188404113 bjt parcial proyecto
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I. TEMA:TRASISTOR DE UNION BIPOLAR – BJT : Proyecto sobre el exáme
!"rc#"l
II. OBJETI$OS:
o Conocer el comportamiento del transistor BJT.
o Reconocer la base, el colector y el emisor de acuerdo al código de cada
transistor.o Variacion de R1 R2 10 veces.
UNMSM%"c<"' 'e I(e#er)" Electr*#c"+ El,ctr#c" y 'eTelecom&#c"c#oes
APELLIDOS - NOMBRES MATRIULA
!"#"$ %"&V"$ J'R%( 111)0122
URSO TEMA
C*RC!*T'+ (&(CTR'$*C'+TR"$+*+T'R BJT royecto arcial
"notaciones
IN%ORME %E/A DEREALI0AION
%E/A DEENTRE1A
NOTA
-*$"& "RT( 2/10201 011201N2MERO
0/
1RUPO PRO%ESOR
2 *$%. #(*$"
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III. INTRODUI3N TE3RIA:
TR"+*+T'R ( !$*'$ B*'&"R BJT
(l tr"s#stor 'e &#* b#!ol"r es un dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones $ muy cercanas entre s3, 4ue permite controlar el
paso de la corriente a trav5s de sus terminales. &a denominación de bipolar se
debe a 4ue la conducción tiene lugar gracias al despla6amiento de portadores
de dos polaridades 78uecos positivos y electrones negativos9, y son de gran
utilidad en gran n:mero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante ba<a.
&os transistores bipolares son los transistores m=s conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aun4ue tambi5n en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnolog3a TT& o B*C#'+.
!n transistor de unión bipolar est= >ormado por dos !niones $ en un solo
cristal semiconductor, separados por una región muy estrec8a. e esta manera
4uedan >ormadas tres regiones?
• Em#sor , 4ue se di>erencia de las otras dos por estar >uertemente
dopada, comport=ndose como un metal. +u nombre se debe a 4ue estaterminal >unciona como emisor de portadores de carga.
• B"se, la intermedia, muy estrec8a, 4ue separa el emisor del colector.
• olector , de e@tensión muc8o mayor.
%&c#o"m#eto:
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Caracter3stica ideali6ada de un transistor bipolar
(n una con>iguración normal, la unión emisorbase se polari6a en directa y la
unión basecolector en inversa. ebido a la agitación t5rmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisorbase y llegar
a la base. " su ve6, pr=cticamente todos los portadores 4ue llegaron son
impulsados por el campo el5ctrico 4ue e@iste entre la base y el colector.
!n transistor $$ puede ser considerado como dos diodos con la región del
=nodo compartida. (n una operación t3pica, la unión baseemisor est=
polari6ada en directa y la unión basecolector est= polari6ada en inversa.
Control de tensión, carga y corriente?
&a corriente colectoremisor puede ser vista como controlada por la corriente
baseemisor 7control de corriente9, o por la tensión baseemisor 7control de
volta<e9. (sto es debido a la relación tensióncorriente de la unión baseemisor,
la cual es la curva tensióncorriente e@ponencial usual de una unión $ 7es
decir, un diodo9.
(l "l>a y Beta del transistor?
!na >orma de medir la e>iciencia del BJT es a trav5s de la proporción de
electrones capaces de cru6ar la base y alcan6ar el colector. (l alto dopa<e de la
región del emisor y el ba<o dopa<e de la región de la base pueden causar 4ue
muc8os m=s electrones sean inyectados desde el emisor 8acia la base 4ue
8uecos desde la base 8acia el emisor. &a ganancia de corriente emisor común
est= representada por o por 8>e. (sto es apro@imadamente la tasa de
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corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región
activa directa y es t3picamente mayor a 100. 'tro par=metro importante es la
ganancia de corriente base común, . &a ganancia de corriente base com:n
es apro@imadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la
región activa directa. (sta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad;
4ue oscila entre 0.)A y 0.))A. (l "l>a y Beta est=n m=s precisamentedeterminados por las siguientes relaciones 7para un transistor $$9?
