выходная мощность 15 кВт

- Коэффициент усиления 17 дБ

- Напряжение питания 220 В -50Гц

- Габариты 500 х 550 х 450 мм

- Режим работы импульсный

τ =120мкс,

Q =500

31 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ В ЭКРАНИРОВАННОМ КОРПУСЕ

L-ДИАПАЗОНА

- Выходная мощность 1000 Вт

- Коэффициент усиления 50 дБ

- Напряжение питания 50 В

- Коэффициент полезного

действия 45 %

32 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic

ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ СВЧ В ГЕРМЕТИЧНОМ

ЭКРАНИРОВАННОМ КОРПУСЕ L-ДИАПАЗОНА

- Выходная мощность 100 Вт

- Коэффициент усиления 21 дБ

- Напряжение питания 50 В

- Коэффициент полезного

действия 30 %

33

АО «Росэлектроника»

121059, Россия г. Москва

Бережковская наб., д. 38, стр.1

Тел.: +7 (495) 777-42-82

Факс: +7 (495) 708-23-16

E-mail: info@ruselectronics.ru

АО «Росэлектроника»

121059, Россия г. Москва

Бережковская наб., д. 38, стр.1

Тел.: +7 (495) 777-42-82

Факс: +7 (495) 708-23-16

E-mail: info@ruselectronics.ru