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7/21/2019 188404113 Bjt Parcial Proyecto http://slidepdf.com/reader/full/188404113-bjt-parcial-proyecto 1/10 I. TEMA: TRASISTOR DE UNION BIPOLAR – BJT : Proyecto sobre el exáme !"rc#"l II. OBJETI$OS: o Conocer el comportamiento del transistor BJT. o Reconocer la base, el colector y el emisor de acuerdo al código de cada transistor. o Variacion de R1 R2 10 veces. UNMSM %"c&lt"' 'e I(e#er)" Electr*#c"+ El,ctr#c" y 'e Telecom&#c"c#oes APELLIDOS - NOMBRES MATRIULA !"#"$ %"&V"$ J'R%( 111)0122 URSO TEMA C*RC!*T'+ (&(CTR'$*C'+ TR"$+*+T'R BJT royecto arcial  "notaciones IN%ORME  %E/A DE REALI0AION %E/A DE ENTRE1A NOTA -*$"& "RT( 2/10201 011201 N2MERO 0/ 1RUPO PRO%ESOR 2 *$%. #(*$"

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I. TEMA:TRASISTOR DE UNION BIPOLAR – BJT : Proyecto sobre el exáme

!"rc#"l

II. OBJETI$OS:

o Conocer el comportamiento del transistor BJT.

o Reconocer la base, el colector y el emisor de acuerdo al código de cada

transistor.o Variacion de R1 R2 10 veces.

UNMSM%"c&lt"' 'e I(e#er)" Electr*#c"+ El,ctr#c" y 'eTelecom&#c"c#oes

APELLIDOS - NOMBRES MATRIULA

!"#"$ %"&V"$ J'R%( 111)0122

URSO TEMA

C*RC!*T'+ (&(CTR'$*C'+TR"$+*+T'R BJT royecto arcial

"notaciones

IN%ORME %E/A DEREALI0AION

%E/A DEENTRE1A

NOTA

-*$"& "RT( 2/10201 011201N2MERO

0/

1RUPO PRO%ESOR

2 *$%. #(*$"

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III. INTRODUI3N TE3RIA:

TR"+*+T'R ( !$*'$ B*'&"R BJT

(l tr"s#stor 'e &#* b#!ol"r es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones $ muy cercanas entre s3, 4ue permite controlar el

paso de la corriente a trav5s de sus terminales. &a denominación de bipolar se

debe a 4ue la conducción tiene lugar gracias al despla6amiento de portadores

de dos polaridades 78uecos positivos y electrones negativos9, y son de gran

utilidad en gran n:mero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,

entre ellos su impedancia de entrada bastante ba<a.

&os transistores bipolares son los transistores m=s conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aun4ue tambi5n en algunas

aplicaciones de electrónica digital, como la tecnolog3a TT& o B*C#'+.

!n transistor de unión bipolar est= >ormado por dos !niones $ en un solo

cristal semiconductor, separados por una región muy estrec8a. e esta manera

4uedan >ormadas tres regiones?

• Em#sor , 4ue se di>erencia de las otras dos por estar >uertemente

dopada, comport=ndose como un metal. +u nombre se debe a 4ue estaterminal >unciona como emisor de portadores de carga.

• B"se, la intermedia, muy estrec8a, 4ue separa el emisor del colector.

• olector , de e@tensión muc8o mayor.

%&c#o"m#eto:

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Caracter3stica ideali6ada de un transistor bipolar

(n una con>iguración normal, la unión emisorbase se polari6a en directa y la

unión basecolector en inversa. ebido a la agitación t5rmica los portadores de

carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisorbase y llegar

a la base. " su ve6, pr=cticamente todos los portadores 4ue llegaron son

impulsados por el campo el5ctrico 4ue e@iste entre la base y el colector.

!n transistor $$ puede ser considerado como dos diodos con la región del

=nodo compartida. (n una operación t3pica, la unión baseemisor est=

polari6ada en directa y la unión basecolector est= polari6ada en inversa.

Control de tensión, carga y corriente?

&a corriente colectoremisor puede ser vista como controlada por la corriente

baseemisor 7control de corriente9, o por la tensión baseemisor 7control de

volta<e9. (sto es debido a la relación tensióncorriente de la unión baseemisor,

la cual es la curva tensióncorriente e@ponencial usual de una unión $ 7es

decir, un diodo9.

(l "l>a y Beta del transistor?

!na >orma de medir la e>iciencia del BJT es a trav5s de la proporción de

electrones capaces de cru6ar la base y alcan6ar el colector. (l alto dopa<e de la

región del emisor y el ba<o dopa<e de la región de la base pueden causar 4ue

muc8os m=s electrones sean inyectados desde el emisor 8acia la base 4ue

8uecos desde la base 8acia el emisor. &a ganancia de corriente emisor común

est= representada por o por 8>e. (sto es apro@imadamente la tasa de

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corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región

activa directa y es t3picamente mayor a 100. 'tro par=metro importante es la

ganancia de corriente base común, . &a ganancia de corriente base com:n

es apro@imadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la

región activa directa. (sta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad;

4ue oscila entre 0.)A y 0.))A. (l "l>a y Beta est=n m=s precisamentedeterminados por las siguientes relaciones 7para un transistor $$9?