• Parámetro BETA del transistor :
a forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopae de la re!ión del emisor
y el bao dopae de la re!ión de la base pueden causar "ue muc#os más electrones sean
inyectados desde el emisor #acia la base "ue #uecos desde la base #acia el emisor.
$a !anancia de corriente emisor com%n está representada por o por #fe. Esto es
apro&imadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de
la base en la re!ión activa directa y es t'picamente mayor a ()). *tro parámetro
importante es la !anancia de corriente base com%n + . $a !anancia de corriente basecom%n es apro&imadamente la !anancia de corriente desde emisor a colector en la
re!ión activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad, "ue
oscila entre ).- y ).--. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las
si!uientes relaciones /para un transistor 0P01:
• 2orriente de saturación inversa efecto :Es la pe"ue3a corriente "ue se establece al polarizar inversamente el diodo + es decir al
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conectar el positivo de la fuente al catodo /41 del diodo y el ne!ativo de la fuente al
anodo 79 del diodo por la
>ormación de pares electrón8ueco debido a la temperatura, admiti5ndose 4ue se duplica
por cada incremento de 10 en la temperatura.
I. MATERIALES - E4UIPO UTILI0ADO1. !na -uente de Corriente Continua de Volta<e Variable.
2. !n #ult3metro digitala. #arca? -loDer b. $E? F/GA00G
. !n #iliamper3metro#arca? HoDogaIa#odelo? 20G10G+ensibilidad? 71109 KV
"Lo? 200G$E? AGB"000
/. !n #icroamper3metro#arca? HoDogaIa#odelo? 20G101+ensibilidad? 7109 KV
"Lo? 200G$E? AGB"002G
5. Resistencias 470Ω
, 1K Ω
, 10K Ω
.
6. Potenciómetro 10K Ω
(fja desde 2.2K Ω
)
7. Capacitor 0.47 µ
.!. "iodos 1#414! (2), 1#4004 (2).$. Ca%&es, conectores ' coaia&es.
10.Resistencia de 1D K
11. Cables y conectores 7cocodrilobanano9.
12.TR"$+*+T'R 2$2222
D"tos ex!er#met"les :
#rc&#to ex!er#met"l :
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$"r#"'o R5 :
R56 O7m8 Ib 6&A8 Ic6mA8 $ce698 Icc 6mA.8; <= 5.5 =.<> 5<.5.?; <@= 5.5 =.< 5<.<; ?= 5 =.< 5<.<.?; = 5 =.<? 5<.<?.?; C== 5 =.<<? 5<.?; @= 5 =.<< 5<.
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5ariando 6c:
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• 5emos también "ue al aumentar la resistencia del potenciómetro el 6(
e"uivalente afecta el punto del trabao del transistor+acercándolo a la
zona de corte.
• Polarizando al diodo base4emisor en directa y el colector4base en
inversa+ se tiene el modelo apro&imado para continua+ y donde se definenlas !anancias estáticas de corriente en emisor com%n y base com%n+
respectivamente
• >n !ran n%mero de portadores mayoritarios /electrones1 se difunde a
través de la unión base emisor+ puesto "ue ésta se #alla polarizada en
directo. Estos electrones entran a la re!ión de la base y tienen dos
opciones. Podr'an dear esta re!ión a través de la cone&ión con las
fuentes de alimentación o continuar #acia la re!ión de colector a través
de la amplia re!ión desértica de la unión polarizada en inverso. Eltransistor de unión bipolar presenta !anancia de corriente+ lo cual se
puede utilizar para amplificar se3ales.
B#bl#o(r")":
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5 edición+
Alfaome!a !rupo editor+ é&ico+ 8))9.
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edición+ Pearson
educación+ é&ico+ 8))9.
• 4DTTP:FFF.ate.uniones.es GElectrónica y automatismo
>niversidad de *viedoH
• *o'&etad +eora de circ-itos e&ectrónicos.
• a&/ino Circ-itos e&ectrónicos
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• ttp33es.iipedia.or3ii3Rectifcador
• ttp33tm&.rinconde&/ao.com3rectifcador.tm& • .an-a& de 8a%oratorio de Circ-itos e&ectrónicos 9 .
ac-&tad de 9neniera :&;ctrica ' :&ectrónica. <#9.