grabaciÓn y lectura de una memoria ram

24-4-2014

TEMA: GRABACIÓN Y LECTURA DE UNA MEMORIA RAM

ASIGNATURA: MICROPROCESADORES

TRABAJO PRE PARATORIO

LABORATORIO No. 1.3

FERNANDO QUISAGUANO PAREDES

LEANDRO ALVAREZ

CARRERA DE ELECTRÓNICA EN AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL

Tema: Grabación y lectura de una memoria RAM.

1. Objetivos:

1.1 Objetivo General:

Realizar la grabación y lectura de una memoria RAM 6116.

1.2 Objetivos Específicos:

- Diseñar un circuito práctico que nos permita verificar el funcionamiento de una memoria RAM.

- Verificar que el almacenamiento de datos en la memoria RAM es temporal y de fácil manipulación “Lectura - Escritura”.

- Comprender el funcionamiento de un buffer.

2. Marco Teórico:

RAM (Random Access Memory)

Es una memoria de acceso aleatorio se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan “de acceso aleatorio” porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.

Buffer

El Buffer triestado, es utilizado en la electrónica digital para añadir un estado más, que es el de alta impedancia, el cual inhabilita el paso del estado bajo o estado alto “0 o 1”, esencialmente funciona como un switch controlado por voltaje.

a. Data Sheet de los siguientes integrados:

6116

Configuración de pines

1

Diagrama de bloques interno RAM

Tabla de verdad

74244 (Buffer)

Configuración de Pines

2

Tabla de Funcionamiento

74245 (Buffer)

Configuración de Pines

Tabla de Funcionamiento

3

Timer 555

7404

Diagrama de pines

Tabla de funcionamiento

4

3. Realizar el siguiente circuito

Implementar un circuito que permita grabar datos en la memoria RAM, también visualízalos a través de un display.

4. Diagrama de bloques

5

MEMORIA RAM

DISPLAY

BUFFER

DIRECCIONES

RD / WR

DATOS

5. Diagrama Eléctrico:

6. BibliografíaFAIRCHIELD. (2000). DM 7407. Obtenido de Datsheet: http://www4.ujaen.es/~gnofuen/Hoja%20caracteristicas%207404.pdf

6

SEMICONDICTOR, F. (2000). DM 74LS244. Obtenido de Datasheet: http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheets/70/375527_DS.pdf

SEMICONDUCTOR, F. (2000). DM64LS245. Obtenido de DataSheet: http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheets/70/248178_DS.pdf

Technology, I. D. (2000). CMOS Static RAM 6116. Obtenido de http://140.113.144.123/Creative/6116.pdf

7. Conclusiones y recomendaciones______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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