• Parámetro BETA del transistor :

a forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones

capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopae de la re!ión del emisor

y el bao dopae de la re!ión de la base pueden causar "ue muc#os más electrones sean

inyectados desde el emisor #acia la base "ue #uecos desde la base #acia el emisor.

$a !anancia de corriente emisor com%n está representada por o por #fe. Esto es

apro&imadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de

la base en la re!ión activa directa y es t'picamente mayor a ()). *tro parámetro

importante es la !anancia de corriente base com%n + . $a !anancia de corriente basecom%n es apro&imadamente la !anancia de corriente desde emisor a colector en la

re!ión activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad, "ue

oscila entre ).- y ).--. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las

si!uientes relaciones /para un transistor 0P01:

• 2orriente de saturación inversa efecto :Es la pe"ue3a corriente "ue se establece al polarizar inversamente el diodo + es decir al

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conectar el positivo de la fuente al catodo /41 del diodo y el ne!ativo de la fuente al

anodo 79 del diodo por la

>ormación de pares electrón8ueco debido a la temperatura, admiti5ndose 4ue se duplica

por cada incremento de 10 en la temperatura.

I. MATERIALES - E4UIPO UTILI0ADO1. !na -uente de Corriente Continua de Volta<e Variable.

2. !n #ult3metro digitala. #arca? -loDer b. $E? F/GA00G

. !n #iliamper3metro#arca? HoDogaIa#odelo? 20G10G+ensibilidad? 71109 KV

"Lo? 200G$E? AGB"000

/. !n #icroamper3metro#arca? HoDogaIa#odelo? 20G101+ensibilidad? 7109 KV

"Lo? 200G$E? AGB"002G

5. Resistencias 470Ω

, 1K Ω

, 10K Ω

.

6. Potenciómetro 10K Ω

(fja desde 2.2K Ω

)

7. Capacitor 0.47 µ

.!. "iodos 1#414! (2), 1#4004 (2).$. Ca%&es, conectores ' coaia&es.

10.Resistencia de 1D K

11. Cables y conectores 7cocodrilobanano9.

12.TR"$+*+T'R 2$2222

D"tos ex!er#met"les :

#rc&#to ex!er#met"l :

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$"r#"'o R5 :

R56 O7m8 Ib 6&A8 Ic6mA8 $ce698 Icc 6mA.8; <= 5.5 =.<> 5<.5.?; <@= 5.5 =.< 5<.<; ?= 5 =.< 5<.<.?; = 5 =.<? 5<.<?.?; C== 5 =.<<? 5<.?; @= 5 =.<< 5<.

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$"r#"'o R:

R6 O7m8 Ib 6&A8 Ic6mA8 $ce698 Icc 6mA.8

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5ariando 6c:

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• 5emos también "ue al aumentar la resistencia del potenciómetro el 6(

e"uivalente afecta el punto del trabao del transistor+acercándolo a la

zona de corte.

• Polarizando al diodo base4emisor en directa y el colector4base en

inversa+ se tiene el modelo apro&imado para continua+ y donde se definenlas !anancias estáticas de corriente en emisor com%n y base com%n+

respectivamente

• >n !ran n%mero de portadores mayoritarios /electrones1 se difunde a

través de la unión base emisor+ puesto "ue ésta se #alla polarizada en

directo. Estos electrones entran a la re!ión de la base y tienen dos

opciones. Podr'an dear esta re!ión a través de la cone&ión con las

fuentes de alimentación o continuar #acia la re!ión de colector a través

de la amplia re!ión desértica de la unión polarizada en inverso. Eltransistor de unión bipolar presenta !anancia de corriente+ lo cual se

puede utilizar para amplificar se3ales.

B#bl#o(r")":

• 2762>7T*? E$E2T672*? @orf4?voboda+ta

5 edición+

Alfaome!a !rupo editor+ é&ico+ 8))9.

• TE*67A @E 2762>7T*? @7?P*?7T75*?

E$E2T6*072*? Boylestad40as#elsCy+ va

edición+ Pearson

educación+ é&ico+ 8))9.

• 4DTTP:FFF.ate.uniones.es GElectrónica y automatismo

>niversidad de *viedoH

• *o'&etad +eora de circ-itos e&ectrónicos.

• a&/ino Circ-itos e&ectrónicos

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ttp33perso.anadoo.es3c'r'es3t-toria&es3-entes11.t

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• ttp33es.iipedia.or3ii3Rectifcador

• ttp33tm&.rinconde&/ao.com3rectifcador.tm& • .an-a& de 8a%oratorio de Circ-itos e&ectrónicos 9 .

ac-&tad de 9neniera :&;ctrica ' :&ectrónica. <#9.